JPH0555124A - 電子ビーム露光方法 - Google Patents
電子ビーム露光方法Info
- Publication number
- JPH0555124A JPH0555124A JP21720891A JP21720891A JPH0555124A JP H0555124 A JPH0555124 A JP H0555124A JP 21720891 A JP21720891 A JP 21720891A JP 21720891 A JP21720891 A JP 21720891A JP H0555124 A JPH0555124 A JP H0555124A
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- Japan
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- mask
- electron beam
- deflection
- deflection distortion
- charge
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、半導体装置の製造に用いられるマ
スク基板製造で使用される電子ビーム露光装置のその露
光方法に関するもので、マスク基板上に蓄積される電荷
の影響でビーム照射位置がずれることを防ぐ方法を提供
することを目的とする。 【構成】 前記目的のために本発明は、マスク基板表面
に蓄積された電荷を検出し、その電荷量に対応したビー
ムの偏向歪量を求め、該歪量の分ビーム照射の偏向を補
正するようにしたものである。
スク基板製造で使用される電子ビーム露光装置のその露
光方法に関するもので、マスク基板上に蓄積される電荷
の影響でビーム照射位置がずれることを防ぐ方法を提供
することを目的とする。 【構成】 前記目的のために本発明は、マスク基板表面
に蓄積された電荷を検出し、その電荷量に対応したビー
ムの偏向歪量を求め、該歪量の分ビーム照射の偏向を補
正するようにしたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造で
用いられるマスク基板の表面にパターンを描くときに使
用される電子ビーム露光装置における、その露光方法に
関するものである。
用いられるマスク基板の表面にパターンを描くときに使
用される電子ビーム露光装置における、その露光方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近来、半導体装置が微細化されるに従っ
て、マスクパターンの製作に当たっては、電子ビームで
描画する方法が一般的になってきている。
て、マスクパターンの製作に当たっては、電子ビームで
描画する方法が一般的になってきている。
【０００３】この方法は、周知のように電子ビーム露光
装置が用いられ、真空中で偏向コイルにより細く絞った
電子ビームを所望の形状に集束し、ＯＮ−ＯＦＦさせな
がらマスク基板上のレジスト（電子線に反応する非導電
性物質）に垂直に照射させるとともに、マスク基板を載
せてあるステージを移動させて描画するものである。
装置が用いられ、真空中で偏向コイルにより細く絞った
電子ビームを所望の形状に集束し、ＯＮ−ＯＦＦさせな
がらマスク基板上のレジスト（電子線に反応する非導電
性物質）に垂直に照射させるとともに、マスク基板を載
せてあるステージを移動させて描画するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の電子ビーム露光装置では、マスク（以下単にマ
スクと称す）基板表面に入射する電子により電荷がある
時間蓄積（チャージアップ）する。その結果、連続して
電子ビームを入射しようとすると、その電子に対して斥
力が作用し、電子ビームが所定の位置からずれて照射さ
れ（図４参照、目標位置Ａが位置Ｅになる）、マスク上
の図形描画位置の精度を劣化させる。
た従来の電子ビーム露光装置では、マスク（以下単にマ
スクと称す）基板表面に入射する電子により電荷がある
時間蓄積（チャージアップ）する。その結果、連続して
電子ビームを入射しようとすると、その電子に対して斥
力が作用し、電子ビームが所定の位置からずれて照射さ
れ（図４参照、目標位置Ａが位置Ｅになる）、マスク上
の図形描画位置の精度を劣化させる。
【０００５】この問題に対して、従来考えられている技
術として、（１）光導電性レジストを使用して、電子ビ
ームの照射と併行して光を照射してチャージアップを中
和する方法（例えば、特開昭５７−１７０５２６号公
報、特開昭５８−１０６８２７号公報、特開昭６０−１
１７７２０号公報などにみられる）、（２）試料電流を
モニターして、その電流のレベルに対して描画を連続或
いは中断する方法（例えば、特開昭５８−３１５２７号
公報）、などがあるが、レジストの選択上制約があった
り、描画スループットに悪影響を及ぼすものであった。
術として、（１）光導電性レジストを使用して、電子ビ
ームの照射と併行して光を照射してチャージアップを中
和する方法（例えば、特開昭５７−１７０５２６号公
報、特開昭５８−１０６８２７号公報、特開昭６０−１
１７７２０号公報などにみられる）、（２）試料電流を
モニターして、その電流のレベルに対して描画を連続或
いは中断する方法（例えば、特開昭５８−３１５２７号
公報）、などがあるが、レジストの選択上制約があった
り、描画スループットに悪影響を及ぼすものであった。
【０００６】この発明は、以上述べたマスク表面のチャ
ージアップによる描画精度劣化の問題点を除去するため
に、電子ビーム露光装置にチャージアップの電荷量によ
るビームの偏向歪を修正する手段を設け、前記精度を向
上させることを目的とするものである。
ージアップによる描画精度劣化の問題点を除去するため
に、電子ビーム露光装置にチャージアップの電荷量によ
るビームの偏向歪を修正する手段を設け、前記精度を向
上させることを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するために、電子ビーム露光装置において、マスクの表
面上に電子ビームが入射する近辺に、マスク表面に蓄積
されている電荷量を検出する手段を設け、それで検出さ
れた電荷量に応じたビーム偏向歪量を計算し、照射する
電子ビームの偏向量に補正を加える手段を設けたもので
ある。
するために、電子ビーム露光装置において、マスクの表
面上に電子ビームが入射する近辺に、マスク表面に蓄積
されている電荷量を検出する手段を設け、それで検出さ
れた電荷量に応じたビーム偏向歪量を計算し、照射する
電子ビームの偏向量に補正を加える手段を設けたもので
ある。
【０００８】
【作用】前述のように、本発明はマスク表面に蓄積され
た電荷量に応じて電子ビームの照射方向（偏向量）を補
正するようにしたので、マスクパターンとして設計上の
目標位置にビームを照射でき、描画位置精度の劣化を防
止することができる。
た電荷量に応じて電子ビームの照射方向（偏向量）を補
正するようにしたので、マスクパターンとして設計上の
目標位置にビームを照射でき、描画位置精度の劣化を防
止することができる。
【０００９】
【実施例】図１に本発明の実施例の構成を示し、以下に
説明する。
説明する。
【００１０】図１において、１はマスク６表面に蓄積さ
れた電荷を検出する検出子（電極）で電子ビーム鏡筒内
にある。２は前記検出された電荷量を偏向歪量に変換す
る回路（以下単に変換回路と称す）、３は電子ビームの
照射を制御する回路、４は前記制御回路３の出力により
電子ビームの偏向を駆動する回路である。
れた電荷を検出する検出子（電極）で電子ビーム鏡筒内
にある。２は前記検出された電荷量を偏向歪量に変換す
る回路（以下単に変換回路と称す）、３は電子ビームの
照射を制御する回路、４は前記制御回路３の出力により
電子ビームの偏向を駆動する回路である。
【００１１】図２は、前記電荷を検出する検出子１の配
置例を示す図であり、図（ａ）は平面図、図（ｂ）は断
面図である。
置例を示す図であり、図（ａ）は平面図、図（ｂ）は断
面図である。
【００１２】図２において、２１は電子ビームが通過す
る孔、２２はその孔２１の周囲に配置した検出子、２３
はマスクである。
る孔、２２はその孔２１の周囲に配置した検出子、２３
はマスクである。
【００１３】この検出子２２は一般に電荷を検出測定す
る装置の検出子と同様のいわゆる電極である。この検出
子２２を電子ビーム孔２１、つまりそのビームが照射さ
れるマスク表面に極めて近い位置で、かつそのビームの
周囲に環上に複数配置してあり、マスク表面の電荷量
を、そのマスク表面に平行な面における方向性と組み合
わせて検出する。
る装置の検出子と同様のいわゆる電極である。この検出
子２２を電子ビーム孔２１、つまりそのビームが照射さ
れるマスク表面に極めて近い位置で、かつそのビームの
周囲に環上に複数配置してあり、マスク表面の電荷量
を、そのマスク表面に平行な面における方向性と組み合
わせて検出する。
【００１４】このようにして検出したマスク表面に蓄積
されている電荷量を電子ビーム（以下単にビームと記
す）の偏向歪量に変換するのが変換回路２であるが、そ
の説明を図３、図４を用いて説明する。
されている電荷量を電子ビーム（以下単にビームと記
す）の偏向歪量に変換するのが変換回路２であるが、そ
の説明を図３、図４を用いて説明する。
【００１５】図４に示すように、ビームはその方向を定
める偏向コイルによってマスク表面の初期目標位置Ａに
向かって照射されるのであるが、前述したようにマスク
表面に蓄積された電荷の斥力でビームはずれてＥの位置
に照射される。即ち偏向歪δを生じる。この偏向歪δは
図３に示すように、当然のことながら前記電荷量Ｑが増
えるほど増す。従ってその関係を予め理論と実験によっ
て求めておき、それを図１に示す変換回路２にデータと
して与えておけば、前記検出子１で検出した電荷量を該
回路２に入力すれば、容易に前記電荷量Ｑを偏向歪量δ
に変換できる。
める偏向コイルによってマスク表面の初期目標位置Ａに
向かって照射されるのであるが、前述したようにマスク
表面に蓄積された電荷の斥力でビームはずれてＥの位置
に照射される。即ち偏向歪δを生じる。この偏向歪δは
図３に示すように、当然のことながら前記電荷量Ｑが増
えるほど増す。従ってその関係を予め理論と実験によっ
て求めておき、それを図１に示す変換回路２にデータと
して与えておけば、前記検出子１で検出した電荷量を該
回路２に入力すれば、容易に前記電荷量Ｑを偏向歪量δ
に変換できる。
【００１６】あとは、その偏向歪量δを図１の制御回路
３に与え、偏向歪量δに対応させてビームをマスク表面
に対し設計上の位置に照射できるように補正（主として
値δの加算でよい）を行ない、従来同様ビームのＯＮ−
ＯＦＦなどの制御をし、それにより駆動回路４でビーム
の偏向コイルを駆動、即ち図４に示すＣ位置をビーム照
射方向（即ち、偏向歪量δを補正した方向）とするよう
な静電磁界ができる電圧を偏向コイルに与えれば、その
ビームはマスク表面では初期目標値（即ち設計上の位
置）Ａに照射されることになる。
３に与え、偏向歪量δに対応させてビームをマスク表面
に対し設計上の位置に照射できるように補正（主として
値δの加算でよい）を行ない、従来同様ビームのＯＮ−
ＯＦＦなどの制御をし、それにより駆動回路４でビーム
の偏向コイルを駆動、即ち図４に示すＣ位置をビーム照
射方向（即ち、偏向歪量δを補正した方向）とするよう
な静電磁界ができる電圧を偏向コイルに与えれば、その
ビームはマスク表面では初期目標値（即ち設計上の位
置）Ａに照射されることになる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、電子ビー
ム露光におけるマスク表面のチャージアップを検出し
て、その量に対応したビームの偏向歪量をもとめ、その
分ビームの偏向を補正するようにしたので、マスクパタ
ーンの描画位置精度の劣化を防止することができ、極め
て高精度のパターン描画が実現できる。ひいては精度の
良い良質の半導体装置を製造できる。
ム露光におけるマスク表面のチャージアップを検出し
て、その量に対応したビームの偏向歪量をもとめ、その
分ビームの偏向を補正するようにしたので、マスクパタ
ーンの描画位置精度の劣化を防止することができ、極め
て高精度のパターン描画が実現できる。ひいては精度の
良い良質の半導体装置を製造できる。
【図１】本発明の実施例の構成図
【図２】検出子配置図
【図３】電荷量と偏向歪の関係図
【図４】ビーム照射説明図
１，２２ 電荷検出子 ２ 偏向歪／電荷変換回路 ３ 電子ビーム制御回路 ４ 偏向駆動回路 ６ マスク基板
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体装置の製造に使用されるマスク基
板表面のレジストに電子ビームを照射してマスクパター
ンを描いていく電子ビーム露光方法において、 （ａ）マスク基板表面の電荷量を検出する手段と、 （ｂ）前記検出した電荷量に対応する電子ビームの偏向
歪の値を求める手段と、 （ｃ）前記偏向歪の値に応じて電子ビームの照射方向を
補正する手段とを有し、前記電荷量に応じて電子ビーム
を所定の目標位置に照射するようにしたことを特徴とす
る電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21720891A JPH0555124A (ja) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 電子ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21720891A JPH0555124A (ja) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 電子ビーム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555124A true JPH0555124A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16700564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21720891A Pending JPH0555124A (ja) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 電子ビーム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555124A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005338096A (ja) * | 2001-07-12 | 2005-12-08 | Hitachi Ltd | パターン測定方法、及び荷電粒子線装置 |
| US7700918B2 (en) | 2001-07-12 | 2010-04-20 | Hitachi, Ltd. | Sample electrification measurement method and charged particle beam apparatus |
| CN113447976A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-28 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种高分辨率慢正电子束形貌的测量方法及装置 |
-
1991
- 1991-08-28 JP JP21720891A patent/JPH0555124A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005338096A (ja) * | 2001-07-12 | 2005-12-08 | Hitachi Ltd | パターン測定方法、及び荷電粒子線装置 |
| US7700918B2 (en) | 2001-07-12 | 2010-04-20 | Hitachi, Ltd. | Sample electrification measurement method and charged particle beam apparatus |
| JP4506588B2 (ja) * | 2001-07-12 | 2010-07-21 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線照射方法、及び荷電粒子線装置 |
| JP2012015113A (ja) * | 2001-07-12 | 2012-01-19 | Hitachi Ltd | 電子ビームの調整方法，荷電粒子光学系制御装置、及び走査電子顕微鏡 |
| US8835844B2 (en) | 2001-07-12 | 2014-09-16 | Hitachi, Ltd. | Sample electrification measurement method and charged particle beam apparatus |
| CN113447976A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-28 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种高分辨率慢正电子束形貌的测量方法及装置 |
| CN113447976B (zh) * | 2021-06-29 | 2024-04-02 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种高分辨率慢正电子束形貌的测量方法及装置 |
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