JP2980397B2 - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシンクロトロン放射光に
よる露光が行われるＸ線露光装置に関する。
よる露光が行われるＸ線露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】微細パターンを作製するための露光装置
として、シンクロトロン放射光をＸ線ミラーによって反
射させてマスクを照射させ、マスク上に描画されたパタ
ーンをウェハ上に塗布されたレジストに転写させるＸ線
露光装置がある。
として、シンクロトロン放射光をＸ線ミラーによって反
射させてマスクを照射させ、マスク上に描画されたパタ
ーンをウェハ上に塗布されたレジストに転写させるＸ線
露光装置がある。
【０００３】図２は上記のＸ線露光装置の従来例の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【０００４】シンクロトロンリング（不図示）上の発光
点Ｓより放射されたＸ線２０２は、Ｘ線ミラー２０１で
反射されてビームラインを通過し、露光室２０６内に設
置されたマスク２０４を通して感光体が塗布されたウェ
ハ２０５を照射する。 シンクロトロンリングより放射
されるＸ線２０２はシートビーム状（Ｘ軸方向にシート
面を有する）のものであるので、Ｘ線ミラー２０１は所
定の軸（以下、回転中心軸と称する）を中心として回動
可能とされ、これにより揺動して露光領域を拡大するよ
うに構成されている。このＸ線ミラー２０１上でのＸ線
の反射点は、回転中心軸ＣからＸ線ミラー２０１の表面
に下ろした垂線の足とされるもので、図２に示したもの
では回転中心軸ＣはＸ線ミラー２０１の表面とされてい
る。
点Ｓより放射されたＸ線２０２は、Ｘ線ミラー２０１で
反射されてビームラインを通過し、露光室２０６内に設
置されたマスク２０４を通して感光体が塗布されたウェ
ハ２０５を照射する。 シンクロトロンリングより放射
されるＸ線２０２はシートビーム状（Ｘ軸方向にシート
面を有する）のものであるので、Ｘ線ミラー２０１は所
定の軸（以下、回転中心軸と称する）を中心として回動
可能とされ、これにより揺動して露光領域を拡大するよ
うに構成されている。このＸ線ミラー２０１上でのＸ線
の反射点は、回転中心軸ＣからＸ線ミラー２０１の表面
に下ろした垂線の足とされるもので、図２に示したもの
では回転中心軸ＣはＸ線ミラー２０１の表面とされてい
る。
【０００５】Ｘ線の減衰を防ぐために超高真空に保たれ
る不図示のビームラインと、熱交換作用が生じるように
減圧ヘリウム雰囲気に保たれる露光室２０６とを遮断す
るＸ線取り出し用の窓２０３にはベリリウムの薄膜が用
いられている。
る不図示のビームラインと、熱交換作用が生じるように
減圧ヘリウム雰囲気に保たれる露光室２０６とを遮断す
るＸ線取り出し用の窓２０３にはベリリウムの薄膜が用
いられている。
【０００６】上記の様なＸ線露光装置において、露光現
像後のレジスト線幅の均一性を保つためにはマスク上に
転写されるＸ線露光量を一定とすることが不可欠とな
る。Ｘ線がＸ線ミラー２０１に入射する際の視射角θが
変化すると反射率も異なるのでＸ線２０２のシート面内
での長周期の露光強度も変動してしまうが、この露光強
度の変動についてはＸ線ミラー２０１の揺動速度（θ／
ｓｅｃ）を視射角θに合わせて調節することによって回
避することができる。
像後のレジスト線幅の均一性を保つためにはマスク上に
転写されるＸ線露光量を一定とすることが不可欠とな
る。Ｘ線がＸ線ミラー２０１に入射する際の視射角θが
変化すると反射率も異なるのでＸ線２０２のシート面内
での長周期の露光強度も変動してしまうが、この露光強
度の変動についてはＸ線ミラー２０１の揺動速度（θ／
ｓｅｃ）を視射角θに合わせて調節することによって回
避することができる。
【０００７】露光量の不均一を生じさせるものには上記
の様な視射角θの変動の他に窓２０３のベリリウム膜厚
の不均一性、Ｘ線ミラー２０１の形状誤差によるものが
ある。この種の原因によって生じる露光強度変化は極め
て周期が短いものであるためＸ線ミラー２０１の揺動速
度を変化させて調節することでは解消することができな
かった。
の様な視射角θの変動の他に窓２０３のベリリウム膜厚
の不均一性、Ｘ線ミラー２０１の形状誤差によるものが
ある。この種の原因によって生じる露光強度変化は極め
て周期が短いものであるためＸ線ミラー２０１の揺動速
度を変化させて調節することでは解消することができな
かった。
【０００８】窓材であるベリリウム膜の厚さの不均一性
による露光強度ムラに関しては、半影ぼけと回折によっ
て軽減できることが知られている。
による露光強度ムラに関しては、半影ぼけと回折によっ
て軽減できることが知られている。
【０００９】半影ぼけは以下に示す式（１）で表せられ
る半影量δsが生じ、ベリリウム膜の凹凸の影が互いに
重なり合いＸ線強度が均一化される。
る半影量δsが生じ、ベリリウム膜の凹凸の影が互いに
重なり合いＸ線強度が均一化される。
【００１０】δs＝Ｉ×Ｄs／Ｌ・・・（１） ここでＬは発光点と窓２０３との間、Ｉは窓２０３とウ
ェハ２０５との間の距離をそれぞれ示し、ＤsはＸ線源
の大きさを示している。
ェハ２０５との間の距離をそれぞれ示し、ＤsはＸ線源
の大きさを示している。
【００１１】この半影量がベリリウム膜の厚さムラの周
期よりも大きければマスク上ではＸ線強度は均一とみな
せる。ところが実際の系の値（Ｌ＝１０ｍ，ｌ＝０．５
ｍ，Ｄｓ＝０．１ｍｍ）を考えると半影量はわずか５μ
ｍである。
期よりも大きければマスク上ではＸ線強度は均一とみな
せる。ところが実際の系の値（Ｌ＝１０ｍ，ｌ＝０．５
ｍ，Ｄｓ＝０．１ｍｍ）を考えると半影量はわずか５μ
ｍである。
【００１２】また回折効果に関して、この効果によるぼ
けの大きさは δλ＝（λ×ｌ）1/2・・・（２） の程度である。ここで、λは露光波長である。λ＝１ｎ
ｍとするとδλは２２μｍとなる。
けの大きさは δλ＝（λ×ｌ）1/2・・・（２） の程度である。ここで、λは露光波長である。λ＝１ｎ
ｍとするとδλは２２μｍとなる。
【００１３】一般にいわれるベリリウム膜の周期ｐは１
００μｍ程度であり、δλ＋δｓ＝２７μｍであるため
マスク上のＸ線強度が均一と見なすことはできない。こ
のためＸ線強度の均一性を達成するための他の方法を講
ずる必要がある。一つの方法としてベリリウム窓を振動
させる方式が特開昭６１−６５４３４号公報に記載され
ている。ところが、この方式では振動装置が必要となる
上に、振動が露光装置本体に伝達して解像度が下がる危
険性があった。
００μｍ程度であり、δλ＋δｓ＝２７μｍであるため
マスク上のＸ線強度が均一と見なすことはできない。こ
のためＸ線強度の均一性を達成するための他の方法を講
ずる必要がある。一つの方法としてベリリウム窓を振動
させる方式が特開昭６１−６５４３４号公報に記載され
ている。ところが、この方式では振動装置が必要となる
上に、振動が露光装置本体に伝達して解像度が下がる危
険性があった。
【００１４】一方、Ｘ線ミラー２０１に関しては、マス
ク２０４上の一点に入射するＸ線の、Ｘ線ミラー２０１
上の対応する反射領域が形状誤差や表面粗さムラの周期
に比べて充分大きなものであれば平均化により一様強度
のＸ線を得ることができる。マスク２０４上の一点に到
達するＸ線ミラー２０１の反射領域は以下の式で表せ
る。
ク２０４上の一点に入射するＸ線の、Ｘ線ミラー２０１
上の対応する反射領域が形状誤差や表面粗さムラの周期
に比べて充分大きなものであれば平均化により一様強度
のＸ線を得ることができる。マスク２０４上の一点に到
達するＸ線ミラー２０１の反射領域は以下の式で表せ
る。
【００１５】 Ｒ＝Ｄｓ×（Ｌｍ＋ｌ）／（Ｌ×θ）・・・（３） ここでＬｍはＸ線ミラー２０１と窓２０３との間の距離
である。（３）式に視射角θを２０ｍｒａｄとして前述
の系の数値（Ｌ＝１０ｍ，ｌ＝０．５ｍ，Ｄｓ＝０．１
ｍｍ）およびＬｍ＝３ｍを代入してみると反射領域Ｒは
１．８ｍｍとなる。したがって、これより充分小さな周
期のＸ線ミラー２０１の表面形状誤差や表面粗さムラに
よる不均一性は除去できるが、これより大きな表面形状
誤差や表面粗さムラによる不均一性は除去することがで
きず、Ｘ線強度にムラが生じてしまう。
である。（３）式に視射角θを２０ｍｒａｄとして前述
の系の数値（Ｌ＝１０ｍ，ｌ＝０．５ｍ，Ｄｓ＝０．１
ｍｍ）およびＬｍ＝３ｍを代入してみると反射領域Ｒは
１．８ｍｍとなる。したがって、これより充分小さな周
期のＸ線ミラー２０１の表面形状誤差や表面粗さムラに
よる不均一性は除去できるが、これより大きな表面形状
誤差や表面粗さムラによる不均一性は除去することがで
きず、Ｘ線強度にムラが生じてしまう。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＸ線露
光装置のうち、ベリリウム窓を振動させるものにおいて
は、振動装置が必要となる上に、振動が露光装置本体に
伝達して解像度が下がる危険性があるという問題点があ
る。
光装置のうち、ベリリウム窓を振動させるものにおいて
は、振動装置が必要となる上に、振動が露光装置本体に
伝達して解像度が下がる危険性があるという問題点があ
る。
【００１７】また、半影ぼけと回折により、もしくはミ
ラーの反射領域から生ずる露光強度ムラの除去効果は、
除去可能な表面形状誤差や表面粗さムラが必要とされる
ものよりも小さく、充分なものではないという問題点が
ある。
ラーの反射領域から生ずる露光強度ムラの除去効果は、
除去可能な表面形状誤差や表面粗さムラが必要とされる
ものよりも小さく、充分なものではないという問題点が
ある。
【００１８】本発明は上述した従来技術が有する問題点
に鑑みてなされたものであって、窓材の不均一性やＸ線
ミラーの形状誤差、表面粗さムラに伴うＸ線強度ムラを
解消することのできるＸ線露光装置を提供することを目
的とする。
に鑑みてなされたものであって、窓材の不均一性やＸ線
ミラーの形状誤差、表面粗さムラに伴うＸ線強度ムラを
解消することのできるＸ線露光装置を提供することを目
的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明のＸ線露光装置
は、シンクロトロン放射光をＸ線ミラーによって反射さ
せた後に窓を介して露光室に入射させて露光を行うＸ線
露光装置において、前記Ｘ線ミラーは、Ｘ線の反射領域
が拡大するように所定の軸を中心として回動可能に構成
され、前記Ｘ線ミラーにおけるＸ線の反射点が、前記所
定の軸からＸ線ミラー表面に下ろした垂線の足に対して
所定の距離だけ離れた位置となるように構成されてい
る。
は、シンクロトロン放射光をＸ線ミラーによって反射さ
せた後に窓を介して露光室に入射させて露光を行うＸ線
露光装置において、前記Ｘ線ミラーは、Ｘ線の反射領域
が拡大するように所定の軸を中心として回動可能に構成
され、前記Ｘ線ミラーにおけるＸ線の反射点が、前記所
定の軸からＸ線ミラー表面に下ろした垂線の足に対して
所定の距離だけ離れた位置となるように構成されてい
る。
【００２０】この場合、Ｘ線の反射点と所定の軸からＸ
線ミラー表面に下ろした垂線の足との距離ｄが、Ｘ線ミ
ラーと窓との距離をＬｍとしたときに、 ０．０５×Ｌｍ＜ｄ＜０．４×Ｌｍ で表されるように構成されてもよく、また、Ｘ線の反射
点と所定の軸からＸ線ミラー表面に下ろした垂線の足と
の距離ｄが、Ｘ線ミラーと窓との距離をＬｍとし、シン
クロトロン放射光のＸ線ミラーに対する視射角をθと
し、Ｘ線ミラーの形状変形および表面粗さムラの周期を
Ｐｍとしたときに、 ２５０×ｐｍ×θ＜ｄ＜０．４×Ｌｍ で表されるように構成されてもよい。
線ミラー表面に下ろした垂線の足との距離ｄが、Ｘ線ミ
ラーと窓との距離をＬｍとしたときに、 ０．０５×Ｌｍ＜ｄ＜０．４×Ｌｍ で表されるように構成されてもよく、また、Ｘ線の反射
点と所定の軸からＸ線ミラー表面に下ろした垂線の足と
の距離ｄが、Ｘ線ミラーと窓との距離をＬｍとし、シン
クロトロン放射光のＸ線ミラーに対する視射角をθと
し、Ｘ線ミラーの形状変形および表面粗さムラの周期を
Ｐｍとしたときに、 ２５０×ｐｍ×θ＜ｄ＜０．４×Ｌｍ で表されるように構成されてもよい。
【００２１】
【作用】Ｘ線の反射点を、Ｘ線ミラーの回転中心軸から
Ｘ線ミラー表面に下ろした垂線の足から移動させると、
Ｘ線が照射されるマスク側からはＸ線ミラーの揺動に伴
ってシンクロトロン放射光の発光点が移動したように見
え、Ｘ線の照射領域が実質上大きくなる。このため半影
量も大きくなりマスク上のＸ線強度も均一なものとな
る。
Ｘ線ミラー表面に下ろした垂線の足から移動させると、
Ｘ線が照射されるマスク側からはＸ線ミラーの揺動に伴
ってシンクロトロン放射光の発光点が移動したように見
え、Ｘ線の照射領域が実質上大きくなる。このため半影
量も大きくなりマスク上のＸ線強度も均一なものとな
る。
【００２２】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００２３】図１は本発明の一実施例の構成を示す断面
図である。
図である。
【００２４】シンクロトロンリング（不図示）上の発光
点Ｓより放射されたＸ線１０２は、Ｘ線ミラー１０１で
反射されてビームラインを通過し、露光室１０６内に設
置されたマスク１０４を通して感光体が塗布されたウェ
ハ１０５を照射し、マスク１０４上に描かれたパターン
がウェハ１０５上に転写される。本実施例においても図
２に示した従来例と同様にＸ線ミラー１０１は揺動して
露光領域を拡大するように構成され、また、露光室１０
６内は熱交換作用が生じるように減圧ヘリウム雰囲気に
保たれ、Ｘ線取り出し用の窓１０３にはベリリウムの薄
膜が用いられている。
点Ｓより放射されたＸ線１０２は、Ｘ線ミラー１０１で
反射されてビームラインを通過し、露光室１０６内に設
置されたマスク１０４を通して感光体が塗布されたウェ
ハ１０５を照射し、マスク１０４上に描かれたパターン
がウェハ１０５上に転写される。本実施例においても図
２に示した従来例と同様にＸ線ミラー１０１は揺動して
露光領域を拡大するように構成され、また、露光室１０
６内は熱交換作用が生じるように減圧ヘリウム雰囲気に
保たれ、Ｘ線取り出し用の窓１０３にはベリリウムの薄
膜が用いられている。
【００２５】本実施例の特徴的な構成は、揺動するＸ線
ミラーにおけるＸ線の反射点にある。図２に示した従来
例において、反射点はＸ線ミラーの所定の軸としての回
転中心軸からＸ線ミラー表面に下ろした垂線の足と一致
されていたのに対し、本実施例においては反射点をｘ線
ミラー表面の上記垂線の足と所定の距離だけ離れた位置
となるように構成されている。
ミラーにおけるＸ線の反射点にある。図２に示した従来
例において、反射点はＸ線ミラーの所定の軸としての回
転中心軸からＸ線ミラー表面に下ろした垂線の足と一致
されていたのに対し、本実施例においては反射点をｘ線
ミラー表面の上記垂線の足と所定の距離だけ離れた位置
となるように構成されている。
【００２６】解析を容易とするために本実施例では回転
中心軸Ｃが、図１に示すようにＸ線ミラー１０１反射面
上に設けられ、回転中心軸Ｃが上記垂線の足と一致して
いる場合を例にとり、以下、上記垂線の足を回転中心軸
Ｃとして説明する。
中心軸Ｃが、図１に示すようにＸ線ミラー１０１反射面
上に設けられ、回転中心軸Ｃが上記垂線の足と一致して
いる場合を例にとり、以下、上記垂線の足を回転中心軸
Ｃとして説明する。
【００２７】Ｘ線１０２の反射点をＸ線ミラー１０１の
回転中心軸Ｃから移動させると、Ｘ線が照射されるマス
ク１０４側からはＸ線ミラー１０１の揺動に伴って発光
点Ｓが移動したように見え、Ｘ線の照射領域が実質上大
きくなる。このため半影量も大きくなりマスク１０４上
のＸ線強度を均一なものとすることが可能となる。この
場合の半影量δbは以下の式で近似することができる。
回転中心軸Ｃから移動させると、Ｘ線が照射されるマス
ク１０４側からはＸ線ミラー１０１の揺動に伴って発光
点Ｓが移動したように見え、Ｘ線の照射領域が実質上大
きくなる。このため半影量も大きくなりマスク１０４上
のＸ線強度を均一なものとすることが可能となる。この
場合の半影量δbは以下の式で近似することができる。
【００２８】 δb＝ｌ×（Ｄｓ／Ｌ＋４×σ×ｄ／Ｌｍ）・・・（４） ここで、σはシンクロトロン放射光の固有発散角であ
り、ｄはＸ線ミラー１０１でのＸ線１０２の反射点と回
転中心軸Ｃとの間の距離である。したがって、ｄを大き
くすることにより半影量δbを容易に大きくすることが
できる。ところが、半影量δbが大きくなると、これに
伴ってマスクパターンにおける半影量δmも大きくなり
解像度が低下してしまう。この半影量δmは下記の
（５）式で表される。式中Ｐgはプロキシミティギャッ
プと呼ばれるマスク−ウェハ間の距離である。
り、ｄはＸ線ミラー１０１でのＸ線１０２の反射点と回
転中心軸Ｃとの間の距離である。したがって、ｄを大き
くすることにより半影量δbを容易に大きくすることが
できる。ところが、半影量δbが大きくなると、これに
伴ってマスクパターンにおける半影量δmも大きくなり
解像度が低下してしまう。この半影量δmは下記の
（５）式で表される。式中Ｐgはプロキシミティギャッ
プと呼ばれるマスク−ウェハ間の距離である。
【００２９】 δm＝Ｐg×（Ｄｓ／Ｌ＋４×σ×ｄ／Ｌｍ）・・・（５） したがって、２つの半影量δb，δmとでＸ線ミラー１０
１のＸ線の反射点と回転中心軸Ｃとの距離ｄが適切に決
定される。
１のＸ線の反射点と回転中心軸Ｃとの距離ｄが適切に決
定される。
【００３０】一方、Ｘ線の反射点をＸ線ミラー１０１の
回転中心軸上からｄだけ移動させることで、マスク１０
４上の１点に到達するＸ線ミラー１０１の反射領域Ｒｍ
は下記の（６）式で近似することができる。
回転中心軸上からｄだけ移動させることで、マスク１０
４上の１点に到達するＸ線ミラー１０１の反射領域Ｒｍ
は下記の（６）式で近似することができる。
【００３１】 Ｒｍ＝（Ｄｓ／Ｌ＋４×σ×ｄ／Ｌｍ）×（Ｌｍ＋１）／θ・・・（６） 上記のように、本実施例のＸ線ミラー１０１は、その反
射点Ｒが、揺動の中心である回転中心軸Ｃから距離ｄだ
けずれるように配設されている。このため、窓１０３側
からはＸ線ミラー１０１がＡの状態にある場合には、発
光点ＳはＳ1の方向にあるように見えるが、Ｘ線ミラー
１０１をθだけ回転させてＢの状態とすると発光点Ｓは
移動してＳ2の方向にあるように見える。図１には、こ
の移動効果を判りやすくするためにＸ線源の大きさＤｓ
による半影ぼけの効果を示さず、見かけ上の線源移動効
果を図示した。
射点Ｒが、揺動の中心である回転中心軸Ｃから距離ｄだ
けずれるように配設されている。このため、窓１０３側
からはＸ線ミラー１０１がＡの状態にある場合には、発
光点ＳはＳ1の方向にあるように見えるが、Ｘ線ミラー
１０１をθだけ回転させてＢの状態とすると発光点Ｓは
移動してＳ2の方向にあるように見える。図１には、こ
の移動効果を判りやすくするためにＸ線源の大きさＤｓ
による半影ぼけの効果を示さず、見かけ上の線源移動効
果を図示した。
【００３２】本実施例の窓１０３には式（４）で表され
る半影量δbが生じる。この半影量δbと回折効果δλを
合わせたぼけの効果δが窓１０４を構成するベリリウム
膜の凹凸周期より大きければよく、下記の式が成立すれ
ばよい。
る半影量δbが生じる。この半影量δbと回折効果δλを
合わせたぼけの効果δが窓１０４を構成するベリリウム
膜の凹凸周期より大きければよく、下記の式が成立すれ
ばよい。
【００３３】 δ＝δb＋δλ＝ｌ×［Ｄｓ／Ｌ＋４×σ×ｄ／Ｌｍ＋（λ×ｌ）1/2］≧ｐ・ ・・（７） ｄ≧Ｌｍ／（４×σ）×［ｐ／ｌ−Ｄｓ／Ｌ−（λ×
ｌ）1/2］・・・（７’） 一方、マスクパターンの半
影量δｍは解像力を低下させない程度に小さくする必要
がある。この許容値を最小パターン線幅の１／４とする
と約０．０５μｍであり以下の条件が導かれる。
ｌ）1/2］・・・（７’） 一方、マスクパターンの半
影量δｍは解像力を低下させない程度に小さくする必要
がある。この許容値を最小パターン線幅の１／４とする
と約０．０５μｍであり以下の条件が導かれる。
【００３４】 δｍ＝Ｐg×（Ｄｓ／Ｌ＋４×σ×ｄ／Ｌｍ）≦０．０５μｍ・・・（８） ｄ≦Ｌｍ／（４×σ）×［０．０５×１０-6／Ｐg−Ｄ
ｓ／Ｌ］・・・（８’）ここで表１に示される露光系の
大きさと式（７’），（８’）の条件からｄを決定す
る。
ｓ／Ｌ］・・・（８’）ここで表１に示される露光系の
大きさと式（７’），（８’）の条件からｄを決定す
る。
【００３５】
【表１】 これにより、０．１３ｍ＜ｄ＜１．２ｍとなり、この範
囲でＸ線ミラー１０１を揺動させることにより、窓１０
３を構成するベリリウム膜の厚さムラによる影響を受け
ることなくマスク１０４面上でのＸ線強度を均一なもの
とすることができる。
囲でＸ線ミラー１０１を揺動させることにより、窓１０
３を構成するベリリウム膜の厚さムラによる影響を受け
ることなくマスク１０４面上でのＸ線強度を均一なもの
とすることができる。
【００３６】また、式（７’）および式（８’）の第１
項が他項に比べて充分大きな場合にはｄの条件は以下の
式で近似できる。
項が他項に比べて充分大きな場合にはｄの条件は以下の
式で近似できる。
【００３７】 ０．０５×Ｌｍ＜ｄ＜０．４×Ｌｍ・・・（９） 次に、Ｘ線ミラー１０１の形状誤差や表面粗さムラがＸ
線強度に影響を与える場合について考える。形状変形や
表面粗さの周期ｐｍが１０ｍｍとすると式（９）の条件
に当てはまり以下の式が導出される。
線強度に影響を与える場合について考える。形状変形や
表面粗さの周期ｐｍが１０ｍｍとすると式（９）の条件
に当てはまり以下の式が導出される。
【００３８】 （Ｄｓ／Ｌ＋４×σ×ｄ／Ｌｍ）×（Ｌｍ＋ｌ）／θ≧ｐｍ・・・（１０） ｄ≧Ｌｍ／（４×σ）×［ｐｍ×θ／（Ｌｍ＋ｌ）−Ｄ
ｓ／Ｌ］・・・（１０’）ここで、θ＝２０ｍｒａｄと
するとｄの範囲は式（８’），（１０’）から ０．０４ｍ＜ｄ＜１．２ｍ となり、この範囲でＸ線ミラー１０１を揺動させること
でＸ線ミラー１０１の形状誤差や表面粗さムラによる影
響を受けることなく、マスク１０４の面上でのＸ線強度
を均一のものとすることができる。
ｓ／Ｌ］・・・（１０’）ここで、θ＝２０ｍｒａｄと
するとｄの範囲は式（８’），（１０’）から ０．０４ｍ＜ｄ＜１．２ｍ となり、この範囲でＸ線ミラー１０１を揺動させること
でＸ線ミラー１０１の形状誤差や表面粗さムラによる影
響を受けることなく、マスク１０４の面上でのＸ線強度
を均一のものとすることができる。
【００３９】なお、式（８’）および式（１０’）の第
１項が他項に比べて十分大きな場合にはｄの条件は以下
の式にて近似できる。
１項が他項に比べて十分大きな場合にはｄの条件は以下
の式にて近似できる。
【００４０】 ２５０×ｐｍ×θ＜ｄ＜０．４×Ｌｍ・・・（１１）
【００４１】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
【００４２】請求項１に記載のものにおいては、従来、
窓材の不均一性やＸ線ミラーの形状誤差、表面粗さムラ
に伴うＸ線強度ムラを解消することができる効果があ
る。
窓材の不均一性やＸ線ミラーの形状誤差、表面粗さムラ
に伴うＸ線強度ムラを解消することができる効果があ
る。
【００４３】請求項２に記載のものにおいては、窓材の
不均一性によるＸ線強度ムラを解消する効果を一層向上
することができる。
不均一性によるＸ線強度ムラを解消する効果を一層向上
することができる。
【００４４】請求項３に記載のものにおいては、Ｘ線ミ
ラーの形状誤差、表面粗さムラによるＸ線強度ムラを解
消する効果を一層向上することができる。
ラーの形状誤差、表面粗さムラによるＸ線強度ムラを解
消する効果を一層向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の構成を示す断面図である。
【図２】従来例の構成を示す断面図である。
１０１ Ｘ線ミラー １０２ Ｘ線 １０３ 窓 １０４ マスク １０５ ウェハ １０６ 露光室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 503 G03F 7/20 521
Claims (3)
- 【請求項１】 シンクロトロン放射光をＸ線ミラーによ
って反射させた後に窓を介して露光室に入射させて露光
を行うＸ線露光装置において、前記Ｘ線ミラーは、Ｘ線
の反射領域が拡大するように所定の軸を中心として回動
可能に構成され、前記Ｘ線ミラーにおけるＸ線の反射点
が、前記所定の軸からＸ線ミラー表面に下ろした垂線の
足に対して所定の距離だけ離れた位置となるように構成
されていることを特徴とするＸ線露光装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のＸ線露光装置において、
Ｘ線の反射点と所定の軸からＸ線ミラー表面に下ろした
垂線の足との距離ｄが、Ｘ線ミラーと窓との距離をＬｍ
としたときに、 ０．０５×Ｌｍ＜ｄ＜０．４×Ｌｍ で表されるように構成されていることを特徴とするＸ線
露光装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載のＸ線露光
装置において、Ｘ線の反射点と所定の軸からＸ線ミラー
表面に下ろした垂線の足との距離ｄが、Ｘ線ミラーと窓
との距離をＬｍとし、シンクロトロン放射光のＸ線ミラ
ーに対する視射角をθとし、Ｘ線ミラーの形状変形およ
び表面粗さムラの周期をＰｍとしたときに、 ２５０×ｐｍ×θ＜ｄ＜０．４×Ｌｍ で表されるように構成されていることを特徴とするＸ線
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3084360A JP2980397B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3084360A JP2980397B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | Ｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04297013A JPH04297013A (ja) | 1992-10-21 |
| JP2980397B2 true JP2980397B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=13828357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3084360A Expired - Fee Related JP2980397B2 (ja) | 1991-03-26 | 1991-03-26 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2980397B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6289076B1 (en) * | 1997-05-06 | 2001-09-11 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Transmission system for synchrotron radiation light |
-
1991
- 1991-03-26 JP JP3084360A patent/JP2980397B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04297013A (ja) | 1992-10-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |