JP2002110527A - 電子ビーム補正方法及び電子ビーム露光装置 - Google Patents
電子ビーム補正方法及び電子ビーム露光装置Info
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
-
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の電子ビームの照射位置を補正する電子
ビーム補正方法及び電子ビーム露光装置を提供する。 【解決手段】 複数のマークを用いて、複数の電子ビー
ムの照射位置を補正する電子ビーム補正方法であって、
複数の電子ビームのうち、１つの電子ビームを複数のマ
ークに照射することにより、１つの電子ビームの照射位
置に対する複数のマークの相対的なマーク位置を検出す
るマーク位置検出段階と、複数のマークのうち、１つの
マークに複数の電子ビームを照射することにより、１つ
のマークに対する複数の電子ビームの相対的な照射位置
を検出する照射位置検出段階と、検出された複数のマー
クのマーク位置と、検出された複数の電子ビームの照射
位置とに基づいて、複数の電子ビームの照射位置を補正
する補正値を算出する算出段階とを備える。
ビーム補正方法及び電子ビーム露光装置を提供する。 【解決手段】 複数のマークを用いて、複数の電子ビー
ムの照射位置を補正する電子ビーム補正方法であって、
複数の電子ビームのうち、１つの電子ビームを複数のマ
ークに照射することにより、１つの電子ビームの照射位
置に対する複数のマークの相対的なマーク位置を検出す
るマーク位置検出段階と、複数のマークのうち、１つの
マークに複数の電子ビームを照射することにより、１つ
のマークに対する複数の電子ビームの相対的な照射位置
を検出する照射位置検出段階と、検出された複数のマー
クのマーク位置と、検出された複数の電子ビームの照射
位置とに基づいて、複数の電子ビームの照射位置を補正
する補正値を算出する算出段階とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム補正方
法及び電子ビーム露光装置に関する。特に本発明は、複
数のマークを用いて、複数の電子ビームの照射位置を補
正する電子ビーム補正方法及び電子ビーム露光装置に関
する。
法及び電子ビーム露光装置に関する。特に本発明は、複
数のマークを用いて、複数の電子ビームの照射位置を補
正する電子ビーム補正方法及び電子ビーム露光装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】複数の電子ビームを用いてウェハに露光
処理を行う従来の電子ビーム露光装置は、電子ビームの
照射位置の補正を行う場合に、全ての電子ビームの照射
位置の補正を行うための１つのマーク部材に、全ての電
子ビームを照射することにより補正値を求めていた。
処理を行う従来の電子ビーム露光装置は、電子ビームの
照射位置の補正を行う場合に、全ての電子ビームの照射
位置の補正を行うための１つのマーク部材に、全ての電
子ビームを照射することにより補正値を求めていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年の半導体デバイス
の微細化に伴い、電子ビーム露光装置の半導体デバイス
の量産での利用に向け、露光処理や電子ビームの補正方
法の高速化が望まれている。
の微細化に伴い、電子ビーム露光装置の半導体デバイス
の量産での利用に向け、露光処理や電子ビームの補正方
法の高速化が望まれている。
【０００４】しかしながら、従来の電子ビーム露光装置
では、補正を行うたびに、全ての電子ビームを、当該１
つのマークに対して照射しなくてはならないため、１つ
の電子ビームの補正を終え、他の電子ビームの補正を行
うために、ステージを移動しなくてはならなかった。そ
のため、全ての電子ビームの補正を行うには非常に長い
時間を要し、短時間で電子ビームの照射位置を補正する
方法が望まれていた。
では、補正を行うたびに、全ての電子ビームを、当該１
つのマークに対して照射しなくてはならないため、１つ
の電子ビームの補正を終え、他の電子ビームの補正を行
うために、ステージを移動しなくてはならなかった。そ
のため、全ての電子ビームの補正を行うには非常に長い
時間を要し、短時間で電子ビームの照射位置を補正する
方法が望まれていた。
【０００５】そこで本発明は、上記の課題を解決するこ
とのできる電子ビーム補正方法及び電子ビーム露光装置
を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範
囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成
される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規
定する。
とのできる電子ビーム補正方法及び電子ビーム露光装置
を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範
囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成
される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規
定する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第１の形
態によると、複数のマークを用いて、複数の電子ビーム
の照射位置を補正する電子ビーム補正方法であって、複
数の電子ビームのうち、１つの電子ビームを複数のマー
クに照射することにより、１つの電子ビームの照射位置
に対する複数のマークの相対的なマーク位置を検出する
マーク位置検出段階と、複数のマークのうち、１つのマ
ークに複数の電子ビームを照射することにより、１つの
マークに対する複数の電子ビームの相対的な照射位置を
検出する照射位置検出段階と、検出された複数のマーク
のマーク位置と、検出された複数の電子ビームの照射位
置とに基づいて、複数の電子ビームの照射位置を補正す
る補正値を算出する算出段階とを備える。
態によると、複数のマークを用いて、複数の電子ビーム
の照射位置を補正する電子ビーム補正方法であって、複
数の電子ビームのうち、１つの電子ビームを複数のマー
クに照射することにより、１つの電子ビームの照射位置
に対する複数のマークの相対的なマーク位置を検出する
マーク位置検出段階と、複数のマークのうち、１つのマ
ークに複数の電子ビームを照射することにより、１つの
マークに対する複数の電子ビームの相対的な照射位置を
検出する照射位置検出段階と、検出された複数のマーク
のマーク位置と、検出された複数の電子ビームの照射位
置とに基づいて、複数の電子ビームの照射位置を補正す
る補正値を算出する算出段階とを備える。
【０００７】マーク位置検出段階は、複数のマークのう
ち所望のマークを基準マークとして、基準マークに対す
る他のマークの相対的なマーク位置を検出する段階を含
んでもよい。
ち所望のマークを基準マークとして、基準マークに対す
る他のマークの相対的なマーク位置を検出する段階を含
んでもよい。
【０００８】マーク位置検出段階は、複数のマークのう
ち所望のマークを基準マークとして、基準マークに対す
る他のマークの相対的な大きさを検出する段階を含んで
もよい。
ち所望のマークを基準マークとして、基準マークに対す
る他のマークの相対的な大きさを検出する段階を含んで
もよい。
【０００９】照射位置検出段階は、複数の電子ビームの
うち所望の電子ビームの照射位置を基準照射位置とし
て、複数の電子ビームを基準マークに照射することによ
り、基準照射位置に対する他の電子ビームの相対的な照
射位置を検出する段階を含んでもよい。
うち所望の電子ビームの照射位置を基準照射位置とし
て、複数の電子ビームを基準マークに照射することによ
り、基準照射位置に対する他の電子ビームの相対的な照
射位置を検出する段階を含んでもよい。
【００１０】算出段階は、基準マークに対する他のマー
クの相対的なマーク位置と、基準照射位置に対する他の
電子ビームの相対的な照射位置とに基づいて、複数の電
子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する段階を
含んでもよい。
クの相対的なマーク位置と、基準照射位置に対する他の
電子ビームの相対的な照射位置とに基づいて、複数の電
子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する段階を
含んでもよい。
【００１１】複数のマークは、複数の電子ビームにそれ
ぞれ対応する位置に設けられており、補正値を用いて複
数の電子ビームの照射位置を補正し、複数の電子ビーム
の各々を対応するマークに照射する照射段階と、照射段
階において、マークに照射された電子ビームの照射位置
を検出する照合位置検出段階と、照合位置検出段階にお
いて検出された各電子ビームの照射位置と、マークの検
出位置とを照合することにより、補正値が適正であるか
否かを判断する照合段階とをさらに備えてもよい。
ぞれ対応する位置に設けられており、補正値を用いて複
数の電子ビームの照射位置を補正し、複数の電子ビーム
の各々を対応するマークに照射する照射段階と、照射段
階において、マークに照射された電子ビームの照射位置
を検出する照合位置検出段階と、照合位置検出段階にお
いて検出された各電子ビームの照射位置と、マークの検
出位置とを照合することにより、補正値が適正であるか
否かを判断する照合段階とをさらに備えてもよい。
【００１２】複数の電子ビームを用いて、所定の回数の
露光処理を行う毎に、照合位置検出段階と照合段階とを
繰り返す段階をさらに備えてもよい。
露光処理を行う毎に、照合位置検出段階と照合段階とを
繰り返す段階をさらに備えてもよい。
【００１３】複数のマークが設けられた基準ウェハを載
置するウェハステージのステージ位置を補正するステー
ジ位置補正段階をさらに備え、マーク位置検出段階は、
補正されたステージ位置にを基準とする複数のマークの
相対的なマーク位置を検出してもよい。
置するウェハステージのステージ位置を補正するステー
ジ位置補正段階をさらに備え、マーク位置検出段階は、
補正されたステージ位置にを基準とする複数のマークの
相対的なマーク位置を検出してもよい。
【００１４】本発明の他の形態によると、電子ビームに
より、ウェハを露光する電子ビーム露光装置であって、
複数のマークを有する基準ウェハが載置されるウェハス
テージと、複数の電子ビームを発生させる電子銃と、電
子ビームをマークに照射させるように偏向させる偏向部
と、マークに照射された電子ビームの反射電子を検出す
る電子検出部と、電子検出部が出力する電気信号に基づ
いて、複数の電子ビームのうち、１つの電子ビームが複
数のマークに照射されることにより、１つの電子ビーム
の照射位置に対する複数のマークの相対的なマーク位置
を検出するマーク位置検出部と、電子検出部が出力する
電気信号に基づいて、複数のマークのうち、１つのマー
クに複数の電子ビームが照射させることにより、１つの
マークに対する複数の電子ビームの相対的な照射位置を
検出する照射位置検出部と、複数のマークの位置及び複
数の電子ビームの照射位置とに基づいて、複数の電子ビ
ームの照射位置を補正する補正値を算出する算出部とを
備える。
より、ウェハを露光する電子ビーム露光装置であって、
複数のマークを有する基準ウェハが載置されるウェハス
テージと、複数の電子ビームを発生させる電子銃と、電
子ビームをマークに照射させるように偏向させる偏向部
と、マークに照射された電子ビームの反射電子を検出す
る電子検出部と、電子検出部が出力する電気信号に基づ
いて、複数の電子ビームのうち、１つの電子ビームが複
数のマークに照射されることにより、１つの電子ビーム
の照射位置に対する複数のマークの相対的なマーク位置
を検出するマーク位置検出部と、電子検出部が出力する
電気信号に基づいて、複数のマークのうち、１つのマー
クに複数の電子ビームが照射させることにより、１つの
マークに対する複数の電子ビームの相対的な照射位置を
検出する照射位置検出部と、複数のマークの位置及び複
数の電子ビームの照射位置とに基づいて、複数の電子ビ
ームの照射位置を補正する補正値を算出する算出部とを
備える。
【００１５】複数の電子ビームの照射位置の間隔と、複
数のマークの間隔とが実質的に等しくてもよい。
数のマークの間隔とが実質的に等しくてもよい。
【００１６】なお上記の発明の概要は、本発明の必要な
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を通じて
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。
【００１８】図１は、本発明の一実施形態に係る電子ビ
ーム露光装置１００の構成を示す。電子ビーム露光装置
１００は、電子ビームによりウェハ４４に所定の露光処
理を施すための露光部１５０と、露光部１５０に含まれ
る各構成の動作を制御する制御系１４０を備える。
ーム露光装置１００の構成を示す。電子ビーム露光装置
１００は、電子ビームによりウェハ４４に所定の露光処
理を施すための露光部１５０と、露光部１５０に含まれ
る各構成の動作を制御する制御系１４０を備える。
【００１９】露光部１５０は、筐体８内部で、複数の電
子ビームを発生し、電子ビームの断面形状を所望に整形
する電子ビーム整形手段１１０と、複数の電子ビームを
ウェハ４４に照射するか否かを、電子ビーム毎に独立に
切替える照射切替手段１１２と、ウェハ４４に転写され
るパターンの像の向き及びサイズを調整するウェハ用投
影系１１４を含む電子光学系を備える。また、露光部１
５０は、パターンを露光すべきウェハ４４を載置するウ
ェハステージ４６と、ウェハステージ４６を駆動するウ
ェハステージ駆動部４８とを含むステージ系を備える。
さらに、露光部１５０は、電子ビームの照射位置を補正
するために用いられる基準ウェハに設けられた複数のマ
ークに電子ビームが照射されることにより発生する反射
電子を検出する電子検出部４０を備える。電子検出部４
０は、検出した反射電子量に応じた電気信号を反射電子
処理部９４に出力する。
子ビームを発生し、電子ビームの断面形状を所望に整形
する電子ビーム整形手段１１０と、複数の電子ビームを
ウェハ４４に照射するか否かを、電子ビーム毎に独立に
切替える照射切替手段１１２と、ウェハ４４に転写され
るパターンの像の向き及びサイズを調整するウェハ用投
影系１１４を含む電子光学系を備える。また、露光部１
５０は、パターンを露光すべきウェハ４４を載置するウ
ェハステージ４６と、ウェハステージ４６を駆動するウ
ェハステージ駆動部４８とを含むステージ系を備える。
さらに、露光部１５０は、電子ビームの照射位置を補正
するために用いられる基準ウェハに設けられた複数のマ
ークに電子ビームが照射されることにより発生する反射
電子を検出する電子検出部４０を備える。電子検出部４
０は、検出した反射電子量に応じた電気信号を反射電子
処理部９４に出力する。
【００２０】電子ビーム整形手段１１０は、複数の電子
ビームを発生させる電子ビーム発生部１０と、電子ビー
ムを通過させることにより、電子ビームの断面形状を整
形する複数の開口部を有する第１整形部材１４および第
２整形部材２２と、複数の電子ビームを独立に収束し、
電子ビームの焦点を調整する第１多軸電子レンズ１６
と、第１整形部材１４を通過した複数の電子ビームを独
立に偏向する第１整形偏向部１８および第２整形偏向部
２０とを有する。
ビームを発生させる電子ビーム発生部１０と、電子ビー
ムを通過させることにより、電子ビームの断面形状を整
形する複数の開口部を有する第１整形部材１４および第
２整形部材２２と、複数の電子ビームを独立に収束し、
電子ビームの焦点を調整する第１多軸電子レンズ１６
と、第１整形部材１４を通過した複数の電子ビームを独
立に偏向する第１整形偏向部１８および第２整形偏向部
２０とを有する。
【００２１】電子ビーム発生部１０は、複数の電子銃１
０４と、電子銃１０４が形成される基材１０６とを有す
る。電子銃１０４は、熱電子を発生させるカソード１２
と、カソード１２を囲むように形成され、カソード１２
で発生した熱電子を安定させるグリッド１０２とを有す
る。カソード１２とグリッド１０２とは、電気的に絶縁
されるのが望ましい。本実施例において、電子ビーム発
生部１０は、基材１０６に、複数の電子銃１０４を、所
定の間隔に有することにより、電子銃アレイを形成す
る。
０４と、電子銃１０４が形成される基材１０６とを有す
る。電子銃１０４は、熱電子を発生させるカソード１２
と、カソード１２を囲むように形成され、カソード１２
で発生した熱電子を安定させるグリッド１０２とを有す
る。カソード１２とグリッド１０２とは、電気的に絶縁
されるのが望ましい。本実施例において、電子ビーム発
生部１０は、基材１０６に、複数の電子銃１０４を、所
定の間隔に有することにより、電子銃アレイを形成す
る。
【００２２】第１整形部材１４および第２整形部材２２
は、電子ビームが照射される面に、接地された白金など
の金属膜を有することが望ましい。第１整形部材１４お
よび第２整形部材２２に含まれる複数の開口部の断面形
状は、電子ビームを効率よく通過させるために、電子ビ
ームの照射方向に沿って広がりを有してもよい。また、
第１整形部材１４および第２整形部材２２に含まれる複
数の開口部は、矩形に形成されるのが好ましい。
は、電子ビームが照射される面に、接地された白金など
の金属膜を有することが望ましい。第１整形部材１４お
よび第２整形部材２２に含まれる複数の開口部の断面形
状は、電子ビームを効率よく通過させるために、電子ビ
ームの照射方向に沿って広がりを有してもよい。また、
第１整形部材１４および第２整形部材２２に含まれる複
数の開口部は、矩形に形成されるのが好ましい。
【００２３】照射切替手段１１２は、複数の電子ビーム
を独立に収束し、電子ビームの焦点を調整する第２多軸
電子レンズ２４と、複数の電子ビームを、電子ビーム毎
に独立に偏向させることにより、電子ビームをウェハ４
４に照射するか否かを、電子ビーム毎に独立に切替える
ブランキング電極アレイ２６と、電子ビームを通過させ
る複数の開口部を含み、ブランキング電極アレイ２６で
偏向された電子ビームを遮蔽する電子ビーム遮蔽部材２
８とを有する。また、他の実施例においてブランキング
電極アレイ２６は、ブランキング・アパーチャ・アレイ
であってもよい。
を独立に収束し、電子ビームの焦点を調整する第２多軸
電子レンズ２４と、複数の電子ビームを、電子ビーム毎
に独立に偏向させることにより、電子ビームをウェハ４
４に照射するか否かを、電子ビーム毎に独立に切替える
ブランキング電極アレイ２６と、電子ビームを通過させ
る複数の開口部を含み、ブランキング電極アレイ２６で
偏向された電子ビームを遮蔽する電子ビーム遮蔽部材２
８とを有する。また、他の実施例においてブランキング
電極アレイ２６は、ブランキング・アパーチャ・アレイ
であってもよい。
【００２４】ウェハ用投影系１１４は、複数の電子ビー
ムを独立に収束し、電子ビームの照射径を縮小する第３
多軸電子レンズ３４と、複数の電子ビームを独立に収束
し、電子ビームの焦点を調整する第４多軸電子レンズ３
６と、複数の電子ビームを、ウェハ４４の所望の位置
に、電子ビーム毎に独立に偏向する偏向部３８と、ウェ
ハ４４に対する対物レンズとして機能し、複数の電子ビ
ームを独立に収束する第５多軸電子レンズ５２とを有す
る。
ムを独立に収束し、電子ビームの照射径を縮小する第３
多軸電子レンズ３４と、複数の電子ビームを独立に収束
し、電子ビームの焦点を調整する第４多軸電子レンズ３
６と、複数の電子ビームを、ウェハ４４の所望の位置
に、電子ビーム毎に独立に偏向する偏向部３８と、ウェ
ハ４４に対する対物レンズとして機能し、複数の電子ビ
ームを独立に収束する第５多軸電子レンズ５２とを有す
る。
【００２５】制御系１４０は、統括制御部１３０及び個
別制御部１２０を備える。個別制御部１２０は、電子ビ
ーム制御部８０と、多軸電子レンズ制御部８２と、整形
偏向制御部８４と、ブランキング電極アレイ制御部８６
と、偏向制御部９２と、反射電子処理部９４と、ウェハ
ステージ制御部９６とを有する。統括制御部１３０は、
例えばワークステーションであって、個別制御部１２０
に含まれる各制御部を統括制御する。電子ビーム制御部
８０は、電子ビーム発生部１０を制御する。多軸電子レ
ンズ制御部８２は、第１多軸電子レンズ１６、第２多軸
電子レンズ２４、第３多軸電子レンズ３４、第４多軸電
子レンズ３６および第５多軸電子レンズ５２に供給する
電流を制御する。
別制御部１２０を備える。個別制御部１２０は、電子ビ
ーム制御部８０と、多軸電子レンズ制御部８２と、整形
偏向制御部８４と、ブランキング電極アレイ制御部８６
と、偏向制御部９２と、反射電子処理部９４と、ウェハ
ステージ制御部９６とを有する。統括制御部１３０は、
例えばワークステーションであって、個別制御部１２０
に含まれる各制御部を統括制御する。電子ビーム制御部
８０は、電子ビーム発生部１０を制御する。多軸電子レ
ンズ制御部８２は、第１多軸電子レンズ１６、第２多軸
電子レンズ２４、第３多軸電子レンズ３４、第４多軸電
子レンズ３６および第５多軸電子レンズ５２に供給する
電流を制御する。
【００２６】整形偏向制御部８４は、第１整形偏向部１
８および第２整形偏向器２０を制御する。ブランキング
電極アレイ制御部８６は、ブランキング電極アレイ２６
に含まれる偏向電極に印加する電圧を制御する。偏向制
御部９２は、偏向部３８に含まれる複数の偏向器が有す
る偏向電極に印加する電圧を制御する。反射電子処理部
９４は、電子検出部４０から出力された電気信号に基づ
いて反射電子量を検出し、統括制御部１３０に通知す
る。統括制御部１３０は、検出された反射電子量に基づ
いて、基準ウェハに設けられたマークの相対的な位置及
び大きさを求めることができる。ウェハステージ制御部
９６は、ウェハステージ駆動部４８を制御し、ウェハス
テージ４６を所定の位置に移動させる。
８および第２整形偏向器２０を制御する。ブランキング
電極アレイ制御部８６は、ブランキング電極アレイ２６
に含まれる偏向電極に印加する電圧を制御する。偏向制
御部９２は、偏向部３８に含まれる複数の偏向器が有す
る偏向電極に印加する電圧を制御する。反射電子処理部
９４は、電子検出部４０から出力された電気信号に基づ
いて反射電子量を検出し、統括制御部１３０に通知す
る。統括制御部１３０は、検出された反射電子量に基づ
いて、基準ウェハに設けられたマークの相対的な位置及
び大きさを求めることができる。ウェハステージ制御部
９６は、ウェハステージ駆動部４８を制御し、ウェハス
テージ４６を所定の位置に移動させる。
【００２７】本実施形態に係る電子ビーム露光装置１０
０の動作について説明する。まず、ウェハステージ４６
のステージ位置の補正を行う。次に、複数のマークが設
けられた基準ウェハを用いて、複数の電子ビームの照射
位置の校正を行う。複数のマークが設けられた基準ウェ
ハがウェハステージ４６に載置される。電子ビーム発生
部１０が、複数の電子ビームを発生する。偏向部３８
は、複数の電子ビームの各々を基準ウェハに設けられた
マークに照射させるように偏向させる。電子検出部４０
は、マークに照射された電子ビームの反射電子量を検出
する。統括制御部１３０において、図示しないマーク位
置検出部は、電子検出部４０によって検出された反射電
子量に基づいて、複数の電子ビームのうち、１つの電子
ビームが複数のマークに照射されることにより、１つの
電子ビームの照射位置に対する複数のマークの相対的な
マーク位置を検出し、図示しない照射位置検出部は、電
子検出部４０によって検出された反射電子量に基づい
て、複数のマークのうち、１つのマークに複数の電子ビ
ームが照射されることにより、１つのマークに対する複
数の電子ビームの相対的な照射位置を検出する。そし
て、統括制御部１３０において、図示しない算出部は、
検出された複数のマークの位置及び複数の電子ビームの
照射位置とに基づいて、複数の電子ビームの照射位置を
補正する補正値を算出する。
０の動作について説明する。まず、ウェハステージ４６
のステージ位置の補正を行う。次に、複数のマークが設
けられた基準ウェハを用いて、複数の電子ビームの照射
位置の校正を行う。複数のマークが設けられた基準ウェ
ハがウェハステージ４６に載置される。電子ビーム発生
部１０が、複数の電子ビームを発生する。偏向部３８
は、複数の電子ビームの各々を基準ウェハに設けられた
マークに照射させるように偏向させる。電子検出部４０
は、マークに照射された電子ビームの反射電子量を検出
する。統括制御部１３０において、図示しないマーク位
置検出部は、電子検出部４０によって検出された反射電
子量に基づいて、複数の電子ビームのうち、１つの電子
ビームが複数のマークに照射されることにより、１つの
電子ビームの照射位置に対する複数のマークの相対的な
マーク位置を検出し、図示しない照射位置検出部は、電
子検出部４０によって検出された反射電子量に基づい
て、複数のマークのうち、１つのマークに複数の電子ビ
ームが照射されることにより、１つのマークに対する複
数の電子ビームの相対的な照射位置を検出する。そし
て、統括制御部１３０において、図示しない算出部は、
検出された複数のマークの位置及び複数の電子ビームの
照射位置とに基づいて、複数の電子ビームの照射位置を
補正する補正値を算出する。
【００２８】電子ビームの照射位置の補正を行った後、
ウェハステージ４６にウェハ４４が載置され、算出され
た補正値に基づいて露光処理が開始される。まず、電子
ビーム発生部１０が、複数の電子ビームを生成する。電
子ビーム発生部１０において、発生された電子ビーム
は、第１整形部材１４に照射され、整形される。
ウェハステージ４６にウェハ４４が載置され、算出され
た補正値に基づいて露光処理が開始される。まず、電子
ビーム発生部１０が、複数の電子ビームを生成する。電
子ビーム発生部１０において、発生された電子ビーム
は、第１整形部材１４に照射され、整形される。
【００２９】第１多軸電子レンズ１６は、矩形に整形さ
れた複数の電子ビームを独立に収束し、第２整形部材２
２に対する電子ビームの焦点調整を、電子ビーム毎に独
立に行う。第１整形偏向部１８は、矩形に整形された複
数の電子ビームを、電子ビーム毎に独立して、第２整形
部材に対して所望の位置に偏向する。第２整形偏向部２
０は、第１整形偏向部１８で偏向された複数の電子ビー
ムを、電子ビーム毎に独立に第２整形部材２２に対して
略垂直方向に偏向する。矩形形状を有する複数の開口部
を含む第２整形部材２２は、各開口部に照射された矩形
の断面形状を有する複数の電子ビームを、ウェハ４４に
照射されるべき所望の矩形の断面形状を有する電子ビー
ムにさらに整形する。
れた複数の電子ビームを独立に収束し、第２整形部材２
２に対する電子ビームの焦点調整を、電子ビーム毎に独
立に行う。第１整形偏向部１８は、矩形に整形された複
数の電子ビームを、電子ビーム毎に独立して、第２整形
部材に対して所望の位置に偏向する。第２整形偏向部２
０は、第１整形偏向部１８で偏向された複数の電子ビー
ムを、電子ビーム毎に独立に第２整形部材２２に対して
略垂直方向に偏向する。矩形形状を有する複数の開口部
を含む第２整形部材２２は、各開口部に照射された矩形
の断面形状を有する複数の電子ビームを、ウェハ４４に
照射されるべき所望の矩形の断面形状を有する電子ビー
ムにさらに整形する。
【００３０】第２多軸電子レンズ２４は、複数の電子ビ
ームを独立に収束して、ブランキング電極アレイ２６に
対する電子ビームの焦点調整を、電子ビーム毎に独立に
行う。第２多軸電子レンズ２４より焦点調整された電子
ビームは、ブランキング電極アレイ２６に含まれる複数
のアパーチャを通過する。
ームを独立に収束して、ブランキング電極アレイ２６に
対する電子ビームの焦点調整を、電子ビーム毎に独立に
行う。第２多軸電子レンズ２４より焦点調整された電子
ビームは、ブランキング電極アレイ２６に含まれる複数
のアパーチャを通過する。
【００３１】ブランキング電極アレイ制御部８６は、ブ
ランキング電極アレイ２６に形成された、各アパーチャ
の近傍に設けられた偏向電極に電圧を印加するか否かを
制御する。ブランキング電極アレイ２６は、偏向電極に
印加される電圧に基づいて、電子ビームをウェハ４４に
照射させるか否かを切替える。
ランキング電極アレイ２６に形成された、各アパーチャ
の近傍に設けられた偏向電極に電圧を印加するか否かを
制御する。ブランキング電極アレイ２６は、偏向電極に
印加される電圧に基づいて、電子ビームをウェハ４４に
照射させるか否かを切替える。
【００３２】ブランキング電極アレイ２６により偏向さ
れない電子ビームは、第３多軸電子レンズ３４により電
子ビーム径を縮小されて、電子ビーム遮蔽部材２８に含
まれる開口部を通過する。第４多軸電子レンズ３６が、
複数の電子ビームを独立に収束して、偏向部３８に対す
る電子ビームの焦点調整を、電子ビーム毎に独立に行
い、焦点調整をされた電子ビームは、偏向部３８に含ま
れる偏向器に入射される。
れない電子ビームは、第３多軸電子レンズ３４により電
子ビーム径を縮小されて、電子ビーム遮蔽部材２８に含
まれる開口部を通過する。第４多軸電子レンズ３６が、
複数の電子ビームを独立に収束して、偏向部３８に対す
る電子ビームの焦点調整を、電子ビーム毎に独立に行
い、焦点調整をされた電子ビームは、偏向部３８に含ま
れる偏向器に入射される。
【００３３】偏向制御部９２が、偏向部３８に含まれる
複数の偏向器を独立に制御する。偏向部３８は、複数の
偏向器に入射される複数の電子ビームを、電子ビーム毎
に独立にウェハ４４の所望の露光位置に偏向する。偏向
部３８を通過した複数の電子ビームは、第５多軸電子レ
ンズ５２により、ウェハ４４に対する焦点が調整され、
ウェハ４４に照射される。
複数の偏向器を独立に制御する。偏向部３８は、複数の
偏向器に入射される複数の電子ビームを、電子ビーム毎
に独立にウェハ４４の所望の露光位置に偏向する。偏向
部３８を通過した複数の電子ビームは、第５多軸電子レ
ンズ５２により、ウェハ４４に対する焦点が調整され、
ウェハ４４に照射される。
【００３４】露光処理中、ウェハステージ制御部９６
は、一定方向にウェハステージ４８を動かす。ブランキ
ング電極アレイ制御部８６は露光パターンデータに基づ
いて、電子ビームを通過させるアパーチャを定め、各ア
パーチャに対する電力制御を行う。ウェハ４４の移動に
合わせて、電子ビームを通過させるアパーチャを適宜、
変更し、さらに偏向部３８により電子ビームを偏向する
ことによりウェハ４４に所望の回路パターンを露光する
ことが可能となる。
は、一定方向にウェハステージ４８を動かす。ブランキ
ング電極アレイ制御部８６は露光パターンデータに基づ
いて、電子ビームを通過させるアパーチャを定め、各ア
パーチャに対する電力制御を行う。ウェハ４４の移動に
合わせて、電子ビームを通過させるアパーチャを適宜、
変更し、さらに偏向部３８により電子ビームを偏向する
ことによりウェハ４４に所望の回路パターンを露光する
ことが可能となる。
【００３５】図２は、電子ビーム露光装置１００におけ
る電子ビームの照射位置の校正処理のフローチャートで
ある。Ｓ１０で本フローチャートが開始する。Ｓ１２
で、複数のマークが設けられた基準ウェハを載置するウ
ェハステージ４６のステージ位置の補正を行う。Ｓ１４
で、所定の電子ビームを各マークに照射させ、所定のマ
ークに対する相対的なマークの位置を検出する。Ｓ１６
で、所定のマークに対する相対的なマークの大きさを検
出する。Ｓ１８で、所定のマークに各電子ビームを照射
させ、所定のマークに対する各電子ビームの相対的な照
射位置を検出する。Ｓ２０で、Ｓ１４、Ｓ１６、及びＳ
１８において検出されたマークの位置、マークの大き
さ、及び電子ビームの照射位置に基づいて、電子ビーム
の補正値を算出する。Ｓ２２で、Ｓ２０において算出さ
れた補正値を用いて、複数の電子ビームの照射位置を補
正し、複数の電子ビームの各々を対応するマークに照射
する。Ｓ２４で、Ｓ２２において照射された電子ビーム
の照射位置を検出する。Ｓ２６で、Ｓ２４において検出
された電子ビームの照射位置と、マークの検出位置とを
照合し、算出された補正値が適正であるか否かを判断す
る。補正値が適正でないと判断された場合、Ｓ１２に戻
り、同様の処理をやり直す。補正値が適正であると判算
された場合、Ｓ２８に進む。Ｓ２８で、適正であると判
断された補正値を用いて、所定の回数の露光処理を行
う。Ｓ３０で、所望の全ての露光処理が完了したか否か
を判断する。全ての露光処理が完了していないと判断さ
れた場合、Ｓ１２に戻り、同様の処理を繰り返す。全て
の露光処理が完了したと判断された場合、Ｓ３２に進
む。Ｓ３２で、本フローチャートを終了する。
る電子ビームの照射位置の校正処理のフローチャートで
ある。Ｓ１０で本フローチャートが開始する。Ｓ１２
で、複数のマークが設けられた基準ウェハを載置するウ
ェハステージ４６のステージ位置の補正を行う。Ｓ１４
で、所定の電子ビームを各マークに照射させ、所定のマ
ークに対する相対的なマークの位置を検出する。Ｓ１６
で、所定のマークに対する相対的なマークの大きさを検
出する。Ｓ１８で、所定のマークに各電子ビームを照射
させ、所定のマークに対する各電子ビームの相対的な照
射位置を検出する。Ｓ２０で、Ｓ１４、Ｓ１６、及びＳ
１８において検出されたマークの位置、マークの大き
さ、及び電子ビームの照射位置に基づいて、電子ビーム
の補正値を算出する。Ｓ２２で、Ｓ２０において算出さ
れた補正値を用いて、複数の電子ビームの照射位置を補
正し、複数の電子ビームの各々を対応するマークに照射
する。Ｓ２４で、Ｓ２２において照射された電子ビーム
の照射位置を検出する。Ｓ２６で、Ｓ２４において検出
された電子ビームの照射位置と、マークの検出位置とを
照合し、算出された補正値が適正であるか否かを判断す
る。補正値が適正でないと判断された場合、Ｓ１２に戻
り、同様の処理をやり直す。補正値が適正であると判算
された場合、Ｓ２８に進む。Ｓ２８で、適正であると判
断された補正値を用いて、所定の回数の露光処理を行
う。Ｓ３０で、所望の全ての露光処理が完了したか否か
を判断する。全ての露光処理が完了していないと判断さ
れた場合、Ｓ１２に戻り、同様の処理を繰り返す。全て
の露光処理が完了したと判断された場合、Ｓ３２に進
む。Ｓ３２で、本フローチャートを終了する。
【００３６】上述したフローチャートの説明では、マー
ク位置検出（Ｓ１４）及びマーク大きさ検出（Ｓ１６）
の後に、電子ビームの照射位置検出（Ｓ１８）を行った
が、電子ビームの照射位置検出（Ｓ１８）の後に、、マ
ーク位置検出（Ｓ１４）及びマーク大きさ検出（Ｓ１
６）を行ってもよい。また、Ｓ２６において補正値が適
正でないと判断された場合、及びＳ３０において全ての
露光処理が完了していないと判断された場合に、再度、
ステージ位置補正（Ｓ１２）を行ったが、ステージ位置
補正（Ｓ１２）を行わず、マーク位置検出（Ｓ１４）以
降を繰り返してもよい。
ク位置検出（Ｓ１４）及びマーク大きさ検出（Ｓ１６）
の後に、電子ビームの照射位置検出（Ｓ１８）を行った
が、電子ビームの照射位置検出（Ｓ１８）の後に、、マ
ーク位置検出（Ｓ１４）及びマーク大きさ検出（Ｓ１
６）を行ってもよい。また、Ｓ２６において補正値が適
正でないと判断された場合、及びＳ３０において全ての
露光処理が完了していないと判断された場合に、再度、
ステージ位置補正（Ｓ１２）を行ったが、ステージ位置
補正（Ｓ１２）を行わず、マーク位置検出（Ｓ１４）以
降を繰り返してもよい。
【００３７】図３は、電子銃１０４の配置例及び複数の
マーク４７が配置された基準ウェハ４５の一例を示す。
図３（ａ）は、６９個の電子銃１０４が配置された基材
１０６を示す。図３（ｂ）が、６９個のマーク４７が設
けられた基準ウェハ４５を示す。基材１０６に配置され
た各々の電子銃１０４と基準ウェハ４５に設けられた各
々のマーク４７とは、対応する位置に設けられている。
よって、各々の電子銃１０４によって照射される電子ビ
ームの照射位置の間隔と、基準ウェハ４５に設けられた
複数のマーク４７の間隔とは、実質的に等しいことが好
ましい。
マーク４７が配置された基準ウェハ４５の一例を示す。
図３（ａ）は、６９個の電子銃１０４が配置された基材
１０６を示す。図３（ｂ）が、６９個のマーク４７が設
けられた基準ウェハ４５を示す。基材１０６に配置され
た各々の電子銃１０４と基準ウェハ４５に設けられた各
々のマーク４７とは、対応する位置に設けられている。
よって、各々の電子銃１０４によって照射される電子ビ
ームの照射位置の間隔と、基準ウェハ４５に設けられた
複数のマーク４７の間隔とは、実質的に等しいことが好
ましい。
【００３８】図４は、ステージ位置補正（Ｓ１２）、マ
ーク位置検出（Ｓ１４）、及びマーク大きさ検出（Ｓ１
６）における、電子ビーム発生部１０と基準ウェハ４５
との位置関係を示す。まず、図４（ａ）に示したレーザ
干渉計５０を用いて、基準ウェハ４５が載置されるウェ
ハステージ４６のステージ位置を補正する。レーザ干渉
計５０は、ウェハステージ４６に設けられたミラー５５
に複数のレーザを照射して、当該複数のレーザの反射光
を受け取り、照射したレーザと反射光とに基づいて、ウ
ェハステージ４６の位置及び傾き、ミラー５５の傾き及
び反りを検出する。統括制御部１３０は、ウェハステー
ジ４６のステージ位置を補正する補正値を算出し、以
後、ウェハステージ４６は当該補正値に基づいて制御さ
れる。
ーク位置検出（Ｓ１４）、及びマーク大きさ検出（Ｓ１
６）における、電子ビーム発生部１０と基準ウェハ４５
との位置関係を示す。まず、図４（ａ）に示したレーザ
干渉計５０を用いて、基準ウェハ４５が載置されるウェ
ハステージ４６のステージ位置を補正する。レーザ干渉
計５０は、ウェハステージ４６に設けられたミラー５５
に複数のレーザを照射して、当該複数のレーザの反射光
を受け取り、照射したレーザと反射光とに基づいて、ウ
ェハステージ４６の位置及び傾き、ミラー５５の傾き及
び反りを検出する。統括制御部１３０は、ウェハステー
ジ４６のステージ位置を補正する補正値を算出し、以
後、ウェハステージ４６は当該補正値に基づいて制御さ
れる。
【００３９】ウェハステージ４６のステージ位置の補正
が終了した後、所定のマークに対する相対的なマークの
位置と大きさの検出を行う。まず、所定の電子銃１０４
の照射位置に所定のマーク４７を移動させて、基準とな
る電子銃１０４とマーク４７とを決定する。本実施形態
では、最下部中央の電子銃１０４の照射位置を基準照射
位置とし、最上部中央のマーク４７を基準マークとす
る。基準照射位置を最下部中央の電子銃１０４とし、基
準マークを最上部中央のマーク４７とすることにより、
ウェハステージ４６の移動距離が最小となる。
が終了した後、所定のマークに対する相対的なマークの
位置と大きさの検出を行う。まず、所定の電子銃１０４
の照射位置に所定のマーク４７を移動させて、基準とな
る電子銃１０４とマーク４７とを決定する。本実施形態
では、最下部中央の電子銃１０４の照射位置を基準照射
位置とし、最上部中央のマーク４７を基準マークとす
る。基準照射位置を最下部中央の電子銃１０４とし、基
準マークを最上部中央のマーク４７とすることにより、
ウェハステージ４６の移動距離が最小となる。
【００４０】図４（ａ）、図４（ｂ）、図４（ｃ）、及
び図４（ｄ）に示すように、ウェハステージ４６を移動
させ、最下部中央の電子銃１０４の電子ビームを全ての
マーク４７に照射することにより、最下部中央の電子銃
１０４の照射位置に対する全てのマークの相対的なマー
ク位置を検出する。さらに、基準マークに対する他のマ
ークの相対的なマーク位置、及び基準マークに対する他
のマークの相対的な大きさを検出する。
び図４（ｄ）に示すように、ウェハステージ４６を移動
させ、最下部中央の電子銃１０４の電子ビームを全ての
マーク４７に照射することにより、最下部中央の電子銃
１０４の照射位置に対する全てのマークの相対的なマー
ク位置を検出する。さらに、基準マークに対する他のマ
ークの相対的なマーク位置、及び基準マークに対する他
のマークの相対的な大きさを検出する。
【００４１】図５は、照射位置検出（Ｓ１８）におけ
る、電子ビーム発生部１０と基準ウェハ４５との位置関
係を示す。図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）、及び
図５（ｄ）に示すように、ウェハステージ４６を移動さ
せ、全ての電子ビームを基準マークである最上部中央部
のマーク４７に照射することにより、基準マークに対す
る全ての電子銃１０４の照射位置を検出する。さらに、
基準照射位置に対する他の電子ビームの照射位置を検出
する。そして、統括制御部１３０において、基準マーク
に対する他のマークの相対的なマーク位置と、基準照射
位置に対する他の電子ビームの相対的な照射位置とに基
づいて、全ての電子ビームの照射位置を補正する補正値
を算出する。
る、電子ビーム発生部１０と基準ウェハ４５との位置関
係を示す。図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）、及び
図５（ｄ）に示すように、ウェハステージ４６を移動さ
せ、全ての電子ビームを基準マークである最上部中央部
のマーク４７に照射することにより、基準マークに対す
る全ての電子銃１０４の照射位置を検出する。さらに、
基準照射位置に対する他の電子ビームの照射位置を検出
する。そして、統括制御部１３０において、基準マーク
に対する他のマークの相対的なマーク位置と、基準照射
位置に対する他の電子ビームの相対的な照射位置とに基
づいて、全ての電子ビームの照射位置を補正する補正値
を算出する。
【００４２】図６は、照合位置検出（Ｓ２４）におけ
る、電子ビーム発生部１０と基準ウェハ４５との位置関
係を示す。複数のマーク４７は、複数の電子銃１０４に
それぞれ対応する位置に設けられており、統括制御部１
３０において算出された補正値を用いて全ての電子ビー
ムの照射位置を補正し、電子銃１０４から発生される電
子ビームの各々を対応するのマークに照射する。そし
て、各マーク４７に照射された電子ビームの照射位置を
検出する。検出された各電子ビームの照射位置と、マー
ク位置検出（Ｓ１４）において検出されたマーク４７の
検出位置とを照合する。上記の照合処理は、所定の回数
の露光処理を行う毎に繰り返し行うことが好ましい。
る、電子ビーム発生部１０と基準ウェハ４５との位置関
係を示す。複数のマーク４７は、複数の電子銃１０４に
それぞれ対応する位置に設けられており、統括制御部１
３０において算出された補正値を用いて全ての電子ビー
ムの照射位置を補正し、電子銃１０４から発生される電
子ビームの各々を対応するのマークに照射する。そし
て、各マーク４７に照射された電子ビームの照射位置を
検出する。検出された各電子ビームの照射位置と、マー
ク位置検出（Ｓ１４）において検出されたマーク４７の
検出位置とを照合する。上記の照合処理は、所定の回数
の露光処理を行う毎に繰り返し行うことが好ましい。
【００４３】以上で説明したように、本発明によれば、
基準マークに対する他のマークの相対的なマーク位置を
検出し、基準照射位置に対する他の電子ビームの照射位
置を検出することによって、全て電子ビームの照射位置
を補正する補正値を決定することができる。したがっ
て、全てのマークと全ての電子ビームとを用いて、ウェ
ハステージを移動させることなく短時間で、再度電子ビ
ームの照射位置を検出することができる。また、１つの
電子ビームを用いて複数のマークを検出することによ
り、マークの相対的な位置及び大きさを検出することが
できる。
基準マークに対する他のマークの相対的なマーク位置を
検出し、基準照射位置に対する他の電子ビームの照射位
置を検出することによって、全て電子ビームの照射位置
を補正する補正値を決定することができる。したがっ
て、全てのマークと全ての電子ビームとを用いて、ウェ
ハステージを移動させることなく短時間で、再度電子ビ
ームの照射位置を検出することができる。また、１つの
電子ビームを用いて複数のマークを検出することによ
り、マークの相対的な位置及び大きさを検出することが
できる。
【００４４】以上、本発明を実施の形態を用いて説明し
たが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範
囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又
は改良を加えることができる。その様な変更又は改良を
加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、
特許請求の範囲の記載から明らかである。
たが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範
囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又
は改良を加えることができる。その様な変更又は改良を
加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、
特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００４５】
【発明の効果】上記説明から明らかなように、本発明に
よれば複数のマークを用いて、複数の電子ビームの照射
位置を補正する電子ビーム補正方法及び電子ビーム露光
装置を提供することができる。
よれば複数のマークを用いて、複数の電子ビームの照射
位置を補正する電子ビーム補正方法及び電子ビーム露光
装置を提供することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る電子ビーム露光装置
１００の構成を示す図である。
１００の構成を示す図である。
【図２】電子ビーム露光装置１００における電子ビーム
の照射位置の校正処理のフローチャートである。
の照射位置の校正処理のフローチャートである。
【図３】電子銃１０４の配置例及び複数のマーク４７が
配置された基準ウェハ４５の一例を示す図である。
配置された基準ウェハ４５の一例を示す図である。
【図４】ステージ位置補正（Ｓ１２）、マーク位置検出
（Ｓ１４）、及びマーク大きさ検出（Ｓ１６）におけ
る、電子ビーム発生部１０と基準ウェハ４５との位置関
係を示す図である。
（Ｓ１４）、及びマーク大きさ検出（Ｓ１６）におけ
る、電子ビーム発生部１０と基準ウェハ４５との位置関
係を示す図である。
【図５】照射位置検出（Ｓ１８）における、電子ビーム
発生部１０と基準ウェハ４５との位置関係を示す図であ
る。
発生部１０と基準ウェハ４５との位置関係を示す図であ
る。
【図６】照合位置検出（Ｓ２４）における、電子ビーム
発生部１０と基準ウェハ４５との位置関係を示す図であ
る。
発生部１０と基準ウェハ４５との位置関係を示す図であ
る。
１０ 電子ビーム発生部 １８ 第１整形偏向部 ２０ 第２整形偏向部 ３８ 偏向部 ４０ 電子検出部 ４４ ウェハ ４５ 基準ウェハ ４６ ウェハステージ ４７ マーク ５０ レーザ干渉計 ５５ ミラー ８４ 整形偏向制御部 ９２ 偏向制御部 ９４ 反射電子処理部 １００ 電子ビーム露光装置 １０４ 電子銃 １０６ 基材 １２０ 個別制御部 １３０ 統括制御部 １４０ 制御系 １５０ 露光部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 37/305 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｄ ５４１Ｗ Ｆターム(参考） 2H097 AA03 BA10 BB10 CA16 KA01 KA18 KA29 LA10 5C033 GG04 5C034 BB07 5F056 AA04 AA20 AA33 BA08 BB01 BD02 CB22 CB32 CC01
Claims (10)
- 【請求項１】 複数のマークを用いて、複数の電子ビー
ムの照射位置を補正する電子ビーム補正方法であって、 前記複数の電子ビームのうち、１つの電子ビームを前記
複数のマークに照射することにより、前記１つの電子ビ
ームの照射位置に対する前記複数のマークの相対的なマ
ーク位置を検出するマーク位置検出段階と、 前記複数のマークのうち、１つのマークに前記複数の電
子ビームを照射することにより、前記１つのマークに対
する前記複数の電子ビームの相対的な照射位置を検出す
る照射位置検出段階と、 検出された前記複数のマークの前記マーク位置と、検出
された前記複数の電子ビームの前記照射位置とに基づい
て、前記複数の電子ビームの前記照射位置を補正する補
正値を算出する算出段階とを備えることを特徴とする電
子ビーム補正方法。 - 【請求項２】 前記マーク位置検出段階は、前記複数の
マークのうち所望のマークを基準マークとして、前記基
準マークに対する他のマークの相対的なマーク位置を検
出する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の電
子ビーム補正方法。 - 【請求項３】 前記マーク位置検出段階は、前記複数の
マークのうち所望のマークを基準マークとして、前記基
準マークに対する他のマークの相対的な大きさを検出す
る段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子ビ
ーム補正方法。 - 【請求項４】 前記照射位置検出段階は、前記複数の電
子ビームのうち所望の電子ビームの照射位置を基準照射
位置として、前記複数の電子ビームを前記基準マークに
照射することにより、前記基準照射位置に対する他の電
子ビームの相対的な照射位置を検出する段階を含むこと
を特徴とする請求項２に記載の電子ビーム補正方法。 - 【請求項５】 前記算出段階は、前記基準マークに対す
る前記他のマークの相対的な前記マーク位置と、前記基
準照射位置に対する前記他の電子ビームの相対的な前記
照射位置とに基づいて、前記複数の電子ビームの前記照
射位置を補正する前記補正値を算出する段階を含むこと
を特徴とする請求項４に記載の電子ビーム補正方法。 - 【請求項６】 前記複数のマークは、前記複数の電子ビ
ームにそれぞれ対応する位置に設けられており、前記補
正値を用いて前記複数の電子ビームの前記照射位置を補
正し、前記複数の電子ビームの各々を対応する前記マー
クに照射する照射段階と、 前記照射段階において、前記マークに照射された前記電
子ビームの照射位置を検出する照合位置検出段階と、 前記照合位置検出段階において検出された各電子ビーム
の前記照射位置と、前記マークの検出位置とを照合する
ことにより、前記補正値が適正であるか否かを判断する
照合段階とをさらに備えることを特徴とする請求項１に
記載の電子ビーム補正方法。 - 【請求項７】 前記複数の電子ビームを用いて、所定の
回数の露光処理を行う毎に、前記照合位置検出段階と前
記照合段階とを繰り返す段階をさらに備えることを特徴
とする請求項６に記載の電子ビーム補正方法。 - 【請求項８】 前記複数のマークが設けられた基準ウェ
ハを載置するウェハステージのステージ位置を補正する
ステージ位置補正段階をさらに備え、 前記マーク位置検出段階は、補正されたステージ位置に
を基準とする前記複数のマークの相対的な前記マーク位
置を検出することを特徴とする請求項１に記載の電子ビ
ーム補正方法。 - 【請求項９】 電子ビームにより、ウェハを露光する電
子ビーム露光装置であって、 複数のマークを有する基準ウェハが載置されるウェハス
テージと、 複数の電子ビームを発生させる電子銃と、 前記電子ビームを前記マークに照射させるように偏向さ
せる偏向部と、 前記マークに照射された前記電子ビームの反射電子を検
出する電子検出部と、 前記電子検出部が出力する電気信号に基づいて、前記複
数の電子ビームのうち、１つの電子ビームが前記複数の
マークに照射されることにより、前記１つの電子ビーム
の照射位置に対する前記複数のマークの相対的なマーク
位置を検出するマーク位置検出部と、 前記電子検出部が出力する電気信号に基づいて、前記複
数のマークのうち、１つのマークに前記複数の電子ビー
ムが照射させることにより、前記１つのマークに対する
前記複数の電子ビームの相対的な照射位置を検出する照
射位置検出部と、 前記複数のマークの前記位置及び前記複数の電子ビーム
の前記照射位置とに基づいて、前記複数の電子ビームの
前記照射位置を補正する補正値を算出する算出部とを備
えることを特徴とする電子ビーム露光装置。 - 【請求項１０】 前記複数の電子ビームの照射位置の間
隔と、前記複数のマークの間隔とが実質的に等しいこと
を特徴とする請求項９に記載の電子ビーム露光装置。
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