JPH04341745A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH04341745A JPH04341745A JP3142367A JP14236791A JPH04341745A JP H04341745 A JPH04341745 A JP H04341745A JP 3142367 A JP3142367 A JP 3142367A JP 14236791 A JP14236791 A JP 14236791A JP H04341745 A JPH04341745 A JP H04341745A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- particles
- ion beam
- anode
- ion implantation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、イオン注入装置に関
し、より具体的には、ターゲットにパーティクルが付着
するのを防止する手段に関する。
し、より具体的には、ターゲットにパーティクルが付着
するのを防止する手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来のイオン注入装置の一例を
部分的に示す概略図である。
部分的に示す概略図である。
【０００３】このイオン注入装置は、図示しないイオン
源から引き出され、かつ必要に応じて質量分析、加速等
の行われたイオンビーム２を、一組の走査電極４によっ
て垂直方向に走査した後、一組の走査電極６によって中
心軌道を水平方向に所定角度θ（例えば７度）偏向させ
た状態で水平方向に走査し、そしてこのように走査され
たイオンビーム２をターゲット（例えばウェーハ）８に
照射してその全面にイオン注入を行うよう構成されてい
る。イオンビーム２を上記のように角度θだけ偏向させ
るのは、それによって直進する中性粒子がターゲット８
に入射するのを防止するためである。
源から引き出され、かつ必要に応じて質量分析、加速等
の行われたイオンビーム２を、一組の走査電極４によっ
て垂直方向に走査した後、一組の走査電極６によって中
心軌道を水平方向に所定角度θ（例えば７度）偏向させ
た状態で水平方向に走査し、そしてこのように走査され
たイオンビーム２をターゲット（例えばウェーハ）８に
照射してその全面にイオン注入を行うよう構成されてい
る。イオンビーム２を上記のように角度θだけ偏向させ
るのは、それによって直進する中性粒子がターゲット８
に入射するのを防止するためである。
【０００４】また、ターゲット８の上流側には、例えば
熱電子放出用のフィラメント等を含む電子シャワー源１
０を設けており、これからイオン注入中のターゲット８
に電子シャワー１２を供給して、ターゲット８の表面が
イオン注入に伴って正に帯電するのを中和するようにし
ている。
熱電子放出用のフィラメント等を含む電子シャワー源１
０を設けており、これからイオン注入中のターゲット８
に電子シャワー１２を供給して、ターゲット８の表面が
イオン注入に伴って正に帯電するのを中和するようにし
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記イオン注入装置に
おいては、イオンビーム２を角度θだけ偏向させること
によって、中性粒子がターゲット８に入射することは防
止できるが、パーティクル（ごみ等）に関しては低減策
が講じられていない。即ち、例えばイオンビーム２がそ
のビームラインにある走査電極４、６やマスク（図示省
略）等に当たることによって、更にターゲット８を機械
的に走査するイオン注入装置の場合はその摩擦等によっ
て、パーティクルが発生するが、特にターゲット８の近
くまでやって来るパーティクルについてはこれと言った
対策が講じられておらず、そのためこのようなパーティ
クルがターゲット８に付着するという問題がある。ター
ゲット８にパーティクルが付着すると、例えば、ターゲ
ット８中に、アニール処理でも除去できない欠陥が生じ
る可能性が高くなり、半導体素子の歩留りを低下させる
等の弊害が生じる。
おいては、イオンビーム２を角度θだけ偏向させること
によって、中性粒子がターゲット８に入射することは防
止できるが、パーティクル（ごみ等）に関しては低減策
が講じられていない。即ち、例えばイオンビーム２がそ
のビームラインにある走査電極４、６やマスク（図示省
略）等に当たることによって、更にターゲット８を機械
的に走査するイオン注入装置の場合はその摩擦等によっ
て、パーティクルが発生するが、特にターゲット８の近
くまでやって来るパーティクルについてはこれと言った
対策が講じられておらず、そのためこのようなパーティ
クルがターゲット８に付着するという問題がある。ター
ゲット８にパーティクルが付着すると、例えば、ターゲ
ット８中に、アニール処理でも除去できない欠陥が生じ
る可能性が高くなり、半導体素子の歩留りを低下させる
等の弊害が生じる。
【０００６】そこでこの発明は、上記のようなパーティ
クルがターゲットに付着するのを防止することを主たる
目的とする。
クルがターゲットに付着するのを防止することを主たる
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、この発明のイオン注入装置は、前記ターゲットの上流
側近傍に、前記イオンビームが通る経路および前記電子
シャワーが通る経路の両方を取り囲む筒状の陽極を設け
たことを特徴とする。
、この発明のイオン注入装置は、前記ターゲットの上流
側近傍に、前記イオンビームが通る経路および前記電子
シャワーが通る経路の両方を取り囲む筒状の陽極を設け
たことを特徴とする。
【０００８】
【作用】ターゲット近傍に存在するパーティクルは、電
子シャワーを受けることによって負に帯電している。こ
の発明はそれに着目したものであり、陽極を上記のよう
に設けることによって、この負に帯電したパーティクル
を同陽極で吸着することができる。その結果、パーティ
クルがターゲットに付着するのが防止される。
子シャワーを受けることによって負に帯電している。こ
の発明はそれに着目したものであり、陽極を上記のよう
に設けることによって、この負に帯電したパーティクル
を同陽極で吸着することができる。その結果、パーティ
クルがターゲットに付着するのが防止される。
【０００９】
【実施例】図１は、この発明の一実施例に係るイオン注
入装置の要部を示す概略図である。図２の従来例と同一
または相当する部分には同一符号を付し、以下において
は当該従来例との相違点を主に説明する。
入装置の要部を示す概略図である。図２の従来例と同一
または相当する部分には同一符号を付し、以下において
は当該従来例との相違点を主に説明する。
【００１０】この実施例においては、前述したようなタ
ーゲット８の上流側近傍に、イオンビーム２が通る経路
および電子シャワー源１０から放出された電子シャワー
１２が通る経路の両方を取り囲む円筒状の陽極１４を設
け、これに直流電源１６から正電圧を印加するようにし
ている。
ーゲット８の上流側近傍に、イオンビーム２が通る経路
および電子シャワー源１０から放出された電子シャワー
１２が通る経路の両方を取り囲む円筒状の陽極１４を設
け、これに直流電源１６から正電圧を印加するようにし
ている。
【００１１】前述したようにして発生しターゲット８の
上流側近傍に存在するパーティクルは、電子シャワー源
１０からの電子シャワー１２を受けることによって負に
帯電している。この発明はそれに着目したものであり、
陽極１４を上記のように設けることによって、この負に
帯電したパーティクルを同陽極１４で吸着することがで
きる。これによって、パーティクルはターゲット８まで
届かなくなり、それがターゲット８に付着するのが防止
される。その結果、ターゲット８中に欠陥が生じる可能
性が少なくなり、半導体素子の歩留り等が向上する。
上流側近傍に存在するパーティクルは、電子シャワー源
１０からの電子シャワー１２を受けることによって負に
帯電している。この発明はそれに着目したものであり、
陽極１４を上記のように設けることによって、この負に
帯電したパーティクルを同陽極１４で吸着することがで
きる。これによって、パーティクルはターゲット８まで
届かなくなり、それがターゲット８に付着するのが防止
される。その結果、ターゲット８中に欠陥が生じる可能
性が少なくなり、半導体素子の歩留り等が向上する。
【００１２】この場合、陽極１４は、筒状であれば良く
必ずしも上記例のように円筒状に限られるものではない
が、円筒状にすると、電界の対称性が良いので、負に帯
電したパーティクルを万遍なく吸着除去することができ
るという利点がある。また、イオンビーム２に対する影
響も対称性が良いので、イオンビーム２の分布を乱す恐
れも小さくなる。
必ずしも上記例のように円筒状に限られるものではない
が、円筒状にすると、電界の対称性が良いので、負に帯
電したパーティクルを万遍なく吸着除去することができ
るという利点がある。また、イオンビーム２に対する影
響も対称性が良いので、イオンビーム２の分布を乱す恐
れも小さくなる。
【００１３】また、陽極１４に印加する電圧は、イオン
ビーム２に対する影響を小さくする観点からは、あまり
高くしない方が好ましい。
ビーム２に対する影響を小さくする観点からは、あまり
高くしない方が好ましい。
【００１４】なお、上記例はイオンビーム２を水平およ
び垂直方向に走査するイオン注入装置の場合の例である
が、この発明はそれに限られるものではなく、イオンビ
ーム２を一方方向に電気的に走査し、ターゲット８をそ
れと実質的に直交する方向に機械的に走査するイオン注
入装置にも勿論適用することができる。
び垂直方向に走査するイオン注入装置の場合の例である
が、この発明はそれに限られるものではなく、イオンビ
ーム２を一方方向に電気的に走査し、ターゲット８をそ
れと実質的に直交する方向に機械的に走査するイオン注
入装置にも勿論適用することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、陽極に
よってパーティクルを吸着除去することができるので、
パーティクルがターゲットに付着するのを、簡単な構成
によって防止することができる。
よってパーティクルを吸着除去することができるので、
パーティクルがターゲットに付着するのを、簡単な構成
によって防止することができる。
【図１】 この発明の一実施例に係るイオン注入装置
の要部を示す概略図である。
の要部を示す概略図である。
【図２】 従来のイオン注入装置の一例を部分的に示
す概略図である。
す概略図である。
２ イオンビーム
８ ターゲット
１０ 電子シャワー源
１２ 電子シャワー
１４ 陽極
Claims (1)
- 【請求項１】 イオンビームを所定角度偏向させて中
性粒子を除去してターゲットに照射する構造のイオン注
入装置であって、ターゲットにその上流側から電子シャ
ワーを供給する電子シャワー源を備えるものにおいて、
前記ターゲットの上流側近傍に、前記イオンビームが通
る経路および前記電子シャワーが通る経路の両方を取り
囲む筒状の陽極を設けたことを特徴とするイオン注入装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3142367A JPH04341745A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3142367A JPH04341745A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04341745A true JPH04341745A (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=15313739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3142367A Pending JPH04341745A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04341745A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002124484A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-04-26 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | パーティクル除去方法及びその装置 |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP3142367A patent/JPH04341745A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002124484A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-04-26 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | パーティクル除去方法及びその装置 |
| JP4566382B2 (ja) * | 2000-10-17 | 2010-10-20 | Ｏｋｉセミコンダクタ宮崎株式会社 | パーティクル除去方法及びその装置 |
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