JPS6342123A - X線露光方法 - Google Patents
X線露光方法Info
- Publication number
- JPS6342123A JPS6342123A JP61185244A JP18524486A JPS6342123A JP S6342123 A JPS6342123 A JP S6342123A JP 61185244 A JP61185244 A JP 61185244A JP 18524486 A JP18524486 A JP 18524486A JP S6342123 A JPS6342123 A JP S6342123A
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- JP
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- wafer
- ray
- oscillation
- groove
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- Pending
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
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- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔目 次〕
・概要
・ 産業上の利用分野
・ 従来の技術
・ 発明が解決しようとする問題点
・ 問題点を解決するための手段
・作用
・ 実施例
・ 発明の効果
〔概 要〕
円周上にV溝を有する円板型回転ターゲット(陽極)を
用いたステップアンドリピート方式のLJ露光方法にお
いて、回転ターゲットの回転軸と直交方向にウェハーを
搭載したXYステージを移動し、ステップ移動動作毎に
ステージの振動に同期させてX線発生用電子ビームを偏
向させステージの振動中に露光開始可能としてスループ
ットの向上を図ったX線露光方法。
用いたステップアンドリピート方式のLJ露光方法にお
いて、回転ターゲットの回転軸と直交方向にウェハーを
搭載したXYステージを移動し、ステップ移動動作毎に
ステージの振動に同期させてX線発生用電子ビームを偏
向させステージの振動中に露光開始可能としてスループ
ットの向上を図ったX線露光方法。
本発明は、半導体リソグラフィープロセスにおいてマス
クを介してウェハーを露光しパターン転写を行うための
露光方法に関し、特に円周上に■溝を有する回転ターゲ
ットを用いたステップアンドリピート方式のX線露光方
法に関する。
クを介してウェハーを露光しパターン転写を行うための
露光方法に関し、特に円周上に■溝を有する回転ターゲ
ットを用いたステップアンドリピート方式のX線露光方
法に関する。
X線出力の向上を図るために円周上にV溝を有する円板
型回転ターゲット(陽極)を用いて該ターゲットのV溝
中心部に電子ビームを照射してX線を発生させるV溝型
回転ターゲット式X線露光装置が既に本願出願人により
提案されている。
型回転ターゲット(陽極)を用いて該ターゲットのV溝
中心部に電子ビームを照射してX線を発生させるV溝型
回転ターゲット式X線露光装置が既に本願出願人により
提案されている。
一方、半導体リソグラフィープロセスにおいて、生産性
を高めるために、ウェハー上に多数の同一素子を格子状
に形成し各素子に対し順番に露光を繰返してパターン転
写を行なうステップアンドリピート方式が用いられてい
る。
を高めるために、ウェハー上に多数の同一素子を格子状
に形成し各素子に対し順番に露光を繰返してパターン転
写を行なうステップアンドリピート方式が用いられてい
る。
従来のステップアンドリピート式X線露光方法において
は、ウェハーのステップ移動毎にウェハーを搭載したX
Yステージが振動するため、振動が充分減衰するまで次
の露光プロセスができずスルーブツトが低下していた。
は、ウェハーのステップ移動毎にウェハーを搭載したX
Yステージが振動するため、振動が充分減衰するまで次
の露光プロセスができずスルーブツトが低下していた。
この問題を解消するためにXYステージの振動を検出し
、この振動に同期させてX線発生用電子ビームを振動さ
せ振動減衰の待ち時間を短縮させる方法が考えられるが
、前記■溝型回転ターゲットを用いたX線露光装置にお
いては、電子ビームがV溝頂部かられずかに側壁部にず
れるζχ線照射方向および発生量に大きく影響するため
、ウェハーのステップ移動方向によってはこのような電
子ビームの強制振動による時間短縮の方法が採用できず
スループントの向上が図られない。
、この振動に同期させてX線発生用電子ビームを振動さ
せ振動減衰の待ち時間を短縮させる方法が考えられるが
、前記■溝型回転ターゲットを用いたX線露光装置にお
いては、電子ビームがV溝頂部かられずかに側壁部にず
れるζχ線照射方向および発生量に大きく影響するため
、ウェハーのステップ移動方向によってはこのような電
子ビームの強制振動による時間短縮の方法が採用できず
スループントの向上が図られない。
本発明は前記従来技術の問題点に鑑みなされたものであ
って、■溝型回転ターゲットを用いたステップアンドリ
ピート式X線露光装置において、ウェハーを搭載したX
Yステージの振動を検出しこれと同期した振動を電子ビ
ームに与えて振動減衰の待ち時間を省きスループットの
向上を図ることができるX線露光方法の提供を目的とす
る。
って、■溝型回転ターゲットを用いたステップアンドリ
ピート式X線露光装置において、ウェハーを搭載したX
Yステージの振動を検出しこれと同期した振動を電子ビ
ームに与えて振動減衰の待ち時間を省きスループットの
向上を図ることができるX線露光方法の提供を目的とす
る。
この目的を達成するため、本発明では、回転ターゲット
の円周上に設けたV溝に対し偏向手段を介して電子線を
照射して該■溝からX線を発生させ、露光すべき素子を
格子状に複数個有するウェハーをXYステージ上に搭載
し、前記X線をウェハー上の各素子に対し順番に照射す
るステップアンドリピート方式のX線露光方法において
、前記回転ターゲットの回転軸に対し直角方向にウェハ
ーを移動して該方向に配列された各素子を順番に露光し
た後次の列の各素子に対し前記方向に沿って順番に露光
を行ない、前記各列内で順番に各素子を露光するために
XYステージを移動した後移動停止時の振動による前記
ウェハーの位置決め用アライメント機構部とX線発生部
との相対位置の変位を検出し、該検出結果に基いて前記
偏向手段を駆動してV溝への電子線の照射位置を変動さ
せ振動に基く露光領域の変動を補正したことを特徴とす
る。
の円周上に設けたV溝に対し偏向手段を介して電子線を
照射して該■溝からX線を発生させ、露光すべき素子を
格子状に複数個有するウェハーをXYステージ上に搭載
し、前記X線をウェハー上の各素子に対し順番に照射す
るステップアンドリピート方式のX線露光方法において
、前記回転ターゲットの回転軸に対し直角方向にウェハ
ーを移動して該方向に配列された各素子を順番に露光し
た後次の列の各素子に対し前記方向に沿って順番に露光
を行ない、前記各列内で順番に各素子を露光するために
XYステージを移動した後移動停止時の振動による前記
ウェハーの位置決め用アライメント機構部とX線発生部
との相対位置の変位を検出し、該検出結果に基いて前記
偏向手段を駆動してV溝への電子線の照射位置を変動さ
せ振動に基く露光領域の変動を補正したことを特徴とす
る。
縦横に格子状に配列されたウェハー上の各素子に対し回
転ターゲットの回転軸と直交方向にウェハーを移動して
一列の素子に対し順番に露光を行ない、次に列を移動し
て次の列について同様に回転ターゲットの回転軸と直交
方向にウェハーを移動して各素子に対し順番に露光を行
なう。このとき各列内での露光工程毎にXYステージの
振動を検出し、これに同期させて電子ビームを偏向させ
て振動させながら回転ターゲットのV溝を照射する。
転ターゲットの回転軸と直交方向にウェハーを移動して
一列の素子に対し順番に露光を行ない、次に列を移動し
て次の列について同様に回転ターゲットの回転軸と直交
方向にウェハーを移動して各素子に対し順番に露光を行
なう。このとき各列内での露光工程毎にXYステージの
振動を検出し、これに同期させて電子ビームを偏向させ
て振動させながら回転ターゲットのV溝を照射する。
第1図は本発明方法に係るX線露光装置の構成図である
。X線発生部40内に、円周上に環状のVilJ*1a
を有する回転ターゲット(陽極)1と、該回転ターゲッ
ト1の■溝1aに電子線3を照射するための電子銃2と
、該電子線3をV溝1a方向に偏向させるための偏向器
4が配設されている。
。X線発生部40内に、円周上に環状のVilJ*1a
を有する回転ターゲット(陽極)1と、該回転ターゲッ
ト1の■溝1aに電子線3を照射するための電子銃2と
、該電子線3をV溝1a方向に偏向させるための偏向器
4が配設されている。
V溝1aから発生したX線5は窓6を通して外部に取出
される。7はシャッターである。X線取出窓6の下方に
はマスク8がマスク保持部20に装着されている。マス
ク8の下部にはウェハー9がXYステージ10に搭載さ
れて配置される。30は露光位置合せのためのアライメ
ント部である。
される。7はシャッターである。X線取出窓6の下方に
はマスク8がマスク保持部20に装着されている。マス
ク8の下部にはウェハー9がXYステージ10に搭載さ
れて配置される。30は露光位置合せのためのアライメ
ント部である。
X線発生部40を支持する支持台50には、X線発生部
40と支持台50内部のウェハー9、マスク8等を支持
するアライメント機構部との相対位置を検出するための
X方向位置検出器11およびX方向位置検出器12が取
付けられている。各位置検出器11.12はCPU14
に接続され検出データが入力されるとともに偏向量演算
器13により必要な電子ビーム偏向量が計算される。偏
向量演算器13は各方向の偏向アンプ15.16を介し
て偏向器17.18に接続される。各偏向器17.18
が電子ビーム3を偏向させるための偏向器4を構成する
。CPU14は偏向量演算器13に対し演算に必要なデ
ータを送るとともに、XYステージ10の駆動制御、シ
ャッター7の開閉制御等を行う。
40と支持台50内部のウェハー9、マスク8等を支持
するアライメント機構部との相対位置を検出するための
X方向位置検出器11およびX方向位置検出器12が取
付けられている。各位置検出器11.12はCPU14
に接続され検出データが入力されるとともに偏向量演算
器13により必要な電子ビーム偏向量が計算される。偏
向量演算器13は各方向の偏向アンプ15.16を介し
て偏向器17.18に接続される。各偏向器17.18
が電子ビーム3を偏向させるための偏向器4を構成する
。CPU14は偏向量演算器13に対し演算に必要なデ
ータを送るとともに、XYステージ10の駆動制御、シ
ャッター7の開閉制御等を行う。
XYステージ10はウェハー9上に格子状に形成された
各素子(図示しない)に対して順番に露光を行うために
ステップアンドリピート動作を行う、1つのステップ移
動動作のXYステージ位置変化を第3図[alのグラフ
に示す。時間T1で前の素子の露光が終了しXYステー
ジ10が移動開始する0時間T2でXYステージの移動
が停止し露光すべき素子が所定の位置に配置される。こ
のときXYステージを含むマスクアライメント機構部、
即ちマスク8、ウェハー9、XYステージ10、マスク
保持部20、アライメント部30等はX線発生部40に
対し振動する。この振動はX方向。
各素子(図示しない)に対して順番に露光を行うために
ステップアンドリピート動作を行う、1つのステップ移
動動作のXYステージ位置変化を第3図[alのグラフ
に示す。時間T1で前の素子の露光が終了しXYステー
ジ10が移動開始する0時間T2でXYステージの移動
が停止し露光すべき素子が所定の位置に配置される。こ
のときXYステージを含むマスクアライメント機構部、
即ちマスク8、ウェハー9、XYステージ10、マスク
保持部20、アライメント部30等はX線発生部40に
対し振動する。この振動はX方向。
X方向について位置検出器11.12により検出される
。この検出信号に基いて偏向量演算器13により振動の
補正に必要な電子ビーム3の偏向量が計算される。この
計算結果に基き偏向アンプ15゜16を介してXX方向
の偏向器(a)、 (bl 17. ! 8が駆動され
る。即ち、所定のアライメント時間後に時間T、で第3
図(b)に示すように電子線3の偏向が開始され、電子
線3はXYステージと同期して振動する。この時間T、
においてシャッター7を開き露光を開始する。このとき
XYステージは振動しているが、電子線の同期振動によ
りX線5の照射方向は露光すべき領域に対し常に一定と
なり振動による変動が補正される。
。この検出信号に基いて偏向量演算器13により振動の
補正に必要な電子ビーム3の偏向量が計算される。この
計算結果に基き偏向アンプ15゜16を介してXX方向
の偏向器(a)、 (bl 17. ! 8が駆動され
る。即ち、所定のアライメント時間後に時間T、で第3
図(b)に示すように電子線3の偏向が開始され、電子
線3はXYステージと同期して振動する。この時間T、
においてシャッター7を開き露光を開始する。このとき
XYステージは振動しているが、電子線の同期振動によ
りX線5の照射方向は露光すべき領域に対し常に一定と
なり振動による変動が補正される。
XYステージの移動方向について第2図を用いて説明す
る。ウェハー上に格子状に多数の素子a1〜a4が形成
される。ステップアンドリピート動作を行う場合、まず
図のX方向、即ち回転ターゲット1の回転軸に直角な方
向(X線照射位置での回転の接線方向)に移動して素子
a1〜a4の露光を行う。次にXYステージをX方向に
移動して次の列の素子a1〜a、に対しX方向に沿って
前列とは逆向き方向に順番に露光を行う。このようにし
て各素子a1〜a16に対しジグザグ状にステージをス
テップ移動して露光を繰返す。このとき各素子列(aI
””’4 + aS 〜a11 + ”9〜al
!、aI3〜a、6)内でのX方向のステップ移動毎に
前述の電子ビーム偏向振動動作を行いステージの振動に
よる露光領域の変動を補正し、ステージの停止後、振動
減衰を待つことなく露光を開始する。
る。ウェハー上に格子状に多数の素子a1〜a4が形成
される。ステップアンドリピート動作を行う場合、まず
図のX方向、即ち回転ターゲット1の回転軸に直角な方
向(X線照射位置での回転の接線方向)に移動して素子
a1〜a4の露光を行う。次にXYステージをX方向に
移動して次の列の素子a1〜a、に対しX方向に沿って
前列とは逆向き方向に順番に露光を行う。このようにし
て各素子a1〜a16に対しジグザグ状にステージをス
テップ移動して露光を繰返す。このとき各素子列(aI
””’4 + aS 〜a11 + ”9〜al
!、aI3〜a、6)内でのX方向のステップ移動毎に
前述の電子ビーム偏向振動動作を行いステージの振動に
よる露光領域の変動を補正し、ステージの停止後、振動
減衰を待つことなく露光を開始する。
なお、各列間の移動、即ちa4からa、へ、a、からa
、へ、およびa、t”’aI3への移動については回転
ターゲット1のV溝に対し直交方向への移動であるため
、電子ビーム偏向により露光領域が変動する。従って、
このような各列間のステツブ移動(Y方向の移動)の場
合には電子ビームの同期振動を行なわずに従来のように
振動減衰を待つ必要がある。しかしながら、格子状配列
の素子に対し、■溝方向に沿った方向(X方向)へのス
テップ移動が多くなるように移動方向を選定することに
より露光工程時間の短縮が図られる。
、へ、およびa、t”’aI3への移動については回転
ターゲット1のV溝に対し直交方向への移動であるため
、電子ビーム偏向により露光領域が変動する。従って、
このような各列間のステツブ移動(Y方向の移動)の場
合には電子ビームの同期振動を行なわずに従来のように
振動減衰を待つ必要がある。しかしながら、格子状配列
の素子に対し、■溝方向に沿った方向(X方向)へのス
テップ移動が多くなるように移動方向を選定することに
より露光工程時間の短縮が図られる。
以上説明したように、本発明に係るX線露光方法におい
ては、回転ターゲットの回転軸に直交方向(■溝層開方
向)に沿ってXYステージを連続的にステップ移動し、
各ステップ移動毎にステージの振動に同期させてX線発
生用電子ビームを振動させX線露光領域の変動を補正し
ている。従って、ステップ移動停止時にステージの振動
の減衰を待つことなく露光を開始することができ露光工
程時間の短縮が図られスループットが向上する。
ては、回転ターゲットの回転軸に直交方向(■溝層開方
向)に沿ってXYステージを連続的にステップ移動し、
各ステップ移動毎にステージの振動に同期させてX線発
生用電子ビームを振動させX線露光領域の変動を補正し
ている。従って、ステップ移動停止時にステージの振動
の減衰を待つことなく露光を開始することができ露光工
程時間の短縮が図られスループットが向上する。
第1図は本発明方法を実施するためのX線露光装置の構
成図、第2図は本発明方法におけるxyステージの移動
方向説明図、第3図は本発明に係るX線露光装置の動作
を説明するためのグラフである。 1・・・回転ターゲット、 1a・・・V溝、3・・
・電子線、 4.17.18・・・偏向器、5
・・・X線、 8・・・マスク、9・・・
ウェハー、 10・・・XYステージ、11.1
2・・・位置検出器、 20・・・マスク保持部、30
・・・アライメント部、40・・・X線発生部。
成図、第2図は本発明方法におけるxyステージの移動
方向説明図、第3図は本発明に係るX線露光装置の動作
を説明するためのグラフである。 1・・・回転ターゲット、 1a・・・V溝、3・・
・電子線、 4.17.18・・・偏向器、5
・・・X線、 8・・・マスク、9・・・
ウェハー、 10・・・XYステージ、11.1
2・・・位置検出器、 20・・・マスク保持部、30
・・・アライメント部、40・・・X線発生部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、回転ターゲット(1)の円周上に設けたV溝(1a
)に対し偏向手段(4)を介して電子線(3)を照射し
て該V溝からX線(5)を発生させ、露光すべき素子(
a_1〜a_1_6)を格子状に複数個有するウェハー
(9)をXYステージ(10)上に搭載し、前記X線を
ウェハー上の各素子に対し順番に照射するステップアン
ドリピート方式のX線露光方法において、前記回転ター
ゲット(1)の回転軸に対し直角方向にウェハー(9)
を移動して該方向に配列された各素子を順番に露光した
後次の列の各素子に対し前記方向に沿って順番に露光を
行ない、前記各列内で順番に各素子を露光するためにX
Yステージを移動した後移動停止時の振動による前記ウ
ェハーの位置決め用アライメント機構部(10、20、
30)とX線発生部(1、2、4、40)との相対位置
の変位を検出し、該検出結果に基いて前記偏向手段(4
)を駆動して前記V溝への電子線の照射位置を変動させ
振動に基くX線露光位置の変動を補正したことを特徴と
するX線露光方法。 2、前記ウェハー上のX方向の一列の素子に対し露光し
た後Y方向に移動し次の列の素子に対しX方向の逆向き
にウェハーを移動して露光を行い、ウェハー上の格子状
素子に対しジグザグ状に露光を繰返すことを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載のX線露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61185244A JPS6342123A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | X線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61185244A JPS6342123A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | X線露光方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6342123A true JPS6342123A (ja) | 1988-02-23 |
Family
ID=16167409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61185244A Pending JPS6342123A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | X線露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6342123A (ja) |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP61185244A patent/JPS6342123A/ja active Pending
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