JPH065496A - 露光均一性向上膜 - Google Patents
露光均一性向上膜Info
- Publication number
- JPH065496A JPH065496A JP4157829A JP15782992A JPH065496A JP H065496 A JPH065496 A JP H065496A JP 4157829 A JP4157829 A JP 4157829A JP 15782992 A JP15782992 A JP 15782992A JP H065496 A JPH065496 A JP H065496A
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- JP
- Japan
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- exposure
- resist
- thin film
- film
- beryllium
- Prior art date
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- Withdrawn
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造プロセスにおけるＸ線露光の際、
ウェーハの露光強度の均一性を向上する。 【構成】 レジスト１０を塗布したベリリウム等の薄膜
７を露光し、現像する。レジスト１０は、露光の照射が
少なかった部分程、溶解されるので薄くなる。このと
き、適正なレジストの厚さと露光時間を選択すると、補
正前のベリリウム等の薄膜のＸ線強度の分布は、レジス
ト残膜の分布と同じになる。 【効果】 ベリリウム等の薄膜の膜厚コントロール、又
は、反射揺動ミラーの走査パターンのきめ細かな設定及
び煩雑な調整を行う必要がなく、ウェーハの露光強度の
均一性を容易に向上できる。
ウェーハの露光強度の均一性を向上する。 【構成】 レジスト１０を塗布したベリリウム等の薄膜
７を露光し、現像する。レジスト１０は、露光の照射が
少なかった部分程、溶解されるので薄くなる。このと
き、適正なレジストの厚さと露光時間を選択すると、補
正前のベリリウム等の薄膜のＸ線強度の分布は、レジス
ト残膜の分布と同じになる。 【効果】 ベリリウム等の薄膜の膜厚コントロール、又
は、反射揺動ミラーの走査パターンのきめ細かな設定及
び煩雑な調整を行う必要がなく、ウェーハの露光強度の
均一性を容易に向上できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造プロセスに
おけるＸ線露光装置に関するものである。
おけるＸ線露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のシンクロトロン放射光発生装置
（以下「ＳＲ光発生装置」という。）を利用したＸ線リ
ソグラフィシステムを図３に示す。
（以下「ＳＲ光発生装置」という。）を利用したＸ線リ
ソグラフィシステムを図３に示す。
【０００３】ＳＲ光発生装置は、本出願人が先に出願し
た平成３年特許願第３５０６７号の明細書及び図面に記
載したように、例えば、陽電子、イオン等の荷電粒子を
所定の曲率をもつリング状軌道に沿って光速に近い速度
で運動させることにより、軌道の接線方向へシンクロト
ロン放射光（以下「ＳＲ光」という。）を発生する装置
であり、この装置により発生されるＳＲ光は、波長がき
わめて短い軟Ｘ線であるため、超高密度の半導体集積回
路の製造工程におけるマスパターンの露光装置としての
実用化が期待されている。
た平成３年特許願第３５０６７号の明細書及び図面に記
載したように、例えば、陽電子、イオン等の荷電粒子を
所定の曲率をもつリング状軌道に沿って光速に近い速度
で運動させることにより、軌道の接線方向へシンクロト
ロン放射光（以下「ＳＲ光」という。）を発生する装置
であり、この装置により発生されるＳＲ光は、波長がき
わめて短い軟Ｘ線であるため、超高密度の半導体集積回
路の製造工程におけるマスパターンの露光装置としての
実用化が期待されている。
【０００４】ＳＲ光発生装置１の光源から開孔２を介し
て、電子軌道接線方向に幅数ｍｍの帯状のＳＲ光３が発
生する。このＳＲ光３は、所望のウェーハ９の露光領域
を露光するため、反射揺動ミラー４により鉛直方向に走
査されて露光機６に導かれる。光源から反射揺動ミラー
４を経て露光機６までに到る間にある装置は、Ｘ線の減
衰を抑止するために真空雰囲気５におかれ、この真空雰
囲気５の遮断には、Ｘ線を透過させ、かつ、真空雰囲気
５を遮断するためにベリリウムなどの薄膜７が用いられ
る。
て、電子軌道接線方向に幅数ｍｍの帯状のＳＲ光３が発
生する。このＳＲ光３は、所望のウェーハ９の露光領域
を露光するため、反射揺動ミラー４により鉛直方向に走
査されて露光機６に導かれる。光源から反射揺動ミラー
４を経て露光機６までに到る間にある装置は、Ｘ線の減
衰を抑止するために真空雰囲気５におかれ、この真空雰
囲気５の遮断には、Ｘ線を透過させ、かつ、真空雰囲気
５を遮断するためにベリリウムなどの薄膜７が用いられ
る。
【０００５】このとき、マスク８に照射されるＸ線の均
一性は、反射揺動ミラー４の走査パターン、反射揺動ミ
ラー４の反射率の均一性、薄膜７の均一性等によって支
配される。したがって、ウェーハ９の露光均一性を向上
させるには、前記要因を改善する必要があり、これらの
改善は、レジストを塗布したウェーハ９を露光して残膜
の分布を求め、反射揺動ミラー４の走査パターンを繰り
返し調整する等の煩雑な手法が通常採用されている。
一性は、反射揺動ミラー４の走査パターン、反射揺動ミ
ラー４の反射率の均一性、薄膜７の均一性等によって支
配される。したがって、ウェーハ９の露光均一性を向上
させるには、前記要因を改善する必要があり、これらの
改善は、レジストを塗布したウェーハ９を露光して残膜
の分布を求め、反射揺動ミラー４の走査パターンを繰り
返し調整する等の煩雑な手法が通常採用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】６４Ｍ以上のメモリー
等の半導体製造技術の有力な候補として、ＳＲ光発生装
置から発生するＸ線を用いた露光技術がある。半導体製
造プロセスのウェーハの露光装置には、露光領域内の露
光強度の均一性（ユニフォミティー）が要求されてい
る。この均一性は、露光領域内で１〜３％以下が要求さ
れている。本発明は、Ｘ線露光装置の露光強度の均一性
を向上させるものである。
等の半導体製造技術の有力な候補として、ＳＲ光発生装
置から発生するＸ線を用いた露光技術がある。半導体製
造プロセスのウェーハの露光装置には、露光領域内の露
光強度の均一性（ユニフォミティー）が要求されてい
る。この均一性は、露光領域内で１〜３％以下が要求さ
れている。本発明は、Ｘ線露光装置の露光強度の均一性
を向上させるものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために、Ｘ線を透過させ、かつ、真空雰囲気を遮
断するベリリウム等の薄膜のマスク側に、感光した部分
が残るレジスト（ネガレジスト）を塗布し、現像するこ
とにより、ウェーハへのＳＲ光の露光強度を均一にする
露光均一性向上膜を採用する。
決するために、Ｘ線を透過させ、かつ、真空雰囲気を遮
断するベリリウム等の薄膜のマスク側に、感光した部分
が残るレジスト（ネガレジスト）を塗布し、現像するこ
とにより、ウェーハへのＳＲ光の露光強度を均一にする
露光均一性向上膜を採用する。
【０００８】
【実施例】本発明では、ウェーハの露光領域内の露光強
度の均一性を向上させるために、ベリリウム等の薄膜と
マスクとの間に補正膜を追加する。この補正膜の製作手
順と補正の原理を以下に説明する。
度の均一性を向上させるために、ベリリウム等の薄膜と
マスクとの間に補正膜を追加する。この補正膜の製作手
順と補正の原理を以下に説明する。
【０００９】図１は、補正前のベリリウム等の薄膜のＸ
線強度の分布例を示し、横軸がＸ線強度、縦軸が露光エ
リアである。
線強度の分布例を示し、横軸がＸ線強度、縦軸が露光エ
リアである。
【００１０】図２（ａ）は、本発明の一実施例で、保持
枠１１，１１に保持されたベリリウム等の薄膜７にレジ
スト１０を塗布した状態を示す。
枠１１，１１に保持されたベリリウム等の薄膜７にレジ
スト１０を塗布した状態を示す。
【００１１】レジスト１０を薄膜７のマスク側に塗布す
るが、このレジストとしては、感光した箇所が残るネガ
レジストを使用する。
るが、このレジストとしては、感光した箇所が残るネガ
レジストを使用する。
【００１２】図２（ｂ）は、レジスト残膜の分布例を示
し、横軸がレジスト残膜厚、縦軸が露光エリアである。
し、横軸がレジスト残膜厚、縦軸が露光エリアである。
【００１３】レジスト１０を塗布したベリリウム等の薄
膜７を露光し、現像する。レジスト１０は、露光の照射
が少なかった部分程、溶解されるので薄くなる。このと
き、適正なレジストの厚さと露光時間を選択すると、図
１の補正前のベリリウム等の薄膜のＸ線強度の分布は、
図２（ｂ）のレジスト残膜の分布と同じになる。
膜７を露光し、現像する。レジスト１０は、露光の照射
が少なかった部分程、溶解されるので薄くなる。このと
き、適正なレジストの厚さと露光時間を選択すると、図
１の補正前のベリリウム等の薄膜のＸ線強度の分布は、
図２（ｂ）のレジスト残膜の分布と同じになる。
【００１４】図２（ｃ）は、補正後のベリリウム等の薄
膜のＸ線強度の分布例を示し、横軸がＸ線強度、縦軸が
露光エリアである。
膜のＸ線強度の分布例を示し、横軸がＸ線強度、縦軸が
露光エリアである。
【００１５】前記のレジスト残膜厚を有するベリリウム
等の薄膜は、Ｘ線が残膜厚が厚い部分程、減衰するた
め、Ｘ線強度の分布は、露光エリアの全体にわたって均
一になる。
等の薄膜は、Ｘ線が残膜厚が厚い部分程、減衰するた
め、Ｘ線強度の分布は、露光エリアの全体にわたって均
一になる。
【００１６】
【発明の効果】本発明は、前記のように構成したから、
ベリリウム等の薄膜の膜厚コントロール、又は、反射揺
動ミラーの走査パターンのきめ細かな設定及び煩雑な調
整を行う必要がなく、ウェーハの露光強度の均一性を容
易に向上することができる。
ベリリウム等の薄膜の膜厚コントロール、又は、反射揺
動ミラーの走査パターンのきめ細かな設定及び煩雑な調
整を行う必要がなく、ウェーハの露光強度の均一性を容
易に向上することができる。
【図１】補正前のベリリウム等の薄膜のＸ線強度の分布
例である。
例である。
【図２】本発明の一実施例における補正膜の製作手順と
補正の原理を示し、（ａ）は、保持枠に保持されたベリ
リウム等の薄膜にレジストを塗布した状態を、（ｂ）
は、レジスト残膜の分布例を、（ｃ）は、補正後のベリ
リウム等の薄膜のＸ線強度の分布例を、それぞれ示す。
補正の原理を示し、（ａ）は、保持枠に保持されたベリ
リウム等の薄膜にレジストを塗布した状態を、（ｂ）
は、レジスト残膜の分布例を、（ｃ）は、補正後のベリ
リウム等の薄膜のＸ線強度の分布例を、それぞれ示す。
【図３】従来のシンクロトロン放射光発生装置を利用し
たＸ線リソグラフィシステムである。
たＸ線リソグラフィシステムである。
１ シンクロトロン放射光発生装置 ２ 開孔 ３ シンクロトロン放射光 ４ 反射揺動ミラー ５ 真空雰囲気 ６ 露光機 ７ ベリリウム等の薄膜 ８ マスク ９ ウェーハ １０ レジスト １１ 保持枠
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｘ線を透過させ、かつ、真空雰囲気を遮
断する薄膜のマスク側にレジストを塗布し、現像するこ
とにより、ウェーハへのシンクロトロン放射光の露光強
度を均一にする露光均一性向上膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4157829A JPH065496A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 露光均一性向上膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4157829A JPH065496A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 露光均一性向上膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065496A true JPH065496A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15658238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4157829A Withdrawn JPH065496A (ja) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | 露光均一性向上膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065496A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014006942A1 (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-09 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置 |
-
1992
- 1992-06-17 JP JP4157829A patent/JPH065496A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014006942A1 (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-09 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置 |
| JP2014013277A (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-23 | V Technology Co Ltd | 露光装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |