JPH0736321B2 - 定量的電位測定用スペクトロメ−タ−対物レンズ装置 - Google Patents
定量的電位測定用スペクトロメ−タ−対物レンズ装置Info
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- JPH0736321B2 JPH0736321B2 JP61135876A JP13587686A JPH0736321B2 JP H0736321 B2 JPH0736321 B2 JP H0736321B2 JP 61135876 A JP61135876 A JP 61135876A JP 13587686 A JP13587686 A JP 13587686A JP H0736321 B2 JPH0736321 B2 JP H0736321B2
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- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
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- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
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- H01J49/46—Static spectrometers
- H01J49/48—Static spectrometers using electrostatic analysers, e.g. cylindrical sector, Wien filter
- H01J49/488—Static spectrometers using electrostatic analysers, e.g. cylindrical sector, Wien filter with retarding grids
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、試料上に一次電子線を収束するための対物レ
ンズと、測定個所において一次電子線により放出された
二次電子を吸引するための電極装置と二次電子を減速さ
せる逆電界を発生するための電極装置とを有する静電的
逆電界スペクトロメータとが１つの電子光学的ユニット
を形成しており、また二次電子を検知するための検出器
装置が付設されている高い二次電子アクセプタンスを有
し収差の少ない電子線測定技術における定量的電位測定
用スペクトロメータ−対物レンズ装置に関する。
ンズと、測定個所において一次電子線により放出された
二次電子を吸引するための電極装置と二次電子を減速さ
せる逆電界を発生するための電極装置とを有する静電的
逆電界スペクトロメータとが１つの電子光学的ユニット
を形成しており、また二次電子を検知するための検出器
装置が付設されている高い二次電子アクセプタンスを有
し収差の少ない電子線測定技術における定量的電位測定
用スペクトロメータ−対物レンズ装置に関する。
高密度に集積された回路内の節点または導電帯における
定量的電位測定のためには現在、電子線断続システムお
よび逆電界スペクトロメータを備えた通常の走査電子顕
微鏡が使用される。しかしながら、改良された走査電子
顕微鏡によってもサブミクロ範囲内の構造を有する高密
度集積回路を検査するための十分に精細な電子ゾンデは
得られない。なぜならば、この装置はたいていの場合絶
縁された保持体物質上に配置されている構成要素の電子
線損傷および充電を回避するために低い一次電子エネル
ギーで使用されなければならないからである。主そして
対物レンズの軸線方向の色収差と電子−電子相互作用
（ベルシュ（Boersch）効果）とにより制限される位置
分解能の明白な改善は小数の電子線交叉点と短い焦点距
離の対物レンズとを有する短い電子光学的路長によって
のみ達成可能である。主として焦点距離および作動距離
により決定される色収差および球面収差を減少するため
短い作動距離を有する短焦点距離の対物レンズを使用す
る試みはこれまで、対物レンズと試料との間に二次電子
スペクトロメータが配置されている通常の電子線測定装
置の構成からして失敗した。
定量的電位測定のためには現在、電子線断続システムお
よび逆電界スペクトロメータを備えた通常の走査電子顕
微鏡が使用される。しかしながら、改良された走査電子
顕微鏡によってもサブミクロ範囲内の構造を有する高密
度集積回路を検査するための十分に精細な電子ゾンデは
得られない。なぜならば、この装置はたいていの場合絶
縁された保持体物質上に配置されている構成要素の電子
線損傷および充電を回避するために低い一次電子エネル
ギーで使用されなければならないからである。主そして
対物レンズの軸線方向の色収差と電子−電子相互作用
（ベルシュ（Boersch）効果）とにより制限される位置
分解能の明白な改善は小数の電子線交叉点と短い焦点距
離の対物レンズとを有する短い電子光学的路長によって
のみ達成可能である。主として焦点距離および作動距離
により決定される色収差および球面収差を減少するため
短い作動距離を有する短焦点距離の対物レンズを使用す
る試みはこれまで、対物レンズと試料との間に二次電子
スペクトロメータが配置されている通常の電子線測定装
置の構成からして失敗した。
二次電子スペクトロメータが組込まれた対物レンズ（ス
ペクトロメータ−対物レンズ装置）の開発により初めて
作動距離により対物レンズの収差が減少され、従ってま
た試料上のゾンデ直径が縮小され得た。このようなスペ
クトロメータ−対物レンズ装置は1984年11月９、10日に
大阪で開催された電子ビーム検査に関するシンポジュー
ムの論文集の第69〜72頁のカワモト氏の論文「イン・ザ
・レンズ・アナライザにより電子ビームテスタ（Electr
on Beam Tester with In-the-Lens-Analyzer）」から公
知である。
ペクトロメータ−対物レンズ装置）の開発により初めて
作動距離により対物レンズの収差が減少され、従ってま
た試料上のゾンデ直径が縮小され得た。このようなスペ
クトロメータ−対物レンズ装置は1984年11月９、10日に
大阪で開催された電子ビーム検査に関するシンポジュー
ムの論文集の第69〜72頁のカワモト氏の論文「イン・ザ
・レンズ・アナライザにより電子ビームテスタ（Electr
on Beam Tester with In-the-Lens-Analyzer）」から公
知である。
この公知の装置は組み込まれた平行板アナライザと、対
物レンズの上側に配置されており検出器の方向に二次電
子を偏向させるための電極とを有する短い焦点距離の対
物磁界レンズが対象となっている。
物レンズの上側に配置されており検出器の方向に二次電
子を偏向させるための電極とを有する短い焦点距離の対
物磁界レンズが対象となっている。
しかしながら、平らな吸引および逆電界電極を有するこ
の公知のスペクトロメータ−対物レンズ装置では、試料
上て放出されかつ一層大きな立体角範囲に放射された二
次電子を角度に無関係に検出することは可能でなく、従
ってそれにより惹起される測定誤差の結果として到達可
能な電位分解能が制限される。
の公知のスペクトロメータ−対物レンズ装置では、試料
上て放出されかつ一層大きな立体角範囲に放射された二
次電子を角度に無関係に検出することは可能でなく、従
ってそれにより惹起される測定誤差の結果として到達可
能な電位分解能が制限される。
〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明の目的は、冒頭に記載した種類の収差の少ないス
ペクトロメータ−対物レンズ装置であって、高い二次電
子アクセプタンスを有し、また二次電子を測定個所にお
ける放出方向に無関係に角度に無関係に検出し得るスペ
クトロメータ−対物レンズ装置を提供することである。
ペクトロメータ−対物レンズ装置であって、高い二次電
子アクセプタンスを有し、また二次電子を測定個所にお
ける放出方向に無関係に角度に無関係に検出し得るスペ
クトロメータ−対物レンズ装置を提供することである。
この目的は、本発明によれば、特許請求の範囲第１項に
記載のスペクトロメータ−対物レンズ装置により達成さ
れる。
記載のスペクトロメータ−対物レンズ装置により達成さ
れる。
特許請求の範囲第２項ないし第10項には本発明の好まし
い実施態様が示されている。
い実施態様が示されている。
以下、図面に示されている実施例により本発明を一層詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図に示されている本発明によるスペクトロメータ−
対物レンズ装置の実施例は短焦点距離の対物磁界レンズ
と、この磁界レンズの内側に配置されたスペクトロメー
タ−検出器装置とから成っている。この全体構成は１つ
の電子光学的ユニットを形成し、それにより電子源で発
生された一次電子PEも試料PR上で放出された二次電子SE
も光軸OA上に位置する１つの点に収束される。精細な電
子ゾンデを発生するため、集光レンズにより発生された
電子源の中間像ZPがビーム形成機構の一部分を成すスペ
クトロメータ−対物レンズ装置により縮小されて、対物
レンズOLの焦点面内に配置された試料PRの上に結像され
る。本発明によるスペクトロメータ−対物レンズ装置に
より、従来の装置と比較して、対物レンズOLの色収差お
よび球面収差、従ってまた試料PR上のゾンデ直径に決定
的に影響する作動距離Ｌを非常に短くすることができ
る。測定点において高エネルギーの一次電子PEにより一
次電子PEと固体物質との相互作用の結果として放出され
試料PR上の全立体角に放射された低エネルギーの二次電
子SEを検出するため、これらの二次電子SEは対物レンズ
OLの磁極片の間に突出している平らな網電極G1の電界内
に吸引され、また光軸OAの方向に典型的には１ないし2k
eVの比較的高いエネルギーに加速される。高エネルギー
の二次電子SEは網電極G1を通過し、また光軸OA上で対物
レンズの内側に位置する点ZSに二次電子SEを収束する磁
極片間の磁界のなかに到達する。試料PRの下側に位置す
る虚の二次電子源QSの実の中間像として解釈すべきこの
収束点の位置は正の網電極電圧VEの大きさと対物レンズ
OLの磁極片間の一次電子エネルギーに関係する磁界の強
さとにより決定される。この場合、虚の二次電子源QSは
試料PRの下側のすべての虚の二次電子軌跡の最小の焦線
断面として定義される。対物レンズOLの場のなかのすべ
ての二次電子SEの共通の収束は主として高い運動エネル
ギー（ESE＝１ないし2keV）への加速によってのみ可能
である。なぜならば、それによってのみ相対的エネルギ
ー幅Δ／（Ｅ＝二次電子SEの平均運動エネルギー）
が、測定点において異なる運動エネルギーで放出された
二次電子SEの像距離がほぼ相等しくまで減ぜられるから
である。
対物レンズ装置の実施例は短焦点距離の対物磁界レンズ
と、この磁界レンズの内側に配置されたスペクトロメー
タ−検出器装置とから成っている。この全体構成は１つ
の電子光学的ユニットを形成し、それにより電子源で発
生された一次電子PEも試料PR上で放出された二次電子SE
も光軸OA上に位置する１つの点に収束される。精細な電
子ゾンデを発生するため、集光レンズにより発生された
電子源の中間像ZPがビーム形成機構の一部分を成すスペ
クトロメータ−対物レンズ装置により縮小されて、対物
レンズOLの焦点面内に配置された試料PRの上に結像され
る。本発明によるスペクトロメータ−対物レンズ装置に
より、従来の装置と比較して、対物レンズOLの色収差お
よび球面収差、従ってまた試料PR上のゾンデ直径に決定
的に影響する作動距離Ｌを非常に短くすることができ
る。測定点において高エネルギーの一次電子PEにより一
次電子PEと固体物質との相互作用の結果として放出され
試料PR上の全立体角に放射された低エネルギーの二次電
子SEを検出するため、これらの二次電子SEは対物レンズ
OLの磁極片の間に突出している平らな網電極G1の電界内
に吸引され、また光軸OAの方向に典型的には１ないし2k
eVの比較的高いエネルギーに加速される。高エネルギー
の二次電子SEは網電極G1を通過し、また光軸OA上で対物
レンズの内側に位置する点ZSに二次電子SEを収束する磁
極片間の磁界のなかに到達する。試料PRの下側に位置す
る虚の二次電子源QSの実の中間像として解釈すべきこの
収束点の位置は正の網電極電圧VEの大きさと対物レンズ
OLの磁極片間の一次電子エネルギーに関係する磁界の強
さとにより決定される。この場合、虚の二次電子源QSは
試料PRの下側のすべての虚の二次電子軌跡の最小の焦線
断面として定義される。対物レンズOLの場のなかのすべ
ての二次電子SEの共通の収束は主として高い運動エネル
ギー（ESE＝１ないし2keV）への加速によってのみ可能
である。なぜならば、それによってのみ相対的エネルギ
ー幅Δ／（Ｅ＝二次電子SEの平均運動エネルギー）
が、測定点において異なる運動エネルギーで放出された
二次電子SEの像距離がほぼ相等しくまで減ぜられるから
である。
二次電子SEの角度に無関係な減速およびエネルギー分析
は対物レンズOLの内側で、異なる電位にある２つの球対
称な網電極K1およびK2の間の空間範囲に形成される１つ
の球対称な逆電界のなかで行われる。このような電極装
置はたとえば米国特許第4464571号明細書から公知であ
る。下側の網電極K1は本発明により、光軸OAと同心に配
置されており磁極片間隙内で先細りとなっている中空シ
リンダHZを介して吸引電極G1と導電接続されており、従
ってこれらの電極の間に対物レンズOLの内側の電界のな
い空間が生ずる。上側の球対称な網電極K2は逆電界格子
として作用し、例えば約−15Vと＋15Vとの間の電位VGに
ある。逆電界を形成する電極装置の上側に、上側の球電
極K2とほぼ同一の電位VBにあるもう１つの遮蔽格子BGが
設けられていてよい。
は対物レンズOLの内側で、異なる電位にある２つの球対
称な網電極K1およびK2の間の空間範囲に形成される１つ
の球対称な逆電界のなかで行われる。このような電極装
置はたとえば米国特許第4464571号明細書から公知であ
る。下側の網電極K1は本発明により、光軸OAと同心に配
置されており磁極片間隙内で先細りとなっている中空シ
リンダHZを介して吸引電極G1と導電接続されており、従
ってこれらの電極の間に対物レンズOLの内側の電界のな
い空間が生ずる。上側の球対称な網電極K2は逆電界格子
として作用し、例えば約−15Vと＋15Vとの間の電位VGに
ある。逆電界を形成する電極装置の上側に、上側の球電
極K2とほぼ同一の電位VBにあるもう１つの遮蔽格子BGが
設けられていてよい。
二次電子SEの角度に無関係な検出は、二次電子軌跡が逆
電界の電界線に対して平行、従ってまた球対称な網電極
K1およびK2に対して垂直に延びている場合にのみ行われ
得る。このことを達成するため、二次電子SEの虚の二次
電子源QSは球状逆電界の中心点ZS、すなわち光軸OA上で
磁極片の上側に位置する球対称な網電極K1およびK2の中
心点に結像される。さらに留意すべきこととして、二次
電子SEの実の中間像ZSは、この中間像ZSを通過した後の
二次電子SEのラーモア（Larmor）歳差運動を避けるた
め、光軸OA上で対物レンズOLの磁極片間隙の上側に十分
に離れて、消滅する磁束密度Ｂを有する空間範囲内に位
置する。消滅する磁束密度BZ（0,0,Z）を有する空間範
囲内に位置する光軸OA上の１つの点ZSへの二次電子SEの
収束は、一次電子PEのエネルギーが小さいほど、また二
次電子を加速する網電極G1の吸引電位VEが高いほど良好
に可能である。
電界の電界線に対して平行、従ってまた球対称な網電極
K1およびK2に対して垂直に延びている場合にのみ行われ
得る。このことを達成するため、二次電子SEの虚の二次
電子源QSは球状逆電界の中心点ZS、すなわち光軸OA上で
磁極片の上側に位置する球対称な網電極K1およびK2の中
心点に結像される。さらに留意すべきこととして、二次
電子SEの実の中間像ZSは、この中間像ZSを通過した後の
二次電子SEのラーモア（Larmor）歳差運動を避けるた
め、光軸OA上で対物レンズOLの磁極片間隙の上側に十分
に離れて、消滅する磁束密度Ｂを有する空間範囲内に位
置する。消滅する磁束密度BZ（0,0,Z）を有する空間範
囲内に位置する光軸OA上の１つの点ZSへの二次電子SEの
収束は、一次電子PEのエネルギーが小さいほど、また二
次電子を加速する網電極G1の吸引電位VEが高いほど良好
に可能である。
二次電子SEを検出するため、本発明によるスペクトロメ
ータ−対物レンズ装置の内側に、光軸OAに対して同心に
配置された１つのリング状の検出器DTが設けられてい
る。この検出器DTとしては特にたとえば半導体検出器、
電子トラップを有するチャネルプレートまたは金属板が
適している。このリング状の二次電子検出器DTのほかに
スペクトロメータ−対物レンズの外側にもう１つの別の
通常の二次電子検出器、たとえばシンチレータSZおよび
光導波路LLから成る装置が、光軸OAの方向に放射された
二次電子SEを検出するために設けられていてよい。
ータ−対物レンズ装置の内側に、光軸OAに対して同心に
配置された１つのリング状の検出器DTが設けられてい
る。この検出器DTとしては特にたとえば半導体検出器、
電子トラップを有するチャネルプレートまたは金属板が
適している。このリング状の二次電子検出器DTのほかに
スペクトロメータ−対物レンズの外側にもう１つの別の
通常の二次電子検出器、たとえばシンチレータSZおよび
光導波路LLから成る装置が、光軸OAの方向に放射された
二次電子SEを検出するために設けられていてよい。
第２図には、第１図による本発明によるスペクトロメー
タ−対物レンズ装置に対して、光軸OAの方向に試料PRと
遮蔽格子BGとの間の磁束密度BZ（0,0,Z）（実線）およ
び電界の強さEZ（0,0,Z）（鎖線）が示されている。球
状逆電界ZSの中心は光軸OA上で、磁束密度BZ（0,0,Z）
が消滅する空間範囲内に位置している。それにより、中
間像ZSを通過した後の二次電子SEのラーモア歳差運動が
避けられ、従って二次電子SEの軌跡は球対称な逆電界の
電界線と平行に延びている。
タ−対物レンズ装置に対して、光軸OAの方向に試料PRと
遮蔽格子BGとの間の磁束密度BZ（0,0,Z）（実線）およ
び電界の強さEZ（0,0,Z）（鎖線）が示されている。球
状逆電界ZSの中心は光軸OA上で、磁束密度BZ（0,0,Z）
が消滅する空間範囲内に位置している。それにより、中
間像ZSを通過した後の二次電子SEのラーモア歳差運動が
避けられ、従って二次電子SEの軌跡は球対称な逆電界の
電界線と平行に延びている。
本発明によるスペクトロメータ−対物レンズ装置の別の
実施例が第３図に示されている。この装置内でも二次電
子SEの虚の源点QSは、スペクトロメータ−対物レンズ装
置の内側に位置する球対称逆電界の中心に結像される。
対物レンズOLのすぐ上側に配置されている球対称電極K1
およびK2の中心点と一致する球対称逆電界のこの中心
は、対物レンズOLの内側で磁束密度Ｂおよび電界Ｅが消
滅する１つの空間範囲内の光軸OA上に位置する。吸引電
極G1および下側の球対称電極K1は同じく光軸OAに対して
同心に配置されており磁極片間隙内で先細りとなる中空
シリンダHZにより互いに導電接続されており、従って対
物レンズOLの内部に電界のない１つの空間が生ずる。球
対称な逆電界を生ずる電極装置K1およびK2の上側に、第
３図には示されていない検出器DTの方向に二次電子SEを
偏向かつ加速するための電極装置が位置している。第４
図に光軸OAに対して垂直な断面で示されているこの偏向
要素が、正電位VDNにある網電極DNとそれに対して対称
に配置されており負電位VDEにある偏向電極DEとから成
り、これらの両電極がそれらの間に配置されているケー
ス部分GHと共に、光軸OAと同心に配置されている１つの
中空シリンダのカバー面を形成することは有利である。
網電極DNおよび偏向電極DEに100Vと150Vとの間の同一の
大きさの電圧|VDE|＝|VDN|が印加されることは有利であ
る。球対称な電極K1およびK2の間の空間への網電極電位
VDNの突き抜けを避けるため、もう１つの遮蔽格子BGが
偏向部分と網電極K2との間に設けられていてよい。この
遮蔽格子BGは球電極K2とほぼ同一の電位にある（VG≒
VB）。
実施例が第３図に示されている。この装置内でも二次電
子SEの虚の源点QSは、スペクトロメータ−対物レンズ装
置の内側に位置する球対称逆電界の中心に結像される。
対物レンズOLのすぐ上側に配置されている球対称電極K1
およびK2の中心点と一致する球対称逆電界のこの中心
は、対物レンズOLの内側で磁束密度Ｂおよび電界Ｅが消
滅する１つの空間範囲内の光軸OA上に位置する。吸引電
極G1および下側の球対称電極K1は同じく光軸OAに対して
同心に配置されており磁極片間隙内で先細りとなる中空
シリンダHZにより互いに導電接続されており、従って対
物レンズOLの内部に電界のない１つの空間が生ずる。球
対称な逆電界を生ずる電極装置K1およびK2の上側に、第
３図には示されていない検出器DTの方向に二次電子SEを
偏向かつ加速するための電極装置が位置している。第４
図に光軸OAに対して垂直な断面で示されているこの偏向
要素が、正電位VDNにある網電極DNとそれに対して対称
に配置されており負電位VDEにある偏向電極DEとから成
り、これらの両電極がそれらの間に配置されているケー
ス部分GHと共に、光軸OAと同心に配置されている１つの
中空シリンダのカバー面を形成することは有利である。
網電極DNおよび偏向電極DEに100Vと150Vとの間の同一の
大きさの電圧|VDE|＝|VDN|が印加されることは有利であ
る。球対称な電極K1およびK2の間の空間への網電極電位
VDNの突き抜けを避けるため、もう１つの遮蔽格子BGが
偏向部分と網電極K2との間に設けられていてよい。この
遮蔽格子BGは球電極K2とほぼ同一の電位にある（VG≒
VB）。
本発明により得られる利点は特に、電子線測定装置の電
子光学的筒内で試料上に発生される電子ゾンデの直径が
減ぜられ、また電位分解能が二次電子の角度に無関係な
検出により明らかに高められ得ることである。
子光学的筒内で試料上に発生される電子ゾンデの直径が
減ぜられ、また電位分解能が二次電子の角度に無関係な
検出により明らかに高められ得ることである。
第１図は本発明によるスペクトロメータ−対物レンズ装
置の第１の実施例を示す図、第２図は第１図によるスペ
クトロメータ−対物レンズ装置の内側の電界および磁界
の分布を示す図、第３図は本発明によるスペクトロメー
タ−対物レンズ装置の第２実施例を示す図、第４図は第
３図によるスペクトロメータ−対物レンズ装置の偏向要
素を示す図である。 BG……遮蔽格子、DE……偏向電極、DT……二次電子検出
器、G1……網電極、GH……ケース部分、HZ……中空シリ
ンダ、K1、K2……網電極、LL……光導波路、OA……光
軸、OL……対物レンズ、PE……一次電子、PR……試料、
QS……虚の二次電子源、SE……二次電子、SZ……シンチ
レータ、ZP、ZS……中間像。
置の第１の実施例を示す図、第２図は第１図によるスペ
クトロメータ−対物レンズ装置の内側の電界および磁界
の分布を示す図、第３図は本発明によるスペクトロメー
タ−対物レンズ装置の第２実施例を示す図、第４図は第
３図によるスペクトロメータ−対物レンズ装置の偏向要
素を示す図である。 BG……遮蔽格子、DE……偏向電極、DT……二次電子検出
器、G1……網電極、GH……ケース部分、HZ……中空シリ
ンダ、K1、K2……網電極、LL……光導波路、OA……光
軸、OL……対物レンズ、PE……一次電子、PR……試料、
QS……虚の二次電子源、SE……二次電子、SZ……シンチ
レータ、ZP、ZS……中間像。
Claims (10)
- 【請求項１】電子線測定技術における定量的電位測定用
スペクトロメータ−対物レンズ装置であって、試料（P
R）上に一次電子線（PE）を収束するための対物レンズ
（OL）と、測定個所において一次電子線（PE）により放
出された二次電子（SE）を吸引するための電極装置（G
1）と二次電子（SE）を減速させる逆電界を発生するた
めの電極装置（K1、K2）とを有する静電的逆電界スペク
トロメータとが１つの電子光学的ユニットを形成してお
り、また二次電子（SE）を検知するための検出器装置
（DT）が付設されているスペクトロメータ−対物レンズ
装置において、 逆電界発生用電極装置が２つの球対称な電極（K1、K2）
を有し、それらの電位（VD、VE）が、これらの電極の間
の空間内に球対称な逆電界が生ずるように選定されてお
り、 これらの球対称な電極（K1、K2）の中心点がスペクトロ
メータ−対物レンズ装置の光軸（OA）上で磁極片の上側
に位置する１つの点（ZS）で合致し、 球対称な逆電界の中心を定めるこの点（ZS）が対物レン
ズ（OL）内の無電界の空間内に位置し、 吸引電極装置（G1）の電界内で加速された二次電子（S
E）が対物レンズ（OL）の磁界内で球対称な逆電界の中
心（ZS）に収束される ことを特徴とする定量的電位測定用スペクトロメータ−
対物レンズ装置。 - 【請求項２】対物レンズ（o1）の内部に電界のない空間
を発生するため、二次電子（SE）を吸引するための電極
装置（G1）と試料（PR）のすぐ近くに位置する球対称な
電極（K1）とが、光軸に対して同心に配置されており磁
極片間隙内に先細りになっている中空シリンダ（HZ）に
より導電接続されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のスペクトロメータ−対物レンズ装置。 - 【請求項３】球対称な逆電界を生ずる電極装置（K1、K
2）が対物レンズ（OL）の内部の磁極片の上側に配置さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項記載のスペクトロメータ−対物レンズ装置。 - 【請求項４】光軸に対して同心に配置されたリング状の
二次電子検出器（DT）が対物レンズ（OL）の内部の球対
称な逆電界を生ずる電極装置（K1、K2）の上側に設けら
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第３項のいずれか１項に記載のスペクトロメータ−対物
レンズ装置。 - 【請求項５】光軸に対して同心に対物レンズ（OL）の内
部に配置されたリング状の二次電子検出器（DT）の上側
にもう１つの二次電子検出器が設けられていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか
１項に記載のスペクトロメータ−対物レンズ装置。 - 【請求項６】球対称な逆電界を生ずる電極装置（K1、K
2）とリング状の二次電子検出器（DT）との間に遮蔽格
子（BG）が設けられていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項ないし第５項のいずれか１項に記載のスペク
トロメータ−対物レンズ装置。 - 【請求項７】球対称な逆電界を生ずる電極装置（K1、K
2）が対物レンズ（OL）のすぐ上側に配置されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載
のスペクトロメータ−対物レンズ装置。 - 【請求項８】球対称な逆電界を生ずる電極装置（K1、K
2）の上側に、検出器（DT）の方向に二次電子（SE）を
偏向かつ加速するための装置（DE、DN）が設けられてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第７項記載のスペク
トロメータ−対物レンズ装置。 - 【請求項９】検出器（DT）の方向に二次電子（SE）を偏
向かつ加速するための装置（DE、DN）が、正電位
（VDN）にある網電極（DN）とそれに対して対称に配置
されており負電位（VDE）にある偏向電極（DE）とを有
し、これらの両電極（DE、DN）がそれらの間に配置され
ているケース部分（GH）と共に、光軸（OA）と一致する
対称軸線を有する中空シリンダのカバー面を形成するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第７項または第８項記載
のスペクトロメータ−対物レンズ装置。 - 【請求項１０】球対称な逆電界を生ずる電極装置（K1、
K2）と検出器（DT）の方向に二次電子（SE）を偏向かつ
加速するための装置（DE、DN）との間に遮蔽格子（BG）
が設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第７
項ないし第９項のいずれか１項に記載のスペクトロメー
タ−対物レンズ装置。
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