JPS61141135A - Ｘ線リソグラフイ装置 - Google Patents
Ｘ線リソグラフイ装置Info
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- JPS61141135A JPS61141135A JP59262766A JP26276684A JPS61141135A JP S61141135 A JPS61141135 A JP S61141135A JP 59262766 A JP59262766 A JP 59262766A JP 26276684 A JP26276684 A JP 26276684A JP S61141135 A JPS61141135 A JP S61141135A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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-
- G—PHYSICS
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、Ｘ線照射によって半導体基板上にパターンを
形成するＸ線リソグラフィ法に用いる装置に係り、特に
露光Ｘ線源としてシンクロトロン軌道放射光（以下ＳＯ
Ｒ光と称す。Ｓ ｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ○ｒｂｉｔ Ｒ
ａｄｉａｔｉｏｎ）を用いる場合に好適なＸ線リソグラ
フィ装置に関する。
形成するＸ線リソグラフィ法に用いる装置に係り、特に
露光Ｘ線源としてシンクロトロン軌道放射光（以下ＳＯ
Ｒ光と称す。Ｓ ｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ○ｒｂｉｔ Ｒ
ａｄｉａｔｉｏｎ）を用いる場合に好適なＸ線リソグラ
フィ装置に関する。
通常の水平に設置されたストレージ・リングから発生し
たＳＯＲ光は、水平面内にはＸ線リソグラフィ露光に十
分に広がりを有しているが、垂直方向への広がりは十分
ではない、このためＳ ＯＲ。
たＳＯＲ光は、水平面内にはＸ線リソグラフィ露光に十
分に広がりを有しているが、垂直方向への広がりは十分
ではない、このためＳ ＯＲ。
光をＸ線リソグラフィ露光線源に用いるためには主に垂
直方向のＸ線束の広がりを拡幅する必要がある。ＳＯＲ
光露光面積拡大のためになされた従来の方法では、例え
ば文、献（Ｍ 、 Ｂ １ｅｂｅｒ ｅｔ ａｌ” Ｉ
ｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ ｏｆ Ｘ−ｒａｙ
ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｕＳｉｎｇｐｌａｎｅ ｓｃａ
ｎｎｉｎｇ ｍ１ｒｒｏｒｓ”Ｎｕｃｌ、 Ｉ ｎｓｔ
ｒｕｍ。
直方向のＸ線束の広がりを拡幅する必要がある。ＳＯＲ
光露光面積拡大のためになされた従来の方法では、例え
ば文、献（Ｍ 、 Ｂ １ｅｂｅｒ ｅｔ ａｌ” Ｉ
ｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ ｏｆ Ｘ−ｒａｙ
ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｕＳｉｎｇｐｌａｎｅ ｓｃａ
ｎｎｉｎｇ ｍ１ｒｒｏｒｓ”Ｎｕｃｌ、 Ｉ ｎｓｔ
ｒｕｍ。
Ｍｅｔｈｏｄｓ、 ２０８ ｐ、２８１〜ｐ、２８６．
１９８３）に示されたように、真空チャンバー内に設置
されたミラー等にＳＯＲ光を反射させ、さらにミラーを
機械的に駆動して反射角を変えることによって反射光を
拡幅させて露光用Ｘ線面積の拡大をはかつていた。
１９８３）に示されたように、真空チャンバー内に設置
されたミラー等にＳＯＲ光を反射させ、さらにミラーを
機械的に駆動して反射角を変えることによって反射光を
拡幅させて露光用Ｘ線面積の拡大をはかつていた。
しかしこの方法では真空チャンバー内にミラー等の稼動
機構を設けることは容易ではなく、さらに高真空中であ
ってもミラー表面に不純物が不着して１反射光の強度や
均一性が低下する問題点があった・ また、水平に設置されたストレージ・リングからのＳＯ
Ｒ光でパターン露光を行なうためには、Ｘ線マスクおよ
びウェハをほぼ直立させる必要があった。しかしながら
直立に近い状態ではステップ＆リピート機構や、Ｘ線マ
スクの高精度な位置合わせ機構を組み込むことが極めて
困難であった。
機構を設けることは容易ではなく、さらに高真空中であ
ってもミラー表面に不純物が不着して１反射光の強度や
均一性が低下する問題点があった・ また、水平に設置されたストレージ・リングからのＳＯ
Ｒ光でパターン露光を行なうためには、Ｘ線マスクおよ
びウェハをほぼ直立させる必要があった。しかしながら
直立に近い状態ではステップ＆リピート機構や、Ｘ線マ
スクの高精度な位置合わせ機構を組み込むことが極めて
困難であった。
本発明の目的は、駆動機構を用いることなく露光用Ｘ線
の拡幅を行なうことが可能なＸ線リソグラフィ装置を提
供することにある。さらには露光用Ｘ線束の光軸を変更
して、水平に設置されたＸ線マスクの直上からＸ線露光
を行なうことが可能なＸ線リソグラフィ装置を提供する
ことにある。
の拡幅を行なうことが可能なＸ線リソグラフィ装置を提
供することにある。さらには露光用Ｘ線束の光軸を変更
して、水平に設置されたＸ線マスクの直上からＸ線露光
を行なうことが可能なＸ線リソグラフィ装置を提供する
ことにある。
上記目的を達成するために、本発明のＸ線リソグラフィ
装置では結晶表面と、回折を起こす回折 ；格子面
とが平行でない結晶を、ストレージ・リングから発生し
たＳＯＲ光とマスクの間に設置する。
装置では結晶表面と、回折を起こす回折 ；格子面
とが平行でない結晶を、ストレージ・リングから発生し
たＳＯＲ光とマスクの間に設置する。
このような結晶による回折は非対称反射と呼ばれ、回折
Ｘ線の断面積を１次元的に拡大することが可能である０
本発明はストレージ・リングなら発生したＳＯＲ光を上
記の結晶で非対称反射させて回折Ｘ線束の拡幅および光
軸の変更をはかり、露光用ｘｇとして用いるものである
。
Ｘ線の断面積を１次元的に拡大することが可能である０
本発明はストレージ・リングなら発生したＳＯＲ光を上
記の結晶で非対称反射させて回折Ｘ線束の拡幅および光
軸の変更をはかり、露光用ｘｇとして用いるものである
。
結晶は、その構成原子がより重く、格子間隔がより大き
いものが望ましい。しかしほとんどの結晶が用い得るこ
とは云うまでもない。
いものが望ましい。しかしほとんどの結晶が用い得るこ
とは云うまでもない。
第１図でストレージ・リングから発生した入射ＳＯＲ光
１は結晶２によって、単結晶２の回折格子面３に対して
回折角６をとって回折され、回折ＸＭ７がＸ線マスク８
に照射される６単結晶２は回折を起こしている結晶格子
面３と結晶表面４とが角度５を持った非対称反射面を有
する結晶である。
１は結晶２によって、単結晶２の回折格子面３に対して
回折角６をとって回折され、回折ＸＭ７がＸ線マスク８
に照射される６単結晶２は回折を起こしている結晶格子
面３と結晶表面４とが角度５を持った非対称反射面を有
する結晶である。
今、文献（高良他゛日本結晶成長学会誌″４゜Ｎｏ、
１ ＆２ ｐ、５６〜５７ 、 ’ ７７）に示され
るように 角度５＝α、角度６＝θ とおき、非対称因
子すを ｂ＝ｓｉｎ（θ−α）／５ｉｎ（Ｏ＋ａ）で定
義すれば、回折Ｘ線７の線幅は入射ＳＯＲ光１に対して
１／ｂ倍拡幅される０本発明は上記原理をＸ線リソグラ
フィ装置に適用することによって、回折Ｘ線の線束の拡
幅および光軸の変更を行なった極めて実用的なＸ線リソ
グラフィを実現したものである。この方法において光軸
を９０″変更させる場合、角度５と拡幅倍率Ａ（＝ −
）の関係は、角度５＝４５°−ｔａｎ’−’Ａで示され
る。
１ ＆２ ｐ、５６〜５７ 、 ’ ７７）に示され
るように 角度５＝α、角度６＝θ とおき、非対称因
子すを ｂ＝ｓｉｎ（θ−α）／５ｉｎ（Ｏ＋ａ）で定
義すれば、回折Ｘ線７の線幅は入射ＳＯＲ光１に対して
１／ｂ倍拡幅される０本発明は上記原理をＸ線リソグラ
フィ装置に適用することによって、回折Ｘ線の線束の拡
幅および光軸の変更を行なった極めて実用的なＸ線リソ
グラフィを実現したものである。この方法において光軸
を９０″変更させる場合、角度５と拡幅倍率Ａ（＝ −
）の関係は、角度５＝４５°−ｔａｎ’−’Ａで示され
る。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例１゜
Ｓｉ単結晶の（１１１）面を回折格子面３に用い、さら
に角度５が約３３．７°になるようにＳｉ単結晶をカッ
トすると、回折角６を４５°になるように結晶２を配置
することによって１／ｂ卿５となる。したがって入射Ｓ
ＯＲ光１の連続Ｘ線のうち、 回折条件 ２ｄ ｓｉｎθ＝λ （但し、ｄは回折格子
面３の面間隔、Ｏは回折角６．λは回折を起こす波長）
を満す４．４４人付近の波長のＸ線が回折を起こして、
線幅が５倍に拡幅された回折Ｘ線７が鉛直下方に発生す
る。そのため、入射ＳＯＲ光１の強度がほぼ均一な部分
が水平面内で２０ｗ＋Ｉ＋、鉛直方向で４ｍｍ程度であ
れば、水平に設置されたＸ線マスク上のほぼ２０Ｘ２０
ｍｍ２の範囲にＸ線を露光することができる。さらに本
例で用いたＳｔのように欠陥がほとんど存在しない単結
晶から発生する回折Ｘ線の平行度は１０−５ラジアン以
下で非常に高いため、パターン転写の際の半影ボケの影
響を極めて小さくすることができる。
に角度５が約３３．７°になるようにＳｉ単結晶をカッ
トすると、回折角６を４５°になるように結晶２を配置
することによって１／ｂ卿５となる。したがって入射Ｓ
ＯＲ光１の連続Ｘ線のうち、 回折条件 ２ｄ ｓｉｎθ＝λ （但し、ｄは回折格子
面３の面間隔、Ｏは回折角６．λは回折を起こす波長）
を満す４．４４人付近の波長のＸ線が回折を起こして、
線幅が５倍に拡幅された回折Ｘ線７が鉛直下方に発生す
る。そのため、入射ＳＯＲ光１の強度がほぼ均一な部分
が水平面内で２０ｗ＋Ｉ＋、鉛直方向で４ｍｍ程度であ
れば、水平に設置されたＸ線マスク上のほぼ２０Ｘ２０
ｍｍ２の範囲にＸ線を露光することができる。さらに本
例で用いたＳｔのように欠陥がほとんど存在しない単結
晶から発生する回折Ｘ線の平行度は１０−５ラジアン以
下で非常に高いため、パターン転写の際の半影ボケの影
響を極めて小さくすることができる。
実施例２゜
一方、回折Ｘ線７は波長４．４４λ自体の強度は入射Ｓ
ＯＲ光ｌの数１０％程度を維持しているが、はとんど単
色Ｘ線化するために積分強度の低下が生ずる６Ｘ線リソ
グラフイ装置の場合に強度が低下すると処理速度が低下
して生産性を阻害することになる１本発明者は単結晶２
に以下のような方法を行なって回折強度を増大すること
が可能であることを見出した。
ＯＲ光ｌの数１０％程度を維持しているが、はとんど単
色Ｘ線化するために積分強度の低下が生ずる６Ｘ線リソ
グラフイ装置の場合に強度が低下すると処理速度が低下
して生産性を阻害することになる１本発明者は単結晶２
に以下のような方法を行なって回折強度を増大すること
が可能であることを見出した。
第１の方法は結晶にイオン注入等を行なう方法である。
単結晶にイオン等を注入すると不純物が結晶格子に入り
込んだ結果１回折格子面３の面間隔が不均一になる。そ
の結果、回折条件を満たす波長領域が広がり回折Ｘ線７
の積分強度を増大させることができる。結晶はＳｉを用
いた。イオンとしてはＰ、Ａｓ、Ｂを用いた。加速電圧
は１０ＫｅＶからＩＭｅＶの範囲で行なった。またイオ
ン打込量は１０１２〜１０ ”ａｔｏｍｓ／ ａｌで良
好な結果はＳｉ、Ｈ，Ｈｅ、Ｏも用いることができた６
回折格子面３の面間隔に不均一性を生じさせる方法は、
上記のイオン注入法の他、カーボランダム（Ｓ ｉＣ：
Ｃａｒｂｏｒｕｎｄｕｍ）粉等の研磨剤で単結晶２表
面を軽く研磨し、単結晶２表面を僅かに歪ませることに
よっても可能であった。
込んだ結果１回折格子面３の面間隔が不均一になる。そ
の結果、回折条件を満たす波長領域が広がり回折Ｘ線７
の積分強度を増大させることができる。結晶はＳｉを用
いた。イオンとしてはＰ、Ａｓ、Ｂを用いた。加速電圧
は１０ＫｅＶからＩＭｅＶの範囲で行なった。またイオ
ン打込量は１０１２〜１０ ”ａｔｏｍｓ／ ａｌで良
好な結果はＳｉ、Ｈ，Ｈｅ、Ｏも用いることができた６
回折格子面３の面間隔に不均一性を生じさせる方法は、
上記のイオン注入法の他、カーボランダム（Ｓ ｉＣ：
Ｃａｒｂｏｒｕｎｄｕｍ）粉等の研磨剤で単結晶２表
面を軽く研磨し、単結晶２表面を僅かに歪ませることに
よっても可能であった。
第２の方法はＳｉよりも回折強度の大きい結晶を結晶２
に用いる方法である０本方法は例えばＳｉよりも原子番
号が大きく回折強度もより太きいＧｅ結晶を単結晶２に
用いることによって行な第３は単結晶２を弯曲させて回
折Ｘ線７の強度を高める方法である。弯曲結晶によるＸ
線の回折は、文献（高良他、″日本結晶成長学会誌″±
Ｎｏ、 １ ＆２． ｐ、６０． ’７７）に示される
ように回折Ｘ線の平行性はやや低下するものの１回折を
起こす波長領域が広がり、さらに焦光されるため回折Ｘ
線７の積分強度を増大させることが可能であるが具体的
な記載はない。本実施例では第２図に示されるように単
結晶２をスライスした結晶とによっても回折Ｘ線７の強
度の向上をはかることができる。入射ＳＯＲ光の強度を
あげる方法はストレージ・リングにアレシュレータ−等
のデバイスを挿入することによって行なわれ１本実施例
においては入射ＳＯＲ光１の連続Ｘ線のうち、波長４．
４４λ付近の強度を選択的に高めることによって、回折
Ｘ線７の強度をあげることが可能で以上述べたように本
発明によれば、ミラー等のはかることができる。
に用いる方法である０本方法は例えばＳｉよりも原子番
号が大きく回折強度もより太きいＧｅ結晶を単結晶２に
用いることによって行な第３は単結晶２を弯曲させて回
折Ｘ線７の強度を高める方法である。弯曲結晶によるＸ
線の回折は、文献（高良他、″日本結晶成長学会誌″±
Ｎｏ、 １ ＆２． ｐ、６０． ’７７）に示される
ように回折Ｘ線の平行性はやや低下するものの１回折を
起こす波長領域が広がり、さらに焦光されるため回折Ｘ
線７の積分強度を増大させることが可能であるが具体的
な記載はない。本実施例では第２図に示されるように単
結晶２をスライスした結晶とによっても回折Ｘ線７の強
度の向上をはかることができる。入射ＳＯＲ光の強度を
あげる方法はストレージ・リングにアレシュレータ−等
のデバイスを挿入することによって行なわれ１本実施例
においては入射ＳＯＲ光１の連続Ｘ線のうち、波長４．
４４λ付近の強度を選択的に高めることによって、回折
Ｘ線７の強度をあげることが可能で以上述べたように本
発明によれば、ミラー等のはかることができる。
また、水平面内に放射されたＳＯＲ光の光軸を容易に変
更して、水平に設置されたＸ線マスクの鉛直上からＸ線
の露光を行なうことができる。
更して、水平に設置されたＸ線マスクの鉛直上からＸ線
の露光を行なうことができる。
第１図は非対称反射のＳｉ結晶を配置したＸ線リソグラ
フィ装置の概略図（側面図）である。 第２図は、スライスされた、非対称反射のＳｉ結晶１０
に応力を加えて作製された弯曲結晶の概３・・・回折格
子面、４・・・結晶表面、５・・・結晶格子面と結晶表
面の成す角度、６・・・回折角。 ７・・・回折ＳＯＲ光、８・・・Ｘ線マスク、９・・・
ウェハ１０・・・スライスした非対称反射単結晶。 １１・・・引加された応力 第１図 ６２図 手 続 補 正 書 （方式）事件の表示 昭和５９年 特許願 第２６２７６６号発明の名称
Ｘ線リソグラフィ装置 補正をする者 名 称 （５１Ｇ）株式会社 日 立 製 作 新式
理 人 居 所 〒１００東京都千代田区丸の内−丁目５番１
号株式会社 日 立 製 作 所 内 型 話 東京２１２−１１１１（大代表）補正命令の
日付 昭和６０年３月２６日補正の内容 １．明細書の第３頁第１０行の記載の「（」から同頁第
１３行に記載の「）ｊまでの記載を次のとおり訂正する
。
フィ装置の概略図（側面図）である。 第２図は、スライスされた、非対称反射のＳｉ結晶１０
に応力を加えて作製された弯曲結晶の概３・・・回折格
子面、４・・・結晶表面、５・・・結晶格子面と結晶表
面の成す角度、６・・・回折角。 ７・・・回折ＳＯＲ光、８・・・Ｘ線マスク、９・・・
ウェハ１０・・・スライスした非対称反射単結晶。 １１・・・引加された応力 第１図 ６２図 手 続 補 正 書 （方式）事件の表示 昭和５９年 特許願 第２６２７６６号発明の名称
Ｘ線リソグラフィ装置 補正をする者 名 称 （５１Ｇ）株式会社 日 立 製 作 新式
理 人 居 所 〒１００東京都千代田区丸の内−丁目５番１
号株式会社 日 立 製 作 所 内 型 話 東京２１２−１１１１（大代表）補正命令の
日付 昭和６０年３月２６日補正の内容 １．明細書の第３頁第１０行の記載の「（」から同頁第
１３行に記載の「）ｊまでの記載を次のとおり訂正する
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｘ線マスク上のパターンをマスク後方に配置した放
射線感応材料に転写するＸ線リソグラフィ装置において
、単結晶をＸ線源とＸ線マスクの間に設置し、単結晶に
入射されたＸ線束を回折により拡幅してからマスクを照
射することを特徴とするＸ線リソグラフィ装置。 ２、上記拡幅されたＸ線束の光軸を鉛直下方に変更し、
水平に設置されたＸ線マスクの鉛直上から線束が拡幅さ
れたＸ線を露光できることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のＸ線リソグラフィ装置。 ３、上記Ｘ線源がシンクロトロン軌道放射光であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項および第２項記載の
Ｘ線リソグラフィ装置。 ４、上記単結晶が、該単結晶にイオン注入を行なって格
子を歪ませたものであることを特徴とする特許請求の範
囲第１項および第２項記載のＸ線リソグラフィ装置。 ５、上記単結晶が、該単結晶表面に研磨等の機械的な外
力を加えることによって回折格子面を歪ませたものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項および第２項
記載のＸ線リソグラフィ装置。 ６、上記単結晶を弯曲させることを特徴とする特許請求
の範囲第１項および第２項記載のＸ線リソグラフィ装置
。 ７、上記単結晶を、Ｓｉ、Ｇｅ、エメラルド、人工水晶
およびＩｎＳｂのいずれかであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項または第４項から第６項のいずれかに
記載のＸ線リソグラフィ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59262766A JPS61141135A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | Ｘ線リソグラフイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59262766A JPS61141135A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | Ｘ線リソグラフイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61141135A true JPS61141135A (ja) | 1986-06-28 |
Family
ID=17380288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59262766A Pending JPS61141135A (ja) | 1984-12-14 | 1984-12-14 | Ｘ線リソグラフイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61141135A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0357425A2 (en) | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | An exposure apparatus |
| WO2000008526A1 (en) * | 1998-08-06 | 2000-02-17 | Euv Limited Liability Corporation | Diffractive element in extreme-uv lithography condenser |
| US6210865B1 (en) | 1998-08-06 | 2001-04-03 | Euv Llc | Extreme-UV lithography condenser |
| US6469827B1 (en) | 1998-08-06 | 2002-10-22 | Euv Llc | Diffraction spectral filter for use in extreme-UV lithography condenser |
-
1984
- 1984-12-14 JP JP59262766A patent/JPS61141135A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0357425A2 (en) | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | An exposure apparatus |
| WO2000008526A1 (en) * | 1998-08-06 | 2000-02-17 | Euv Limited Liability Corporation | Diffractive element in extreme-uv lithography condenser |
| US6118577A (en) * | 1998-08-06 | 2000-09-12 | Euv, L.L.C | Diffractive element in extreme-UV lithography condenser |
| US6210865B1 (en) | 1998-08-06 | 2001-04-03 | Euv Llc | Extreme-UV lithography condenser |
| US6285497B1 (en) | 1998-08-06 | 2001-09-04 | Euv Llc | Diffractive element in extreme-UV lithography condenser |
| US6469827B1 (en) | 1998-08-06 | 2002-10-22 | Euv Llc | Diffraction spectral filter for use in extreme-UV lithography condenser |
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