JP4716399B2 - イオン注入装置の静電偏向器 - Google Patents
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以下、この従来のイオン注入装置の一例について、図4を用いて説明する。
図4は、従来のイオン注入装置100の概略構成を示す平面図である。
なお、同図中170は、図示しないエンドステーションに配置された半導体基板等のイオンを注入するターゲット、また、Bはイオンであるが、以下、走査中のイオンであることを示すために、「イオン」を、「イオンビーム」という場合がある。
質量分離器120は、イオンや電子等の荷電粒子が磁場又は電場中で偏向される性質を利用して、磁場、或いは、電場、又は、その双方を発生して、基板等のターゲット170に注入したいイオン種を特定するための装置である。
なお、図4に示した従来のイオン注入装置100は、質量分離器120としては電磁石タイプのものを用いている。
四重極レンズ150は、静磁場若しくは静磁場の作用により、このイオンビームBの広がりを収束させる装置で、光学上、光を収束させるレンズと同様の作用を有するものである。
なお、図4では、水平方向にイオンビームBを偏向する静電偏向器160を示したが、垂直方向に偏向する静電偏向器も用いられる場合がある。
図5は、静電偏向器160の原理を説明するための側面図である。
この走査電極162、164に、高速の走査波形の電圧を同期しないように印加し、上述したように、イオンの偏向角度を制御することにより、ターゲット170への均一なイオン注入を行う。
また、静電偏向器170は、偏向角度によるイオンビームBの収束や発散の変化を小さくすることが可能であり、イオンの注入均一性の制御性が向上するので、図4中のイオン注入装置100では、静電型の偏向器160を用いて説明している。
従って、イオンビームの中の各イオンにはそれぞれクーロン斥力が作用し、その正確な運動を定量的に解析するには、各粒子間の作用するクーロン力を考慮しなければならないが、イオンの数が膨大になると、それぞれのクーロン力を総て計算するのは不可能になる。
以下、イオンビームと空間電荷の関係を図5及び図6を用いて説明する。
図5は、静電偏向器160において、空間電荷が効かない場合のイオンビームの走査状態を示す側面図である。
図6は、静電偏向器160において、空間電荷が効く場合のイオンビームの走査状態を示す側面図である。
例えば、図5に示すように、静電偏向器160内で、偏向されず或いは偏向角が小さい場合は、イオンビームBはクーロン斥力が中和されているために、広がらずに、1対の走査電極162、164間を走査方向に並行して直進する。
この場合は、図6に示すように、イオンビームBのクーロン斥力により、静電偏向器160内でイオンビームBは走査方向に発散してしまう。
この結果、ターゲット170上におけるイオンビームBのスポット径が不安定になり、半導体基板等のターゲット170への均一なイオン注入が困難になる。
ここでは、イオン種をB+、イオンビームの電流を1.0mA、静電偏向器160を通過する際の運動エネルギーを10keVとする。
この条件において、イオンビームBの軌道計算を用いて、イオンビームBの外径を算出し、連続してプロットしたイオンビームBのエンベロープを図8及び図9に示す。
なお、このシミュレーションでは、イオン源110から加速管140入り口までの空間電荷の中和度は99%、静電偏向器160のイオン出射口から半導体基板等のターゲット170までの空間電荷の中和度は98%としている。
また、図8中、中心軸Cより上の曲線EHは、水平面のイオンビームBのエンベロープを、下側の曲線EVは、垂直面のイオンビームBのエンベロープを表している。
なお、図8中、中心軸Cの単位はm、縦軸はmmで示している。
また、図8と同様に、図9中、中心軸Cより上の曲線EHは、水平面のイオンビームBのエンベロープを、下側の曲線EVは、垂直面のイオンビームBのエンベロープを表している。
なお、図8同様、図9においても、中心軸Cの単位はm、縦軸はmmで示している。
このことは、ターゲット170のイオン注入面において、ターゲット170の中心部と周縁部において、イオンビームBのスポット径が変化し、イオンの均一な注入が困難になるという問題を抱えていることを示している。
しかし、この場合は、静電偏向器160BでイオンビームBの設計軌道を曲げるために、イオン注入に必要な各装置を設置する際のアライメントが困難になるという新たな問題が生じる。
(1)請求項1に記載したように構成すると、簡単な構成の付加で、空間電荷効果を常時効かせるようにすることが可能となり、イオン注入の均一性の不安定さを解消したイオン注入装置の静電偏向器とすることができる。
先ず、本発明のイオン注入装置の静電偏向器の第1の実施の形態について、図1を用いて説明する。
図1は、本発明のイオン注入装置の静電偏向器の第1の実施の形態の概略構成を示す斜視図である。
また、この小型電極16、18間に、イオンビームの空間電荷が形成する中心電位の2倍以上の電位差を印加する。
一般に、イオンビームの中心電位Vは、イオンビームやその空間電荷の系がイオンビームの設計軌道Cを中心軸として軸対称であるとした場合、式(1)で表される。
また、チャンバー内径Rcは、静電偏向器10の走査電極12、14ギャップの半分と考えても差し支えない。
例えば、静電偏向器10の平行平板型の走査電極12、14の長さを200mmとした場合、イオンビームの走査方向を1°偏向するのに要する電位差は約350ボルトである。
従って、小型電極16、18間に120ボルト程度の電位差を与えた場合でも、イオンビームの走査方向に大きな影響を与えない。
次に、本発明のイオン注入装置の静電偏向器の第2の実施の形態について、図2を用いて説明する。
図2は、本発明のイオン注入装置の静電偏向器の第2の実施の形態の概略構成を示す斜視図である。
また、この中空の電極26に、イオンビームの空間電荷が形成する中心電位より大きな電圧、例えば、第1の実施の形態と同じ条件で、イオンビームの中心電位が60Vとした場合は、それよりも大きな、例えば、100ボルト程度の電圧を印加すると、イオンビームに沿って電子が流れて、この中空の電極26に吸い取られる。
また、本実施の形態では、中空の電極26を静電偏向器10のイオンの入射口近傍20aに設置する構成で示したが、これを出射口近傍20bに取り付けるようにしても良い。
次に、本発明のイオン注入装置の静電偏向器の第3の実施の形態について、図3を用いて説明する。
図3は、本発明のイオン注入装置の静電偏向器の第3の実施の形態の概略構成を示す斜視図である。
しかし、静電偏向器の外部においては、空間電荷はクーロン斥力により、イオンビームを発散させる作用を有するものであるから、イオンビームの空間電荷が中和されるのが望ましい。
すると、この電極36、38により、電子の静電偏向器30内への流入や静電偏向器30外部への流出が防止できるので、静電偏向器30外部で、空間電荷の中和が維持でき、イオンビームの発散を抑えることができる。
但し、この場合は、イオンビームの電子を吸収する正電位に印加された電極39は、負電位に印加された電極36、38の内側に取り付ける必要がある。
先ず、本発明の静電偏向器は、イオンをスキャンさせて、イオン注入するイオン注入装置に適応可能であるので、図4で説明した従来のイオン注入装置の用途に限定されるものではない。
12、14、22、24、32、34:走査電極
16、18:小型電極
26、39:電極(電子の吸収電極)
36、38:電極(電子の流出入防止電極)
B:イオンビーム
C:イオンビームの設計軌道
Claims (7)
- イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速して、イオンを注入するイオン注入装置に用いられるとともに、走査電極をイオンの走査方向に配置し、前記イオンを偏向する静電偏向器において、
前記静電偏向器内部であって、前記走査電極間に、前記イオンビームの走査方向に平行、かつ、前記走査電極に直交する平面に、前記イオンビーム内の電子を吸収する小型電極を取り付けるようにしたことを特徴とするイオン注入装置の静電偏向器。 - イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速して、イオンを注入するイオン注入装置に用いられるとともに、走査電極をイオンの走査方向に配置し、前記イオンを偏向する静電偏向器において、
前記静電偏向器内部であって、前記走査電極間に、前記イオンビームの走査方向に平行、かつ、前記走査電極に直交する平面に、該イオンビームの設計軌道を挟んで、前記イオンビーム内の電子を吸収する1対の小型電極を対向配置したことを特徴とするイオン注入装置の静電偏向器。 - 上記静電偏向器内部に取り付けられる1対の小型電極間に、イオンビームの空間電荷が形成する中心電位の2倍程度以上の大きさの電位差を印加したことを特徴とする請求項2に記載のイオン注入装置の静電偏向器。
- イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速して、イオンを注入するイオン注入装置に用いられるとともに、走査電極をイオンの走査方向に配置し、前記イオンを偏向する静電偏向器において、
前記静電偏向器のイオン入射口近傍及びイオン出射口近傍の双方に、前記静電偏向器の外部からの電子の流入と、外部への電子の流出を防止する電極を取り付けると共に、前記静電偏向器のイオン入射口近傍若しくはイオン出射口近傍のいずれか一方に、イオンビーム内の電子を吸収する正の電圧を印加した電極を取り付けるようにしたことを特徴とするイオン注入装置の静電偏向器。 - 上記静電偏向器のイオン入射口近傍若しくはイオン出射口近傍のいずれか一方に取り付けられる電極に、イオンビームの空間電荷が形成する中心電位より大きな正の電圧を印加したことを特徴とする請求項4に記載のイオン注入装置の静電偏向器。
- 上記静電偏向器のイオン入射口近傍及びイオン出射口近傍の双方に取り付けられる電極に、イオンビームの中心電位よりも、その絶対値が大きい負の電圧を印加したことを特徴とする請求項4又は5に記載のイオン注入装置の静電偏向器。
- 請求項4乃至6のいずれかに記載の静電偏向器において、上記静電偏向器の外部からの電子の流入と、外部への電子の流出を防止する電極の内側に、請求項1乃至3のいずれかに記載の小型電極を取り付けるようにしたことを特徴とするイオン注入装置の静電偏向器。
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