JPH0296320A - X線転写方法 - Google Patents
X線転写方法Info
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- JPH0296320A JPH0296320A JP63248345A JP24834588A JPH0296320A JP H0296320 A JPH0296320 A JP H0296320A JP 63248345 A JP63248345 A JP 63248345A JP 24834588 A JP24834588 A JP 24834588A JP H0296320 A JPH0296320 A JP H0296320A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、X線露光用マスクのマスクパターンに対応し
てウェハの転写対象部に選択的にX線を照射すること、
そのマスクパターンに対応したパターンの転写を行うX
線転写方法に関する。
てウェハの転写対象部に選択的にX線を照射すること、
そのマスクパターンに対応したパターンの転写を行うX
線転写方法に関する。
(従来の技術)
第2図は上記X線転写方法に用いられる装置の模式的側
面図である。第2図において、2は窒化シリコン、窒化
ボロン等のX線透過材料からなる厚さが0.2〜1μm
程度のメンブレン2a、メンブレン2aの一面側中央領
域に形成された、金、タングステン等のX線吸収材料か
らなる厚さが数μm程度のマスクパターン2b、および
メンブレン2aの他面側周縁領域を機械的に支持する厚
さが数mm程度の支持枠2Cを備えたX線露光用マスク
である。4は高真空中で電子銃により電子線をターゲッ
トに照射することで波長が0.4〜5μm程度の軟X線
5を発生させるとともに、そのX線5を所定の窓から対
象物に向けて照射するように構成されたX線発生装置、
6はX線露光用マスフ2を介してX線発生装置4からの
X線5がその表面に形成のX線レジスト8に対して選択
的に照射される転写対象部を備えたウェハである。そし
て、X線露光用マスク2は、X線発生装置4とウェハ〇
との間に配置されている。ここで、9はX線発生装置4
からのX線(入射X線)5の内で、XwA露光用マスク
2を透過したX線(透過X線)である。このようなX線
の選択的透過は、メンブレン2aがX線透過材料で構成
されているのに対して、そのメンブレン2aに形成のマ
スクパターン2bがX線吸収材料で構成されているため
に起こる。
面図である。第2図において、2は窒化シリコン、窒化
ボロン等のX線透過材料からなる厚さが0.2〜1μm
程度のメンブレン2a、メンブレン2aの一面側中央領
域に形成された、金、タングステン等のX線吸収材料か
らなる厚さが数μm程度のマスクパターン2b、および
メンブレン2aの他面側周縁領域を機械的に支持する厚
さが数mm程度の支持枠2Cを備えたX線露光用マスク
である。4は高真空中で電子銃により電子線をターゲッ
トに照射することで波長が0.4〜5μm程度の軟X線
5を発生させるとともに、そのX線5を所定の窓から対
象物に向けて照射するように構成されたX線発生装置、
6はX線露光用マスフ2を介してX線発生装置4からの
X線5がその表面に形成のX線レジスト8に対して選択
的に照射される転写対象部を備えたウェハである。そし
て、X線露光用マスク2は、X線発生装置4とウェハ〇
との間に配置されている。ここで、9はX線発生装置4
からのX線(入射X線)5の内で、XwA露光用マスク
2を透過したX線(透過X線)である。このようなX線
の選択的透過は、メンブレン2aがX線透過材料で構成
されているのに対して、そのメンブレン2aに形成のマ
スクパターン2bがX線吸収材料で構成されているため
に起こる。
上記構成のX線転写装置を用いたX線転写方法にあって
は、X線発生装置4からの入射X線5をXtiA露光用
マスク2に入射させる。そうすると、その入射X線5は
、一部がX線露光用マスク2のメンブレン2aに形成の
マスクパターン2bで吸収され、残りが透過X線9とし
てメンブレン2aを透過する。そして、メンブレン2a
を透過した透過X線9はウェハ6の転写対象部表面に形
成のX線レジスト8を照射する。これによって、そのX
線レジスト8をマスクパターン2bの形状に対応したパ
ターンで反応させるとともに、その反応ののちにそのウ
ェハ6を所要の現像液で現像することでX線レジスト8
を介してその転写対象部上にパターンを転写させる。
は、X線発生装置4からの入射X線5をXtiA露光用
マスク2に入射させる。そうすると、その入射X線5は
、一部がX線露光用マスク2のメンブレン2aに形成の
マスクパターン2bで吸収され、残りが透過X線9とし
てメンブレン2aを透過する。そして、メンブレン2a
を透過した透過X線9はウェハ6の転写対象部表面に形
成のX線レジスト8を照射する。これによって、そのX
線レジスト8をマスクパターン2bの形状に対応したパ
ターンで反応させるとともに、その反応ののちにそのウ
ェハ6を所要の現像液で現像することでX線レジスト8
を介してその転写対象部上にパターンを転写させる。
(発明が解決しようとする課題)
ところで、上記従来例のX線転写方法にあっては、X線
露光用マスク2の精度とか強度とかを保つ観点からその
全体の形状をそれほど大きくすることができない。その
ため、第3図(a)のように多数の転写対象部6a、6
b、・・・を有する大口径のウェハ〇に対してそのウェ
ハ6の上に配置された仮想線で図示のX線露光用マスク
6でもって図中の点線に沿って順次に上記の転写を行う
にあたっては、例えば第3図(b)のように1つの転写
対象部に対して転写が終了すると、その転写のために実
線の転写位置しにあるX線露光用マスク2を一旦、その
転写対象部の垂直上方(図中の矢印A方向)の退避位置
Mへ移動させて離してのち、ウェハ6を例えば次の転写
対象部側である図で左側方向の仮想線で図示の位置まで
所定距離だけ水平移動させてから、再度、X線露光用マ
スク2をその転写対象部の近くの転写位置しにまで垂直
下降(図中の矢印B方向)させるといったことを順次、
各転写対象部ごとに繰り返す、ステップ・アンド・リピ
ート方式と称される転写によらざるを得なかった。
露光用マスク2の精度とか強度とかを保つ観点からその
全体の形状をそれほど大きくすることができない。その
ため、第3図(a)のように多数の転写対象部6a、6
b、・・・を有する大口径のウェハ〇に対してそのウェ
ハ6の上に配置された仮想線で図示のX線露光用マスク
6でもって図中の点線に沿って順次に上記の転写を行う
にあたっては、例えば第3図(b)のように1つの転写
対象部に対して転写が終了すると、その転写のために実
線の転写位置しにあるX線露光用マスク2を一旦、その
転写対象部の垂直上方(図中の矢印A方向)の退避位置
Mへ移動させて離してのち、ウェハ6を例えば次の転写
対象部側である図で左側方向の仮想線で図示の位置まで
所定距離だけ水平移動させてから、再度、X線露光用マ
スク2をその転写対象部の近くの転写位置しにまで垂直
下降(図中の矢印B方向)させるといったことを順次、
各転写対象部ごとに繰り返す、ステップ・アンド・リピ
ート方式と称される転写によらざるを得なかった。
ところで、このようなステップ・アンド・リピート方式
において、xmg光用マスク2を退避位置Mから転写位
置りまで下降移動さ仕るときに、そのxig光用マスク
2のメンブレン2aの膜厚がきわめて薄いために、X線
露光用マスク2とウェハ6との間に介在する雰囲気(主
として大気)からの圧力を受けることによって第3図(
C)のようにそのメンブレン2aに上方へ湾曲したよう
な歪みが発生することがある。
において、xmg光用マスク2を退避位置Mから転写位
置りまで下降移動さ仕るときに、そのxig光用マスク
2のメンブレン2aの膜厚がきわめて薄いために、X線
露光用マスク2とウェハ6との間に介在する雰囲気(主
として大気)からの圧力を受けることによって第3図(
C)のようにそのメンブレン2aに上方へ湾曲したよう
な歪みが発生することがある。
このようなメンブレン2aの歪みは、メンブレン2aに
形成のマスクパターン2bのパターン精度が悪化するこ
とになるので、その雰囲気がX線露光用マスク2のメン
ブレン2aとウェハ6との間の間隙を通過して外部へ逃
げてその歪みが解消されるまでの間、そのX線露光を中
止して待機する必要があるが、その歪みの解消までには
約30秒間もの長い時間を必要としていた。
形成のマスクパターン2bのパターン精度が悪化するこ
とになるので、その雰囲気がX線露光用マスク2のメン
ブレン2aとウェハ6との間の間隙を通過して外部へ逃
げてその歪みが解消されるまでの間、そのX線露光を中
止して待機する必要があるが、その歪みの解消までには
約30秒間もの長い時間を必要としていた。
しかしながら、このような30秒間もの長い間転写対象
部への転写を行うことができないのでX線転写作業の速
度が低下させられるという不都合があった。
部への転写を行うことができないのでX線転写作業の速
度が低下させられるという不都合があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、X線露
光用マスクを退避位置から転写位置へ下降移動させる際
に、そのXflA露光用マスクのメンブレンが歪むこと
のないようにして、転写対象部に対してのX線転写作業
を高速で行うことができるようにすることを目的として
いる。
光用マスクを退避位置から転写位置へ下降移動させる際
に、そのXflA露光用マスクのメンブレンが歪むこと
のないようにして、転写対象部に対してのX線転写作業
を高速で行うことができるようにすることを目的として
いる。
(課題を解決するための手段)
このような目的を達成するために、本発明においては、
X線透過材料からなるメンブレン、前記メンブレンの一
面側中央領域に形成された、X線吸収材料からなるマス
クパターン、および前記メンブレンの他面側周縁領域を
機械的に支持する支持枠を備えたX線露光用マスクを、
X線発生装置と、転写対象部を備えたウェハとの間に配
置し、前記ウェハの転写対象部表面に前記マスクパター
ンに対応してX線を選択的に照射して転写を行うときは
、前記X線露光用マスクを退避位置から前記転写対象部
表面の近くの転写位置にまで下降移動させるX線転写方
法において、 前記X線露光用マスクの下降移動にあたって、前記X線
露光用マスクの、一端側を前記転写位置に先に位置させ
てのちに、他端側を前記転写位置に位置させることを特
徴としている。
X線透過材料からなるメンブレン、前記メンブレンの一
面側中央領域に形成された、X線吸収材料からなるマス
クパターン、および前記メンブレンの他面側周縁領域を
機械的に支持する支持枠を備えたX線露光用マスクを、
X線発生装置と、転写対象部を備えたウェハとの間に配
置し、前記ウェハの転写対象部表面に前記マスクパター
ンに対応してX線を選択的に照射して転写を行うときは
、前記X線露光用マスクを退避位置から前記転写対象部
表面の近くの転写位置にまで下降移動させるX線転写方
法において、 前記X線露光用マスクの下降移動にあたって、前記X線
露光用マスクの、一端側を前記転写位置に先に位置させ
てのちに、他端側を前記転写位置に位置させることを特
徴としている。
(作用)
X線露光用マスクの下降移動にあたって、そのX線露光
用マスクの一端側をウェハの転写対象部表面の転写位置
にまでに近接させてのちに、当該X線露光用マスクの他
端側をその転写対象部表面の転写位置にまで近接させる
ようにしたことから、X線露光用マスクとウェハの転写
対象部との間の雰囲気は、X線露光用マスクの一端側を
その転写対象部表面に近接されてから、その他端側をそ
の転写対象部表面に近接させる際に外部へ逃がされるこ
とになり、その結果、X線露光用マスクのメンブレンの
膜厚が薄くてもそのメンブレンに歪みが発生することが
なくなる。そのため、本発明では高速でX線転写の作業
を行うことが可能となる。
用マスクの一端側をウェハの転写対象部表面の転写位置
にまでに近接させてのちに、当該X線露光用マスクの他
端側をその転写対象部表面の転写位置にまで近接させる
ようにしたことから、X線露光用マスクとウェハの転写
対象部との間の雰囲気は、X線露光用マスクの一端側を
その転写対象部表面に近接されてから、その他端側をそ
の転写対象部表面に近接させる際に外部へ逃がされるこ
とになり、その結果、X線露光用マスクのメンブレンの
膜厚が薄くてもそのメンブレンに歪みが発生することが
なくなる。そのため、本発明では高速でX線転写の作業
を行うことが可能となる。
(実施例)
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。本発明のX線転写方法において使用されるX線露光用
マスク2およびX線発生装置4のそれぞれの構造は第2
図を参照して説明したものと同様であるから、その説明
は省略する。
。本発明のX線転写方法において使用されるX線露光用
マスク2およびX線発生装置4のそれぞれの構造は第2
図を参照して説明したものと同様であるから、その説明
は省略する。
本発明においては、X線発生装置4とウェハ6との間に
X線露光用マスク2を配置するとともに、そのウェハ6
の転写対象部に対してX線転写を行うことを前提にして
第1図(a)(b)(c)に従ってそのX線転写を行う
ようになっている。
X線露光用マスク2を配置するとともに、そのウェハ6
の転写対象部に対してX線転写を行うことを前提にして
第1図(a)(b)(c)に従ってそのX線転写を行う
ようになっている。
以下、本発明の方法について詳細に説明すると、まず、
第1図(a)のようにX線露光用マスク2がウェハ6の
転写対象部の垂直上方の退避位置Mにある状態で、当該
ウェハ6に対する転写位置しにまで下降移動させる場合
には、第1図(b)のようにX線露光用マスク6の、例
えば図で左側となる一端側をウェハ6の転写位置しに近
接させてのちに、その一端側を回転中心としてそのXR
露光用マスク2を図では時計回りに回転させることで第
1図(C)のように他端側をウェハ6の転写位置しに近
接させるようにする。
第1図(a)のようにX線露光用マスク2がウェハ6の
転写対象部の垂直上方の退避位置Mにある状態で、当該
ウェハ6に対する転写位置しにまで下降移動させる場合
には、第1図(b)のようにX線露光用マスク6の、例
えば図で左側となる一端側をウェハ6の転写位置しに近
接させてのちに、その一端側を回転中心としてそのXR
露光用マスク2を図では時計回りに回転させることで第
1図(C)のように他端側をウェハ6の転写位置しに近
接させるようにする。
したがって、このような下降移動によれば、X線露光用
マスク2の一端側か第1図(b)のような転写位置しに
位置してから、その他端側を第1図(C)のように転写
位置しに位置させるためにそのX線露光用マスク2を回
転させる際に、X線露光用マスク2とウェハ6の転写対
象部との間の間隙に介在する雰囲気は、当該間隙から外
部へ強制的にかつ円滑に逃がされることになる。その結
果、X線露光用マスク2を退避位置Mから転写位置しに
下降移動させてウェハ6の転写対象部に水平に位置した
状態では、その雰囲気か既に逃がされているのでx’i
mn光用マスク2のメンブレン2aには何等歪みが発生
することがな(なる。
マスク2の一端側か第1図(b)のような転写位置しに
位置してから、その他端側を第1図(C)のように転写
位置しに位置させるためにそのX線露光用マスク2を回
転させる際に、X線露光用マスク2とウェハ6の転写対
象部との間の間隙に介在する雰囲気は、当該間隙から外
部へ強制的にかつ円滑に逃がされることになる。その結
果、X線露光用マスク2を退避位置Mから転写位置しに
下降移動させてウェハ6の転写対象部に水平に位置した
状態では、その雰囲気か既に逃がされているのでx’i
mn光用マスク2のメンブレン2aには何等歪みが発生
することがな(なる。
したがって、本発明ではX線露光用マスク2を高速で退
避位置Mから転写位置しへ下降移動さけることが可能と
なる結果、転写作業を高速で行うことができる。
避位置Mから転写位置しへ下降移動さけることが可能と
なる結果、転写作業を高速で行うことができる。
(発明の効果)
以上説明したことから明らかなように本発明によれば、
X線露光用マスクの下降移動にあたって、そのxi露光
用マスクの一端側をウェハの転写対象部表面近くの転写
位置に近接させてのちに、当該X線露光用マスクの他端
側をその転写対象部表面近くの転写位置に近接させるよ
うにしたことから、xmg光用マスクとウェハの転写対
象部との間の雰囲気は、X線露光用マスクの一端側をそ
の転写対象部表面に近接されてから、その他端側をその
転写対象部表面に近接させる際に外部へ逃がされること
になり、その結果、X線露光用マスクのメンブレンの膜
厚が薄くてもそのメンブレンに歪みが発生することがな
くなる。そのため、本発明ではX線露光用マスクをウェ
ハの転写対象部へ高速で下降移動させることが可能とな
って、結果として高速でX線転写の作業を行うことが可
能となる。
X線露光用マスクの下降移動にあたって、そのxi露光
用マスクの一端側をウェハの転写対象部表面近くの転写
位置に近接させてのちに、当該X線露光用マスクの他端
側をその転写対象部表面近くの転写位置に近接させるよ
うにしたことから、xmg光用マスクとウェハの転写対
象部との間の雰囲気は、X線露光用マスクの一端側をそ
の転写対象部表面に近接されてから、その他端側をその
転写対象部表面に近接させる際に外部へ逃がされること
になり、その結果、X線露光用マスクのメンブレンの膜
厚が薄くてもそのメンブレンに歪みが発生することがな
くなる。そのため、本発明ではX線露光用マスクをウェ
ハの転写対象部へ高速で下降移動させることが可能とな
って、結果として高速でX線転写の作業を行うことが可
能となる。
第1図は本発明の実施例のX線転写方法の説明に供する
図であり、第1図(a)はウェハと退避位置にある露光
用マスクとの側面図、第1図(b)はウェハと一端側が
転写位置にあるX線露光用マスクとの側面図、第1図(
C)はウェハと両端が転写位置にあるX線露光用マスク
との側面図である。 第2図はX線発生装置と、ウェハと、それらの間に配置
されたX線発生装置とを示す側面図である。 第3図は従来例の方法に説明に供する図であり、第3図
(a)は大口径のウェハへの転写の説明のための平面図
、第3図(b)はウェハに対するX線露光用マスクの退
避移動と転写位置への移動の説明に供する側面図、第3
図(C)はウェハと、従来例の転写方法によりメンブレ
ンに歪みが生じたX線露光用マスクとの側面図である。 2・・・X線露光用マスク、2a・・・メンブレン、2
b・・・マスクパターン、2c・・・支持部、4・・・
X線発生装置、6・・・ウェハ、8・・・X線レジスト
、L・・・転写位置、M・・・退避位置。 なお、図中、同一符号は同一ないしは相当部分を示して
いる。
図であり、第1図(a)はウェハと退避位置にある露光
用マスクとの側面図、第1図(b)はウェハと一端側が
転写位置にあるX線露光用マスクとの側面図、第1図(
C)はウェハと両端が転写位置にあるX線露光用マスク
との側面図である。 第2図はX線発生装置と、ウェハと、それらの間に配置
されたX線発生装置とを示す側面図である。 第3図は従来例の方法に説明に供する図であり、第3図
(a)は大口径のウェハへの転写の説明のための平面図
、第3図(b)はウェハに対するX線露光用マスクの退
避移動と転写位置への移動の説明に供する側面図、第3
図(C)はウェハと、従来例の転写方法によりメンブレ
ンに歪みが生じたX線露光用マスクとの側面図である。 2・・・X線露光用マスク、2a・・・メンブレン、2
b・・・マスクパターン、2c・・・支持部、4・・・
X線発生装置、6・・・ウェハ、8・・・X線レジスト
、L・・・転写位置、M・・・退避位置。 なお、図中、同一符号は同一ないしは相当部分を示して
いる。
Claims (1)
- (1)X線透過材料からなるメンブレン、前記メンブレ
ンの一面側中央領域に形成された、X線吸収材料からな
るマスクパターン、および前記メンブレンの他面側周縁
領域を機械的に支持する支持枠を備えたX線露光用マス
クを、X線発生装置と、転写対象部を備えたウェハとの
間に配置し、前記ウェハの転写対象部表面に前記マスク
パターンに対応してX線を選択的に照射して転写を行う
ときは、前記X線露光用マスクを退避位置から前記転写
対象部表面の近くの転写位置にまで下降移動させるX線
転写方法において、 前記X線露光用マスクの下降移動にあたって、前記X線
露光用マスクの、一端側を前記転写位置に先に位置させ
てのちに、他端側を前記転写位置に位置させることを特
徴とするX線転写方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63248345A JPH0296320A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | X線転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63248345A JPH0296320A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | X線転写方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0296320A true JPH0296320A (ja) | 1990-04-09 |
Family
ID=17176709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63248345A Pending JPH0296320A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | X線転写方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0296320A (ja) |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP63248345A patent/JPH0296320A/ja active Pending
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