JPS6314867A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPS6314867A JPS6314867A JP15751486A JP15751486A JPS6314867A JP S6314867 A JPS6314867 A JP S6314867A JP 15751486 A JP15751486 A JP 15751486A JP 15751486 A JP15751486 A JP 15751486A JP S6314867 A JPS6314867 A JP S6314867A
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- Japan
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- ion
- ion beam
- substrate
- beams
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 10
- 239000007943 implant Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ウェハ等に所望のイオンを注入するイ
オン注入装置に関する。
オン注入装置に関する。
（従来の技術〉
一般に、半導体ウェハ等の被イオン注入基仮にイオンの
注入を行うイオン注入装置は、第２図に示すように＋１
４成されており、イオン発生装置１および質母分析マグ
ネット２からなるイオンビーム発生装置３から射出され
たイオンビーム４は、加速装置５で加速され、四極子静
電レンズ６、垂直偏向板７ａ、水平偏向板７ｂから構成
される装置 ９に保持された半導体ウェハ１０に照射され注入される
。
注入を行うイオン注入装置は、第２図に示すように＋１
４成されており、イオン発生装置１および質母分析マグ
ネット２からなるイオンビーム発生装置３から射出され
たイオンビーム４は、加速装置５で加速され、四極子静
電レンズ６、垂直偏向板７ａ、水平偏向板７ｂから構成
される装置 ９に保持された半導体ウェハ１０に照射され注入される
。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記説明の従来のイオン注入装置では、
例えばイオンビームが照射される半導体ウェハの中央部
と周辺部等被イオン注入基板の部位により、照射ざれる
イオンビームの表面における入射角度が異なり、このた
め被イオン注入基板全面にわたって均一にイオンを注入
することができないという問題があった。
例えばイオンビームが照射される半導体ウェハの中央部
と周辺部等被イオン注入基板の部位により、照射ざれる
イオンビームの表面における入射角度が異なり、このた
め被イオン注入基板全面にわたって均一にイオンを注入
することができないという問題があった。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、被イオン注入基板全面にわたって均一にイオンを注入
することのできるイオン注入装置を提供しようとするも
のである。
、被イオン注入基板全面にわたって均一にイオンを注入
することのできるイオン注入装置を提供しようとするも
のである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
すなわち本発明のイオン注入装置は、所望のイオンビー
ムを射出するイオンビーム発生装置と、前記イオンビー
ムを加速する加速装置と、加速された前記イオンビーム
を水平垂直方向に偏向する偏向手段と、該手段により偏
向された前記イオンビームを平行ビームとして被イオン
注入基板に照射する手段とをｔｌ：＃えている。
ムを射出するイオンビーム発生装置と、前記イオンビー
ムを加速する加速装置と、加速された前記イオンビーム
を水平垂直方向に偏向する偏向手段と、該手段により偏
向された前記イオンビームを平行ビームとして被イオン
注入基板に照射する手段とをｔｌ：＃えている。
（作用）
本発明のイオン注入装置では、偏向装置によって偏向さ
れたイオンビームを、平行ビームとする。
れたイオンビームを、平行ビームとする。
従って、被イオン注入基板の全面にわたってイオンビー
ムが一定の入射角度で照射する。
ムが一定の入射角度で照射する。
（実施例）
以下本発明の詳細を図面に示す一実施例について説明す
る。
る。
第１図は、本発明の一実施例のイオン注入装置を示すも
ので、イオン発生装置１１および質量分析マグネット１
２からなるイオンビーム発生装置１３から射出されたイ
オンビーム１４は、加速装置１５で加速され、四４※子
静電レンズ１６、電子閉じ込めマグネット１７、対向平
板偏向器１８からなる初段鍋内装置１つによって一定角
度範囲内で走査され、平行ビーム化手段例えばユニポテ
ンシャル静電レンズ２０によって平行ビームとされ、プ
ラテン２１に保持された半導体ウェハ２２等の被イオン
注入基板を照射する。
ので、イオン発生装置１１および質量分析マグネット１
２からなるイオンビーム発生装置１３から射出されたイ
オンビーム１４は、加速装置１５で加速され、四４※子
静電レンズ１６、電子閉じ込めマグネット１７、対向平
板偏向器１８からなる初段鍋内装置１つによって一定角
度範囲内で走査され、平行ビーム化手段例えばユニポテ
ンシャル静電レンズ２０によって平行ビームとされ、プ
ラテン２１に保持された半導体ウェハ２２等の被イオン
注入基板を照射する。
上記構成のこの実施例のイオン注入装置では、偏向装置
１９において、四極子静電レンズ１６と、例えば垂直方
向に１００Ｈｚ、水平方向に１ｋＨｚ程度の周波数の電
圧を印加された対向平板偏向器１９により形成される多
（÷静電場によってイオンビーム１４を水平垂直方向に
偏向する。なお、電子閉じ込めマグネット１７は、数１
００Ｇ程度の微弱な磁場を形成することによって電子の
運動を制限し、イオンビーム１４の偏向特性を改善する
。
１９において、四極子静電レンズ１６と、例えば垂直方
向に１００Ｈｚ、水平方向に１ｋＨｚ程度の周波数の電
圧を印加された対向平板偏向器１９により形成される多
（÷静電場によってイオンビーム１４を水平垂直方向に
偏向する。なお、電子閉じ込めマグネット１７は、数１
００Ｇ程度の微弱な磁場を形成することによって電子の
運動を制限し、イオンビーム１４の偏向特性を改善する
。
そして、偏向されたイオンビーム１４は、ユニポテンシ
ャル静電レンズ２０によって平行ビームとされ、半導体
ウェハ２２表面全面にわたって一定の入射角度で照射し
走査する。
ャル静電レンズ２０によって平行ビームとされ、半導体
ウェハ２２表面全面にわたって一定の入射角度で照射し
走査する。
従って、半導体ウェハ２２表面の部位によってイオンビ
ーム１４の入射角度が異なる従来のイオン注入装置に比
べて、この実施例のイオン注入装置では、半導体ウェハ
２２に均一にイオンを注入することができる。
ーム１４の入射角度が異なる従来のイオン注入装置に比
べて、この実施例のイオン注入装置では、半導体ウェハ
２２に均一にイオンを注入することができる。
［発明の効果］
上述のように本発明のイオン注入装置では、被イオン注
入基板表面全面にわたって一定の入射角度のイオンビー
ムを照射することができ、被イオン注入基板全面にわた
って均一にイオンを注入することができる。
入基板表面全面にわたって一定の入射角度のイオンビー
ムを照射することができ、被イオン注入基板全面にわた
って均一にイオンを注入することができる。
第１図は本発明の一実施例のイオン注入装置の構成を示
す上面図、第２図は従来のイオン注入装置の構成を示す
上面図である。 １３・・・・・・イオンビーム発生装置、１４・・・・
・・イオンビーム、１５・・・・・・加速装置、１つ・
・・・・・偏向装置、２０・・・・・・ユニポテンシｉ
・ル静電レンズ、２２・・・・・・半導体ウェハ。 出願人 東京エレクトロン株式会社 第１図
す上面図、第２図は従来のイオン注入装置の構成を示す
上面図である。 １３・・・・・・イオンビーム発生装置、１４・・・・
・・イオンビーム、１５・・・・・・加速装置、１つ・
・・・・・偏向装置、２０・・・・・・ユニポテンシｉ
・ル静電レンズ、２２・・・・・・半導体ウェハ。 出願人 東京エレクトロン株式会社 第１図
Claims (1)
- （１）所望のイオンビームを射出するイオンビーム発生
装置と、前記イオンビームを加速する加速装置と、加速
された前記イオンビームを水平垂直方向に偏向する偏向
手段と、該手段で偏向された前記イオンビームを平行ビ
ームにして被イオン注入基板に照射する手段とを備えた
ことを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61157514A JP2573482B2 (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61157514A JP2573482B2 (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6314867A true JPS6314867A (ja) | 1988-01-22 |
| JP2573482B2 JP2573482B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=15651339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61157514A Expired - Lifetime JP2573482B2 (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2573482B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005001876A3 (en) * | 2003-06-26 | 2005-03-24 | Axcelis Tech Inc | Electrostatic parallelizing lens for ion beams |
| JP2008507112A (ja) * | 2004-07-19 | 2008-03-06 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | イオンビーム用静電レンズ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61133545A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-20 | Anelva Corp | イオン注入方法 |
-
1986
- 1986-07-04 JP JP61157514A patent/JP2573482B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61133545A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-20 | Anelva Corp | イオン注入方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005001876A3 (en) * | 2003-06-26 | 2005-03-24 | Axcelis Tech Inc | Electrostatic parallelizing lens for ion beams |
| JP2008507112A (ja) * | 2004-07-19 | 2008-03-06 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | イオンビーム用静電レンズ |
| JP4883316B2 (ja) * | 2004-07-19 | 2012-02-22 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | イオンビーム用静電レンズ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2573482B2 (ja) | 1997-01-22 |
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Legal Events
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