JP2573482B2 - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JP2573482B2 JP2573482B2 JP61157514A JP15751486A JP2573482B2 JP 2573482 B2 JP2573482 B2 JP 2573482B2 JP 61157514 A JP61157514 A JP 61157514A JP 15751486 A JP15751486 A JP 15751486A JP 2573482 B2 JP2573482 B2 JP 2573482B2
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- JP
- Japan
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- ion
- ion beam
- implanted
- implantation apparatus
- ion implantation
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体ウエハ等に所望のイオンを注入する
イオン注入装置に関する。
イオン注入装置に関する。
（従来の技術） 一般に、半導体ウエハ等の被イオン注入基板にイオン
の注入を行うイオン注入装置は、第２図に示すように構
成されており、イオン発生装置１および質量分析マグネ
ット２からなるイオンビーム発生装置３から射出された
イオンビーム４は、加速装置５で加速され、四極子静電
イオン６、垂直偏向板7a、水平偏向板7bから構成される
走査装置８によって偏向され、走査されてプラテン９に
保持された半導体ウエハ10に照射され注入される。
の注入を行うイオン注入装置は、第２図に示すように構
成されており、イオン発生装置１および質量分析マグネ
ット２からなるイオンビーム発生装置３から射出された
イオンビーム４は、加速装置５で加速され、四極子静電
イオン６、垂直偏向板7a、水平偏向板7bから構成される
走査装置８によって偏向され、走査されてプラテン９に
保持された半導体ウエハ10に照射され注入される。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記説明の従来のイオン注入装置で
は、例えばイオンビームが照射される半導体ウエハの中
央部と周辺部等被イオン注入基板の部位により、照射さ
れるイオンビームの表面における入射角度が異なり、こ
のため被イオン注入基板全面にわたって均一にイオンを
注入することができないという問題があった。
は、例えばイオンビームが照射される半導体ウエハの中
央部と周辺部等被イオン注入基板の部位により、照射さ
れるイオンビームの表面における入射角度が異なり、こ
のため被イオン注入基板全面にわたって均一にイオンを
注入することができないという問題があった。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、被イオン注入基板全面にわたって均一にイオンを注
入することのできるイオン注入装置を提供しようとする
ものである。
で、被イオン注入基板全面にわたって均一にイオンを注
入することのできるイオン注入装置を提供しようとする
ものである。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） すなわち本発明のイオン注入装置は、所望のイオンビ
ームを射出するイオンビーム発生装置と、前記イオンビ
ームを加速する加速装置と、加速された前記イオンビー
ムを水平垂直方向に偏向する偏向手段と、該手段で水平
垂直方向に偏向された前記イオンビームを平行ビームに
して被イオン注入基板に照射する静電レンズとを備えて
いる。
ームを射出するイオンビーム発生装置と、前記イオンビ
ームを加速する加速装置と、加速された前記イオンビー
ムを水平垂直方向に偏向する偏向手段と、該手段で水平
垂直方向に偏向された前記イオンビームを平行ビームに
して被イオン注入基板に照射する静電レンズとを備えて
いる。
（作用） 本発明のイオン注入装置では、偏向装置によって偏向
されたイオンビームを、平行ビームとする。従って、被
イオン注入基板の全面にわたってイオンビームが一定の
入射角度で照射する。
されたイオンビームを、平行ビームとする。従って、被
イオン注入基板の全面にわたってイオンビームが一定の
入射角度で照射する。
（実施例） 以下本発明の詳細を図面に示す一実施例について説明
する。
する。
第１図は、本発明の一実施例のイオン注入装置を示す
もので、イオン発生装置11および質量分析マグネット12
からなるイオンビーム発生装置13から射出されたイオン
ビーム14は、加速装置15で加速され、四極子静電レンズ
16、電子閉じ込めマグネット17、対向平板偏向器18から
なる初段偏向装置19によって一定角度範囲内で走査さ
れ、平行ビーム化手段例えばユニポテンシャル静電レン
ズ20によって平行ビームとされ、プラテン21に保持され
た半導体ウエハ22等の被イオン注入基板を照射する。
もので、イオン発生装置11および質量分析マグネット12
からなるイオンビーム発生装置13から射出されたイオン
ビーム14は、加速装置15で加速され、四極子静電レンズ
16、電子閉じ込めマグネット17、対向平板偏向器18から
なる初段偏向装置19によって一定角度範囲内で走査さ
れ、平行ビーム化手段例えばユニポテンシャル静電レン
ズ20によって平行ビームとされ、プラテン21に保持され
た半導体ウエハ22等の被イオン注入基板を照射する。
上記構成のこの実施例のイオン注入装置では、偏向装
置19において、四極子静電レンズ16と、例えば垂直方向
に100Hz、水平方向に1kHz程度の周波数の電圧を印加さ
れた対向平板偏向器19により形成される多極静電場によ
ってイオンビーム14を水平垂直方向に偏向する。なお、
電子閉じ込めマグネット17は、数100G程度の微弱な磁場
を形成することによって電子の運動を制限し、イオンビ
ーム14の偏向特性を改善する。
置19において、四極子静電レンズ16と、例えば垂直方向
に100Hz、水平方向に1kHz程度の周波数の電圧を印加さ
れた対向平板偏向器19により形成される多極静電場によ
ってイオンビーム14を水平垂直方向に偏向する。なお、
電子閉じ込めマグネット17は、数100G程度の微弱な磁場
を形成することによって電子の運動を制限し、イオンビ
ーム14の偏向特性を改善する。
そして、偏向されたイオンビーム14は、ユニポテンシ
ャル静電レンズ20によって平行ビームとされ、半導体ウ
エハ22表面全面にわたって一定の入射角度で照射し走査
する。
ャル静電レンズ20によって平行ビームとされ、半導体ウ
エハ22表面全面にわたって一定の入射角度で照射し走査
する。
従って、半導体ウエハ22表面の部位によってイオンビ
ーム14の入射角度が異なる従来のイオン注入装置に比べ
て、この実施例のイオン注入装置では、半導体ウエハ22
に均一にイオンを注入することができる。
ーム14の入射角度が異なる従来のイオン注入装置に比べ
て、この実施例のイオン注入装置では、半導体ウエハ22
に均一にイオンを注入することができる。
［発明の効果］ 上述のように本発明のイオン注入装置では、被イオン
注入基板表面全面にわたって一定の入射角度のイオンビ
ームを照射することができ、被イオン注入基板全面にわ
たって均一にイオンを注入することができる。
注入基板表面全面にわたって一定の入射角度のイオンビ
ームを照射することができ、被イオン注入基板全面にわ
たって均一にイオンを注入することができる。
第１図は本発明の一実施例のイオン注入装置の構成を示
す上面図、第２図は従来のイオン注入装置の構成を示す
上面図である。 13……イオンビーム発生装置、14……イオンビーム、15
……加速装置、19……偏向装置、20……ユニポテンシャ
ル静電レンズ、22……半導体ウエハ。
す上面図、第２図は従来のイオン注入装置の構成を示す
上面図である。 13……イオンビーム発生装置、14……イオンビーム、15
……加速装置、19……偏向装置、20……ユニポテンシャ
ル静電レンズ、22……半導体ウエハ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−133545（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−106114（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−184529（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−49629（ＪＰ，Ａ) 難波進「エレクトロニクス技術全書 ［８］イオン注入技術」（昭50−２− 28）株式会社工業調査会Ｐ．９−23
Claims (1)
- 【請求項１】所望のイオンビームを射出するイオンビー
ム発生装置と、前記イオンビームを加速する加速装置
と、加速された前記イオンビームを水平垂直方向に偏向
する偏向手段と、該手段で水平垂直方向に偏向された前
記イオンビームを平行ビームにして被イオン注入基板に
照射する静電レンズとを備えたことを特徴とするイオン
注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61157514A JP2573482B2 (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61157514A JP2573482B2 (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6314867A JPS6314867A (ja) | 1988-01-22 |
| JP2573482B2 true JP2573482B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=15651339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61157514A Expired - Lifetime JP2573482B2 (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2573482B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7112809B2 (en) * | 2003-06-26 | 2006-09-26 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic lens for ion beams |
| US6774377B1 (en) * | 2003-06-26 | 2004-08-10 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic parallelizing lens for ion beams |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61133545A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-20 | Anelva Corp | イオン注入方法 |
-
1986
- 1986-07-04 JP JP61157514A patent/JP2573482B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 難波進「エレクトロニクス技術全書［８］イオン注入技術」（昭５０−２−２８）株式会社工業調査会Ｐ．９−２３ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6314867A (ja) | 1988-01-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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