JP3397027B2 - イオン注入装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造工程
などで好適に用いられるイオン注入装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】前記イオン注入装置において、イオン源
から加速管等を介する走査電極までのビーム軌道では、
高速で移動している正イオンのビームに、該正イオンと
残留気体分子の衝突等によって生じた速度の遅い電子が
巻込まれ、イオンの正電荷とほぼ同量の負電荷がビーム
軌道周辺に漂い、ビームは電気的にほぼ中性となってい
る。また、注入エネルギ、すなわち加速電圧が高くなる
程、ウエハ等の被照射物の手前に設けられたビームの拡
がりを制限するためのマスクスリットへのイオンビーム
の衝突が多くなり、これによって発生する２次電子の負
電荷がイオンビームに巻込まれて、相対的に負電荷が増
加してしまうこともある。 【０００３】このようにビームに巻込まれた負電荷は、
走査のために一対の電極間に発生される電界によって吸
引されて正極性となった電極に吸収され、被照射物へは
正イオンが注入されるようになっている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一対の
走査電極間の中央部付近では、前記電極に走査のための
交番電圧が印加されても、電界はほぼ０であり、該中央
部付近には前記負電荷がそのまま存在することになる。
これによって該中央部では、ビーム径が絞られてビーム
密度が高くなり、前記被照射物の表面では、直線状に照
射されるイオンビームにおいて直線の中央部付近だけ注
入密度が極端に高くなってしまう、いわゆる中性点効果
が、ビーム量の増大に伴って顕著に発生するという問題
がある。 【０００５】一方、従来から、前記マスクスリットと被
照射物との間に、負極性とされるフードサプレッサと称
される筒体が設けられており、このフードサプレッサに
よって、前記被照射物にイオンが照射されることによっ
て放出された２次電子を前記被照射物側へ追いやり、前
記マスクスリットの直後に設けられたドーズファラデー
によるビーム量の計測誤差を抑えるようにした構成が用
いられている。 【０００６】したがって、このフードサプレッサに正電
圧を印加して２次電子を捕捉することが考えられるけれ
ども、前記マスクスリットの下流側では、被照射物から
の２次電子は捕捉できても、マスクスリットにイオンビ
ームが衝突することによって発生した２次電子はマスク
スリットから離れる方向に飛散しており、充分な効果を
得ることができない。 【０００７】本発明の目的は、イオンビームに巻込まれ
ている負電荷を捕捉することによって、均一なイオンビ
ーム照射を行うことができるイオン注入装置を提供する
ことである。 【０００８】 【課題を解決するための手段】本発明に係るイオン注入
装置は、イオン源で生成したイオンを加速した後、走査
して、被照射物へ注入するイオン注入装置において、平
行平板の一対の電極から成り、シート状の平行ビームを
形成する走査電極の下流側かつマスクスリットの上流側
でビーム軌道に対して対称に設けられ、前記走査電極と
垂直な一対の平行平板から成るアブソーバ電極と、前記
一対のアブソーバ電極のそれぞれに、相互に等しい直流
正電圧を印加する電源とを備えることを特徴とする。 【０００９】上記の構成によれば、ビーム走査が、たと
えば水平方向の１次元で行われるときには、アブソーバ
電極が水平走査電極とマスクスリットとの間に設けら
れ、前記水平走査電極によってシート状の平行ビームと
されたイオンビームに対して、該イオンビームの走査方
向と略平行に延びるとともに、直流正電圧が印加される
アブソーバ電極によって、前記イオンビーム中に巻込ま
れている負電荷が吸収され、被照射物へは所望とするイ
オンのみが均一に照射されることになる。 【００１０】また、イオン注入装置が２次元方向の走査
を行う場合には、シート状の平行ビームを形成する第１
段目の走査電極、たとえば水平走査電極と、第２段目の
走査電極、すなわち垂直走査電極との間にアブソーバ電
極が介在される。 【００１１】これによって、残留気体やマスクスリット
などにイオンが衝突することによって発生した２次電子
は、確実にアブソーバ電極で捕捉されて電源に吸収さ
れ、被照射物に均一なイオンビーム照射を行うことがで
きる。 【００１２】 【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態について、
図１〜図４に基づいて説明すれば以下のとおりである。 【００１３】図１は本発明の実施の一形態のイオン注入
装置１の主要部の概略的構成を示す斜視図であり、図２
はそのイオン注入装置１の全体の構成を示す平面図であ
り、図３は図２の切断面線Ａ−Ａから見た断面図であ
る。イオン源２で生成されたイオンは、分析電磁石３に
入力されてボロンなどの注入すべき正イオンのみが抽出
された後、加速電極４へ入力される。この加速電極４で
加速および収束されたイオンは、第１の水平走査電極５
ａ，５ｂにおいて、水平方向に走査されてビーム幅が扇
状に拡大される。前記水平走査電極５ａ，５ｂからのイ
オンビームは、偏向電極６ａ，６ｂにおいて、所定の偏
向角θ、たとえば７°だけ偏向されて中性粒子が除去さ
れた後、第２の水平走査電極７ａ，７ｂに入力される。 【００１４】この水平走査電極７ａ，７ｂにおいて、前
記イオンビームは、シート状の平行ビームとされた後、
本発明に従うアブソーバ電極８ａ，８ｂおよびマスクス
リット９を通過して、被照射物であるウエハ１０に照射
される。前記ウエハ１０は、支持部材１１上に載置され
ており、この支持部材１１は、案内部材１２によって、
参照符１３で示す平面上を矢符１４で示す鉛直方向に変
位可能に支持されている。したがって、前記水平走査電
極５ａ，５ｂ；７ａ，７ｂによる水平方向の走査と、こ
の支持部材１１による鉛直方向の走査とによって、前記
ウエハ１０の表面に前記イオンビームが２次元走査され
てゆく。 【００１５】図４は、前記水平走査電極７ａ，７ｂおよ
びアブソーバ電極８ａ，８ｂの構造を詳細に説明するた
めの断面図である。この図４および前記図１を参照し
て、前記水平走査電極５ａ，５ｂ；７ａ，７ｂには、走
査電源２１から、三角波などで実現される所定の交番電
圧が印加される。ただし、水平走査電極５ａに正電圧が
印加され、水平走査電極５ｂに負電圧が印加されている
ときには、ビーム軸２２に対して、一方側に配置される
水平走査電極５ａに対応して、他方側に配置される水平
走査電極７ｂも正電圧とされ、他方側に配置される水平
走査電極５ｂに対応して、一方側に配置される水平走査
電極７ａも負電圧とされる。したがって、水平走査電極
５ａ，５ｂを通過することによって扇状に拡大されたビ
ームは、水平走査電極７ａ，７ｂによって、シート状の
平行ビームとされて出力される。 【００１６】また、偏向電極６ａには偏向電源２３から
直流負電圧が印加され、偏向電極６ｂには直流正電圧が
印加される。これによって、前述のように前記ビーム軸
２２は、水平から鉛直方向下方に前記偏向角θだけ偏向
し、中性粒子が除去されることになる。 【００１７】このように構成されるイオン注入装置１に
おいて、本発明では、イオンビームをシート状の平行ビ
ームとする水平走査電極７ａ，７ｂと、該イオンビーム
の拡がりを所定の幅に規制するマスクスリット９との間
に、アブソーバ電極８ａ，８ｂが配置される。このアブ
ソーバ電極８ａ，８ｂは、前記水平走査電極５ａ，５
ｂ；７ａ，７ｂと垂直方向に延びる一対の平行平板から
成り、したがって、前記水平走査電極５ａ，５ｂ；７
ａ，７ｂによって拡げられたイオンビームに対して略平
行となる。また本発明では、このアブソーバ電極８ａ，
８ｂには、直流電源２４から相互に等しい直流正電圧、
たとえば３００Ｖが印加される。 【００１８】ビーム軸２２を中心として、イオンビーム
周辺に漂っている電子に対して、水平走査電極５ａ，５
ｂ；７ａ，７ｂによる交番電界によって、該水平走査電
極５ａ，５ｂ；７ａ，７ｂのそれぞれの近傍付近にある
電子は、該水平走査電極５ａ，５ｂ；７ａ，７ｂが正電
圧となっているときに、吸収されて除去される。しかし
ながら、ビーム軸２２付近に存在する電子は、前述の中
性点効果によって前記水平走査電極５ａ，５ｂ；７ａ，
７ｂでは除去されないけれども、アブソーバ電極８ａ，
８ｂによってそれらは除去される。したがって、ウエハ
１０へ照射されるイオンビームは、シート状の平行なビ
ームのいずれの点においても、負電荷が除去されて正イ
オンが均等に存在するビームとなる。これによって、均
一なイオンビーム照射を行うことができる。 【００１９】前記アブソーバ電極８ａ，８ｂは、本実施
の一形態では、水平走査電極７ａ，７ｂを収納するチャ
ンバ２５に関連して設けられている。前記水平走査電極
７ａ，７ｂは、チャンバ２５の側壁に電気絶縁性の脚２
６によって支持されている。一方、アブソーバ電極８
ａ，８ｂは、前記ウエハ１０およびその支持部材１１等
が収納されるチャンバ２７側の取付フランジ２８にボル
ト２９，３０によって取付けられた支持部材３１，３２
に、電気絶縁性のスペーサ３３，３４を介してそれぞれ
取付けられている。なお、このアブソーバ電極８ａ，８
ｂは、水平走査電極７ａ，７ｂとマスクスリット９との
間で、かつ水平走査電極７ａ，７ｂと垂直であれば、チ
ャンバ２５または２７のいずれにどのような方法で固定
されてもよい。 【００２０】また、水平走査電極７ａ，７ｂおよびアブ
ソーバ電極８ａ，８ｂへのケーブルは、図示しない気密
の引出口を介して、チャンバ２５内に引込まれている。 【００２１】さらにまた、チャンバ２５とチャンバ２７
との連結部３５において、チャンバ２５に取付けられた
ブラケット３６によって、センタファラデー４１が支持
されている。このセンタファラデー４１は、前記偏向電
極６ａ，６ｂに電圧が印加されていない状態、すなわち
偏向角θが０°の状態で、かつ走査電圧が印加されてい
ない状態でのビームの絶対量を測定するために設けられ
ている。本実施の一形態では、このセンタファラデー４
１に対応して、アブソーバ電極８ａがアブソーバ電極８
ｂに比べて短く形成されているけれども、前記センタフ
ァラデー４１の測定に影響なく、かつ該センタファラデ
ー４１と電気的に絶縁して配置可能であるときには、ア
ブソーバ電極８ａは、さらに延長されてもよい。 【００２２】また、前記チャンバ２７側において、前記
取付フランジ２８には、多点ファラデー４２および左右
一対のドーズファラデー４３が設けられるとともに、フ
ードサプレッサ４４が設けられている。ドーズファラデ
ー４３は、ウエハ１０への実際のイオン注入量を計測す
る。またフードサプレッサ４４は、筒状に形成されて負
電圧に保持されており、ウエハ１０へのイオン注入によ
って該ウエハ１０の表面から放出された２次電子を捕捉
する。このフードサプレッサ４４は、取付部材４５によ
って、電気的に絶縁されてチャンバ２７に取付けられ
る。 【００２３】なお、上述の実施の一形態では、イオンビ
ームを水平走査電極５ａ，５ｂ；７ａ，７ｂによって水
平方向に走査するとともに、ウエハ１０を支持部材１１
および案内部材１２によって鉛直方向にも走査すること
によって、ウエハ１０へイオンビームを２次元的に照射
するようにしたけれども、垂直走査電極を設けてイオン
ビームを鉛直方向にも走査することによって、ウエハ１
０を変位することなしに、２次元的にイオンビームを照
射可能とした構成では、シート状の平行ビームを作成す
る水平走査電極７ａ，７ｂに続いて、アブソーバ電極８
ａ，８ｂが設けられ、さらにその下流側に垂直走査電極
が設けられることになる。また、垂直走査電極が上流側
に配置されるときには、この垂直走査電極に続いて、ア
ブソーバ電極８ａ，８ｂが、垂直走査電極と垂直となる
ように設けられる。このようにしても、中性点効果を抑
えて、均一なイオンビームの照射が可能となる。 【００２４】 【発明の効果】本発明に係るイオン注入装置は、以上の
ように、シート状の平行ビームを形成する走査電極の下
流側かつマスクスリットの上流側に、前記走査電極と垂
直な一対の平行平板から成り、相互に等しい直流正電圧
が印加されるアブソーバ電極を設ける構成である。 【００２５】それゆえ、残留気体やマスクスリットなど
にイオンが衝突することによって発生した２次電子は、
確実にアブソーバ電極で捕捉され、被照射物に均一なイ
オン注入を行うことができる。
などで好適に用いられるイオン注入装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】前記イオン注入装置において、イオン源
から加速管等を介する走査電極までのビーム軌道では、
高速で移動している正イオンのビームに、該正イオンと
残留気体分子の衝突等によって生じた速度の遅い電子が
巻込まれ、イオンの正電荷とほぼ同量の負電荷がビーム
軌道周辺に漂い、ビームは電気的にほぼ中性となってい
る。また、注入エネルギ、すなわち加速電圧が高くなる
程、ウエハ等の被照射物の手前に設けられたビームの拡
がりを制限するためのマスクスリットへのイオンビーム
の衝突が多くなり、これによって発生する２次電子の負
電荷がイオンビームに巻込まれて、相対的に負電荷が増
加してしまうこともある。 【０００３】このようにビームに巻込まれた負電荷は、
走査のために一対の電極間に発生される電界によって吸
引されて正極性となった電極に吸収され、被照射物へは
正イオンが注入されるようになっている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一対の
走査電極間の中央部付近では、前記電極に走査のための
交番電圧が印加されても、電界はほぼ０であり、該中央
部付近には前記負電荷がそのまま存在することになる。
これによって該中央部では、ビーム径が絞られてビーム
密度が高くなり、前記被照射物の表面では、直線状に照
射されるイオンビームにおいて直線の中央部付近だけ注
入密度が極端に高くなってしまう、いわゆる中性点効果
が、ビーム量の増大に伴って顕著に発生するという問題
がある。 【０００５】一方、従来から、前記マスクスリットと被
照射物との間に、負極性とされるフードサプレッサと称
される筒体が設けられており、このフードサプレッサに
よって、前記被照射物にイオンが照射されることによっ
て放出された２次電子を前記被照射物側へ追いやり、前
記マスクスリットの直後に設けられたドーズファラデー
によるビーム量の計測誤差を抑えるようにした構成が用
いられている。 【０００６】したがって、このフードサプレッサに正電
圧を印加して２次電子を捕捉することが考えられるけれ
ども、前記マスクスリットの下流側では、被照射物から
の２次電子は捕捉できても、マスクスリットにイオンビ
ームが衝突することによって発生した２次電子はマスク
スリットから離れる方向に飛散しており、充分な効果を
得ることができない。 【０００７】本発明の目的は、イオンビームに巻込まれ
ている負電荷を捕捉することによって、均一なイオンビ
ーム照射を行うことができるイオン注入装置を提供する
ことである。 【０００８】 【課題を解決するための手段】本発明に係るイオン注入
装置は、イオン源で生成したイオンを加速した後、走査
して、被照射物へ注入するイオン注入装置において、平
行平板の一対の電極から成り、シート状の平行ビームを
形成する走査電極の下流側かつマスクスリットの上流側
でビーム軌道に対して対称に設けられ、前記走査電極と
垂直な一対の平行平板から成るアブソーバ電極と、前記
一対のアブソーバ電極のそれぞれに、相互に等しい直流
正電圧を印加する電源とを備えることを特徴とする。 【０００９】上記の構成によれば、ビーム走査が、たと
えば水平方向の１次元で行われるときには、アブソーバ
電極が水平走査電極とマスクスリットとの間に設けら
れ、前記水平走査電極によってシート状の平行ビームと
されたイオンビームに対して、該イオンビームの走査方
向と略平行に延びるとともに、直流正電圧が印加される
アブソーバ電極によって、前記イオンビーム中に巻込ま
れている負電荷が吸収され、被照射物へは所望とするイ
オンのみが均一に照射されることになる。 【００１０】また、イオン注入装置が２次元方向の走査
を行う場合には、シート状の平行ビームを形成する第１
段目の走査電極、たとえば水平走査電極と、第２段目の
走査電極、すなわち垂直走査電極との間にアブソーバ電
極が介在される。 【００１１】これによって、残留気体やマスクスリット
などにイオンが衝突することによって発生した２次電子
は、確実にアブソーバ電極で捕捉されて電源に吸収さ
れ、被照射物に均一なイオンビーム照射を行うことがで
きる。 【００１２】 【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態について、
図１〜図４に基づいて説明すれば以下のとおりである。 【００１３】図１は本発明の実施の一形態のイオン注入
装置１の主要部の概略的構成を示す斜視図であり、図２
はそのイオン注入装置１の全体の構成を示す平面図であ
り、図３は図２の切断面線Ａ−Ａから見た断面図であ
る。イオン源２で生成されたイオンは、分析電磁石３に
入力されてボロンなどの注入すべき正イオンのみが抽出
された後、加速電極４へ入力される。この加速電極４で
加速および収束されたイオンは、第１の水平走査電極５
ａ，５ｂにおいて、水平方向に走査されてビーム幅が扇
状に拡大される。前記水平走査電極５ａ，５ｂからのイ
オンビームは、偏向電極６ａ，６ｂにおいて、所定の偏
向角θ、たとえば７°だけ偏向されて中性粒子が除去さ
れた後、第２の水平走査電極７ａ，７ｂに入力される。 【００１４】この水平走査電極７ａ，７ｂにおいて、前
記イオンビームは、シート状の平行ビームとされた後、
本発明に従うアブソーバ電極８ａ，８ｂおよびマスクス
リット９を通過して、被照射物であるウエハ１０に照射
される。前記ウエハ１０は、支持部材１１上に載置され
ており、この支持部材１１は、案内部材１２によって、
参照符１３で示す平面上を矢符１４で示す鉛直方向に変
位可能に支持されている。したがって、前記水平走査電
極５ａ，５ｂ；７ａ，７ｂによる水平方向の走査と、こ
の支持部材１１による鉛直方向の走査とによって、前記
ウエハ１０の表面に前記イオンビームが２次元走査され
てゆく。 【００１５】図４は、前記水平走査電極７ａ，７ｂおよ
びアブソーバ電極８ａ，８ｂの構造を詳細に説明するた
めの断面図である。この図４および前記図１を参照し
て、前記水平走査電極５ａ，５ｂ；７ａ，７ｂには、走
査電源２１から、三角波などで実現される所定の交番電
圧が印加される。ただし、水平走査電極５ａに正電圧が
印加され、水平走査電極５ｂに負電圧が印加されている
ときには、ビーム軸２２に対して、一方側に配置される
水平走査電極５ａに対応して、他方側に配置される水平
走査電極７ｂも正電圧とされ、他方側に配置される水平
走査電極５ｂに対応して、一方側に配置される水平走査
電極７ａも負電圧とされる。したがって、水平走査電極
５ａ，５ｂを通過することによって扇状に拡大されたビ
ームは、水平走査電極７ａ，７ｂによって、シート状の
平行ビームとされて出力される。 【００１６】また、偏向電極６ａには偏向電源２３から
直流負電圧が印加され、偏向電極６ｂには直流正電圧が
印加される。これによって、前述のように前記ビーム軸
２２は、水平から鉛直方向下方に前記偏向角θだけ偏向
し、中性粒子が除去されることになる。 【００１７】このように構成されるイオン注入装置１に
おいて、本発明では、イオンビームをシート状の平行ビ
ームとする水平走査電極７ａ，７ｂと、該イオンビーム
の拡がりを所定の幅に規制するマスクスリット９との間
に、アブソーバ電極８ａ，８ｂが配置される。このアブ
ソーバ電極８ａ，８ｂは、前記水平走査電極５ａ，５
ｂ；７ａ，７ｂと垂直方向に延びる一対の平行平板から
成り、したがって、前記水平走査電極５ａ，５ｂ；７
ａ，７ｂによって拡げられたイオンビームに対して略平
行となる。また本発明では、このアブソーバ電極８ａ，
８ｂには、直流電源２４から相互に等しい直流正電圧、
たとえば３００Ｖが印加される。 【００１８】ビーム軸２２を中心として、イオンビーム
周辺に漂っている電子に対して、水平走査電極５ａ，５
ｂ；７ａ，７ｂによる交番電界によって、該水平走査電
極５ａ，５ｂ；７ａ，７ｂのそれぞれの近傍付近にある
電子は、該水平走査電極５ａ，５ｂ；７ａ，７ｂが正電
圧となっているときに、吸収されて除去される。しかし
ながら、ビーム軸２２付近に存在する電子は、前述の中
性点効果によって前記水平走査電極５ａ，５ｂ；７ａ，
７ｂでは除去されないけれども、アブソーバ電極８ａ，
８ｂによってそれらは除去される。したがって、ウエハ
１０へ照射されるイオンビームは、シート状の平行なビ
ームのいずれの点においても、負電荷が除去されて正イ
オンが均等に存在するビームとなる。これによって、均
一なイオンビーム照射を行うことができる。 【００１９】前記アブソーバ電極８ａ，８ｂは、本実施
の一形態では、水平走査電極７ａ，７ｂを収納するチャ
ンバ２５に関連して設けられている。前記水平走査電極
７ａ，７ｂは、チャンバ２５の側壁に電気絶縁性の脚２
６によって支持されている。一方、アブソーバ電極８
ａ，８ｂは、前記ウエハ１０およびその支持部材１１等
が収納されるチャンバ２７側の取付フランジ２８にボル
ト２９，３０によって取付けられた支持部材３１，３２
に、電気絶縁性のスペーサ３３，３４を介してそれぞれ
取付けられている。なお、このアブソーバ電極８ａ，８
ｂは、水平走査電極７ａ，７ｂとマスクスリット９との
間で、かつ水平走査電極７ａ，７ｂと垂直であれば、チ
ャンバ２５または２７のいずれにどのような方法で固定
されてもよい。 【００２０】また、水平走査電極７ａ，７ｂおよびアブ
ソーバ電極８ａ，８ｂへのケーブルは、図示しない気密
の引出口を介して、チャンバ２５内に引込まれている。 【００２１】さらにまた、チャンバ２５とチャンバ２７
との連結部３５において、チャンバ２５に取付けられた
ブラケット３６によって、センタファラデー４１が支持
されている。このセンタファラデー４１は、前記偏向電
極６ａ，６ｂに電圧が印加されていない状態、すなわち
偏向角θが０°の状態で、かつ走査電圧が印加されてい
ない状態でのビームの絶対量を測定するために設けられ
ている。本実施の一形態では、このセンタファラデー４
１に対応して、アブソーバ電極８ａがアブソーバ電極８
ｂに比べて短く形成されているけれども、前記センタフ
ァラデー４１の測定に影響なく、かつ該センタファラデ
ー４１と電気的に絶縁して配置可能であるときには、ア
ブソーバ電極８ａは、さらに延長されてもよい。 【００２２】また、前記チャンバ２７側において、前記
取付フランジ２８には、多点ファラデー４２および左右
一対のドーズファラデー４３が設けられるとともに、フ
ードサプレッサ４４が設けられている。ドーズファラデ
ー４３は、ウエハ１０への実際のイオン注入量を計測す
る。またフードサプレッサ４４は、筒状に形成されて負
電圧に保持されており、ウエハ１０へのイオン注入によ
って該ウエハ１０の表面から放出された２次電子を捕捉
する。このフードサプレッサ４４は、取付部材４５によ
って、電気的に絶縁されてチャンバ２７に取付けられ
る。 【００２３】なお、上述の実施の一形態では、イオンビ
ームを水平走査電極５ａ，５ｂ；７ａ，７ｂによって水
平方向に走査するとともに、ウエハ１０を支持部材１１
および案内部材１２によって鉛直方向にも走査すること
によって、ウエハ１０へイオンビームを２次元的に照射
するようにしたけれども、垂直走査電極を設けてイオン
ビームを鉛直方向にも走査することによって、ウエハ１
０を変位することなしに、２次元的にイオンビームを照
射可能とした構成では、シート状の平行ビームを作成す
る水平走査電極７ａ，７ｂに続いて、アブソーバ電極８
ａ，８ｂが設けられ、さらにその下流側に垂直走査電極
が設けられることになる。また、垂直走査電極が上流側
に配置されるときには、この垂直走査電極に続いて、ア
ブソーバ電極８ａ，８ｂが、垂直走査電極と垂直となる
ように設けられる。このようにしても、中性点効果を抑
えて、均一なイオンビームの照射が可能となる。 【００２４】 【発明の効果】本発明に係るイオン注入装置は、以上の
ように、シート状の平行ビームを形成する走査電極の下
流側かつマスクスリットの上流側に、前記走査電極と垂
直な一対の平行平板から成り、相互に等しい直流正電圧
が印加されるアブソーバ電極を設ける構成である。 【００２５】それゆえ、残留気体やマスクスリットなど
にイオンが衝突することによって発生した２次電子は、
確実にアブソーバ電極で捕捉され、被照射物に均一なイ
オン注入を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態のイオン注入装置の主要
部を概略的に示す斜視図である。 【図２】前記イオン注入装置の全体の構成を示す平面図
である。 【図３】図２の切断面線Ａ−Ａから見た断面図である。 【図４】前記イオン注入装置における水平走査電極およ
び本発明に係るアブソーバ電極付近を拡大して示す断面
図である。 【符号の説明】 １ イオン注入装置 ２ イオン源 ３ 分析電磁石 ４ 加速電極 ５ａ 水平走査電極 ５ｂ 水平走査電極 ６ａ 偏向電極 ６ｂ 偏向電極 ７ａ 水平走査電極 ７ｂ 水平走査電極 ８ａ アブソーバ電極 ８ｂ アブソーバ電極 ９ マスクスリット １０ ウエハ ２１ 走査電源 ２３ 偏向電源 ２４ 直流電源 ２５ チャンバ ２７ チャンバ ３１ 支持部材 ３２ 支持部材 ４１ センタファラデー ４３ ドーズファラデー ４４ フードサプレッサ
部を概略的に示す斜視図である。 【図２】前記イオン注入装置の全体の構成を示す平面図
である。 【図３】図２の切断面線Ａ−Ａから見た断面図である。 【図４】前記イオン注入装置における水平走査電極およ
び本発明に係るアブソーバ電極付近を拡大して示す断面
図である。 【符号の説明】 １ イオン注入装置 ２ イオン源 ３ 分析電磁石 ４ 加速電極 ５ａ 水平走査電極 ５ｂ 水平走査電極 ６ａ 偏向電極 ６ｂ 偏向電極 ７ａ 水平走査電極 ７ｂ 水平走査電極 ８ａ アブソーバ電極 ８ｂ アブソーバ電極 ９ マスクスリット １０ ウエハ ２１ 走査電源 ２３ 偏向電源 ２４ 直流電源 ２５ チャンバ ２７ チャンバ ３１ 支持部材 ３２ 支持部材 ４１ センタファラデー ４３ ドーズファラデー ４４ フードサプレッサ
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(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 37/317
H01L 21/265
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】イオン源で生成したイオンを加速した後、
走査して、被照射物へ注入するイオン注入装置におい
て、 平行平板の一対の電極から成り、シート状の平行ビーム
を形成する走査電極の下流側かつマスクスリットの上流
側でビーム軌道に対して対称に設けられ、前記走査電極
と垂直な一対の平行平板から成るアブソーバ電極と、 前記一対のアブソーバ電極のそれぞれに、相互に等しい
直流正電圧を印加する電源とを備えることを特徴とする
イオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32582795A JP3397027B2 (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32582795A JP3397027B2 (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09161717A JPH09161717A (ja) | 1997-06-20 |
| JP3397027B2 true JP3397027B2 (ja) | 2003-04-14 |
Family
ID=18181054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32582795A Expired - Fee Related JP3397027B2 (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3397027B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4716399B2 (ja) * | 2004-05-21 | 2011-07-06 | 株式会社アルバック | イオン注入装置の静電偏向器 |
| US7019314B1 (en) * | 2004-10-18 | 2006-03-28 | Axcelis Technologies, Inc. | Systems and methods for ion beam focusing |
-
1995
- 1995-12-14 JP JP32582795A patent/JP3397027B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09161717A (ja) | 1997-06-20 |
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