JPS61160935A - Ｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線露光方法Info
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- JPS61160935A JPS61160935A JP60001652A JP165285A JPS61160935A JP S61160935 A JPS61160935 A JP S61160935A JP 60001652 A JP60001652 A JP 60001652A JP 165285 A JP165285 A JP 165285A JP S61160935 A JPS61160935 A JP S61160935A
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- JP
- Japan
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- ray
- exposure
- resist
- polyvinyl alcohol
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- Pending
Links
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- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 23
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｘ線すングッフィの分野におけるＸ線露光方
法に関する。
法に関する。
Ｘ線露光技術は、サブミクロン幅パターンの確実な高解
像性の故に将来の極めて有望な複写技術として期待され
、現在各所で精力的な研究、開発が行われている・第３
図に、従来性われているＸ線露光の基本的概念図を示す
一同様の図は、１９７２年に発行された刊行物エレクト
ロニクス・レターズ（Ｅｌ＠ｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔ
ｔｅｒ＋ｓ） ８巻４号、 １０２〜１Ｇ４頁に開示さ
れている。第３図において、Ｘ線源ｌより放射されたＸ
線２はＸ線マスク３のＸ線透過部４を通過して、被加工
物５上に塗布されたＸ線レジスト６に照射される。この
ときＸ線透過部４上に形成されたＸ線吸収体パターン部
７ではＸ線２が通過せず、ここにマスクパターンとして
の役割が得られる。
像性の故に将来の極めて有望な複写技術として期待され
、現在各所で精力的な研究、開発が行われている・第３
図に、従来性われているＸ線露光の基本的概念図を示す
一同様の図は、１９７２年に発行された刊行物エレクト
ロニクス・レターズ（Ｅｌ＠ｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔ
ｔｅｒ＋ｓ） ８巻４号、 １０２〜１Ｇ４頁に開示さ
れている。第３図において、Ｘ線源ｌより放射されたＸ
線２はＸ線マスク３のＸ線透過部４を通過して、被加工
物５上に塗布されたＸ線レジスト６に照射される。この
ときＸ線透過部４上に形成されたＸ線吸収体パターン部
７ではＸ線２が通過せず、ここにマスクパターンとして
の役割が得られる。
また、第３図とｔｌぼ同様の基本的構造のＸ線露光装置
を用いてＸ線レジストの評価等を行うことができる。
を用いてＸ線レジストの評価等を行うことができる。
Ｘ線露光技術は、かなり実用化が実現されつつある段階
であると言えるが、現状及び将来に訃いて最大の問題点
はスルーブツトであろうと思われる。Ｘ線露光において
スループットを定める要因は、Ｘ線源として期待されて
いるプラズマＸ線源及びシンクロトロン軌道放射線源も
現在先端的に研究、開発されているが、これらの実用性
を論するには時期尚早である。従って、Ｘ線源について
言えば、現状では最も古典的で実績の高い電子ビーム励
起線源が実用レベルのＸ線露光装置に最適であると言え
る。
であると言えるが、現状及び将来に訃いて最大の問題点
はスルーブツトであろうと思われる。Ｘ線露光において
スループットを定める要因は、Ｘ線源として期待されて
いるプラズマＸ線源及びシンクロトロン軌道放射線源も
現在先端的に研究、開発されているが、これらの実用性
を論するには時期尚早である。従って、Ｘ線源について
言えば、現状では最も古典的で実績の高い電子ビーム励
起線源が実用レベルのＸ線露光装置に最適であると言え
る。
この観点に立って、本発明者も電子ビーム励起線源を用
い、Ｘ線レジストの特性を調べてきた。
い、Ｘ線レジストの特性を調べてきた。
このときスループット向上のためのＸ線レジストに対す
る要請としては、その高感度化が挙げられる。
る要請としては、その高感度化が挙げられる。
Ｘ線レジストの感度特性を調べているうちに、本発明者
は一つの重要な事実を見出した。それは、Ｘ線レジスト
の感度が露光雰囲気の状態によって異なる事である１例
えば、真空中露光と大気中露光とではＸ線レジストの感
度が異なり、特に後者において感度が悪化する傾向があ
る。この点は、ポジレジストでもネガレジストでも同様
であり、シよそ一桁オーダで感度が悪化する場合も見ら
れ九、大気中露光方式は、実用化されるＸ線露光システ
ムの一つの有力な候補である。従って、大気中露光にお
いてＸ線レジストの感度が悪化することは重大な問題点
であるといえる。
は一つの重要な事実を見出した。それは、Ｘ線レジスト
の感度が露光雰囲気の状態によって異なる事である１例
えば、真空中露光と大気中露光とではＸ線レジストの感
度が異なり、特に後者において感度が悪化する傾向があ
る。この点は、ポジレジストでもネガレジストでも同様
であり、シよそ一桁オーダで感度が悪化する場合も見ら
れ九、大気中露光方式は、実用化されるＸ線露光システ
ムの一つの有力な候補である。従って、大気中露光にお
いてＸ線レジストの感度が悪化することは重大な問題点
であるといえる。
本発明の目的は、このような従来の問題点を除去し、大
気中露光におけるＸ線レジストの感度悪化を改善する新
たなＸ線露光方法を提供することにある。 。
気中露光におけるＸ線レジストの感度悪化を改善する新
たなＸ線露光方法を提供することにある。 。
本発明はＸ線源から放射されるＸ線を、Ｘ線マスクを通
してＸ線レジストが塗布された被加工−１に照射するＸ
線露光方法において、前記Ｘ線レジスト上に塗布された
ポリビニルアルコール膜ヲ通して被加工物にＸ線を照射
することを特徴とするＸ線露光方法である。
してＸ線レジストが塗布された被加工−１に照射するＸ
線露光方法において、前記Ｘ線レジスト上に塗布された
ポリビニルアルコール膜ヲ通して被加工物にＸ線を照射
することを特徴とするＸ線露光方法である。
以下本発明の構成について、図面を参照しながら説明す
る。
る。
第１図は本発明に係るＸ線露光方法の一実施例を示す概
略図である。基本的構成は、第３図と全く同じである・
同一構成部分には同一番号を付してその説明を省略する
。ただし、本発明では被加工物５上に塗布されたＸ線レ
ジスト６の上にさらにポリビニルアルコール膜８を塗布
している。第２図に、ポリビニルアルコール膜８の効果
を表わした一例を示す、同図には、ポジレジストＲＥ−
５０００Ｐ（日立化成■社製）Ｋおける５ｉＫａ線（波
長７．１３１）を用いたＸ線露光での感度特性が示され
ている・感度特性１１は、真空中（約６．７Ｐａ以下）
で求められた曲線を、感度特性１２は大気中（約１０’
Ｐａ）で求められた曲線を示している１図から分るよう
に、零膜厚になる点での値を感度と定義して比較すると
、真空中では１００ｍＪ／ 雪、大気中では７００”＃
１ｃＩＩＬｃＩＬ であり、大気中では大巾に感度が悪化している。
略図である。基本的構成は、第３図と全く同じである・
同一構成部分には同一番号を付してその説明を省略する
。ただし、本発明では被加工物５上に塗布されたＸ線レ
ジスト６の上にさらにポリビニルアルコール膜８を塗布
している。第２図に、ポリビニルアルコール膜８の効果
を表わした一例を示す、同図には、ポジレジストＲＥ−
５０００Ｐ（日立化成■社製）Ｋおける５ｉＫａ線（波
長７．１３１）を用いたＸ線露光での感度特性が示され
ている・感度特性１１は、真空中（約６．７Ｐａ以下）
で求められた曲線を、感度特性１２は大気中（約１０’
Ｐａ）で求められた曲線を示している１図から分るよう
に、零膜厚になる点での値を感度と定義して比較すると
、真空中では１００ｍＪ／ 雪、大気中では７００”＃
１ｃＩＩＬｃＩＬ であり、大気中では大巾に感度が悪化している。
感度特性１３は本発明に係わるものであ！０．ＲＥ−５
０００Ｐ上にポリビニルアルコール膜を塗布した場合で
あるが、図に見られるように、感度は３００１ｒＬＪ／
、Ｘまで４Ｉ轟に改善されている。この実験事実よシ、
ポリビニルアルコール膜を使用した場合の感度改善効果
は明白であることが分る− 次に、ポリビニルアルコール膜の取扱い方法について述
べる。先ず、被加工物上にＸ線レジストをスピンコード
する。定められ北温度にてブリベイキングをする０次に
ポリビニルアルコールａｔＸ線しジスト上に滴下してス
ピンコードする。この状態で適当な温度（例えば（資）
℃位）で１０〜１５分間ペイキングすれば、露光前準備
完了である０例えば前述のポジレジス） ＲＥ−５００
０Ｐの場合は、Ｘ線露光後、レジストの現像液（有機ア
ルカリ系）でポリビニルアルコール膜も容易に除去され
るので、−回の現像液処理で、ポリビニルアルコールＪ
ＩＩＷｋ去及びレジス） ／＜ターンの現像が可能であ
る。
０００Ｐ上にポリビニルアルコール膜を塗布した場合で
あるが、図に見られるように、感度は３００１ｒＬＪ／
、Ｘまで４Ｉ轟に改善されている。この実験事実よシ、
ポリビニルアルコール膜を使用した場合の感度改善効果
は明白であることが分る− 次に、ポリビニルアルコール膜の取扱い方法について述
べる。先ず、被加工物上にＸ線レジストをスピンコード
する。定められ北温度にてブリベイキングをする０次に
ポリビニルアルコールａｔＸ線しジスト上に滴下してス
ピンコードする。この状態で適当な温度（例えば（資）
℃位）で１０〜１５分間ペイキングすれば、露光前準備
完了である０例えば前述のポジレジス） ＲＥ−５００
０Ｐの場合は、Ｘ線露光後、レジストの現像液（有機ア
ルカリ系）でポリビニルアルコール膜も容易に除去され
るので、−回の現像液処理で、ポリビニルアルコールＪ
ＩＩＷｋ去及びレジス） ／＜ターンの現像が可能であ
る。
この検討によって、ポリビニルアルコール膜ノ塗布によ
るレジストのパターンニングに対する悪影響は特に無い
ことが分った。またポリビニルアルコール膜の感度改善
効果は、間膜の塗布膜厚には依存しないことが分った。
るレジストのパターンニングに対する悪影響は特に無い
ことが分った。またポリビニルアルコール膜の感度改善
効果は、間膜の塗布膜厚には依存しないことが分った。
従って、適当な膜厚になるようにスピンコードシてやれ
ばよい。
ばよい。
以上述べたようにポリビニルアルコール膜ヲＸ線レジス
トの上層として塗布した場合の感度改善効果は明らかで
あり、本発明の目的は達成される。
トの上層として塗布した場合の感度改善効果は明らかで
あり、本発明の目的は達成される。
以上説明したように本発明によれば、！ＩＫＸ線露光に
おける真空中露光方式以外の露光雰囲気（例えば大気中
）でＯＸ線レジストの感度悪化を防止でき、第２に高感
度Ｘ線レジストを開発する際によ夕大きな許容度（すな
わち、露光雰囲気の変化による低感度化は考慮する必要
がない）を与えることができる。さらに第３にＸ線レジ
ストの上層としてポリビニルアルコール膜が塗布されて
いるので、同腹がＸ線マスクから放出される二次電子の
吸収膜としての作用も兼ねることができ、（Ｘ線レジス
トへの二次電子の直接の影響を防ぐ）、第４にＸ線露光
における露光雰囲気等のシステム設計に自由度を与える
ことができる効果を有するものである。
おける真空中露光方式以外の露光雰囲気（例えば大気中
）でＯＸ線レジストの感度悪化を防止でき、第２に高感
度Ｘ線レジストを開発する際によ夕大きな許容度（すな
わち、露光雰囲気の変化による低感度化は考慮する必要
がない）を与えることができる。さらに第３にＸ線レジ
ストの上層としてポリビニルアルコール膜が塗布されて
いるので、同腹がＸ線マスクから放出される二次電子の
吸収膜としての作用も兼ねることができ、（Ｘ線レジス
トへの二次電子の直接の影響を防ぐ）、第４にＸ線露光
における露光雰囲気等のシステム設計に自由度を与える
ことができる効果を有するものである。
第１図は本発明に係るＸ線露光方法の一実施例を示す概
略図、第２図は５ｉＫａ線を用いた従来法と本発明方法
によるｘｍｉｉ光の感度特性を示す図、第３図は従来の
Ｘ線露光の基本構成を示す概略図である。 ｌ・・・Ｘ線源 ２・・・Ｘ線３・・・Ｘ線
マスク ５・・・被加工物６・・・Ｘ線レジスト
ア・・・Ｘ線吸収体パターン部８・・−ホｌ
Ｊｋ’ニルアルコール膜 ２Ｑ、！ 代理人弁理士 内 原 晋 Ｌ第１
図 第２図
略図、第２図は５ｉＫａ線を用いた従来法と本発明方法
によるｘｍｉｉ光の感度特性を示す図、第３図は従来の
Ｘ線露光の基本構成を示す概略図である。 ｌ・・・Ｘ線源 ２・・・Ｘ線３・・・Ｘ線
マスク ５・・・被加工物６・・・Ｘ線レジスト
ア・・・Ｘ線吸収体パターン部８・・−ホｌ
Ｊｋ’ニルアルコール膜 ２Ｑ、！ 代理人弁理士 内 原 晋 Ｌ第１
図 第２図
Claims (1)
- （１）Ｘ線源から放射されるＸ線を、Ｘ線マスクを通し
てＸ線レジストが塗布された被加工物上に照射するＸ線
露光方法において、前記Ｘ線レジスト上に塗布されたポ
リビニルアルコール膜を通して被加工物にＸ線を照射す
ることを特徴とするＸ線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60001652A JPS61160935A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | Ｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60001652A JPS61160935A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | Ｘ線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61160935A true JPS61160935A (ja) | 1986-07-21 |
Family
ID=11507449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60001652A Pending JPS61160935A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | Ｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61160935A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01159643A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-22 | Fujitsu Ltd | エックス線露光方法 |
| US5482998A (en) * | 1991-06-18 | 1996-01-09 | Basf Aktiengesellschaft | Thermoplastic molding materials based on partly aromatic copolyamides and polyolefins |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54114977A (en) * | 1978-02-28 | 1979-09-07 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of contact exposing positive photo resist |
| JPS5990927A (ja) * | 1982-11-16 | 1984-05-25 | Toshiba Corp | ホトリソグラフイ法 |
| JPS60233821A (ja) * | 1984-05-02 | 1985-11-20 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
-
1985
- 1985-01-09 JP JP60001652A patent/JPS61160935A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54114977A (en) * | 1978-02-28 | 1979-09-07 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of contact exposing positive photo resist |
| JPS5990927A (ja) * | 1982-11-16 | 1984-05-25 | Toshiba Corp | ホトリソグラフイ法 |
| JPS60233821A (ja) * | 1984-05-02 | 1985-11-20 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01159643A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-22 | Fujitsu Ltd | エックス線露光方法 |
| US5482998A (en) * | 1991-06-18 | 1996-01-09 | Basf Aktiengesellschaft | Thermoplastic molding materials based on partly aromatic copolyamides and polyolefins |
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