JPS5826825B2 - Ｘ−線リソグラフイ− - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は微細装置の製造に係り、更に詳細には大規模集
積半導体装置等の構体を製造するのに用いられるＸ−線
リングラフィックシステムに係る。

広い領域上に高速でサブミクロンのパターンを複写する
有利なＸ−線リングラフィックシステムはＩ Ｅ Ｅ
Ｅ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ ｏｎＥ １ｅｃｔｒｏｎ
Ｄｅｖｉｃｅ。

Ｖｏｌ、ＥＤ−２２，Ａ７．Ｊｕｌｙ １９７５．第４
２９頁乃至第４３３頁に記載されている。

記載されたシステムの露光室内でのＸ−線の減衰を防ぐ
ため、室は一般的にヘリウムが満たされているか、さも
なければ約１０−”Ｔｏｒｒ以下の圧力に維持されてい
る。

酸素等のある成分がＸ−線クリソゲラフィックシステム
マスクとレジスト被覆ウェハとの間の領域内に存在する
と、レジスト材料の入射Ｘ線への露出を著しく抑制する
。

そのような抑制成分（インヒビタ）は例えば前記のよう
に露光室を真空にすることにより前記の領域から除去で
きる。

しかし真空にする工程は時間を浪費しそれによってシス
テムの処理能力における好ましくない制限を受ける。

次に、露光室内に生成されたヘリウムの雰囲気はまたマ
スク−ウェハ間の領域から抑制成分を除去するのに有効
であるはずだが、それによって果たされた浄化作用は実
際は比較的ゆっくりとしている。

従ってヘリウムで満たされた露光室を有するシステムも
また制限された処理能力を呈する。

これまでに挙げた従来技術のＸ−線クリソゲラフィック
システムはマスク−ウェハ間の領域内の前記の雰囲気は
源−マスク間の領域内で維持されている雰囲気と常に同
じである。

従って処理量についての考慮はさておくとしても、その
ような周知のシステムは本質的に融通がきかず、多様な
動作条件下でシステムの露光特性が最適となるようにす
るには容易に適用できないということが解った。

周知のシステムのそれらの欠点を認めた上で、本出願人
は有利な処理量特性を有する改良されたＸ線露光システ
ムを考案する試み及び同時にシステム内で行なわれる露
光工程の他の特定の特性を改善するように設定できると
いう融通性を示すことに対し自らの努力を払った。

発明の要約 従って本発明の目的は、高い処理量及び別の有利な特性
を特徴とする改良されたＸ線リソグラフィツクシステム
を提供することにある。

簡単に言えば本発明のこの目的及び別の目的はそのウェ
ハーマスク間の領域内にシステムの低減衰室内で維持す
る雰囲気から分離隔絶された制御された雰囲気を生成す
ることを可能にするように構成された特定の例のＸ線リ
ソグラフィツクシステム内で実現される。

その方法によってリングラフイック工程の特定の特性は
、システムの低減衰特性に悪影響を及ぼすことなく著し
く改良できる。

【図面の簡単な説明】

本発明及び上記の目的及び別の目的、特性及びその利点
の完全な理解は添附図面に関してこれから行なう以下の
詳細な説明を検討することにより得られる。 ここでは；第１図は周知のＸ線リソグラフィツクシステ
ムを示す。 第２図はＸ線リングラフインクシステムに装着されるの
を目的とした型の離間したマスク及びウェハ素子を示す
。 第３図は本発明の原理に従って製造された特定の例のＸ
線リングラフインクシステムの側面図である。 第４図は本発明の原理を実施する別の特定のシステムの
一部分を示す。 詳細な説明 従来技術に従って製造された特定の例のＸ線露光装置が
第１図に示されている。 図示されたシステムでは焦点に集中された電子ビーム（
鎖線１０で示されている）が、高真空室内にある回転式
水冷ターゲット１２に向けられてイル。 （室１４は例えば約１０−〇Ｔｏｒｒの圧力に保持され
ている。 ）入射電子に応答して、ターゲット１２は比較的短波長
のＸ線を与える。 例えば、パラジウムでできたターゲットでは２５ｋＶ−
４，５ｋＷの電子ビームに対して４．３６オングストロ
一ム単位の波長のＸ線がターゲット１２から放射される
。 第１図の高真空室１４内のターゲット１２によって与え
られたＸ線は薄いべＩＪ ＩＪウム開口１６を通過して
露光室１８内に入る。 （室１８内に投射されたＸ線は鎖線２０で示されている
。 ）露光室１８内でのＸ線の減衰を最小化するために、こ
の室は一般的にはヘリウムか、又はさもなければ約ＩＦ
２Ｔｏｒｒ程度の比較的低真空にされている。 また、第１図には標準的なマスク及びウェハ部材２２及
び２４がそれぞれ示されている。 （それらの部材は第２図にもっと詳細に描かれている。 ）周知のように部材２２及び２４は、露光室１８から離
れて位置する可動台２６上に装着されている間は、一般
的に正確に離間した関係にあり各々に対して光学的に位
置合わせされている。 マスクとウェハとの間の間隔は３ｏ乃至１５０μの範囲
であるのが一般的である。 ここでは特定例の目的に対しマスクとウェハとの間隔は
４０μであるとしよう。 第１図の台２６上に装着されたマスク及びウェハ部材２
２及び２４が各々に対して特定の状態に向きを定められ
た後、台２６は移動させられ露光室の下端部に整合する
。 ここには前記のように適切なヘリウム又は低真空の雰囲
気が生成されている。 次に当該技術において周知の標準的な方法で、マスク２
２にはＸ線が照射される。 第１図は単に従来技術の型のシステムを一般化して示し
たものであり、このシステムに対して以下に記載される
べき改良が適用できる。 図示のシステムの多くの標準的変形は当然可能である。 例えばシンクロトンを含む多くの他の周知のＸ線源が図
に示されている特定の例の源に代わることができる。 第２図ではマスク部材２２は、例えばＫａｐｔｏｎｐｏ
ｌｙｉｍｉｄｅ ｆｉｌｍ（Ｋａｐｔｏｎはイー・ア
イ・デュポン・ネモアス商会（Ｅ 、 Ｉ 、 ｄｕ
Ｐｏｎｔ Ｎｅ−ｍｏｕｒｓ ａｎｄ Ｃｏ、）の登
録商標である。 ）から成るＸ線に透明な基板２１からなるように示され
ている。 マスク基板２１上には、例えば金又は規定の金属の組合
せから成るＸ線吸収性の素子２３の高解像度パターンが
被着されている。 （第２図に示された一般的型の実施例のＸ線マスクは米
国特許４，０３７，１１１に詳細に記載されている。 ）基板２７に付着した感Ｘ線レジスト層２５から成るウ
ェハ部材２４はマスク２２から離間している。 （ネガ型の感Ｘ線レジストの例は、１９７７年１２月６
日付の米国特許４，０６１，８２９に記載されている。 Ｘ線リソグラフィツクシステムでの使用に適している高
速電子レジストを含む種々の別のＸ線に対しての感度を
有するレジストが知られている。 ）実際問題として、あるネガ型のレジストではマスクと
ウェハの間の領域内の制御されない量の抑制成分の存在
により、Ｘ線露光によってひき起こされる架橋は、悪影
響を及ぼされる。 （あるポジ形レジストの露光もまた抑制成分によって悪
影響を及ぼされ得るということは自明なこととして仮定
される。 ）遊離基、イオン性及び励起状態の中間物を経て起こる
過程については特定の領域内の酸化物や水等の制御され
ない量の成分は望ましい光結合を著しく妨害するように
働く。 その結果、システム内で特定の露光状態を達成するため
に必要とされる時間は許容できないほど長くなる。 実際問題として、従来技術のＸ線露光システムについて
の前記の抑制の問題は、一般的に該システムの処理特性
を著しく低下させる問題となる。 いったんマスクとウェハ部材が露光室１８（第１図）の
下端部に整合させられると、該室１８内を適切な真空又
はヘリウムの雰囲気とするためには比較的長い時間を要
する。 該雰囲気はシステムのマスク−ウェハ間の臨界的領域内
から抑制成分をなくす。 レジスト被覆ウェハの露光は一般的に該臨界的領域がそ
のような雰囲気となるまで始められない。 本発明の原理に従うと、改良されたＸ線リソグラフィツ
クシステムが与えられる。 そのようなシステムの特定の実施例が第３図に示されて
いる。 前記のシステム内の様に、高真空室３４内に置かれたタ
ーゲット３２に向けられた電子ビーム３０はＸ線３６を
開口３８を経て室４０内に投射させる効果がある。 図示のように、室４０は入口通路４２を通してヘリウム
ガス等の媒体で満たされ、該媒体を通してＸ線は比較的
少ない減衰で図示のシステムの底に向けて伝搬する。 システム内の幾伺学的ひずみを最小化するために、源３
２と低減衰室４０の底に置かれたマスク部材４４との間
距離は一般的５０ｃｒｒＬとなっている。 例として、第３図に示されたシステムは、ｙ方向に動く
ことができる側壁部分４６を有する円筒形室４０から成
る。 部分４６をｙの正方向に移動させることによって、組み
合わせるマスクとウェハ部材を含む取付具を室４０の下
端部に整合させるためにすき間が与えられる。 取付具は例えば第１図に概略的に示された周知の型の摺
動可能なテーブル上に装着されてもよい。 そのようなテーブルを用いて、マスク及びウェハ部材は
両者間での規定された向きが設定された後、２方向（第
３図）に移動され得る。 更に詳細には、マスク部材４４と組み合わされるレジス
ト被覆ウェハ部材４９（第３図）とは室４０の底端部か
ら離れた装填位置にある可動テーブル上に初めに置かれ
る。 テーブルは例えばウェハ部材４９を保持する真空チャッ
ク４８を含む。 標準的方法では、部材４４と４９との間の間隙及び整合
はテーブルが装填位置にある間規定の基準に適合するよ
うに調整される。 整合の工程の間、例えば米国特許３，９９０，７９８に
記載の型の特殊な２重焦点素子を有する顕微鏡が都合良
く用いられる。 その後、テーブルは前記の装填位置から部屋４０の下端
部に整合する位置へ移動させられる。 第３図に概略的に示された特定のマスク−ウェハ取付具
は円筒形フレーム部材５０から成り、該フレーム部材は
それを貫通する少なくとも２つの入口通路を有する。 レジスト被覆ウェハ４９を保持するチャック４８はフレ
ーム部材５０内に装着されている。 部材５０とチャック４８の両方が順番に例えば第１図に
示される型の摺動可能なテーブル上に機械的に装着され
る。 特定の実施例として、第３図のフレーム部材５０の上部
は、矩形の断面と肩部５８とを有するグループ５６を含
むように形成される。 グループ５６は、部分４６がその図示の位置に下げられ
た時、側壁部分４６の底表面にほぼ合わさるように意図
している。 そして、肩部５８は、例えばパターン付けされた薄膜素
子４７を支持した比較的厚く寸法が安定している部材４
５から成るマスク部材４４を支持する働きをする。 第３図に示すように、側壁部分４６とフレーム部材５０
の合致している両表面は装着されたマスク部材４４と共
に室４０の底を画成し、低減衰ヘリウム雰囲気の室４０
内を大気圧よりも高い圧力にする働きをする。 （このことは室４０から流出するヘリウムの連続的な流
れを暗示する。 ）本発明の原理に従って製造された一つの特定のシステ
ムでは、入口通路４２を通しての毎分約１０１Ｊツトル
のヘリウムの流れが、室４０内の実質的に稀薄なヘリウ
ムの望ましい低減衰雰囲気を維持するのに有効であった
。 本発明の一つの特定の特徴によると、第３図の室４０内
で保持された雰囲気から分離隔絶された制御された雰囲
気が図示のシステムの臨界的マスク−ウェハ間の領域内
に形成される。 このことは例えば入口通路５２及び５４を経て臨界的領
域内へ抑制成分のない媒体を流すことによってなされる
。 例えば、窒素はこの目的によく適合することは確定して
いる。 本発明に従って作られた一つの特定のシステムでは、毎
分約２．９リツトルの窒素が入口通路５２及び５４を通
して単位平方インチ当り約５乃至５０ポンドの入口ゲー
ジ圧力で流れるのが、システムのマスク−ウェハ間の領
域内を抑制成分のない好ましい雰囲気にしそれを維持す
るに有効であった。 第３図の鎖線５５は、この領域を好ましい雰囲気にする
ためにシステム内に生ずる流れを示している。 抑制成分を前記のマスク−ウェハ間の領域から除去する
のを促進するために、実用のためのいくつかの場合にお
いて前記の保持取付具が室４″０から隔ったその装填位
置にある間この領域を洗浄し始めることは有益である。 この目的のためには例えば毎分５リツトルの窒素を単位
平方インチ当り５乃至５０ポンドの入口ゲージ圧力で流
すことが有効であると確定した。 この流れは、取付具がその装填位置からその露光位置に
移動させられている間好都合に連続している。 次に取付具が側壁部分４６と整合するその露光位置にあ
る間、窒素の流れは領域を抑制成分のない状態に維持す
るために例えば前記の２．９リットル毎分に低下させら
れる。 本発明の原理に従うと、Ｘ線リソグラフィツクシステム
のマスク−ウェハ間の領域内を前記規定した雰囲気にす
るために窒素以外の媒体を用いてもよい。 従って、この目的のために特定の領域内に例えばいずれ
の不活性ガス（ラドンを除く）又はその混合物又は種々
の非反応性ガスが用いられてもよい。 （用語”非反応性”はここでは、ここに記載したマスク
及びウェハ部材の構成素子のいずれとも反応せず、更に
システム内に用いられた特定の感Ｘ線レジストの感光及
び処理に悪影響を及ぼさないという意味に用いられてい
る。 ）例として、前記の特定例のマスク及びレジスト材料に
対してメタン及びプロパン等の非反応性ガスは、比較的
に短かい時間内でマスク−ウェハ間の臨界的領域内を抑
制成分のない雰囲気にするために適している。 当然、マスク−ウェハ間の臨界的領域内で用いられる媒
体とその内の圧力は所定のマスク−ウェハ間の間隔に対
して過度に高いＸ線減衰をひき起こさないように選択さ
れなければならない。 いずれの場合においても、本発明の原理の基本的見地に
従うと、洗浄媒体は、前記装置の室４０内を低減衰雰囲
気にするために用いられるシステムから分離隔絶された
流出システムによって直接に臨界的領域に加えられる。 前記の特定の方法によりマスク−ウェハ間の領域内の雰
囲気を直接制御することにより、その内に実質的に抑制
成分のない領域が速くでき得る。 このようにして、本発明の原理の一つの見地に従って、
Ｘ線露光に対して改良された感度を有する高い処理量の
リングラフイックシステムが達成される。 第３図のシステムのマスク−ウェハ間の領域に導入され
実際問題としてたとえ有ったとしてもかなり少量の媒体
は室４０内に流れる。 これはフレーム部材５０の肩５８上に載っているマスク
部材４４によって与えられる封鎖作用によるものである
。 （更に、それは室４０内の圧力をシステムのマスク−ウ
ェハ間の圧力よりも大きくなるよう維持するために有益
である。 ）その結果、室４０内に生成されたヘリウム又は他の雰
囲気の低減衰特性は、マスク−ウェハ領域内に生成され
た分離隔絶された雰囲気からＸ線を減衰させる成分を室
内に導入することによって及ぼされる悪影響はない。 本出願人はまた、Ｘ線リングラフイックシステムのマス
ク−ウェハ間の領域内に制御された比較的少量の酸素等
の抑制成分を意図的に導入することは露光工程のあるパ
ラメータを著しく改善することを発見した。 本出願人の前記のシステムは従来技術のシステムとは異
なり、正確に制御され局所に制限する方法によってその
ような成分を臨界的マスク−ウェハ間の領域に直接導入
する独特の能力を有する。 このようにたとえば本出願人は、酸素又は乾燥した空気
的１（体積）に対して窒素３００乃至６００の割合で加
えることによって、第３図のシステムのマスク−ウェハ
間の領域内に導入する有利な大気が得うれるということ
が解った。 そのような制御され抑制成分含有雰囲気の存在により、
前記の型の感Ｘ線レジストは実際の感度はいくぶん落る
。 しかし重要なこととして観測されていることはレジスト
の解像能力及び付着特性はそれによって実質的に改善さ
れるということである。 前記の共同出願に記載されているレジストと共に例えば
前記の特定の制御された酸素−窒素雰囲気を用いるとレ
ジスト材料における特定の露光を達成するために１．５
の係数だけＸ線露光時間を長くしなければならないこと
になっていた。 しかし、顕著なこととして、同時にこのことによってレ
ジスト内に形成されたパターンに対して達成できる解像
度は４分の１だけ改良された。 更に、レジスト層のその下層の基板に対する付着はまた
それによって改良されていることが確定した。 ここに記載されたシステムのマスク−ウェハ間の領域内
の制御された量の抑制作用成分の存在が改良された解像
度と付着特性をもたらす理由に関して本出願人により提
唱された仮説は次のとおりである。 常態では交叉結合形の重合ネガ型レジスト材料は、交叉
結合していない材料をレジストの照射された部分と照射
されぬ部分の両方から除去する溶媒現像工程の間実質的
な体積変化（膨張）をする。 重合材料は実際は後者の部分から除去される。 なぜなら通常実際に用いられている適用量はレジストを
完全に交叉結合するためには十分ではない。 膨張は、溶媒と交叉結合形の重合材料及び交叉結合して
いない重合材料の両者との間での相互作用によってひき
起こされ、膨張は照射された領域内では材料を結合した
状態に保持する交叉結合によって制止される。 膨張は溶解の前の必然的最初の過程である。 多くの薄い（約２μ以下）ネガ型レジストシステムでは
ほとんどのレジストはおそらく最初に膨張してその後に
溶解する。 このことは、膨張した体積が十分に大きくそれで２つの
隣接した部分が相互に入り込んでいる場合好ましくなく
ひずんだくもの巣状の部分となる。 膨張に対する応力により付着はまた悪影響を及ぼされ得
る。 この効果は、重合体レジストの形態及び溶媒−レジスト
間の相互作用の強さの関数である膨張の程度を制御する
ことにより最小化できる。 現像中に膨張しない一つのレジスト材料はポリ（メチル
メタクリレート）である。 それはエツチング沖に観測された膨張と同様な認識でき
るほどの膨張がなく層ごとに溶解する。 制御された量の抑制成分の存在下に露光されたネガ型レ
ジストはポリ（メチルメタクリレート）に対する方法と
同様な方法で現像されると我々は信する。 このことが生起するためには多分、交叉結合していない
材料の溶解速度は溶媒の浸透速度に近づかなければなら
ない。 このことは気体状の抑制成分に対して露光が行なわれた
場合に生起し、それは抑制成分が正常に均一な交叉結合
密度をレジスト−基板間の界面で最大でレジスト−ガス
混合物間の界面で最小である不均一な交叉結合密度に変
えるからであるということを我々は信する。 この不均一な交叉結合密度は起りうる。 なぜなら抑制の量はフィルムのすみからずみまで連続的
に変化するからである。 これは、定常状態で、放射束、抑制成分分圧、ガス浸透
、フィルム減衰及びフィルム厚さ等のシステムの条件に
よって影響される抑制成分の密度の変化によってひき起
こされる。 溶解の間の正味の結果は、おそらく不均一に交叉結合し
た露光領域がエツチングの様な方法で不均一に交叉結合
した材料はどには広範囲にわたって膨張しない現像から
最終的現像状態までの間円滑な収縮をさせつつ層ごとに
溶解するということである。 付着は多分もつと良い。 それは現像工程の間存在する応力が少ないためである。 本発明の原理に従って、第３図に示した特定の一つとは
異なった種々の特定の構成の装置がＸ線リソグラフィツ
クシステムのマスク−ウェハ間に領域内の制御された雰
囲気を生成することができる。 第４図に示された装置は、例えば第３図に示された一致
した番号が付された素子と同一である可動側壁部材４６
を含む。 第３図のように部材４６は低減衰室４０の下方部分を画
成する。 第４図に示す露光位置に置かれた時、部材４６は環状グ
ループ６２をその中に含む円筒形フレーム部材６０の頂
面の部分にほぼ組み合わさる。 フレーム部材６０内に配置された垂直に移動可能なチャ
ック６４はその上表面上に装着したレジスト−被覆され
たウェハ６６を有する。 例えば比較的薄いパターン付けされた膜７２を支持する
寸法が安定している厚い部分７０を含むマスク部材６８
はウェハ６６から離間している。 例として、第４図のマスク部材６８は、フレーム部材６
０上に装着された種々の離間したピン部材７４によって
支持されている。 更にフレーム部材６０上に装着された素子７８によって
支持されたスプリングを装填したピン素子７６はマスク
部分７０に対し保持力を及ぼすために部材７４の各各に
ほぼ整合して配置されている。 好都合に、多数の垂直に伸びている入口通路８０（第４
図）は、その中にウェハ支持チャック６４を収容する中
央開口に極めて接近して円筒形フレーム部材６０内に形
成される。 次に入口通路は供給室（図示せず）に接続する。 通路８０によって制御された前記の型の雰囲気は図示さ
れた装置のマスク−ウェハ間の領域内に生成される。 第４図に示された例のフレーム部材６ｏの上面は環状隔
壁部分８２を含む。 この部分は通路８０を経て前記のマスク−ウェハ領域に
導入される媒体を制限するのを助ける。 隔壁部分８２のために、更に加えてフレーム部材６０と
ウェハ支持部材６４との間のこの媒体に対して有効な非
制限的下方向流路のために、室４０内に導入される媒体
はもしあったとしても極わずかである。 従って、室４０内で維持されるのが好ましい低減衰状態
が実質的に影響されない。 （いくつかの実施例においては隔壁８２と３つの支持ピ
ン７４とを連続的密封部材で置き代えるのが有益である
。 ）同時にマスク−ウェハ間の領域内に流れ込む室４０内
の媒体はもしあったとしても極わずかである。 それは部材４６と６０との間の間隙は、室４０内に流れ
込む媒体に対しての室４０からの主な出口を与えるよう
に設計されているからである。 従って実際問題として更に本発明の原理に従って分離隔
絶された雰囲気が第４図の装置の室４０内とマスク−ウ
ェハ間の領域内に維持される。 第４図の装置の一つの特定の実施例において隔壁部分８
２の上部と上にあるマスク部材６８との間の垂直距離は
約０．００１インチであり；ウェハ支持部材６４とフレ
ーム部材６０の内側円筒形表面との間の距離は約０．１
２５インチであり；更に２４の通路８０の各々の直径は
０．０２０乃至０．０４０インチであった。 以上述べたように、本発明によると、高真空室３４とウ
ェハ４９の間の空間を２つの室に分割し、室４０を連続
的に所望の低減衰雰囲気に維持しておく一方、他方の室
となるべきマスク−ウェハ領域は極めて狭いからここに
短時間内に所望の低減衰雰囲気をつくり出すことができ
る。 従って、ノ１発明によると低減衰雰囲気をつくり出すま
での時間を短縮でき、作業性を改善できる。 最後に種々の前記の装置は単に本発明の原理の応用の単
なる例である。 本発明の精神及び範囲から逸脱せずにそれらの原理に従
って当業者によって多くの別の変更及び変形が考案され
る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 感Ｘ線レジスト材料で被覆されたウェハ部材４９に
   極めて接近して高解像度Ｘ線リソグラフィツクシステム
   内に位置決めされたＸ線マスク部材４４を照射するよう
   に設計されたシステムであり、Ｘ線源３２と、該マスク
   部材を照射するためにＸ線を該Ｘ線源から伝送するため
   の低減衰室４０とを含む高解像度Ｘ線リソグラフィツク
   システムにおいて、 該システムが、 マスク部材４４とウェハ部材４９との間の空間内に室４
   ０内で維持される雰囲気から分離隔絶され該雰囲気とは
   異なる気体成分を有する制御された雰囲気を構成する気
   体の流れを生成する手段４６．５０．５２．５４を含む
   ことを特徴とする高解像度Ｘ線リングラフイックシステ
   ム。 ２ その底面がレジスト被覆ウェハ部材４９に対して離
   間した関係になるように位置決めされたマスク４４の実
   質的に上表面全体が低減衰室４０内のマスクに向かって
   室３４から伝送されるＸ線を照射させるのに適した型の
   Ｘ線リソグラフィツクシステムにおいて、 該システムは更に マスク４４とウェハ４９とを所定の離間関係に保持する
   ために室４０の下端に位置決めされた手段４６．５０と
   、 室内に生成された雰囲気から分離隔絶され該雰囲気とは
   異なった気体成分を有する制御され雰囲気を構成する気
   体の流れをシステムのマスク−ウェハ間の領域内に主格
   するための手段５２．５４とを有することを特薇とする
   Ｘ線リングラフイックシステム。 ３ 請求の範囲第２項に記載のＸ線リソグラフィツクシ
   ステムにおいて、 前記保持するための手段は、室４０の下方部分を画成す
   る部材４６の底面に合わさるように構成された上表面を
   有するフレーム部材５０を含み、該フレーム部材はマス
   ク４４を装着する手段５８を含み、それによって封鎖さ
   れた室がマスク−ウェハ間の領域から実質的に隔絶され
   る様に室の底の部分をマスク自体が封鎖するようになっ
   ていることを特徴とするＸ線リソグラフィツクシステム
   。 ４ 請求の範囲第２項に記載のＸ線リソグラフィツクシ
   ステムにおいて、前記生成する手段はフレーム部材５０
   内に形成された通路５２．５４を有し、該通路を通って
   制御された雰囲気を構成する媒体がマスク４４−ウェハ
   ４９間の領域内に流し込まれ得るようになっていること
   を特徴とするＸ線リソグラフィツクシステム。 ５ 請求の範囲第２項、第３項又は第４項に記載のＸ線
   リソグラフィツクシステムにおいて室４０の下端部と該
   下端部から離れた装填位置との間を移動できるテーブル
   ２６上に前記保持手段が装着されたＸ線リングラフイッ
   クシステムにおいて、 前記生成する手段５２，５４は、テーブルがその装填位
   置にある間マスク４４−ウェハ４９間の領域内の制御さ
   れた雰囲気の生成を開始するように付勢され得ることを
   特徴とするＸ線リソグラフィツクシステム。 ６ マスク部材に対して離間した関係になるように位置
   決めされたレジスト被覆された部材４９の対応する部分
   に当たるようにマスクの透明な部分を透過して室３４か
   ら伝送されるＸ線を低減衰室４０を経てパターン付けさ
   れたマスク部材４４の一方の表面を照射することにより
   高解像度微細装置を製造する方法において、 該方法は マスク部材４４とレジスト部材４９との間の領域内に、
   低減衰室４０内に生成された雰囲気から分離隔絶され該
   雰囲気とは異なる気体成分を有する制御された雰囲気を
   構成する気体の流れを生成する工程を含むことを特徴と
   する高解像度微細装置を製造する方法。 ７ 請求の範囲第６項に記載の高解像度微細装置の製造
   方法において、 前記制御された雰囲気はＸ線照射に相応したレジスト被
   覆の反応を抑制するように働く成分を実質的に含んでい
   ないことを特徴とする高解像度微細装置の製造方法。 ８ 請求の範囲第６項に記載の高解像度微細装置の製造
   方法において、 制御された雰囲気は、Ｘ線照射に対してレジスト被覆の
   反応を抑制するように働く比較的少ない所定量の成分を
   意図的に含むことを特徴とする高解像度微細装置の製造
   方法。 ９ 請求の範囲第６項に記載の高解像度微細装置の製造
   方法において、 マスク部材４４とレジスト部材４９とがＸ線露光のため
   に室４０に対して整合させられる前に、制御された雰囲
   気がマスク部材とレジスト部材との間に生成されること
   を特徴とする高解像度微細装置の製造方法。 １０請求の範囲第９項に記載の高解像度微細装置の製造
   方法において、 マスク部材４４とレジスト部材４９とが室４０に対して
   整合される前にマスク部材とレジスト部材との間に生成
   された制御された雰囲気の流速は両部材がＸ線露光をす
   る位置となるよう室に対して整合された時のマスク部材
   とレジスト部材との間の流速よりも速いことを特徴とす
   る高解像度微細装置の製造方法。 １１ 請求の範囲第６項に記載の高解像度微細装置の
   製造方法において、 制御された雰囲気の圧力は室４０内の雰囲気の圧力より
   も低いことを特徴とする高解像度微細装置の製造方法。