JPH0744023B2 - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH0744023B2 JPH0744023B2 JP61128469A JP12846986A JPH0744023B2 JP H0744023 B2 JPH0744023 B2 JP H0744023B2 JP 61128469 A JP61128469 A JP 61128469A JP 12846986 A JP12846986 A JP 12846986A JP H0744023 B2 JPH0744023 B2 JP H0744023B2
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- ion beam
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- deflecting
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Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 32
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体ウエハ等に所望のイオンを注入するイ
オン注入装置に関する。
オン注入装置に関する。
（従来の技術） 一般に、半導体ウエハ等の被イオン注入基板にイオンの
注入を行う従来のイオン注入装置は、第２図に示すよう
構成されており、イオン発生装置１および質量分析マグ
ネット２からなるイオンビーム発生装置３から射出され
たイオンビーム４は、加速装置５で加速され、四極子静
電レンズ６、垂直偏向板7a、水平偏向板7bから構成され
る走査装置８によって偏向され、走査されてプラテン９
に保持された半導体ウエハ10等の被イオン注入基板に注
入される。
注入を行う従来のイオン注入装置は、第２図に示すよう
構成されており、イオン発生装置１および質量分析マグ
ネット２からなるイオンビーム発生装置３から射出され
たイオンビーム４は、加速装置５で加速され、四極子静
電レンズ６、垂直偏向板7a、水平偏向板7bから構成され
る走査装置８によって偏向され、走査されてプラテン９
に保持された半導体ウエハ10等の被イオン注入基板に注
入される。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記説明の従来のイオン注入装置では、
加速装置によって加速されたイオンビームを偏向させ、
走査するため、走査装置の垂直偏向板、水平偏向板およ
びこれらの偏向板間に電圧を印加する電源装置等が大型
化し、装置全体が大型化するという問題と、例えばイオ
ンビームが照射される半導体ウエハの中央部と周辺部等
被イオン注入基板の部位により照射されるイオンビーム
の表面における入射角度が異なり、このため被イオン注
入基板全面にわたって均一にイオンを注入することがで
きないという問題があった。
加速装置によって加速されたイオンビームを偏向させ、
走査するため、走査装置の垂直偏向板、水平偏向板およ
びこれらの偏向板間に電圧を印加する電源装置等が大型
化し、装置全体が大型化するという問題と、例えばイオ
ンビームが照射される半導体ウエハの中央部と周辺部等
被イオン注入基板の部位により照射されるイオンビーム
の表面における入射角度が異なり、このため被イオン注
入基板全面にわたって均一にイオンを注入することがで
きないという問題があった。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、従来に比べて小型化することができ、かつ、被イオ
ン注入基板全面にわたって均一にイオンを注入すること
のできるイオン注入装置を提供しようとするものであ
る。
で、従来に比べて小型化することができ、かつ、被イオ
ン注入基板全面にわたって均一にイオンを注入すること
のできるイオン注入装置を提供しようとするものであ
る。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） すなわち本発明のイオン注入装置は、所望のイオンビー
ムを射出するイオンビーム発生装置と、このイオンビー
ム発生装置から射出されたイオンビームを水平垂直方向
に偏向する偏向手段と、該偏向手段の偏向部位に微弱な
磁場を形成して電子の運動を制限し偏向特性を改善する
電子閉じ込めマグネットと、前記偏向手段により偏向さ
れた前記イオンビームを平行ビームにする手段と、該手
段により平行ビームとされた前記イオンビームを加速し
て被イオン注入基板を照射する加速装置とを備えてい
る。
ムを射出するイオンビーム発生装置と、このイオンビー
ム発生装置から射出されたイオンビームを水平垂直方向
に偏向する偏向手段と、該偏向手段の偏向部位に微弱な
磁場を形成して電子の運動を制限し偏向特性を改善する
電子閉じ込めマグネットと、前記偏向手段により偏向さ
れた前記イオンビームを平行ビームにする手段と、該手
段により平行ビームとされた前記イオンビームを加速し
て被イオン注入基板を照射する加速装置とを備えてい
る。
（作用） 本発明のイオン注入装置では、加速装置によって加速さ
れる以前のイオンビームを偏向装置によって偏向し、こ
のイオンビームを平行ビームとし、平行に走査されたイ
オンビームを、加速装置によって加速して被イオン注入
基板に照射する。
れる以前のイオンビームを偏向装置によって偏向し、こ
のイオンビームを平行ビームとし、平行に走査されたイ
オンビームを、加速装置によって加速して被イオン注入
基板に照射する。
また、電子閉じ込めマグネットによって、例えば数100G
程度の微弱な磁場を形成し、電子の運動を制限して所定
の領域に閉じ込めることによって、不所望な電子の電磁
気的作用によってイオンビームの偏向が妨げられること
を防止し、イオンビームの偏向特性を改善する。
程度の微弱な磁場を形成し、電子の運動を制限して所定
の領域に閉じ込めることによって、不所望な電子の電磁
気的作用によってイオンビームの偏向が妨げられること
を防止し、イオンビームの偏向特性を改善する。
これによって、被イオン注入基板全面にわたって均一に
イオンを注入することができる。
イオンを注入することができる。
（実施例） 以下本発明の詳細を図面に示す一実施例について説明す
る。
る。
第１図は、本発明の一実施例のイオン注入装置を示すも
ので、イオン発生装置11および質量分析マグネット12か
らなるイオンビーム発生装置13から射出されたイオンビ
ーム14は、四極子静電レンズ15、電子閉じ込めマグネッ
ト16、偏向手段例えば対向平板偏向器17からなる偏向装
置18によって一定角度範囲内で水平垂直方向に偏向さ
れ、パラレルビーム即ち平行化手段例えばユニポテンシ
ャル静電レンズ19によって平行ビームとされる。この
後、平行ビームとされたイオンビーム14は、加速装置20
によって加速され、プラテン21に保持された半導体ウエ
ハ22等の被イオン注入基板を一定照射角度で照射し、走
査する。
ので、イオン発生装置11および質量分析マグネット12か
らなるイオンビーム発生装置13から射出されたイオンビ
ーム14は、四極子静電レンズ15、電子閉じ込めマグネッ
ト16、偏向手段例えば対向平板偏向器17からなる偏向装
置18によって一定角度範囲内で水平垂直方向に偏向さ
れ、パラレルビーム即ち平行化手段例えばユニポテンシ
ャル静電レンズ19によって平行ビームとされる。この
後、平行ビームとされたイオンビーム14は、加速装置20
によって加速され、プラテン21に保持された半導体ウエ
ハ22等の被イオン注入基板を一定照射角度で照射し、走
査する。
上記構成のこの実施例のイオン注入装置では、加速装置
21によって加速される前の運動エネルギーの低いイオン
ビーム14を、偏向装置18において四極子静電レンズ15
と、例えば垂直方向に100Hz、水平方向に1KHz程度の周
波数の電圧を印加された対向平板偏向器17により形成さ
れる多極静電場とによって一定角度範囲内に偏向する。
なお、電子閉じ込めマグネット16は、数100G程度の微弱
な磁場を形成することによって、電子の運動を制限して
所定の領域に閉じ込めることによって、不所望な電子の
電磁気的作用によってイオンビームの偏向が妨げられる
ことを防止し、イオンビーム14の偏向特性を改善する。
21によって加速される前の運動エネルギーの低いイオン
ビーム14を、偏向装置18において四極子静電レンズ15
と、例えば垂直方向に100Hz、水平方向に1KHz程度の周
波数の電圧を印加された対向平板偏向器17により形成さ
れる多極静電場とによって一定角度範囲内に偏向する。
なお、電子閉じ込めマグネット16は、数100G程度の微弱
な磁場を形成することによって、電子の運動を制限して
所定の領域に閉じ込めることによって、不所望な電子の
電磁気的作用によってイオンビームの偏向が妨げられる
ことを防止し、イオンビーム14の偏向特性を改善する。
そして、一定角度範囲内に走査されたイオンビーム14
は、ユニポテンシャル静電レンズ19によって平行ビーム
とされる。
は、ユニポテンシャル静電レンズ19によって平行ビーム
とされる。
この後、平行に走査されたイオンビームは、加速装置20
によって加速され、半導体ウエハ22全面に一定の入射角
度で照射される。
によって加速され、半導体ウエハ22全面に一定の入射角
度で照射される。
従って、この実施例のイオン注入装置では、加速される
以前の運動エネルギーの低いイオンビームを偏向させる
ため、偏向装置18、ユニポテンシャル静電レンズ19等を
小型化することができ、装置全体を小型化することがで
きる。また、半導体ウエハ22表面の部位によってイオン
ビーム14の入射角が異なる従来のイオン注入装置に比べ
て半導体ウエハ22に均一にイオンを注入することができ
る。
以前の運動エネルギーの低いイオンビームを偏向させる
ため、偏向装置18、ユニポテンシャル静電レンズ19等を
小型化することができ、装置全体を小型化することがで
きる。また、半導体ウエハ22表面の部位によってイオン
ビーム14の入射角が異なる従来のイオン注入装置に比べ
て半導体ウエハ22に均一にイオンを注入することができ
る。
［発明の効果］ 上述のように本発明のイオン注入装置では、被イオン注
入基板即ちウエハ全面にわたって均一にイオンを注入す
ることができる。
入基板即ちウエハ全面にわたって均一にイオンを注入す
ることができる。
第１図は本発明の一実施例のイオン注入装置の構成を示
す上面図、第２図は従来のイオン注入装置の構成を示す
上面図である。 13……イオンビーム発生装置、14……イオンビーム、18
……偏向装置、19……ユニポテンシャル静電レンズ、20
……加速装置、22……半導体ウエハ。
す上面図、第２図は従来のイオン注入装置の構成を示す
上面図である。 13……イオンビーム発生装置、14……イオンビーム、18
……偏向装置、19……ユニポテンシャル静電レンズ、20
……加速装置、22……半導体ウエハ。
Claims (1)
- 【請求項１】所望のイオンビームを射出するイオンビー
ム発生装置と、このイオンビーム発生装置から射出され
たイオンビームを水平垂直方向に偏向する偏向手段と、
該偏向手段の偏向部位に微弱な磁場を形成して電子の運
動を制限し偏向特性を改善する電子閉じ込めマグネット
と、前記偏向手段により偏向された前記イオンビームを
平行ビームにする手段と、該手段により平行ビームとさ
れた前記イオンビームを加速して被イオン注入基板を照
射する加速装置とを備えたことを特徴とするイオン注入
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61128469A JPH0744023B2 (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61128469A JPH0744023B2 (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62285354A JPS62285354A (ja) | 1987-12-11 |
| JPH0744023B2 true JPH0744023B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=14985499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61128469A Expired - Lifetime JPH0744023B2 (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744023B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9000822A (nl) * | 1990-04-09 | 1991-11-01 | Philips Nv | Werkwijze voor bestraling van een object met een geladen deeltjesbundel en inrichting voor uitvoering van de werkwijze. |
| US6903350B1 (en) * | 2004-06-10 | 2005-06-07 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion beam scanning systems and methods for improved ion implantation uniformity |
| JP5004318B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2012-08-22 | 株式会社アルバック | イオン注入装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5235874B2 (ja) * | 1972-06-24 | 1977-09-12 |
-
1986
- 1986-06-03 JP JP61128469A patent/JPH0744023B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62285354A (ja) | 1987-12-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |