JPS5824745B2 - ビ−ム電流測定装置 - Google Patents

ビ−ム電流測定装置

Info

Publication number
JPS5824745B2
JPS5824745B2 JP51129610A JP12961076A JPS5824745B2 JP S5824745 B2 JPS5824745 B2 JP S5824745B2 JP 51129610 A JP51129610 A JP 51129610A JP 12961076 A JP12961076 A JP 12961076A JP S5824745 B2 JPS5824745 B2 JP S5824745B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
current
wall
measuring
potential
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP51129610A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5258570A (en
Inventor
ウエン−チユアン・コー
エリツク・サワツキー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPS5258570A publication Critical patent/JPS5258570A/ja
Publication of JPS5824745B2 publication Critical patent/JPS5824745B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2441—Semiconductor detectors, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、荷電粒子とりわけ、イオンビーム若しくは電
子ビームのビーム電流を測定する為の装置に関する。
電子ビーム若しくはイオンビームが注入される不純物の
単位面積当りの数（ｄｏｓｅ ）即ち電子衝撃の程度は
ビーム電流に直接関係があるので、イオンビーム電流及
び電子ビーム電流の確実な測定がイオン注入装置及び電
子ビーム衝撃装置において夫々必要である。
成るエネルギを持ったイオン若しくは電子が固体表面に
突き当たると二次電子及び二次イオンを放出するという
事実によりビーム電流の測定は複雑になる。
ビームを限定する開孔、注入ターゲット若しくはそれを
装着する手段等の表面部分が上述の二次電子若しくは二
次イオンの源となる。
この様な二次粒子が存在すると、ターゲットに達するか
若しくは離れるどのような二次粒子もターゲット電流に
影響を及ぼすので、通常の測定装置では真のビーム電流
の正確な値が測定できない。
ファラデー箱（Ｆａｒａｄｙ Ｃａｇｅ）によるイオン
注入電流若しくは単位面積当りの不純物の数のモニタは
本分野で知られている。
Ｒ、Ｇ 、 Ｗｉ １ｓｏｎとＧ 、 Ｒ、Ｂｒｅｗｅ
ｒのＪｏｎ Ｂｅａｍｓ Ｗｉ ｔｈＡｐｐｌｉ’ｃａ
ｔｉｏｎｓ ｔｏ Ｊｏｎ Ｉｍｐｌａｎｔａｔｌｏｎ
（１９７３年４４６頁〜４４９頁、４５１頁〜４５２頁
及び４５７頁）には、イオンビーム電流若しくはイオン
ビーム量をモニタする為のファラデー箱の一般的使用方
法が述べられている。
この様なモニタの方法では、ファラデー箱は必要なとき
だけ測定を行うために、ターゲットとビームとの間でひ
っこめられる様に挿入された分離ユニットであるか若し
くは、イオン注入動作の間連続的に測定する為、実際の
ターゲットとノ１ウジング壁との組合わせで構成される
。
どちらの場合も、実際のターゲット若しくはターゲツト
板（上記ひっこめる事のできる箱の場合）は、ケージ壁
から完全に絶縁されている。
通常、正の電荷を帯びた一次イオンビームの場合の通常
のファラデー箱によるモニタ動作ではターゲットは、負
の電位レベルに保たれたケージ壁に対して正の電位レベ
ルに通常保たれている。
この様な構成では、ターゲットで生じた二次電子の損失
がターゲット電流に影響を及ぼさない様にケージ壁は上
記二次電子を抑制しターゲット方向に戻す。
上記ターゲット電流は電流若しくは単位面積当りの不純
物の数を調べる際に電流計若しくは同様の測定装置によ
り測定される唯一の電流である。
しかしながら、この様な通常のファラデー箱では、ター
ゲットで生じた二次イオンを考慮していない事を本発明
者等は気づいた。
ファラデー箱の壁面の負の電位がこの様なイオンを引き
付けその結果、ターゲットからのみ測定されるビーム電
流に対して悪影響を及ぼす。
更に、ターゲットに対して壁面が負電位になっているの
で、外向きの横方向成分を持つ電界が生シ、正イオン・
ビームはビームの好ましい範囲若しくはビーム・ターゲ
ットの範囲外にも拡がる。
従って、本発明の目的は、荷電粒子のビームのビーム電
流を正確に測定する装置を提供するにある。
本発明の他の目的は、荷電粒子のビームのビーム電流と
、二次的荷電粒子による二次放出による効果を考慮して
測定する為の装置を提供するにある。
本発明の更に他の目的は、ビームターゲットに於けるイ
オンビームのビーム電流を、二次電子及び二次イオンの
効果を考慮して測定する為の装置を提供するにある。
本発明によれば、例えば、イオンビーム若しくは電子ビ
ームの様な荷電粒子のビームのターゲットに於けるビー
ム電流を測定す＆為の装置が提供される。
上記装置は、ターゲットと該ターゲットに隣接して設け
られ且つ、ターゲットから絶縁されターゲットと共にビ
ームを囲んでいる壁とにより形成されたファラデー箱を
含む。
ビームの一次粒子の極性と反対の極性をもった電位に上
記ターゲットをバイアスする為の手段が設けられる。
例えば、一次粒子が正イオンであるイオンビームの場合
ターゲットは負電位にバイアスされそして一次粒子が負
電荷を有する電子ビーム装置では、ターゲット正電位に
バイアスされる。
壁は略アース電位にバイアスされる。
本発明の装置は、ファラデー箱のターゲット電流を測定
するのではなく、ビーム電流の正確な測定を行なうため
にターゲット電流及び壁電流を測定し且つ組合わせるよ
うにターゲットと壁との両方に接続される手段を有して
いる。
この様な装置の場合、ファラデー箱のターゲット及び他
の部分とイオンが衝突することにより生じた二次粒子（
例えば、正のイオンビームの場合、この様な二次粒子は
ほとんど電子である）は、ファラデー箱の壁に向っては
ね返えされそして、これらの二次粒子は壁電流部分とし
て測定され、一方イオンはターゲット電流として測定さ
れる。
同様にターゲットで生じた小量の正の二次イオンがター
ゲットに引き付けられそしてターゲット電流の一部とし
て測定される。
このバイアス条件ではこのバイアス条件が以下に説明す
る様にビーム中和に影響を及ぼさないので、イオンビー
ムの大きさが、その正確に選択された寸法から拡がる様
なことはない。
壁がアース電位に保たれている事も重要である。
このようにして、壁はビームに関してターゲットと反対
の電位であると考えられる。
一方、以下本明細書で詳細に説明言必様に、一次粒子ビ
ーＡ！、反対電荷の二次粒子の浮動雲を有している。
該浮動雲は衝撃装置の動作の際に形成され、１次ビーム
と涜在し、そして一次ビームの周囲を囲に式・る。
これら二次荷電粒子（正の一次イオンビー、１撃装置の
場合は二次電子）は、正イオンにより形成された場を中
和するように働く。
壁がアース電位ではなくて正電位にある場合、浮動雲と
しての二次電子は取り除かれ、一次ビームの正イオンは
ある程度反発しあい、ビームの直径が拡がってしまう。
これは、大電流イオンビームの場合特に著しい。
一次ビームが電子ビームで、二次ビームが正のイオン浮
動雲でファラデー箱が本発明の装置で要求されたアース
電位でなく負電位にバイアスされた場合にも同様な結果
が考えられる。
本発明の更に特定の概念によれば、ファラデー箱の壁に
達する二次粒子の総てが壁電流の部分として測定される
事を確実にする為には、ファラデー箱のビーム軸に沿っ
た長さがビーム直径に沿うファラデー箱のターゲットの
反対側の入口に於ける開孔の直径の少なくとも９倍であ
るような寸法をファラデー箱が有しなければならないこ
とがわかった。
又本発明の装置は、ファラデー箱中でビームに直角に一
定の磁界を与える為の手段を更に含んでも良い。
この様な場合、ファラデー箱の長さが著しく縮少され、
その長さは、ファラデー箱の開孔の直径の少なくとも１
．５倍になる。
第１図を参照するに、本発明のビーム電流測定装置がイ
オン注入装置と関連して示されている。
しかし、本発明の原理はビーム測定の為の電子ビーム装
置にも等しく適用され且つ、当業者が本発明の原理を電
子ビーム電流の測定に対して容易に適応できることは熱
論である。
第１図に於て、ファラデー箱測定装置１０（以後ファラ
デー箱１０と記す）が通常のイオン注入若しくは衝撃装
置に関連するものとして示される。
第１図に示された装置は一般的な概要図で描かれており
、米国特許第３７５６８６２号に開示された様な通常の
イオン注入装置であるのがわかる。
第１図の装置は、通常のイオン源１２を含む。
イオン源１２はこの実施例では熱フイラメント電子衝撃
源として示されており振動電子放電モードで働く様にな
っているが、任意の適当な高密度源で良い。
イオンビームがイオン源１２から引出され通常の方法で
開孔１５を介して引き出し電極１６を通過する。
引き出し電極１６は加速電極であって、イオン源からイ
オンを引き出す為の源５０により負電位に保たれている
。
ソース電極１７がアノード源５４により正電位に保たれ
ている。
減速電極１８も設けられていて、アース電位に保たれて
いる。
更に引き出し電極電源５６、フィラメント電源５８及び
コイル電源６０が設けられている。
この様なバイアス電圧を動作中に変化できるのは当業者
にとって明らかである。
この様な電極配置によりイオン源１２から引き）出され
たビームはビーム路１９を通り、通常の質量分析磁石２
０に送られる。
更にビームは上記質量分析磁石２０の両端に設けられた
開孔板２１及び２２により通常の方法で限定されそして
ビームはファラデー箱１０の範囲内のターゲット２３上
に焦点を定められる。
質量を限定する開孔板２４が図示の如く装置内に含まれ
る。
第２図を参照するに、ファラデー箱１０が更に詳細に示
される。
ファラデー箱１０は本実施例では複数個の半導体ウェハ
２５を保持している支持体２４を含むターゲット２３で
形成されている。
支持体２４上に装着された半導体ウェハ２５の総ての表
面にわたりイオンビーム２０が一様に分布する様に、支
持体２４が米国特許第３７７８６２６号に開示された様
に標準偏向装置により所定の方向に回転し振動する。
代替的には本発明のファラデー箱１０が静止したターゲ
ット２３と共に作動しても良い。
ターゲット２３を含むファラデー箱１０はイオン注入装
置を高度の真空状態に保つ為、任意の適当な通常の室（
図示せず）内に収められる。
ファラデー箱１０の壁２６はターゲット２３から電気的
に絶縁されていなければならない。
本実施例ではこれはターゲット２３から離されて示され
る。
壁２６は、コネクタ２７を通ってアース電位にバイアス
される。
本実施例では、一次ビームとして正に帯電されたイオン
がイオンビームとして使用されているのでターゲット２
３はコネクタ２８により負電位レベルにバイアスされて
いる。
総ビーム電流を測定する場合、コネクタ２８に沿って流
れるターゲット電流及びコネクタ２７に沿って流れる壁
電流の両方が例えば、電流計２９及び３０の様な適当な
計器により測定され、そしてその測定値が組合わされて
全電流が測定される。
ビーム電流値は壁電流とターゲット電流との（符号も考
慮に入れた）和に等しい。
この関係は装置への電荷の出入がビーム、壁電流及びタ
ーゲット電流によるものだけであるという事と電荷の保
存則とから導かれる。
代替的には、コネクタ２８及び２７が負電圧バイアス源
３１のアース側で１本の線として接続され、この１本の
線に沿って得られた単一の電流値若しくは電流が注入さ
れる単位面積当りの不純物の数をモニタする為に電流積
分器に送られても良い。
以下に代表的な動作パラメータを記す。
アルゴン若しくは砒素の如き５０ｋｅＶのエネルギレベ
ルのイオンで動作する装置を使用しており、そしてビー
ム電流を１ミリアンペア若しくはそれ以上にする場合、
ターゲットの電圧を少なくとも一１３Ｖにバイアスする
事により最良の結果が得られた図示の如き装置の場合、
ターゲット若しくはファラデー箱の他の部分とのイオン
衝突により生じた任意の二次粒子は主に二次電子である
。
この二次電子はファラデー箱の壁方向に反発されそして
そこで壁電流の一部分として測定される。
同様に、少数の正の二次イオンが一次ビームのイオンと
ターゲットとの衝突によりターゲットに形成される。
この様な正の二次イオンはターゲットに引き付けられ、
ターゲット電流の部分として一次イオンと共に測定され
る。
壁２６がアース電位であるので、これは実際にはターゲ
ットの電位と反対の電位にバイアスされている事になる
。
一方、任意の正のイオンビームと混在している二次電子
の浮動雲には何ら影響はない。
装置の衝撃の間に生ぜられるこれら二次電子は一次ビー
ムの正イオンにより形成された場（ｆｉｅｌｄ）を中和
するために作用し且つ所定の場所に好ましい状態で残る
。
しかし、壁２６がアース電位ではなく正の電位にある場
合、この二次電子の浮動雲は取り除かれ、イオンビーム
中の正イオンがある程度まで互いに反発し合いそしてビ
ームの直径が拡がってしまう悪い結果を生じる。
これは高電流イオンビームの場合特に著しい。
本発明の装置により通常の電子ビームをモニタ若しくは
測定する場合にも同様な結果が考えられる点に注目され
たい。
電子ビームを測定する場合、一次粒子が負の粒子である
ので、ターゲットは正にバイアスされる。
壁はアース電位にされたままである。
このようにして、衝突で生じた二次イオンはターゲット
からアース電位の壁に向って反発され壁電流の部分とな
る。
一方、ターゲットに生じた二次電子はターゲット電流の
部分となる。
第２図に示されたファラデー箱が最も効果的に作動する
為には、ファラデー箱の長さ即ち、ファラデー箱の壁の
入口開孔３２からターゲットまでの距離は開孔３２の直
径の少なくとも９倍でなければならない。
しかしながら、第３図に示される様に、ファラデー箱は
装置の改良によりかなり短かくできる。
この改良された装置では、一定の即ち直流磁界がビーム
軸に垂直に加えられる。
第３図に於て、ターゲット３３、壁３４及びコネクタ３
５及び３６は第２図に示された構造と同一である。
バイアスも同じである。
しかしながら、３０ガウスのオーダの磁力をもつ磁石３
７がビーム軸に垂直に磁界を形成する。
これによりファラデー箱の長さがビーム軸に沿って開孔
３８の直径の１．５倍まで縮少されることがわかった。
実に、この磁界はその方向がビーム軸に対して垂直から
３０°まで変化してもなおも効果的に作用し得る事がわ
かった。
高真空のもとで動作する自動化されたイオン注入装置で
は、被処理片を装置に入れた後の高真空を得る為の時間
を最少にするためターゲツト室は可能な限り短く形成す
るのが重要であることは明らかである。
従って、ファラデー箱の長さが可能な限り短い場合の利
点は明らかである。
ファラデー箱が、例えばファラデー箱の開孔の直径の１
．５倍のオーダの長さである様に、比較的短い場合、第
４図に示された型のくさび型若しくは角型のファラデー
箱を都合良く利用できる。
ターゲット及びターゲットに対する電気的バイアス及び
壁は、上述の装置と略等しく詳細な説明はしない。
ビーム軸に関連する第４図に示されたくさび若しくは角
型壁４１の角度はファラデー箱内のどのような起り得る
ビーム発散角度よりも大きくされなければならない。
このようにして、一次ビームはファラデー箱の壁により
集められず且つ、ターゲット電流だけになる。
一方、壁４１の幅広い方の端部は、ターゲットで生じた
二次電子の殆んど総てを捕獲するように十分に広くされ
なければならない。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の電流測定装置及び総てのイオン注入
装置の動作関係を示す図を第２図は本発明に関するイオ
ンビーム電流測定装置の部分図、第３図は本発明の電流
測定装置の代替的実施例の部分図、第４図は本発明の広
い概念に基づく他の実施例の部分図である。 １０・・・・ファラデー箱、２０・・・・荷電粒子（イ
オンビーム又は電子ビーム）、２３，３３・・・・ター
ゲット、２６，３４・・・・壁、２９，３０・・・・電
流計、３１・・・・負電位バイアス源、３２．３８・・
・・開孔、３７・・・・磁石、５６・・・・引き出し電
極電源、５８・・・・フィラメント電源、６０・山コイ
ル電源。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 荷電粒子ビームでターゲットを衝撃する際の上記タ
    ーゲットでのビーム電流を測定する装置において、ター
    ゲットと共にファラデー箱を形成するようにビームを取
    囲み且つ上記ターゲットから電気的に絶縁された壁と、
    上記ビームの一次粒子の極性と反対の極性の電位に上記
    ターゲットをバイアスする手段と、上記壁を略アース電
    位にバイアスする手段と、ターゲット電流を測定するた
    め上記ターゲットに接続された手段と、壁電流を測定す
    るため上記壁に接続された手段とから成るビーム電流測
    定装置。 ２ 上記ターゲット電流及び壁電流を測定する手段が、
    上記ターゲット電流及び上記壁電流を組み合せて測定す
    る事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の装置。 ３ 荷電粒子ビームでターゲットを衝撃する際の上記タ
    ーゲットでのビーム電流を測定する装置において、ター
    ゲットと共にファラデー箱を形成するようにビームを取
    囲み且つ上記ターゲットから電気的に絶縁された壁と、
    上記ビームの一次粒子の極性と反対の極性の電位に上記
    ターゲットをバイアスする手段と、上記壁を略アース電
    位にバイアスする手段と、ターゲット電流を測定するた
    め上記ターゲットに接続された手段と、壁電流を測定す
    るため上記壁に接続された手段と、上記ビームに対して
    略垂直方向に一定磁界を印加する手段とを含むビーム電
    流測定装置。 ４ 上記ターゲット電流及び壁電流を測定する手段が、
    上記ターゲット電流及び上記壁電流を組み合せて測定す
    る事を特徴とする特許請求の範囲第３項記載の装置。
JP51129610A 1975-11-05 1976-10-29 ビ−ム電流測定装置 Expired JPS5824745B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/629,181 US4011449A (en) 1975-11-05 1975-11-05 Apparatus for measuring the beam current of charged particle beam

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5258570A JPS5258570A (en) 1977-05-14
JPS5824745B2 true JPS5824745B2 (ja) 1983-05-23

Family

ID=24521943

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP51129610A Expired JPS5824745B2 (ja) 1975-11-05 1976-10-29 ビ−ム電流測定装置

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4011449A (ja)
JP (1) JPS5824745B2 (ja)
CA (1) CA1055104A (ja)
DE (1) DE2644688C2 (ja)
FR (1) FR2331039A1 (ja)
GB (1) GB1516226A (ja)
IT (1) IT1072416B (ja)
SE (1) SE406839B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6262658U (ja) * 1985-10-09 1987-04-18

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4135097A (en) * 1977-05-05 1979-01-16 International Business Machines Corporation Ion implantation apparatus for controlling the surface potential of a target surface
FR2389998B1 (ja) * 1977-05-05 1981-11-20 Ibm
US4149084A (en) * 1977-11-01 1979-04-10 International Business Machines Corporation Apparatus for maintaining ion bombardment beam under improved vacuum condition
US4146810A (en) * 1977-12-29 1979-03-27 International Business Machines Corporation Radiation heated acceleration
US4234797A (en) * 1979-05-23 1980-11-18 Nova Associates, Inc. Treating workpieces with beams
US4247781A (en) * 1979-06-29 1981-01-27 International Business Machines Corporation Cooled target disc for high current ion implantation method and apparatus
US4851691A (en) * 1982-11-19 1989-07-25 Varian Associates, Inc. Method for photoresist pretreatment prior to charged particle beam processing
US4517465A (en) * 1983-03-29 1985-05-14 Veeco/Ai, Inc. Ion implantation control system
US4786814A (en) * 1983-09-16 1988-11-22 General Electric Company Method of reducing electrostatic charge on ion-implanted devices
US4587433A (en) * 1984-06-27 1986-05-06 Eaton Corporation Dose control apparatus
DE3677034D1 (de) * 1985-03-11 1991-02-28 Nippon Telegraph & Telephone Methode und geraet zum testen eines integrierten elektronischen bauteils.
US4717829A (en) * 1985-03-14 1988-01-05 Varian Associates, Inc. Platen and beam setup flag assembly for ion implanter
US4672210A (en) * 1985-09-03 1987-06-09 Eaton Corporation Ion implanter target chamber
US4751393A (en) * 1986-05-16 1988-06-14 Varian Associates, Inc. Dose measurement and uniformity monitoring system for ion implantation
US4804852A (en) * 1987-01-29 1989-02-14 Eaton Corporation Treating work pieces with electro-magnetically scanned ion beams
US4816693A (en) * 1987-08-21 1989-03-28 National Electrostatics Corp. Apparatus and method for uniform ion dose control
US5072125A (en) * 1989-10-05 1991-12-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Ion implanter
JP2969788B2 (ja) * 1990-05-17 1999-11-02 日新電機株式会社 イオンビームの平行度測定方法、走査波形整形方法およびイオン注入装置
US5757018A (en) * 1995-12-11 1998-05-26 Varian Associates, Inc. Zero deflection magnetically-suppressed Faraday for ion implanters
JP2002517068A (ja) 1998-05-22 2002-06-11 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド 低エネルギーイオン注入のための方法及び装置
US6137112A (en) * 1998-09-10 2000-10-24 Eaton Corporation Time of flight energy measurement apparatus for an ion beam implanter
US6998625B1 (en) 1999-06-23 2006-02-14 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Ion implanter having two-stage deceleration beamline
US6723998B2 (en) * 2000-09-15 2004-04-20 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Faraday system for ion implanters
US6583421B2 (en) 2001-10-11 2003-06-24 Diamond Semiconductor Group, Llc Charge measuring device with wide dynamic range
US7521691B2 (en) * 2006-12-08 2009-04-21 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Magnetic monitoring of a Faraday cup for an ion implanter
WO2014136253A1 (ja) * 2013-03-08 2014-09-12 株式会社島津製作所 アークプラズマ成膜装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4936499A (ja) * 1972-08-07 1974-04-04

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3117022A (en) * 1960-09-06 1964-01-07 Space Technhology Lab Inc Deposition arrangement
US3535516A (en) * 1966-10-17 1970-10-20 Hitachi Ltd Electron microscope employing a modulated scanning beam and a phase sensitive detector to improve the signal to noise ratio
GB1280013A (en) * 1969-09-05 1972-07-05 Atomic Energy Authority Uk Improvements in or relating to apparatus bombarding a target with ions
US3778626A (en) * 1972-07-28 1973-12-11 Western Electric Co Mechanical scan system for ion implantation

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4936499A (ja) * 1972-08-07 1974-04-04

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6262658U (ja) * 1985-10-09 1987-04-18

Also Published As

Publication number Publication date
DE2644688A1 (de) 1977-05-12
JPS5258570A (en) 1977-05-14
DE2644688C2 (de) 1983-08-25
GB1516226A (en) 1978-06-28
FR2331039A1 (fr) 1977-06-03
SE406839B (sv) 1979-02-26
US4011449A (en) 1977-03-08
SE7612155L (sv) 1977-05-06
IT1072416B (it) 1985-04-10
CA1055104A (en) 1979-05-22
FR2331039B1 (ja) 1978-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5824745B2 (ja) ビ−ム電流測定装置
JP4470127B2 (ja) イオン注入装置及びイオンを注入する方法
US4595837A (en) Method for preventing arcing in a device during ion-implantation
US4939360A (en) Particle beam irradiating apparatus having charge suppressing device which applies a bias voltage between a change suppressing particle beam source and the specimen
US6723998B2 (en) Faraday system for ion implanters
US7875857B2 (en) X-ray photoelectron spectroscopy analysis system for surface analysis and method therefor
JPS63291344A (ja) イオン源装置
US5034605A (en) Secondary ion mass spectrometer with independently variable extraction field
US8227753B2 (en) Multiple current charged particle methods
Gersch et al. Postionization of sputtered neutrals by a focused electron beam
JPH0740476B2 (ja) 荷電ビ−ム電流測定機構
JPH06267490A (ja) 負イオン注入装置
JP2001210267A (ja) 粒子検出器及びこれを用いた質量分析器
JP3399230B2 (ja) イオン照射装置
JPS61200865A (ja) ウエハ−等処理用試料室
KR20010054277A (ko) 이온 검출 장치
Mack Charging and charge neutralization in ion implantation
JPS6240369A (ja) イオン注入装置
JPH03216945A (ja) イオン注入装置
KR100725094B1 (ko) 이온주입시스템의 웨이퍼 이차전자 발생억제장치
JPH0654649B2 (ja) イオン注入装置
JP2769375B2 (ja) イオン注入装置
JPH0628715Y2 (ja) 電子エネルギー分布測定装置
JP3381288B2 (ja) イオン注入装置
EP0491311B1 (en) Ion implanting apparatus and method