JPS61133545A - イオン注入方法 - Google Patents
イオン注入方法Info
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- JPS61133545A JPS61133545A JP25383584A JP25383584A JPS61133545A JP S61133545 A JPS61133545 A JP S61133545A JP 25383584 A JP25383584 A JP 25383584A JP 25383584 A JP25383584 A JP 25383584A JP S61133545 A JPS61133545 A JP S61133545A
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- deflected
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体製造プロセスにおけるイオン注入装
置において、不純物元素のイオンのウェハーに対する注
入角度を補正することによって、均一なイオン注入特性
が得られるようにしたイオン注入方法に関する。
置において、不純物元素のイオンのウェハーに対する注
入角度を補正することによって、均一なイオン注入特性
が得られるようにしたイオン注入方法に関する。
（従来技術）
シリコン等の半導体を用いるＬＳＩチップを製造する工
程では、ウェハープロセスにおいてしばしば半導体の電
気的特性を特定のものにするため、不純物元素をイオン
化して、数回に及び所謂イオン注入を行なうことが必要
となる。
程では、ウェハープロセスにおいてしばしば半導体の電
気的特性を特定のものにするため、不純物元素をイオン
化して、数回に及び所謂イオン注入を行なうことが必要
となる。
第３図は、従来から知られているイオン注入方法を用い
た装置の代表的な構造を示した本のであのイオンを特定
するために分析磁界１を用いている。そしてこの分析磁
界１の効果を高いものにするためにイオン源２から取り
出すイオンビームの径を数ｎ程度に絞っている。
た装置の代表的な構造を示した本のであのイオンを特定
するために分析磁界１を用いている。そしてこの分析磁
界１の効果を高いものにするためにイオン源２から取り
出すイオンビームの径を数ｎ程度に絞っている。
このように径を絞ったイオンビームを加速管５を介して
加速し、加速したイオンビームを、加速管５とウェハー
３との間に設けた偏向電極４で図のＸ軸に沿って偏向走
査してウェハー３に照射する一方、ウェハー３を載置し
た基板ホルダー（図エバー３に不純物元素のイオンを注
入する方法が行なわれている。
加速し、加速したイオンビームを、加速管５とウェハー
３との間に設けた偏向電極４で図のＸ軸に沿って偏向走
査してウェハー３に照射する一方、ウェハー３を載置し
た基板ホルダー（図エバー３に不純物元素のイオンを注
入する方法が行なわれている。
（本発明が解決しようとする問題点）
上記のようにした従来のイオン注入方法では、イオンビ
ームを偏向電極４で偏向させた場合、ウェハー３の中心
部０と周辺部Ａ、Ｂとでイオンの注入角度が異なるため
に上記中心部０と上記周辺部Ａ、Ｂとでチップ上の素子
特性が不均一になる欠点があった。
ームを偏向電極４で偏向させた場合、ウェハー３の中心
部０と周辺部Ａ、Ｂとでイオンの注入角度が異なるため
に上記中心部０と上記周辺部Ａ、Ｂとでチップ上の素子
特性が不均一になる欠点があった。
このことは、近年のウェノ・−の大口径化傾向に伴って
ますます顕著に表われるようになっている。
ますます顕著に表われるようになっている。
そして素子特性の均一化のためには、ウエノ・−の大口
径化に伴って、偏向電極とウエノ・−との距離を大きく
離さなければならないため、装置が次第に大型化するこ
とを止むなくされて来た。
径化に伴って、偏向電極とウエノ・−との距離を大きく
離さなければならないため、装置が次第に大型化するこ
とを止むなくされて来た。
この発明の目的は、偏向電極とウエノ・−との間に偏向
ビーム補正磁界を設けることにより、ウェハーに注入す
るイオンビームの照射角度を可及的均一 に４１にし、それによってウェハー全面に均一なイオン
注入を行ない、均一な素子特性を確保するとともに装置
をコンパクトに構成できるようにすることにあ６゜ （問題点を解決するための手段） この発明は、上記の目的を達成するために、イオンビー
ムの発生手段、加速手段及び偏向手段を設けるとともに
、上記加速手段で加速したイオンビームを偏向走査し、
ウェハーに照射する一方、ウェハーを載置する基板ホル
ダーを回転させることによってウェハーにイオンを注入
するイオン注入方法において、上記偏向手段とウェハー
との間に偏向ビーム補正磁界発生手段を設けることによ
って当該偏向ビーム補正磁界発生手段を経た前記うにし
たものである。
ビーム補正磁界を設けることにより、ウェハーに注入す
るイオンビームの照射角度を可及的均一 に４１にし、それによってウェハー全面に均一なイオン
注入を行ない、均一な素子特性を確保するとともに装置
をコンパクトに構成できるようにすることにあ６゜ （問題点を解決するための手段） この発明は、上記の目的を達成するために、イオンビー
ムの発生手段、加速手段及び偏向手段を設けるとともに
、上記加速手段で加速したイオンビームを偏向走査し、
ウェハーに照射する一方、ウェハーを載置する基板ホル
ダーを回転させることによってウェハーにイオンを注入
するイオン注入方法において、上記偏向手段とウェハー
との間に偏向ビーム補正磁界発生手段を設けることによ
って当該偏向ビーム補正磁界発生手段を経た前記うにし
たものである。
（本発明の実施例）
第１図は、この発明の一実施例を示したものである。
イオンｆＩ２から取り出したイオンを加速して偏向電極
４で偏向する過程については、従来と同様であるので、
詳細な説明は省略するとともに、従来と同一の構成要素
については同一符号をもって表わす。
４で偏向する過程については、従来と同様であるので、
詳細な説明は省略するとともに、従来と同一の構成要素
については同一符号をもって表わす。
偏向電極４とウェノ・−３との間には、新しく楔形状の
偏向ビーム補正磁界６を設けている。この偏向ビーム補
正磁界６は、この楔形状の内部では可及的な均一磁界を
形成している。そして偏向電極４でＸ軸方向に偏向され
たイオンビーム（以下偏向ビームという）は、偏向ビー
ム補正磁界６を介してウェハー３に注入される。当該ウ
ニ”３は基板ホルダー（図示していない）に載置してい
あるＯ 第寺図は、ウェハー３に対する偏向ビームの八本発明の
偏向ビーム補正磁界６によれば、速度に対して最大の場
合で上下に偏向角度θだけ偏向された後、偏向ビーム補
正磁界６内に流入する。
偏向ビーム補正磁界６を設けている。この偏向ビーム補
正磁界６は、この楔形状の内部では可及的な均一磁界を
形成している。そして偏向電極４でＸ軸方向に偏向され
たイオンビーム（以下偏向ビームという）は、偏向ビー
ム補正磁界６を介してウェハー３に注入される。当該ウ
ニ”３は基板ホルダー（図示していない）に載置してい
あるＯ 第寺図は、ウェハー３に対する偏向ビームの八本発明の
偏向ビーム補正磁界６によれば、速度に対して最大の場
合で上下に偏向角度θだけ偏向された後、偏向ビーム補
正磁界６内に流入する。
この偏向ビーム補正磁界６は、Ｍ２を頂点として角φ内
にＭ、ＮとＭ、Ｎ’とを端面として前記したように楔形
状に形成されている。
にＭ、ＮとＭ、Ｎ’とを端面として前記したように楔形
状に形成されている。
なお、前記偏向ビーム補正磁界６の両端面Ｍ２Ｎ 。
Ｍ２Ｎ“及び角φは、以下のように一意的に定められる
０ すなわち、下方偏向ビームｖ１に対し偏向ビーム補正磁
界６の一端面Ｍ２Ｎを垂直に設けるとともにＰＢをＬと
する。
０ すなわち、下方偏向ビームｖ１に対し偏向ビーム補正磁
界６の一端面Ｍ２Ｎを垂直に設けるとともにＰＢをＬと
する。
ところで、速度ｖ（、で均一磁界Ｈ，（Ｚ軸）に垂直な
面（ＸＹ面）内を運動する比質量ｎ′／ｅのイオンは半
径比の円軌道を進み、この場合には、Ｒ一旦・ −ＹＬ
・・・・・・・・・・・・（１）ｅ Ｈ という関係式が成立することが知られている。
面（ＸＹ面）内を運動する比質量ｎ′／ｅのイオンは半
径比の円軌道を進み、この場合には、Ｒ一旦・ −ＹＬ
・・・・・・・・・・・・（１）ｅ Ｈ という関係式が成立することが知られている。
そして上記（１）式に従ってＢＭ、 ＝ Ｒとなるよう
にて垂線をたてＡ点から距離比の点をＭｌとする。そし
てＭ２とＭｌとを結んだ直線Ｍ、Ｎ“を磁界Ｈの他方の
端面としてＭ２ＮとＭ２Ｎ’とでなす角をφとする。
にて垂線をたてＡ点から距離比の点をＭｌとする。そし
てＭ２とＭｌとを結んだ直線Ｍ、Ｎ“を磁界Ｈの他方の
端面としてＭ２ＮとＭ２Ｎ’とでなす角をφとする。
−一一一う
キ七キ下方偏向ビームＰＢが端面Ｍ２Ｎ上のＢ点に対し
て垂直に入射するならば、上方偏向ビームＹｌは端面Ｍ
、Ｎ”上のＡ点を通過して偏向ビーム補正磁界６内に斜
めに入射する。このように入射した上方偏向ビームＰＡ
は、Ｍｌを基点として半径Ｒの円軌道を進み、端面Ｎ１
□Ｎ“上のＡ°点から端面Ｍ２■に対して垂直に流出す
ることになる。
て垂直に入射するならば、上方偏向ビームＹｌは端面Ｍ
、Ｎ”上のＡ点を通過して偏向ビーム補正磁界６内に斜
めに入射する。このように入射した上方偏向ビームＰＡ
は、Ｍｌを基点として半径Ｒの円軌道を進み、端面Ｎ１
□Ｎ“上のＡ°点から端面Ｍ２■に対して垂直に流出す
ることになる。
一方、端面Ｍ２Ｎ上のＢ点から偏向ビーム補正磁界６内
に流入する下方の偏向ビームＰＢは、Ｍ！を基点として
半径Ｒの円軌道を進み、端面Ｍ２Ｎ’上のＢ°点から端
面祇マに対して垂直に流出するが、偏向ビームの速度は
上下ともｖｏで等しく、かつ磁界Ｈが均一であるため上
方偏向ビームと下方偏向ビームの磁界内での円軌道半径
が等しいことは勿論のことである。
に流入する下方の偏向ビームＰＢは、Ｍ！を基点として
半径Ｒの円軌道を進み、端面Ｍ２Ｎ’上のＢ°点から端
面祇マに対して垂直に流出するが、偏向ビームの速度は
上下ともｖｏで等しく、かつ磁界Ｈが均一であるため上
方偏向ビームと下方偏向ビームの磁界内での円軌道半径
が等しいことは勿論のことである。
そして、前記のように偏向角度θ、ＰＢの距離り、半径
Ｒが定まれば、前記の楔形状は幾何学的に特定され、角
φは一意的に定まる。ここで角φと当該θ、Ｌ、Ｒとの
関係式は次のようになる。
Ｒが定まれば、前記の楔形状は幾何学的に特定され、角
φは一意的に定まる。ここで角φと当該θ、Ｌ、Ｒとの
関係式は次のようになる。
■＋Ｌ／几−２０−□□□２０１１００８００１．（２
）−φ” ｕ□１−ｍ− このような関係が成立することから、偏向ビーム補正磁
界６に流入した上方偏向ビーム丁１と下方偏向ビームＹ
宜とは平行流となってウーハ−３に注入される。
）−φ” ｕ□１−ｍ− このような関係が成立することから、偏向ビーム補正磁
界６に流入した上方偏向ビーム丁１と下方偏向ビームＹ
宜とは平行流となってウーハ−３に注入される。
例えば、偏向角度θを１５°とし”／Ｒ（＝Ｒ，’）を
２とすると（２）式よりφ＝２１．２°となる。従って
φ＝２１．２°のくさび状の均一磁界Ｈを用いることに
より端面ＭｔＮ上のＡ゛点及びＢ°点から流出する偏向
ビームは平行となる。
２とすると（２）式よりφ＝２１．２°となる。従って
φ＝２１．２°のくさび状の均一磁界Ｈを用いることに
より端面ＭｔＮ上のＡ゛点及びＢ°点から流出する偏向
ビームは平行となる。
次に、上方偏向ビームＰｋと下方偏向ビームＰＢの中間
に位置する各偏向ビームにっ込て考察するため、先づ、
中心軸Ｔを通って端面Ｍ２Ｎ上の０点から偏向ビーム補
正磁界６に流入する偏向ビーム下田について検討する。
に位置する各偏向ビームにっ込て考察するため、先づ、
中心軸Ｔを通って端面Ｍ２Ｎ上の０点から偏向ビーム補
正磁界６に流入する偏向ビーム下田について検討する。
端面Ｍ２Ｎ上の０点とＢ点との間の距離をｙとし、０点
において偏向ビームＰＯに対して立てた垂線が端面Ｍ２
Ｎ′と交わる点をＭｏとする。
において偏向ビームＰＯに対して立てた垂線が端面Ｍ２
Ｎ′と交わる点をＭｏとする。
もし０点から流入した偏向ビームＰＯが上記直線上の点
Ｍｏを中心とする円軌道を通るならば、この偏向ビーム
はＯ゛点から端面Ｍ、Ｎ’に対して垂直に流出する。
Ｍｏを中心とする円軌道を通るならば、この偏向ビーム
はＯ゛点から端面Ｍ、Ｎ’に対して垂直に流出する。
即ち、偏向ビーム７宕が上下の偏向ビームｒマ。
ＰＢに平行に流出するためには距離ＯＭ。＝＝ Ｒ，’
が前記のＨに等しくなければならない。さもなければ偏
向ビームト胃は偏向ビームｖｌ及び”ｖｌｌと平行に流
出しないことになる。しかし、Ｒ，’−Ｒは幾何学的に
成立しえない。そして流出角の誤差は、次の関係式を用
いて求めることが出来る。すなわち、両式を用いてＬで
規格され゛たＲ＃の値を求めてみると、 Ｒ’ ｔｈＯ（ｃｏｔθ十醜φ）−４＋Ｌｔａｌｌθと
なる。
が前記のＨに等しくなければならない。さもなければ偏
向ビームト胃は偏向ビームｖｌ及び”ｖｌｌと平行に流
出しないことになる。しかし、Ｒ，’−Ｒは幾何学的に
成立しえない。そして流出角の誤差は、次の関係式を用
いて求めることが出来る。すなわち、両式を用いてＬで
規格され゛たＲ＃の値を求めてみると、 Ｒ’ ｔｈＯ（ｃｏｔθ十醜φ）−４＋Ｌｔａｌｌθと
なる。
先に示した例、θ＝１５°、φ＝２１．２°を用い、Ｉ
Ｌ”２と仮定してこれらの値を代入すると、Ｉｔ’／Ｉ
。
。
−〇、４７となる。これによる角度誤差△をより求める
と、約２°となることが分る。
と、約２°となることが分る。
上記のような誤差を除去して偏向ビーム「存を偏向ビー
ム丁ス及びｖｌと平行に流出させるようにするには、０
°点を中心にＭ２Ｎ“面を外にわずか湾曲せしめればよ
い。なお、０゛Ｂ°とＯ’Ａ’との長さが異なるため、
これによるイオン注入の不均一も生ずるが、この不均一
性の補正は、偏向電極４に印加する電圧波形を適当な形
にすることで対処できる。電圧波形の変更には変圧器の
巻線比を非対称にすることが有効である。
ム丁ス及びｖｌと平行に流出させるようにするには、０
°点を中心にＭ２Ｎ“面を外にわずか湾曲せしめればよ
い。なお、０゛Ｂ°とＯ’Ａ’との長さが異なるため、
これによるイオン注入の不均一も生ずるが、この不均一
性の補正は、偏向電極４に印加する電圧波形を適当な形
にすることで対処できる。電圧波形の変更には変圧器の
巻線比を非対称にすることが有効である。
なお当該実施例において偏向ビームが偏向ビー入射でき
るように平行になっていればよく、必ずしも偏向ビーム
補正磁界より垂直に流出する場合に限定されるものでは
ない。
るように平行になっていればよく、必ずしも偏向ビーム
補正磁界より垂直に流出する場合に限定されるものでは
ない。
（本発明の効果）
この発明によれば、偏向ビームを偏向ビーム補ができる
ようにしたので、ウェハーの素子特性が均一な極めて高
精度のイオン注入をすることができるとともに、偏向電
極とウェハーとの距離を従来と比べて大きくとる必要が
ないためコンパクトな装置を提供することができる。
ようにしたので、ウェハーの素子特性が均一な極めて高
精度のイオン注入をすることができるとともに、偏向電
極とウェハーとの距離を従来と比べて大きくとる必要が
ないためコンパクトな装置を提供することができる。
第１図は、従来装置を示す構造図。第２図は、本発明を
使用した装置の構造図。第３図は、偏向ビームの入射角
度を補正した状態を示した略図である。 １・・・分析磁界、２・・・イオ７ｍ＋３−・・ウェハ
ー。 ４・・・偏向電極、５・・・加速管。 ６・・・偏向ビーム補正磁界。
使用した装置の構造図。第３図は、偏向ビームの入射角
度を補正した状態を示した略図である。 １・・・分析磁界、２・・・イオ７ｍ＋３−・・ウェハ
ー。 ４・・・偏向電極、５・・・加速管。 ６・・・偏向ビーム補正磁界。
Claims (1)
- イオンビームの発生手段、加速手段及び偏向手段を設
けるとともに、上記加速手段で加速したイオンビームを
偏向走査し、ウェハーに照射する一方、ウェハーを載置
する基板ホルダーを回転させることによってウェハーに
イオンを注入するイオン注入方法において、上記偏向手
段とウェハーとの間に偏向ビーム補正磁界発生手段を設
けることによって当該偏向ビーム補正磁界発生手段を経
た前記偏向ビームを平行流に近いものとし、かかる偏向
ビームを前記ウェハーに照射するようにしたことを特徴
とするイオン注入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25383584A JPS61133545A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | イオン注入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25383584A JPS61133545A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | イオン注入方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61133545A true JPS61133545A (ja) | 1986-06-20 |
Family
ID=17256793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25383584A Pending JPS61133545A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | イオン注入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61133545A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62295347A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-12-22 | イクリプス・イオン・テクノロジ−・インコ−ポレイテツド | イオンビ−ム高速平行走査装置 |
| JPS6314867A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-22 | Tokyo Electron Ltd | イオン注入装置 |
| JPS6324061A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-02-01 | Tokyo Electron Ltd | イオン注入装置 |
| JPH0439852A (ja) * | 1990-06-05 | 1992-02-10 | Kawasaki Steel Corp | 電子ビーム照射方法 |
| US5132544A (en) * | 1990-08-29 | 1992-07-21 | Nissin Electric Company Ltd. | System for irradiating a surface with atomic and molecular ions using two dimensional magnetic scanning |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53102677A (en) * | 1977-02-18 | 1978-09-07 | Hitachi Ltd | Ion beam radiating unit |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25383584A patent/JPS61133545A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53102677A (en) * | 1977-02-18 | 1978-09-07 | Hitachi Ltd | Ion beam radiating unit |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62295347A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-12-22 | イクリプス・イオン・テクノロジ−・インコ−ポレイテツド | イオンビ−ム高速平行走査装置 |
| JPH0530016B2 (ja) * | 1986-04-09 | 1993-05-07 | Ikuripusu Ion Tekunorojii Inc | |
| JPS6314867A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-22 | Tokyo Electron Ltd | イオン注入装置 |
| JPS6324061A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-02-01 | Tokyo Electron Ltd | イオン注入装置 |
| JPH0439852A (ja) * | 1990-06-05 | 1992-02-10 | Kawasaki Steel Corp | 電子ビーム照射方法 |
| US5132544A (en) * | 1990-08-29 | 1992-07-21 | Nissin Electric Company Ltd. | System for irradiating a surface with atomic and molecular ions using two dimensional magnetic scanning |
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