JP3381288B2 - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、中性ビームを分離す
る等のために、偏向電極によってイオンビームを一定方
向に偏向させるようにしたイオン注入装置に関し、より
具体的には、この偏向電極のすぐ下流側にあるマスク板
のスリット付近にイオンビームが当たることによって発
生する電子がターゲットのある下流側へ向けて加速され
るのを防止する手段に関する。 【０００２】 【従来の技術】この種のイオン注入装置の従来例を図４
に示す。このイオン注入装置は、いわゆるパラレルスキ
ャンかつハイブリッドスキャン方式のものであり、図示
しないイオン源から引き出され、かつ必要に応じて質量
分析、加速等の行われたスポット状のイオンビーム２
を、走査電源１８から互いに１８０度位相の異なる概ね
三角波状の走査電圧Ｖ1 、Ｖ2 が印加される二対の走査
電極４および６の協働によって、即ち一方の走査電極４
で偏向させたイオンビーム２を他方の走査電極６で同じ
角度だけ逆方向に偏向させることにより、Ｘ方向（例え
ば水平方向。以下同じ）に静電的に平行走査して幅広の
イオンビーム（パラレルビーム）２を作るようにしてい
る。 【０００３】両走査電極４、６の間には、偏向電源２０
から直流で正の偏向電圧Ｖ3 および直流で負の偏向電圧
Ｖ4 がそれぞれ印加される一対の偏向電極８が設けられ
ており、これによって幅広のイオンビーム２を前記Ｘ方
向と実質的に直交するＹ方向（例えば垂直方向。以下同
じ）に所定の角度（例えば７度程度）偏向させ、直進す
る中性ビームを分離するようにしている。 【０００４】偏向電源２０は、この例では、直流電源２
２と、その出力電圧の極性を反転させるインバータ２４
と、直流電源２２およびインバータ２４からの電圧をそ
れぞれ増幅する高電圧アンプ２６および２８とを有して
おり、図５に示すように、互いに絶対値が等しい正の偏
向電圧Ｖ3 および負の偏向電圧Ｖ4 を発生させる。 【０００５】偏向電極８のすぐ下流側には、イオンビー
ム２が走査電極６や他の構造物に当たらないようにする
ために、スリット１２を有するマスク板１０が設けられ
ており、偏向電極８で下向きに曲げられたイオンビーム
２をこのスリット１２を通過させた後にターゲット（例
えばウェーハ）１４に照射するようにしている。 【０００６】また、走査電極６の下流側に前記ターゲッ
ト１４を保持するホルダ１６を配置すると共に、それら
を図示しないターゲット駆動装置によってイオンビーム
２の照射領域内において前記Ｙ方向に機械的に走査し、
これとイオンビーム２の前記Ｘ方向の走査との協働によ
って、ターゲット４の全面にできるだけ均一にイオン注
入を行うようにしている。 【０００７】ホルダ１６の横にはビーム電流計測器１７
が設けられており、これに幅広のイオンビーム２の一部
分を入射させて、イオンビーム２のビーム電流を計測
し、これによってターゲット１４に対するイオン注入量
を計測できるようにしている。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】上記イオン注入装置に
おいては、偏向電極８とマスク板１０付近の電位は図６
のようになっている。即ち、両偏向電極８間の中心線９
上がゼロ（即ちグラウンド）電位であり、それより上側
（即ち正の偏向電圧Ｖ3 が印加される偏向電極８側）が
正電位、下側（即ち負の偏向電圧Ｖ4 が印加される偏向
電極８側）が負電位になっている。 【０００９】一般的にイオンビーム２は、偏向電極８間
にゼロ電位である中心線９上から入射して負電位側に抜
けて行く。従って、マスク板１０のスリット１２付近も
負電位になっているため、イオンビーム２の一部分がマ
スク板１０のスリット１２付近に当たることによってマ
スク板１０から放出される電子は、スリット１２付近の
負電位によって加速されて下流側に飛んで行く。このと
き電子が得るエネルギーは、スリット１２付近の電位に
依存するが、例えば大きい場合は数ＫｅＶにもなる。 【００１０】このようにして下流側に向けて加速された
電子の一部はターゲット１４に当たって、ターゲット１
４に負のチャージアップ（帯電）を発生させるという問
題が生じる。 【００１１】また、ビーム電流計測器１７は通常は、フ
ァラデーカップとその上流側に設けられたサプレッサ電
極とで構成されているが、上記のようにして加速された
電子の一部が、このサプレッサ電極による電位障壁（例
えば数百Ｖ〜１ＫＶ程度）を通過してファラデーカップ
に入射する。電子がファラデーカップに入射すると、イ
オンビーム２による電流を打ち消す方向の電流が流れ、
従って実際のビーム電流よりも計測値が小さくなるた
め、ターゲット１４に対し多く注入してしまうという問
題が生じる。 【００１２】そこでこの発明は、イオンビームがマスク
板のスリット付近に当たることによって発生する電子
が、ターゲットのある下流側に向けて加速されるのを防
止することができるようにしたイオン注入装置を提供す
ることを主たる目的とする。 【００１３】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のイオン注入装置は、直流のオフセット電
源を設けて、前述したような一対の偏向電極に印加され
る偏向電圧に互いに同じ極性のオフセット電圧をそれぞ
れ加え、それによって前述したようなマスク板のスリッ
ト付近の電位が正またはゼロ付近になるようにしたこと
を特徴とする。 【００１４】 【作用】上記構成によれば、イオンビームがマスク板の
スリット付近に当たることによって電子が発生しても、
当該スリット付近の電位は正またはゼロ付近であるの
で、当該電子がターゲットのある下流側へ向けて加速さ
れることは無くなる。 【００１５】 【実施例】図１は、この発明の一実施例に係るイオン注
入装置を部分的に示す図である。図４の従来例と同一ま
たは相当する部分には同一符号を付し、以下においては
当該従来例との相違点を主に説明する。 【００１６】この実施例においては、従来の偏向電源２
０の構成を次のように変更した偏向電源２０ａを設けて
いる。即ち、直流のオフセット電源３０と、それからの
正の電圧を直流電源２２からの出力電圧およびインバー
タ２４からの出力電圧にそれぞれ加算するアナログ加算
器３２および３４を追加している。そして、このアナロ
グ加算器３２および３４からの出力電圧を高電圧アンプ
２６および２８でそれぞれ増幅して偏向電圧Ｖ5 および
Ｖ6 を作り、これを偏向電極８に印加するようにしてい
る。 【００１７】この偏向電極Ｖ5 およびＶ6 の波形の一例
を図２に示す。この例では、両偏向電圧Ｖ5 、Ｖ6 は、
図５で示したような偏向電圧Ｖ3 、Ｖ4 に、互いに同じ
極性かつ同じ大きさのオフセット電圧Ｖ0 をそれぞれ加
えたものである。 【００１８】そしてこのような偏向電圧Ｖ5 、Ｖ6 によ
って、マスク板１０のスリット１２付近の電位が正また
はゼロ（グラウンド）付近になるようにしている。 【００１９】例えば、再び図６を参照して、偏向電極８
の長さＬを２００ｍｍ、両偏向電極８間の間隔Ｄを８０
ｍｍ、イオンビーム２の偏向角度θを７度、両偏向電極
８に印加する偏向電圧Ｖ3 を＋１５ＫＶ、偏向電圧Ｖ4
を−１５ＫＶとした場合、偏向電極８の出口部Ｐでの電
位ＥP は、次式より約−４．６ＫＶになる。 【００２０】 【数１】 ＥP ＝−（Ｌ／２）×tan７°×（１５×２）／Ｄ ＝−（２００／２）×tan７°×（１５×２）／８０ ＝−１００×tan７°×（３０／８０） ≒−４．６ 【００２１】マスク板１０は偏向電極８の出口部のすぐ
近くにあるから、前記オフセット電圧Ｖ0 として５ＫＶ
程度を加えれば、即ち前述した偏向電圧Ｖ3 およびＶ4
に５ＫＶをそれぞれ加えた偏向電圧Ｖ5 およびＶ6 を偏
向電極８に印加すれば、マスク板１０のスリット１２付
近の電位は５−４．６＝＋０．４ＫＶとなる。 【００２２】その結果、イオンビーム２がマスク板１０
のスリット１２付近に当たることによって電子が発生し
ても、スリット１２付近の電位は＋０．４ＫＶという正
電位であるので、電子はこの電位に捕捉され、あるいは
捕捉されないまでも加速されないので、当該電子がター
ゲット１４のある下流側へ向けて加速されることは無く
なる。 【００２３】その結果、高エネルギーの電子がターゲッ
ト１４に入射することによるターゲット１４の負のチャ
ージアップや、同電子がビーム電流計測器１７に入射す
ることによるビーム電流の計測誤差が発生するのを防止
することができる。 【００２４】なお、上記のように偏向電圧Ｖ3 、Ｖ4 に
オフセット電圧Ｖ0 を加えた偏向電圧Ｖ5 、Ｖ6 を用い
ても、イオンビーム２は両偏向電圧Ｖ5 、Ｖ6 の差によ
って偏向されるから、イオンビーム２の偏向自体につい
ては従来例と変わらない。 【００２５】また、元の偏向電極Ｖ3 およびＶ4 にオフ
セット電圧を加える回路構成は、図１の例以外のものも
採り得る。例えば、上記オフセット電源３０およびアナ
ログ加算器３２、３４に相当するものを高電圧アンプ２
６および２８にそれぞれ内蔵させても良いし、あるいは
図３に示す偏向電源２０ｂのように、オフセット電圧Ｖ
0 をそれぞれ出力するオフセット電源３６および３８を
高電圧アンプ２６および２８にそれぞれ直列に挿入して
も良い。 【００２６】また、この発明は、上記例のようなパラレ
ルスキャン方式やハイブリッドスキャン方式のイオン注
入装置に限定されるものではなく、偏向電極およびその
すぐ下流側にマスク板を有するイオン注入装置に広く適
用することができる。 【００２７】 【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、イオン
ビームがマスク板のスリット付近に当たることによって
電子が発生しても、当該スリット付近の電位が正または
ゼロ付近になるようにしているので、当該電子がターゲ
ットのある下流側へ向けて加速されるのを防止すること
ができる。その結果、高エネルギーの電子がターゲット
に入射することによるターゲットの負のチャージアップ
や、同電子がビーム電流計測器に入射することによるビ
ーム電流の計測誤差が発生するのを防止することができ
る。
る等のために、偏向電極によってイオンビームを一定方
向に偏向させるようにしたイオン注入装置に関し、より
具体的には、この偏向電極のすぐ下流側にあるマスク板
のスリット付近にイオンビームが当たることによって発
生する電子がターゲットのある下流側へ向けて加速され
るのを防止する手段に関する。 【０００２】 【従来の技術】この種のイオン注入装置の従来例を図４
に示す。このイオン注入装置は、いわゆるパラレルスキ
ャンかつハイブリッドスキャン方式のものであり、図示
しないイオン源から引き出され、かつ必要に応じて質量
分析、加速等の行われたスポット状のイオンビーム２
を、走査電源１８から互いに１８０度位相の異なる概ね
三角波状の走査電圧Ｖ1 、Ｖ2 が印加される二対の走査
電極４および６の協働によって、即ち一方の走査電極４
で偏向させたイオンビーム２を他方の走査電極６で同じ
角度だけ逆方向に偏向させることにより、Ｘ方向（例え
ば水平方向。以下同じ）に静電的に平行走査して幅広の
イオンビーム（パラレルビーム）２を作るようにしてい
る。 【０００３】両走査電極４、６の間には、偏向電源２０
から直流で正の偏向電圧Ｖ3 および直流で負の偏向電圧
Ｖ4 がそれぞれ印加される一対の偏向電極８が設けられ
ており、これによって幅広のイオンビーム２を前記Ｘ方
向と実質的に直交するＹ方向（例えば垂直方向。以下同
じ）に所定の角度（例えば７度程度）偏向させ、直進す
る中性ビームを分離するようにしている。 【０００４】偏向電源２０は、この例では、直流電源２
２と、その出力電圧の極性を反転させるインバータ２４
と、直流電源２２およびインバータ２４からの電圧をそ
れぞれ増幅する高電圧アンプ２６および２８とを有して
おり、図５に示すように、互いに絶対値が等しい正の偏
向電圧Ｖ3 および負の偏向電圧Ｖ4 を発生させる。 【０００５】偏向電極８のすぐ下流側には、イオンビー
ム２が走査電極６や他の構造物に当たらないようにする
ために、スリット１２を有するマスク板１０が設けられ
ており、偏向電極８で下向きに曲げられたイオンビーム
２をこのスリット１２を通過させた後にターゲット（例
えばウェーハ）１４に照射するようにしている。 【０００６】また、走査電極６の下流側に前記ターゲッ
ト１４を保持するホルダ１６を配置すると共に、それら
を図示しないターゲット駆動装置によってイオンビーム
２の照射領域内において前記Ｙ方向に機械的に走査し、
これとイオンビーム２の前記Ｘ方向の走査との協働によ
って、ターゲット４の全面にできるだけ均一にイオン注
入を行うようにしている。 【０００７】ホルダ１６の横にはビーム電流計測器１７
が設けられており、これに幅広のイオンビーム２の一部
分を入射させて、イオンビーム２のビーム電流を計測
し、これによってターゲット１４に対するイオン注入量
を計測できるようにしている。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】上記イオン注入装置に
おいては、偏向電極８とマスク板１０付近の電位は図６
のようになっている。即ち、両偏向電極８間の中心線９
上がゼロ（即ちグラウンド）電位であり、それより上側
（即ち正の偏向電圧Ｖ3 が印加される偏向電極８側）が
正電位、下側（即ち負の偏向電圧Ｖ4 が印加される偏向
電極８側）が負電位になっている。 【０００９】一般的にイオンビーム２は、偏向電極８間
にゼロ電位である中心線９上から入射して負電位側に抜
けて行く。従って、マスク板１０のスリット１２付近も
負電位になっているため、イオンビーム２の一部分がマ
スク板１０のスリット１２付近に当たることによってマ
スク板１０から放出される電子は、スリット１２付近の
負電位によって加速されて下流側に飛んで行く。このと
き電子が得るエネルギーは、スリット１２付近の電位に
依存するが、例えば大きい場合は数ＫｅＶにもなる。 【００１０】このようにして下流側に向けて加速された
電子の一部はターゲット１４に当たって、ターゲット１
４に負のチャージアップ（帯電）を発生させるという問
題が生じる。 【００１１】また、ビーム電流計測器１７は通常は、フ
ァラデーカップとその上流側に設けられたサプレッサ電
極とで構成されているが、上記のようにして加速された
電子の一部が、このサプレッサ電極による電位障壁（例
えば数百Ｖ〜１ＫＶ程度）を通過してファラデーカップ
に入射する。電子がファラデーカップに入射すると、イ
オンビーム２による電流を打ち消す方向の電流が流れ、
従って実際のビーム電流よりも計測値が小さくなるた
め、ターゲット１４に対し多く注入してしまうという問
題が生じる。 【００１２】そこでこの発明は、イオンビームがマスク
板のスリット付近に当たることによって発生する電子
が、ターゲットのある下流側に向けて加速されるのを防
止することができるようにしたイオン注入装置を提供す
ることを主たる目的とする。 【００１３】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のイオン注入装置は、直流のオフセット電
源を設けて、前述したような一対の偏向電極に印加され
る偏向電圧に互いに同じ極性のオフセット電圧をそれぞ
れ加え、それによって前述したようなマスク板のスリッ
ト付近の電位が正またはゼロ付近になるようにしたこと
を特徴とする。 【００１４】 【作用】上記構成によれば、イオンビームがマスク板の
スリット付近に当たることによって電子が発生しても、
当該スリット付近の電位は正またはゼロ付近であるの
で、当該電子がターゲットのある下流側へ向けて加速さ
れることは無くなる。 【００１５】 【実施例】図１は、この発明の一実施例に係るイオン注
入装置を部分的に示す図である。図４の従来例と同一ま
たは相当する部分には同一符号を付し、以下においては
当該従来例との相違点を主に説明する。 【００１６】この実施例においては、従来の偏向電源２
０の構成を次のように変更した偏向電源２０ａを設けて
いる。即ち、直流のオフセット電源３０と、それからの
正の電圧を直流電源２２からの出力電圧およびインバー
タ２４からの出力電圧にそれぞれ加算するアナログ加算
器３２および３４を追加している。そして、このアナロ
グ加算器３２および３４からの出力電圧を高電圧アンプ
２６および２８でそれぞれ増幅して偏向電圧Ｖ5 および
Ｖ6 を作り、これを偏向電極８に印加するようにしてい
る。 【００１７】この偏向電極Ｖ5 およびＶ6 の波形の一例
を図２に示す。この例では、両偏向電圧Ｖ5 、Ｖ6 は、
図５で示したような偏向電圧Ｖ3 、Ｖ4 に、互いに同じ
極性かつ同じ大きさのオフセット電圧Ｖ0 をそれぞれ加
えたものである。 【００１８】そしてこのような偏向電圧Ｖ5 、Ｖ6 によ
って、マスク板１０のスリット１２付近の電位が正また
はゼロ（グラウンド）付近になるようにしている。 【００１９】例えば、再び図６を参照して、偏向電極８
の長さＬを２００ｍｍ、両偏向電極８間の間隔Ｄを８０
ｍｍ、イオンビーム２の偏向角度θを７度、両偏向電極
８に印加する偏向電圧Ｖ3 を＋１５ＫＶ、偏向電圧Ｖ4
を−１５ＫＶとした場合、偏向電極８の出口部Ｐでの電
位ＥP は、次式より約−４．６ＫＶになる。 【００２０】 【数１】 ＥP ＝−（Ｌ／２）×tan７°×（１５×２）／Ｄ ＝−（２００／２）×tan７°×（１５×２）／８０ ＝−１００×tan７°×（３０／８０） ≒−４．６ 【００２１】マスク板１０は偏向電極８の出口部のすぐ
近くにあるから、前記オフセット電圧Ｖ0 として５ＫＶ
程度を加えれば、即ち前述した偏向電圧Ｖ3 およびＶ4
に５ＫＶをそれぞれ加えた偏向電圧Ｖ5 およびＶ6 を偏
向電極８に印加すれば、マスク板１０のスリット１２付
近の電位は５−４．６＝＋０．４ＫＶとなる。 【００２２】その結果、イオンビーム２がマスク板１０
のスリット１２付近に当たることによって電子が発生し
ても、スリット１２付近の電位は＋０．４ＫＶという正
電位であるので、電子はこの電位に捕捉され、あるいは
捕捉されないまでも加速されないので、当該電子がター
ゲット１４のある下流側へ向けて加速されることは無く
なる。 【００２３】その結果、高エネルギーの電子がターゲッ
ト１４に入射することによるターゲット１４の負のチャ
ージアップや、同電子がビーム電流計測器１７に入射す
ることによるビーム電流の計測誤差が発生するのを防止
することができる。 【００２４】なお、上記のように偏向電圧Ｖ3 、Ｖ4 に
オフセット電圧Ｖ0 を加えた偏向電圧Ｖ5 、Ｖ6 を用い
ても、イオンビーム２は両偏向電圧Ｖ5 、Ｖ6 の差によ
って偏向されるから、イオンビーム２の偏向自体につい
ては従来例と変わらない。 【００２５】また、元の偏向電極Ｖ3 およびＶ4 にオフ
セット電圧を加える回路構成は、図１の例以外のものも
採り得る。例えば、上記オフセット電源３０およびアナ
ログ加算器３２、３４に相当するものを高電圧アンプ２
６および２８にそれぞれ内蔵させても良いし、あるいは
図３に示す偏向電源２０ｂのように、オフセット電圧Ｖ
0 をそれぞれ出力するオフセット電源３６および３８を
高電圧アンプ２６および２８にそれぞれ直列に挿入して
も良い。 【００２６】また、この発明は、上記例のようなパラレ
ルスキャン方式やハイブリッドスキャン方式のイオン注
入装置に限定されるものではなく、偏向電極およびその
すぐ下流側にマスク板を有するイオン注入装置に広く適
用することができる。 【００２７】 【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、イオン
ビームがマスク板のスリット付近に当たることによって
電子が発生しても、当該スリット付近の電位が正または
ゼロ付近になるようにしているので、当該電子がターゲ
ットのある下流側へ向けて加速されるのを防止すること
ができる。その結果、高エネルギーの電子がターゲット
に入射することによるターゲットの負のチャージアップ
や、同電子がビーム電流計測器に入射することによるビ
ーム電流の計測誤差が発生するのを防止することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例に係るイオン注入装置を部
分的に示す図である。 【図２】図１の装置における偏向電圧の波形の一例を示
す図である。 【図３】偏向電源の他の例を示す回路図である。 【図４】従来のイオン注入装置の一例を部分的に示す図
である。 【図５】図４の装置における偏向電圧の波形の一例を示
す図である。 【図６】偏向電極およびマスク板周りの拡大断面図であ
る。 【符号の説明】 ２ イオンビーム ８ 偏向電極 １０ マスク板 １２ スリット １４ ターゲット ２０ａ，２０ｂ 偏向電源 ２２ 直流電源 ２４ インバータ ２６，２８ 高電圧アンプ ３０ オフセット電源 ３２，３４ アナログ加算器 ３６，３８ オフセット電源
分的に示す図である。 【図２】図１の装置における偏向電圧の波形の一例を示
す図である。 【図３】偏向電源の他の例を示す回路図である。 【図４】従来のイオン注入装置の一例を部分的に示す図
である。 【図５】図４の装置における偏向電圧の波形の一例を示
す図である。 【図６】偏向電極およびマスク板周りの拡大断面図であ
る。 【符号の説明】 ２ イオンビーム ８ 偏向電極 １０ マスク板 １２ スリット １４ ターゲット ２０ａ，２０ｂ 偏向電源 ２２ 直流電源 ２４ インバータ ２６，２８ 高電圧アンプ ３０ オフセット電源 ３２，３４ アナログ加算器 ３６，３８ オフセット電源
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 37/317
C23C 14/48
C23C 14/54
H01L 21/265 603
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 相対向する一対の偏向電極と、この偏向
電極の一方に直流で正の偏向電圧を、他方に直流で負の
偏向電圧をそれぞれ印加する偏向電源と、前記偏向電極
のすぐ下流側に設けられたマスク板であってスリットを
有するものとを備え、前記偏向電極で一定方向に偏向さ
せたイオンビームを前記マスク板のスリットを通過させ
た後にターゲットに照射するようにしたイオン注入装置
において、直流のオフセット電源を設けて、前記両偏向
電極に印加される偏向電圧に互いに同じ極性のオフセッ
ト電圧をそれぞれ加え、それによって前記マスク板のス
リット付近の電位が正またはゼロ付近になるようにした
ことを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02763793A JP3381288B2 (ja) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02763793A JP3381288B2 (ja) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06223768A JPH06223768A (ja) | 1994-08-12 |
| JP3381288B2 true JP3381288B2 (ja) | 2003-02-24 |
Family
ID=12226462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02763793A Expired - Fee Related JP3381288B2 (ja) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3381288B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011003457A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Tokyo Electron Ltd | 荷電粒子選別装置及び荷電粒子照射装置 |
-
1993
- 1993-01-22 JP JP02763793A patent/JP3381288B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06223768A (ja) | 1994-08-12 |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071220 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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