KR950012546B1 - 경 x-선 비임 또는 감마선 비임을 집속시키기 위한 장치 및 방법 - Google Patents

경 x-선 비임 또는 감마선 비임을 집속시키기 위한 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950012546B1
KR950012546B1 KR1019930700900A KR930700900A KR950012546B1 KR 950012546 B1 KR950012546 B1 KR 950012546B1 KR 1019930700900 A KR1019930700900 A KR 1019930700900A KR 930700900 A KR930700900 A KR 930700900A KR 950012546 B1 KR950012546 B1 KR 950012546B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
crystal
ray beam
lattice constant
gamma
light
Prior art date
Application number
KR1019930700900A
Other languages
English (en)
Inventor
빅터 발리
앨버트 에프. 로렌스
데이비드 비. 창
Original Assignee
휴우즈 에어크라프트 캄파니
완다 케이. 덴슨-로우
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 휴우즈 에어크라프트 캄파니, 완다 케이. 덴슨-로우 filed Critical 휴우즈 에어크라프트 캄파니
Application granted granted Critical
Publication of KR950012546B1 publication Critical patent/KR950012546B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70158—Diffractive optical elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70316—Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors, extreme ultraviolet [EUV] multilayer or bilayer mirrors or diffractive optical elements
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
    • G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
    • G21K2201/062—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements the element being a crystal

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

[발명의 명칭]
경 X-선 비임 또는 감마선 비임을 집속시키기 위한 장치 및 방법
[도면의 간단한 설명]
제1도는 본 발명의 교시에 이용되는 원리를 예시한 결정을 도시한 도면이고,
제2도는 본 발명의 교시를 예시한 복합물질 결정을 도시한 도면이며,
제3도는 발명의 교시를 실시하는 감소된 마스크 영상을 투사하도록 경 X-선 또는 감마선을 수렴하도록 집속시키기 위한 장치 및 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
[발명의 상세한 설명]
[발명의 기술 분야]
본 발명은 마스크의 영상을 생성하기 위한 리소그래픽 기술에 관한 것으로, 더 상세하게는 마스크의 축소된 영상을 투사하기 위해 경 X-선 및 감마선을 집속시키기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
[발명의 배경]
집적 회로 반도체 칩을 만드는 단계들 중의 하나는 반도체 웨이퍼의 표면 상에 마스크에 의해 정의된 영상을 투사하는 것이다. 이들 칩의 집작 회로의 소형화를 진전시키기 위해, 선명하고 정확한 회로 라인을 유지하면서 더 작은 마스크를 투사시키는 방법이 모색되고 있다. 이러한 목적을 달성하기 위해, 리소그래픽 기술이 가시 영역 및 자외선 영역의 전자기 에너지로부터 "연 X-선"으로 발전되었다. 연 X-선은 전자기 스펙트럼중 자외선 에너지 바로 윗 부분을 점유하고 있다. 연 X-선의 파장이 짧아질수록 더 작은 마스크영상을 투사할 수 있다.
경 X-선은 연 X-선 보다 더 짧은 파장을 갖고 있으므로 전자기 스펙트럼중에서 연 X-선의 윗 부분을 점유한다. 그러므로, 더 소형인 칩 회로를 생산하기 위해서는 마스크 영상을 투사하는데 경 X-선 및 감마선을 사용하는 것이 바람직하다.
더 단파장인 이들 전자기 에너지를 사용하려는 시도에 있어서의 문제점은 단파장 및 그에 포함된 고 에너지 때문에 유용한 조작이 어렵다는 것이다. 렌즈 및 프리즘과 같은 표준 집속 메카니즘은 비효율적이다.
[발명의 요약]
본 발명의 목적은 표면 상에 마스크 영상을 투사하기 위해 경 X-선 및 감마선을 사용하기 위한 수단을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 확산(diffuse) 경 X-선 및 감마선 비임을 조준하여 축소된 마스크 영상을 투사하도록 이 조준된 비임을 수렴하게 집속시키는 수단을 제공하는 것이다.
본 발명은 경 X-선 또는 감마선의 비임을 수렴하게 집속시키기 위해 결정의 길이 전체에 걸쳐 감소되는 격자 상수를 갖는 무전위 복합물질(dislocation-free composite-substance)의 결정의 사용을 제시한다. 본 발명은 또한 경 X-선 또는 감마선의 확산 비임을 조준하고, 차례로 복합 물질에 조준된 방사선을 투사하기 위해 무전위 단일물질(single-substance)의 결정의 사용을 제시한다. 마스크는 "조준 결정"과 "집속 결정" 사이에 배치된다. 집속 결정은 요구되는 표면, 즉 웨이퍼 상에 마스크의 축소된 영상을 집속시키기위해 수렴하는 경 X-선 또는 감마선을 생성한다. 본 발명은 더 나아가서 집속 결정으로서 게르마늄 대 실리콘의 비율이 실리콘 게르마늄 결정의 전 길이에 걸쳐서 게르마늄 100%로부터 실리콘 100%로까지 변하는 실질적으로 무전위 실리콘-게르마늄 결정을 제시하고 있다.
본 발명의 다른 특징 및 이점은 첨부된 도면 및 청구 범위와 관련된 양호한 실시예의 상세한 설명에 의해 본 분야의 기술에 숙련된 사람들에게는 명백해질 것이다.
[발명의 양호한 실시예의 상세한 설명]
이하, 본 발명은 첨부 도면과 관련하여 선택된 실시예를 참조하여 설명되며, 본 명세서는 본 발명으로 간주되는 주제를 특별히 지적하고 청구하는 청구범위로 완결된다.
본 발명에 의해 제시되는 폭넓은 기술은 고 에너지, 즉 매우 짧은 파장의 전자기 방사선의 조정법이다. 이 조정법은 다양한 용도에 적합하지만, 특히 마스크 영상의 형성에 관한 본 발명의 또 다른 제시안에 응용할 수 있다.
본 발명은 유용한 목적을 위해 경 X-선 및 감마선의 빔을 조준하고 수렴하게 집속시킴으로써 이들 방사선을 조정한다. 이하에 기술될 본 발명의 토대를 이루는 대부분의 원리들이 X-선 현상에 관한 것이지만, 본 발명의 제시안은 감마선의 단파 방사선에 대해서도 똑같이 적용될 수 있다. 경 X-선은 1 내지 100keV범위내의 전기 에너지를 갖고 있는 X-선인 것으로 간주된다. 본 발명은 조준 및 집속기능을 실행하는 결정을 사용한다. 본 발명을 기술할 목적으로, 편리성을 위해, 이들 결정들을 조준 결정(collimating crystal) 및 집속 결정(focusing crystal)으로 부르겠다.
본 발명에서 조정 렌즈로서 결정을 사용하는 것은 결정의 X- 선 회절 특성에 기초한 것이다. 일반적으로, 결정에 충돌하는 X-선은 결정에 의해 흡수된다. 그러나, 결정의 격자 구조와 관련하여 X-선이 특정각도로 결정에 충돌하면 X-선 회절이 발생한다. 이럴 때, X-선은 특정 각으로 존재하는 결정을 투과한다. 결정을 통과하는 이러한 전파는 방사선이 결정의 격자들에 의해 내부 반사되기 때문에 발생된다. 이러한 현상은 브랙 조건(Bragg condition)으로 공지되어 있고 양적으로는 브랙 법칙 또는 브랙 방정식, 즉
(n) (λ) =2(d) sin b
로 표현되며, 이때 n은 정수, λ은 X-선의 파장, d는 격자 상수 또는 결정의 반사층 사이의 거리이고 b는 격자층에 대한 방사선의 입사각이다.
제1도를 참조하면, 회절 현상을 이용하는 조준 결정(20)의 동작이 도시되어 있다. 조준 결정(10)은 확산 방사선 원으로부터 경 X-선 또는 감마선의 비임을 투사하기 위해 결정의 브랙 조건에 의해 발생되는 볼만효과(Borrmann effect)를 이용한다. 결정에 있어서의 볼만 효과는 변칙 투과(anomalous transmission)로서 공지되어 있다. 브랙 조건, 즉 브랙 방정식이 무전위 결정내에서 만족되면, 볼만 효과는 흡수 계수의 현저한 감소로서 증명된다. 흡수 계수에 있어서의 감소는 더 많은 전자기 에너지가 결정으로부터 방출됨을 의미한다. "무전위"란 용어는 격자 구조에 있어서 원자 배열의 변위, 즉 "전위(어긋남)"가 없다는 뜻이다. 전위는 기하학적 구조를 변경시키고 그를 통한 에너지 전파에 악 영향을 미치는 격자내의 결함이다. 제1도에서 입사 광선(11)은 결정(10)의 격자면 또는 층(12)에 대해 입사각(13 또는 b)로 결정에 입사하는 것으로 도시되어 있다. 격자층(12)들은 격자 상수 또는 격자 간격(d 또는 14)으로 상술한 거리만큼 분리된다. 브랙 조건이 만족되면, 입사각(b 또는 13)은 또한 브랙 각이라고도 불린다. 볼만 효과는 위치(15,17 및 19)에 도시된 빔의 투과에 의해 증명된다. 투과된 방사선은 각 2b만큼 벌어진 동일한 세기의 2개의 부분으로 분리된다. 위치(15 및 17)에서의 비임은 변칙적으로 투과된 방사선이다. 이들 위치는 각각 후방 회절 비임 및 전방 회절 비임으로 공지되어 있다. 제3성분(19)는 변경되지 않은 비임이다. 볼만 효과의 각의 폭은 약 10-5라디안 또는 약 1아크 세컨드(arc second)이다. 그러므로, 무전위 결정을 통과하는 경 X-선이나 감마선은 매우 양호하게 조준된 방사선 비임(11')를 생성한다.
상술한 원리 및 현상은 또한 경 X-선 및 감마선을 집속시키는 것에 관한 본 발명에 사용될 수 있다. 집속 결정의 사용에 관한 제시는 상기 볼만 및 브랙 원리에 관련된 현상 즉, 결정이 왜곡될 때, 전파된 X-선이 수렴 또는 발산 비임을 생성하는 현상에 관련된다. 결정 격자는 또한 결정의 한쪽 단면은 가열하고 다른쪽 단면은 냉각시킴으로써, 또는 결정의 한쪽 단면에 방사상의 힘을 가하는 것과 같이 기계적인 힘에 의해 왜곡될 수 있다. 길이가 10㎝인 결정에 대해, 발생되는 효과는 작다. 즉, 결정의 한쪽 단면에 인가된 1,000atmospheres의 압력에 대해서는 약 10-3라디안 정도, 결정 양단에 400℃정도의 온도차가 있는 경우에는 10-4라디안 정도이다. 단파장 방사선을 수렴 또는 발산하도록 지속시키는 다른 효과적인 방법은 격자 상수 또는 평면 사이의 간격이 변하는 결정을 만드는 것이다.
제2도를 참조하면, 그 길이 전반에 걸쳐 변화되는 격자 상수를 갖는 집속 결정(20)의 예를 도시하고 있다. 본 발명에 따른 집속 결정(20)에 입사하는 방사선은 발산 비임의 방사선 또는 수렴 비임의 방사선으로 출현한다. 도시된 결정(20)은 상부로부터 하부로 갈수록 좁아지는데, 이는 상부로부터 하부로 갈수록 감소하는 격자 상수를 나타낸다. 적절히 정렬된 방사선이 상부에 인입하면 수렴 빔으로서 방출된다. 역으로, 하부로부터 상부로 갈수록 좁아지는 결정의 상부에 인입하는 방서선을 발산 비임을 생산한다. 본 발명이 제시하고자 하는 것은 실리콘 및 게르마늄 물질을 사용하여 예시된다. 실리콘의 격자 상수는 5.43Å이고, 게르마늄의 격자 상수는 5.66Å이다. 실리콘 내에서의 게르마늄이 고체 상태 용해도는 0% 게르마늄에서 100%게르마늄까지 전 영역을 망라한다. 제1도에 있어서, 결정의 상부는 100% 게르마늄과 따라서 0%의 게르마늄으로 조성된 것으로 나타나 있다. 결정의 하부는 100%의 실리콘과 따라서 0%의 게르마늄으로 조성되어 있는 것으로 나타나 있다. 농도비는 결정(20)의 길이를 따라 연속적으로 변한다. 게르마늄내에서 실리콘의 농도가 연속적으로 변하도록 결정을 성장시킴으로써, 격자 상수는 약 4% 정도 변한다. 결정(20)이 약 ㎝당 4%의 선형 농도 기울기를 갖는다면, 10㎝의 길이에 걸쳐 결정 격자의 크기는 약 0.04㎝정도 감소한다. 이로 인해 결과적으로 0.04/10=4밀리라디안의 수렴 각(25)가 생긴다. 그러므로, 결정(20)은 1/0.004=250㎝의 초점 거리 f를 갖는다. 초점(약 250㎝)의 회절 제한 크기가 다음 회절 방정식에 의해 주어진다 :
여기에서 s는 초점의 직경, 1.22는 비례 상수, D는 제일 먼저 방사선을 수신하는 결정(20)의 단면의 직경, λ는 방사선의 파장이고, f는 초점 길이이다. 다음 예는 이들 부호의 적용을 예시한다. Am241의 붕괴에 의한 60keV의 감마선은 0.17Å의 파장(λ)을 갖는다. 그러면, 2㎝의 직경(D)를 갖고 있는 예시된 결정(20)에 대한 초점의 크기는 다음과 같다 :
이것은 나노 엘렉트로닉 소자의 전형적인 크기 정확도 및 선명도이다. 그러므로, 집속 결정(20)은 전자 장치용의 리도그래피의 영역을 나노미터 영역으로 확장시키는데 사용될 수 있다.
이제 제3도를 참조하면, 제3도에는 본 발명에 따른 경 X-선 및 감마선(30)을 수렴되게 집속시키기 위한 장치가 개략적으로 도시되어 있다. 확산선(diffuse ray)원(32)는 확산 경 X-선 또는 감마선 비임(11)을 방출한다. 상술된 조준 결정(10)과 같이 동작하는 조준 결정(34)는 조준된 경 X-선 또는 감마선 비임(11')을 전파시킨다. 칩상에 배치될 회로 패턴을 정하는 마스크(36)은 조준된 비임(11')을 수신하도록 배치된다. 마스크를 빠져나가 조준된 방사선(11")은 마스크(36)의 영상을 전달한다. 조준된 비임(11)c 접속 결정(38)로 들어간다. 접속 결정(38)은 결정(38)의 길이에 걸쳐 감소하는 격자 상수를 갖고 있는 복합 결정이다. 마스크의 영상을 전달하는 집속 비임(11"')은 집속 결정(38)을 빠져나간다.
반도체 칩으로 제조될 웨이퍼(39)는 수렴 비임(11"')의 경로상에 배치된다. 전달되는 방사선 비임(11"')의 수렴성 때문에 웨이퍼(39)에 닿는 마스크의 영상은 접속 결정(38)에 인입된 영상의 감소된 버전이다. 감소된 영상은 기판(43)에 의해 지지되는 웨이퍼(39)의 광감지 층(41)에 조사된다. 그러면, 통상적인 칩 생산방법이 본 발명에 의해 가능하게 얻을 수 있는 정도의 소형화 및 선명도를 갖는 집속 회로를 생산하는데 사용될 수 있다.
또한 집속 결정(20 또는 38)은 좁게 또는 더 작은 격자 구조로 방사선을 수신할 수 있다. 결정(20 또는 38)을 빠져나온 방사선은 상술한 역동성 때문에 발산한다.
상술한 바와 같이, 격자 상수는 몇가지 방법에 의해 변하도록 만들어질 수 있다 : 그러나 복합 물질의 결정을 사용하는 것이 간단하고 실용적인 방법이다.
지금까지 양호한 실시예에 대해 상세하게 기술하였으나, 첨부된 특허청구 범위에 의해 한정된 본 발명의 원리 및 배경을 벗어나지 않고서 본 발명을 여러가지로 수정 및 변형시킬 수도 있다.

Claims (13)

  1. 경 X-선 비임 또는 감마선 비임을 수신하고 조준하기 위한 전 길이에 걸쳐 일정한 격자 상수를 갖고 있는 무전위 결정 및 상기 조준된 경 X-선 비임 또는 감마선 비임을 수신하고 상기 조준된 경 X-선비임 또는 감마선 비임을 길이 방향을 따라 전달시키기 위해 정렬된, 전 길이에 걸쳐 감소하는 격자 상수를 갖고 있는 무전위 결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경 X- 선 비임 또는 감마선 비임을 집속시키기 위한 장치.
  2. 제1항에 있어서, 전 길이에 걸쳐 일정한 격자 상수를 갖고 있는 상기 무전위 결정이 전 길이에 걸쳐 일정한 격자 상수를 갖고 있는 무전위 단일 물질의 결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경 X- 선 비임 또는 감마선 비임을 집속시키기 위한 장치.
  3. 제1항에 있어서, 전 길이에 걸쳐 감소하는 격자 상수를 갖고 있는 상기 무전위 결정이 길이에 걸쳐 감소하는 격자 상수를 갖고 있는 무전위 복합 물질의 결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경 X-선 비임 또는 감마선 비임을 집속시키기 위한 장치.
  4. 제3항에 있어서, 전 길이에 걸쳐 감소하는 격자 상수를 갖고 있는 상기 무전위 복합 물질의 결정이 2개 이상의 물질중의 다른 물질의 농도가 선형으로 연속적으로 변하는 이러한 2개 이상의 결정 물질중의 한 물질내에서 2개 이상의 결정 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 경 X-선 비임 또는 감마선 비임을 집속시키기 위한 장치.
  5. 제3항에 있어서, 전 길이에 걸쳐 감소하는 격자 상수를 갖고 있는 상기 무전위 복합 물질의 결정이 게르마늄에 대한 실리콘의 농도가 선형으로 연속적으로 변하는 무전위 결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경 X-선 비임 또는 감마선 비임을 집속시키기 위한 장치
  6. 제3항에 있어서, 전 길이에 걸쳐 감소하는 격자 상수를 갖고 있는 상기 무전위 복합 물질의 결정이 게르마늄 대 실리콘의 비율이 실리콘 게르마늄 결정의 길이에 걸쳐 100% 게르마늄으로부터 100% 실리콘으로 변하는 무전위 실리콘-게르마늄 결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경 X-선 비임 또는 감마선 비임을 집속시키기 위한 장치.
  7. 제1항에 있어서, 전 길이에 걸쳐 감소하는 격자 상수를 갖는 상기 무전위 결정이, 상기 조준된 경 X-선 비임 또는 감마선 비임이 길이에 걸쳐 감소하는 격자 상수를 갖고 있는 상기 무전위 결정의 단부들중 다른 출구 단부보다 더 큰 격자 상수를 갖고 있는 단부에 의해 수신되도록 정렬되어 있는 것을 특징으로 하는 경 X-선 비임 또는 감마선 비임을 집속시키기 위한 장치.
  8. 제1항에 있어서, 전 길이에 걸쳐 감소하는 격자 상수를 갖고 있는 상기 무전위 결정상에 확산 경 X-선 비임 또는 감마선 비임을 투사하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 경 X-선 비임 또는 감마선 비임을 집속시키기 위한 장치.
  9. 제1항에 있어서, 전 길이에 걸쳐 일정한 격자 상수를 갖고 있는 상기 무전위 결정과 전 길이에 걸쳐 감소하는 격자 상수를 갖고 있는 상기 무전위 결정 사이에 마스크를 배치하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 경 X-선 비임 또는 감마선 비임을 집속시키기 위한 장치.
  10. 제1항에 있어서, 전 길이에 걸쳐 감소하는 격자 상수를 갖고 있는 상기 무전위 결정을 빠져나온 방사선을 수신하도록 표면을 배치하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 경 X-선 비임 또는 감마선 비임을 집속시키기 위한 장치.
  11. 무전위 단일 물질 결정, 상기 무전위 단일 물질의 결정상에 확산 경 X-선 비임 또는 감마선 비임을 투사하기 위한 수단, 전 길이 방향을 따라 선형으로 변하는 격자 상수를 갖고 있고 상기 경 X-선 비임 또는 감마선 비임을 수신하기 위한 단부에서의 격자 상수가 상기 경 X-선 비임 또는 감마선 비임이 빠져나가는 다른 단부에서의 격자 상수보다 더 크며, 상기 무전위 단일 물질의 결정을 빠져나온 상기 경 X-선 비임 또는 감마선 비임을 수신하기 위해 축방향으로 정렬되어 있는 무전위 복합 물질의 결정, 상기 무전위 단일 물질의 결정과 상기 무전위 복합 물질의 결정사이에 마스크를 배치하기 위한 수단 및 상기 무전위 복합 물질의 결정을 빠져나온 상기 경 X-선 비임 또는 감마선 비임의 경로내에 표면을 배치하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면상에 마스크에 의해 정해진 영상의 축소된 영상을 투사하기 위한 장치.
  12. 각각 조준된 경 X-선 비임 또는 감마선 비임을 생성하기 위해 무전위 단일 물질의 결정을 통하여 확산 경 X-선 비임 또는 감마선 비임을 유도하는 단계, 높은 격자 상수를 갖고 있는 한쪽 단부로부터 낮은 격자 상수를 갖고 있는 다른쪽 단부까지 전 길이에 걸쳐 감소하는 격자 상수를 갖고 있는 무전위 복합 물질의 결정상으로 상기 조준된 X-선 비임 또는 감마선 비임을 유도하되, 상기 조준된 경 X-선 비임 또는 감마선 비임이 상기 높은 격자 상수를 갖고 있는 단부상으로 향하도록 하는 단계, 전 길이 방향에 걸쳐 감소하는 격자 상수를 갖고 있는 상기 무전위 단일 물질의 결정과 상기 무전위 복합 물질의 결정 사이에 마스크를 배치하는 단계 및 상기 무전위 복합 물질의 결정의 단부들중 낮은 격자 상수를 갖는 다른쪽 단부를 빠져나온 방사선의 경로상에 표면을 배치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 표면상에 경 X-선 영상 또는 감마선 영상을 수렴하게 집속시키기 위한 방법.
  13. 초점 길이 f에서 다음 식
    s : 초점의 직경
    1.22 : 비례상수
    D : 경 X-선 또는 감마선을 수신하는 상기 결정의 단부의 직경
    λ : 경 X-선 또는 감마선의 파장
    f : 상기 결정의 초점 길이
    에 의해 정의된 직경 s를 갖는 초점을 만들기 위해 길이에 걸쳐 감소하는 격자 상수를 생성하는 매개변수들에 의해 형성된 결정을 포함하는 경 X-선 또는 감마선을 집속시키기 위한 장치.
KR1019930700900A 1991-07-26 1992-06-15 경 x-선 비임 또는 감마선 비임을 집속시키기 위한 장치 및 방법 KR950012546B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/736,153 1991-07-26
US07/736,153 US5210779A (en) 1991-07-26 1991-07-26 Apparatus and method for focusing hard x-rays
PCT/US1992/005042 WO1993003424A1 (en) 1991-07-26 1992-06-15 Apparatus and method for focusing hard x-rays

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR950012546B1 true KR950012546B1 (ko) 1995-10-18

Family

ID=24958717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930700900A KR950012546B1 (ko) 1991-07-26 1992-06-15 경 x-선 비임 또는 감마선 비임을 집속시키기 위한 장치 및 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5210779A (ko)
EP (1) EP0550734A1 (ko)
JP (1) JPH06502747A (ko)
KR (1) KR950012546B1 (ko)
CA (1) CA2089557A1 (ko)
TW (1) TW207030B (ko)
WO (1) WO1993003424A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5880467A (en) * 1997-03-05 1999-03-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Microcalorimeter x-ray detectors with x-ray lens
US6389100B1 (en) * 1999-04-09 2002-05-14 Osmic, Inc. X-ray lens system
CZ2007494A3 (cs) * 2007-07-20 2008-11-12 Ceské vysoké ucení technické v Praze Optický clen pro rentgenovou mikroskopii

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57106031A (en) * 1980-12-23 1982-07-01 Toshiba Corp Transferring device for fine pattern
US4429411A (en) * 1981-04-20 1984-01-31 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Instrument and method for focusing X-rays, gamma rays and neutrons
DE3217235A1 (de) * 1982-05-07 1983-11-24 Max Planck Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen Verfahren zum erzeugen eines hochkollimierten roentgenstrahlungsbuendels durch sechsstrahl-borrmann-beugung
JPS6221223A (ja) * 1985-07-19 1987-01-29 Shimadzu Corp 軟ｘ線用投影結像装置
US5063586A (en) * 1989-10-13 1991-11-05 At&T Bell Laboratories Apparatus for semiconductor lithography
US4987582A (en) * 1989-10-19 1991-01-22 Hughes Aircraft Company X-ray fluorescence imaging of elements

Also Published As

Publication number Publication date
EP0550734A1 (en) 1993-07-14
WO1993003424A1 (en) 1993-02-18
TW207030B (ko) 1993-06-01
CA2089557A1 (en) 1993-01-27
US5210779A (en) 1993-05-11
JPH06502747A (ja) 1994-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69220868T2 (de) System zur Stabilisierung der Formen von optischen Elementen, Belichtungsvorrichtung unter Verwendung dieses Systems und Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen
US4028547A (en) X-ray photolithography
US7414787B2 (en) Phase contrast microscope for short wavelength radiation and imaging method
Afshari et al. Time-resolved diffraction with an optimized short pulse laser plasma X-ray source
Drakopoulos et al. X-ray standing wave microscopy: Chemical microanalysis with atomic resolution
KR950012546B1 (ko) 경 x-선 비임 또는 감마선 비임을 집속시키기 위한 장치 및 방법
MacDowell et al. A soft/hard x‐ray beamline for surface EXAFS studies in the energy range 0.8–15 keV
Camattari et al. Highly reproducible quasi-mosaic crystals as optical components for a Laue lens
Šmíd et al. Mirror to measure small angle x-ray scattering signal in high energy density experiments
Rode et al. Intensity measurements of a quasi-monochromatic x-ray beam formed by a spherically bent crystal
Halliday et al. Reflexion electron microscopy using diffracted electrons
Dangor et al. Generation of uniform plasmas for beat wave experiments
Hoffmann et al. Applications of single tapered glass capillaries: submicrometer x-ray imaging and Laue diffraction
JPH0566297A (ja) 光学素子の形状安定化法及びそれを用いた光学装置
Thomas et al. EUNIS: a solar EUV normal-incidence spectrometer
Tarazona et al. 2D imaging of an undulator source by phase circular Bragg–Fresnel lens
Wallace et al. A high-resolution X-ray topographical technique for thin flexible crystal plates
CA1224839A (en) X-ray lithography
EP4160623A1 (en) Multi beam splitting and redirecting apparatus for a tomoscopic inspection apparatus, tomoscopic inspection apparatus and method for creating a three dimensional tomoscopic image of a sample
JPH08169731A (ja) シリカガラスの高屈折率化の方法
Huang et al. Dependence of the direct dislocation image on sample-to-film distance in X-ray topography
JPS61141135A (ja) Ｘ線リソグラフイ装置
Källne et al. Properties and prospects of holographic transmission gratings
Freund et al. Performance of beryllium crystals exposed to high x‐ray power density
Wark et al. Studies of x‐ray switching and shuttering techniques

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee