JPH0298122A - Ｘ線転写装置 - Google Patents
Ｘ線転写装置Info
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- JPH0298122A JPH0298122A JP63251085A JP25108588A JPH0298122A JP H0298122 A JPH0298122 A JP H0298122A JP 63251085 A JP63251085 A JP 63251085A JP 25108588 A JP25108588 A JP 25108588A JP H0298122 A JPH0298122 A JP H0298122A
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- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、Ｘ線露光用マスクのマスクパターンに対応し
てウェハの転写対象部に選択的にＸ線を照射することに
より、そのマスクパターンに対応したパターンの転写を
行うＸ線転写装置に関する。
てウェハの転写対象部に選択的にＸ線を照射することに
より、そのマスクパターンに対応したパターンの転写を
行うＸ線転写装置に関する。
（従来の技術）
第２図は従来例のＸ線転写装置の側面図である。
第２図において、２は窒化ノリコン、窒化ポロン等のＸ
線透過材料からなる厚さが数μｍ程度のメンブレン２ａ
、メンブレン２ａの下面側中央領域に形成された、金、
タングステン等のＸ線吸収材料からなる厚さが０．２〜
１μｍ程度のマスクパターン２ｂ、およびメンブレン２
ａの上面側周縁領域を機械的に支持する厚さが数ｍｍ程
度のシリコン基板からなる支持フレーム２ｃを備えてな
るＸ線露光用マスクである。４は高真空中で電子銃によ
り電子線をターゲットに照射することで波長が０．４〜
５μｍ程度の軟Ｘ線５を発生させるとともに、そのＸ線
５を所定の窓から対象物に向けて照射するように構成さ
れたＸ線発生装置、６はＸ線露光用マスク２を介してＸ
線発生装置４からのＸ線５がその表面に形成のＸ線レノ
スト８に対して選択的に照射される転写対象部を備えた
ウェハである。そして、Ｘ線露光用マスク２は、図示の
ようにＸ線発生装置４とウェハ６との間に配置されてい
る。ここで、９はＸ線発生装置４からのＸ線（入射Ｘ線
）５の内で、Ｘ線露光用マスク２を透過したＸ線（透過
Ｘ線）である。このようなＸ線の選択的透過は、メンブ
レン２ａがＸ線透過材料で構成されているのに対して、
そのメンブレン２ａに形成のマスクパターン２１１１Ｊ
＜Ｘ線吸収材料で構成されているために起こる。
線透過材料からなる厚さが数μｍ程度のメンブレン２ａ
、メンブレン２ａの下面側中央領域に形成された、金、
タングステン等のＸ線吸収材料からなる厚さが０．２〜
１μｍ程度のマスクパターン２ｂ、およびメンブレン２
ａの上面側周縁領域を機械的に支持する厚さが数ｍｍ程
度のシリコン基板からなる支持フレーム２ｃを備えてな
るＸ線露光用マスクである。４は高真空中で電子銃によ
り電子線をターゲットに照射することで波長が０．４〜
５μｍ程度の軟Ｘ線５を発生させるとともに、そのＸ線
５を所定の窓から対象物に向けて照射するように構成さ
れたＸ線発生装置、６はＸ線露光用マスク２を介してＸ
線発生装置４からのＸ線５がその表面に形成のＸ線レノ
スト８に対して選択的に照射される転写対象部を備えた
ウェハである。そして、Ｘ線露光用マスク２は、図示の
ようにＸ線発生装置４とウェハ６との間に配置されてい
る。ここで、９はＸ線発生装置４からのＸ線（入射Ｘ線
）５の内で、Ｘ線露光用マスク２を透過したＸ線（透過
Ｘ線）である。このようなＸ線の選択的透過は、メンブ
レン２ａがＸ線透過材料で構成されているのに対して、
そのメンブレン２ａに形成のマスクパターン２１１１Ｊ
＜Ｘ線吸収材料で構成されているために起こる。
］二記構成のＸ線転写装置にあっては、Ｘ線発生装置４
からの入射Ｘ線５をＸ線露光用マスク２に入射させる。
からの入射Ｘ線５をＸ線露光用マスク２に入射させる。
そうすると、その入射Ｘ線５は、部がＸ線露光用マスク
２のメンブレン２ａに形成のマスクパターン２ｂで吸収
され、残りが透過Ｘ線９としてメンブレン２ａを透過す
る。そして、メンブレン２ａを透過した透過Ｘ線９はウ
ェハ６の転写対象部表面に形成のＸ線レジスト８を照射
する。これによって、そのＸ線レジスト８をマスクパタ
ーン２ｂの形状に対応したパターンで反応させるととも
に、その反応ののちにそのウェハ６を所要の現像液で現
像ずろことでＸ線レジスト８を介してその転写対象部上
にパターンを転写させる。
２のメンブレン２ａに形成のマスクパターン２ｂで吸収
され、残りが透過Ｘ線９としてメンブレン２ａを透過す
る。そして、メンブレン２ａを透過した透過Ｘ線９はウ
ェハ６の転写対象部表面に形成のＸ線レジスト８を照射
する。これによって、そのＸ線レジスト８をマスクパタ
ーン２ｂの形状に対応したパターンで反応させるととも
に、その反応ののちにそのウェハ６を所要の現像液で現
像ずろことでＸ線レジスト８を介してその転写対象部上
にパターンを転写させる。
第３図（ａ）は第２図のＸ線露光用マスク２の下面図で
あり、第３図（ｂ）は第３図（ａ）の八−点線に沿う断
面図である。これらの図に示されるＸ線露光用マスク２
は、平面視の外形が円形となっているとともに、マスク
パターン２ｂ、・・が形成されているメンブレン２ａの
中央領域が正方形となっている。そして、このＸ線β光
用マスク２は、マスクボルダ−１０により真空チャック
でもって保持されることでＸ線転写装置側における所定
の転写位置にセットされるようになっている。
あり、第３図（ｂ）は第３図（ａ）の八−点線に沿う断
面図である。これらの図に示されるＸ線露光用マスク２
は、平面視の外形が円形となっているとともに、マスク
パターン２ｂ、・・が形成されているメンブレン２ａの
中央領域が正方形となっている。そして、このＸ線β光
用マスク２は、マスクボルダ−１０により真空チャック
でもって保持されることでＸ線転写装置側における所定
の転写位置にセットされるようになっている。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、上記従来例のＸ線転写装置にあっては、Ｘ線
露光用マスク２の精度とか強度とかを保つ観点からその
全体の形状をそれほど大きくすることができない。その
ため、第４図（ａ）のように多数の転写対象部６ａ、６
ｂ、・を有する大口径のウェハ６に対してそのウェハ６
の上に配置された仮想線で図示のＸ線露光用マスク２を
矢印（矢印の方向はその移動方向を示している。）付き
の点線で示される移動軌跡に沿って順次に相対移動させ
ながら上記の転写を行う。その転写にあたっては、例え
ば第４図（ｂ）のように１つの転写対象部に対して転写
が終了すると、その転写のために実線の転写位置りにあ
るウェハ６を一旦、−点鎖線で示される退避位置Ｍへ移
動させてマスク２から離してのち、ウェハ６を例えば次
の転写対象部側である図で左側方向に所定距離だけ図で
二点で上昇させることでマスク２に近付けることを順次
、ウェハ６の各転写対象部ａ ；ｂ 、・・・ごとに第
４図（ａ）の矢印付きの点線経路に沿って繰り返す、ス
テップ・アンド・リピート方式と称される転写によらざ
るを得なかった。
露光用マスク２の精度とか強度とかを保つ観点からその
全体の形状をそれほど大きくすることができない。その
ため、第４図（ａ）のように多数の転写対象部６ａ、６
ｂ、・を有する大口径のウェハ６に対してそのウェハ６
の上に配置された仮想線で図示のＸ線露光用マスク２を
矢印（矢印の方向はその移動方向を示している。）付き
の点線で示される移動軌跡に沿って順次に相対移動させ
ながら上記の転写を行う。その転写にあたっては、例え
ば第４図（ｂ）のように１つの転写対象部に対して転写
が終了すると、その転写のために実線の転写位置りにあ
るウェハ６を一旦、−点鎖線で示される退避位置Ｍへ移
動させてマスク２から離してのち、ウェハ６を例えば次
の転写対象部側である図で左側方向に所定距離だけ図で
二点で上昇させることでマスク２に近付けることを順次
、ウェハ６の各転写対象部ａ ；ｂ 、・・・ごとに第
４図（ａ）の矢印付きの点線経路に沿って繰り返す、ス
テップ・アンド・リピート方式と称される転写によらざ
るを得なかった。
ところで、このようなステップ・アンド・リピート方式
においては、メンブレン２ａが大口径のウェハ６に対し
て離脱・接近といった挙動をすることになるために、ウ
ェハ６とそのメンブレン２ａとの間の間隙に介在するガ
スの圧力を受けて、膜厚の薄いメンブレン２ａが振動す
ることとなる。
においては、メンブレン２ａが大口径のウェハ６に対し
て離脱・接近といった挙動をすることになるために、ウ
ェハ６とそのメンブレン２ａとの間の間隙に介在するガ
スの圧力を受けて、膜厚の薄いメンブレン２ａが振動す
ることとなる。
このようなメンブレン２ａの振動は、当然のことながら
、精度の高いパターンの転写を行うことができないので
、その振動が収束するまでは、その転写を一時的に中止
させざるを得ないが、その振動の収束までには比較的に
長い時間がかがることから、その結果として、高速のＸ
線転写ができないという不都合があった。
、精度の高いパターンの転写を行うことができないので
、その振動が収束するまでは、その転写を一時的に中止
させざるを得ないが、その振動の収束までには比較的に
長い時間がかがることから、その結果として、高速のＸ
線転写ができないという不都合があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、Ｘ線露
光用マスクの移動時に生じるメンブレンの上記した振動
を急速に抑制できるようにすることで高速のＸ線転写を
可能にすることを目的としている。
光用マスクの移動時に生じるメンブレンの上記した振動
を急速に抑制できるようにすることで高速のＸ線転写を
可能にすることを目的としている。
（課題を解決するための手段）
このような目的を達成するために、本発明においては、
Ｘ線透過材料からなるメンブレン、前記メンブレンの一
面側中央領域に形成された、Ｘ線吸収材料からなるマス
クパターン、および前記メンブレンの他面側周縁領域を
機械的に支持する支持フレームを備えたＸ線露光用マス
クを、前記他面側をＸ線発生装置に、前記−面側を転写
対象部を備えたウェハにそれぞれ向けた状態でそのＸ線
発生装置と転写対象部との間に配置するとともに、ｎｉ
ｒ記Ｘ線発生装置から前記ウェハの転写対象部表面に前
記マスクパターンに対応してＸ線を選択的に照射して転
写を行うときは、当該Ｘ線露光用マスクを前記ウェハに
対して相対的に移動させるＸ線転写装置において、前記
Ｘ線露光用マスクの前記相対的移動時には、前記支持フ
レームと前記メンブレンとで囲まれてなる内部空間を密
閉することを特徴としている。
Ｘ線透過材料からなるメンブレン、前記メンブレンの一
面側中央領域に形成された、Ｘ線吸収材料からなるマス
クパターン、および前記メンブレンの他面側周縁領域を
機械的に支持する支持フレームを備えたＸ線露光用マス
クを、前記他面側をＸ線発生装置に、前記−面側を転写
対象部を備えたウェハにそれぞれ向けた状態でそのＸ線
発生装置と転写対象部との間に配置するとともに、ｎｉ
ｒ記Ｘ線発生装置から前記ウェハの転写対象部表面に前
記マスクパターンに対応してＸ線を選択的に照射して転
写を行うときは、当該Ｘ線露光用マスクを前記ウェハに
対して相対的に移動させるＸ線転写装置において、前記
Ｘ線露光用マスクの前記相対的移動時には、前記支持フ
レームと前記メンブレンとで囲まれてなる内部空間を密
閉することを特徴としている。
（作用）
Ｘ線露光用マスクの相対的移動時には、前記内部空間が
密閉されるので、当該Ｘ線露光用マスクを例えば大口径
のウェハに対して相対的に離脱・接近などの移動を行う
ときにＸ線露光用マスクのメンブレンとウェハとの間の
間隙に介在するガスの圧力によりそのメンブレンが振動
しても、その振動作用は前記内部空間のガスの圧力によ
り急速に抑制されることになる結果、そのウェハの転写
対象部とか次の転写対象部に対してのＸ線転写を高速で
行うことが可能となる。
密閉されるので、当該Ｘ線露光用マスクを例えば大口径
のウェハに対して相対的に離脱・接近などの移動を行う
ときにＸ線露光用マスクのメンブレンとウェハとの間の
間隙に介在するガスの圧力によりそのメンブレンが振動
しても、その振動作用は前記内部空間のガスの圧力によ
り急速に抑制されることになる結果、そのウェハの転写
対象部とか次の転写対象部に対してのＸ線転写を高速で
行うことが可能となる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。第１図は本発明の実施例に係るＸ線転写装置における
Ｘ線露光用マスクを示しており、第１図（ａ）はその平
面図であり、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＢ−Ｂ線に
沿う断面図である。
。第１図は本発明の実施例に係るＸ線転写装置における
Ｘ線露光用マスクを示しており、第１図（ａ）はその平
面図であり、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＢ−Ｂ線に
沿う断面図である。
本発明のＸ線転写装置において使用されろＸ線露光用マ
スク２、Ｘ線発生装置４およびウェハ６のそれぞれの基
本的な構造は第２図および第３図を参照してそれぞれ説
明したものと同様であるから、その基本的な構造の部分
については第２図および第３図と同一の符号を付してそ
の説明を省略することとする。
スク２、Ｘ線発生装置４およびウェハ６のそれぞれの基
本的な構造は第２図および第３図を参照してそれぞれ説
明したものと同様であるから、その基本的な構造の部分
については第２図および第３図と同一の符号を付してそ
の説明を省略することとする。
本発明においては、ステップ・アンド・リピート方式の
露光方式でのウェハ６に対する離脱・接近といったＸ線
露光用マスク２の相対移動時には、Ｘ線露光用マスク２
の支持フレーム２Ｃとメツブレン２ａとで囲まれてなる
内部空間１２を振動防１１−板１４てらって密閉する構
造に特徴を有している。
露光方式でのウェハ６に対する離脱・接近といったＸ線
露光用マスク２の相対移動時には、Ｘ線露光用マスク２
の支持フレーム２Ｃとメツブレン２ａとで囲まれてなる
内部空間１２を振動防１１−板１４てらって密閉する構
造に特徴を有している。
上記振動防止板１４を配置することにより、本発明では
ｒ’ｌエバ６がＸ線露光用マスク２に対して離脱・接近
といった移動をするときは、その内部空間１２が振動防
止板Ｉ４で密閉され、その結果、その内部空間１２内の
ガス、例えばヘリウムガスがダンパーとして作用するの
で、メンブレン２ａがウェハ６と当該メンブレン２ａと
の間に介在するガスの圧力で振動しても、その振動が急
速に抑制されることとなる。
ｒ’ｌエバ６がＸ線露光用マスク２に対して離脱・接近
といった移動をするときは、その内部空間１２が振動防
止板Ｉ４で密閉され、その結果、その内部空間１２内の
ガス、例えばヘリウムガスがダンパーとして作用するの
で、メンブレン２ａがウェハ６と当該メンブレン２ａと
の間に介在するガスの圧力で振動しても、その振動が急
速に抑制されることとなる。
したがって、本発明ではメンブレン２ａの振動が急速に
抑制されることで、高速での転写が可能となる。なお、
振動防止板１４はマスクホルダーＩＯに対して開閉可能
なように蝶番とか、その他の保持具でもって取り付けら
れていて、転写時には振動防止板１４がマスクボルダ−
１０」二から転写に邪魔のならない位置にまで移動させ
られることでその内部空間１２の密閉が解除される。
抑制されることで、高速での転写が可能となる。なお、
振動防止板１４はマスクホルダーＩＯに対して開閉可能
なように蝶番とか、その他の保持具でもって取り付けら
れていて、転写時には振動防止板１４がマスクボルダ−
１０」二から転写に邪魔のならない位置にまで移動させ
られることでその内部空間１２の密閉が解除される。
（発明の効果）
以上説明したことから明らかなように本発明によれば、
Ｘ線露光用マスクの移動にあたっては前記内部空間が密
閉されることから、当該Ｘ線露光用マスクを例えばウェ
ハに対して離脱・接近などの相対移動を行うときは、前
記内部空間のガスの圧力によりメンブレンの振動が急速
に抑制されることになり、高速でＸ線転写を行うことが
可能となる。
Ｘ線露光用マスクの移動にあたっては前記内部空間が密
閉されることから、当該Ｘ線露光用マスクを例えばウェ
ハに対して離脱・接近などの相対移動を行うときは、前
記内部空間のガスの圧力によりメンブレンの振動が急速
に抑制されることになり、高速でＸ線転写を行うことが
可能となる。
第１図（ａ）（ｂ）はそれぞれ本発明の実施例のＸ線転
写装置におけるＸ線露光用マスクに係り、第１図（ａ）
はその平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＢ−Ｉ３
線に沿う側面断面図である。 第２図はＸ線発生装置と、ウェハと、それらの間に配置
されたＸ線露光用マスクとを示す側面図である。 第３図（ａ）（ｂ）はそれぞれ従来例のＸ線露光用マス
クに係り、第３図（ａ）はその平面図、第３図（ｂ）は
第３図（ａ）のＡ−Ａ線に沿う側面断面図である。 第４図（ａ）（ｂ）はステップ・アンド・リピート方式
による従来装置の説明に供する図であり、第４図（ａ）
は大口径のウェハへの転写の説明のための平面図、第４
図（ｂ）はＸ線露光用マスクに対するウェハの移動の説
明に供ずろ側面図である。 ２・・Ｘ線露光用マスク、２ａ ・メンブレン、２ｂ
マスクパターン、２ｃ・支持フレーム、４・Ｘ線発生装
置、６・・ウェハ。 なお、図中、同一符号は同一ないしは相当部分を示して
いる。
写装置におけるＸ線露光用マスクに係り、第１図（ａ）
はその平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＢ−Ｉ３
線に沿う側面断面図である。 第２図はＸ線発生装置と、ウェハと、それらの間に配置
されたＸ線露光用マスクとを示す側面図である。 第３図（ａ）（ｂ）はそれぞれ従来例のＸ線露光用マス
クに係り、第３図（ａ）はその平面図、第３図（ｂ）は
第３図（ａ）のＡ−Ａ線に沿う側面断面図である。 第４図（ａ）（ｂ）はステップ・アンド・リピート方式
による従来装置の説明に供する図であり、第４図（ａ）
は大口径のウェハへの転写の説明のための平面図、第４
図（ｂ）はＸ線露光用マスクに対するウェハの移動の説
明に供ずろ側面図である。 ２・・Ｘ線露光用マスク、２ａ ・メンブレン、２ｂ
マスクパターン、２ｃ・支持フレーム、４・Ｘ線発生装
置、６・・ウェハ。 なお、図中、同一符号は同一ないしは相当部分を示して
いる。
Claims (1)
- （１）Ｘ線透過材料からなるメンブレン、前記メンブレ
ンの一面側中央領域に形成された、Ｘ線吸収材料からな
るマスクパターン、および前記メンブレンの他面側周縁
領域を機械的に支持する支持フレームを備えたＸ線露光
用マスクを、前記他面側をＸ線発生装置に、前記一面側
を転写対象部を備えたウェハにそれぞれ向けた状態でそ
のＸ線発生装置と転写対象部との間に配置するとともに
、前記Ｘ線発生装置から前記ウェハの転写対象部表面に
前記マスクパターンに対応してＸ線を選択的に照射して
転写を行うときは、当該Ｘ線露光用マスクを前記ウェハ
に対して相対的に移動させるＸ線転写装置において、 前記Ｘ線露光用マスクの前記相対的移動時には、前記支
持フレームと前記メンブレンとで囲まれてなる内部空間
を密閉することを特徴とするＸ線転写装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63251085A JPH0298122A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | Ｘ線転写装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63251085A JPH0298122A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | Ｘ線転写装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0298122A true JPH0298122A (ja) | 1990-04-10 |
Family
ID=17217417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63251085A Pending JPH0298122A (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | Ｘ線転写装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0298122A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1341042A2 (en) * | 2002-02-22 | 2003-09-03 | ASML Netherlands B.V. | System and method for using a two part cover for protecting a reticle |
| SG155813A1 (en) * | 2003-03-06 | 2009-10-29 | Asml Holding N V Nl | System and method for using a two part cover for protecting a reticle |
-
1988
- 1988-10-04 JP JP63251085A patent/JPH0298122A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1341042A2 (en) * | 2002-02-22 | 2003-09-03 | ASML Netherlands B.V. | System and method for using a two part cover for protecting a reticle |
| EP1341042A3 (en) * | 2002-02-22 | 2004-03-31 | ASML Holding N.V. | System and method for using a two part cover for protecting a reticle |
| US6906783B2 (en) | 2002-02-22 | 2005-06-14 | Asml Holding N.V. | System for using a two part cover for protecting a reticle |
| US7209220B2 (en) | 2002-02-22 | 2007-04-24 | Asml Holding N.V. | System for using a two part cover for and a box for protecting a reticle |
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