JPH08162389A

JPH08162389A - 荷電粒子ビーム投射方法および装置

Info

Publication number: JPH08162389A
Application number: JP30181494A
Authority: JP
Inventors: Kaoru Umemura; 馨梅村; Yoshimi Kawanami; 義実川浪; Yuichi Madokoro; 祐一間所
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1994-12-06
Filing date: 1994-12-06
Publication date: 1996-06-21

Abstract

(57)【要約】【目的】ステンシルマスクを用いた島状遮蔽領域を有す
る環状領域への荷電粒子ビーム投射方法および装置を提
供する。【構成】荷電粒子源１と、ステンシルマスク４を保持す
るマスクステージと、試料７を保持する試料ステージ
と、ステンシルマスク４に照射する荷電粒子の照射光学
系と、マスクのパターンを試料７上に投射する荷電粒子
の投射光学系とを備えた荷電粒子照射装置で、マスクの
後段に荷電粒子ビームの軌道を変える偏向器２０，２１
を設置した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はイオンビームや電子ビー
ムなど荷電粒子ビームを用いた微細加工装置等に係り、
特に、ステンシルマスクを用いた環状領域への荷電粒子
ビーム投射方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】荷電粒子ビーム投射装置は、ステンシル
マスクに設けられた貫通孔や凹部からなるパターンを荷
電粒子ビームで照明し、このパターンをレンズで縮小し
て試料上に投射する装置である。具体的には、この荷電
粒子ビーム投射で試料に生じる物理的または化学的な変
化を利用して、試料上に微細なパターンの加工を施す装
置である。この種の荷電粒子ビーム投射装置の従来例
は、イオンビームや電子ビームでステンシルマスクのパ
ターンを試料に投射（露光）するイオン投影型縮小露光
装置やセルプロジェクション型電子ビーム露光装置など
がある。

【０００３】イオン投影型縮小露光装置の詳細について
は、論文集『マイクロエレクトロニック・エンジニアリ
ング』第１７巻，（１９９２年）第２２９から２４０頁
（Microelectronic Engineering, 17 (1992) 229-240）
においてエイ・チャルプカら(A.Chalupka et al.）によ
り『プログレス・イン・イオン・プロジェクション・リ
ソグラフィ(Progress in ion projection lithograph
y)』（従来例１）と題する論文に開示されている。

【０００４】上記従来例１の装置の概略構成を図２に示
す。イオン投影型縮小露光装置３０は、イオン源３１か
ら放出したイオンビーム３２をステンシルマスク３３に
照射し、ステンシルマスク３３を通過したイオンビーム
３２をレンズ３４にて集束させ、レンズ３５で平行ビー
ムにして試料３６に投射することで、ステンシルマスク
３３の開口パターンを縮小して資料３６にイオン投射す
ることができる。ステンシルマスク３３はマスクステー
ジ３７に設置され、試料３６の表面はレジストが塗布し
てあり、試料台３８に設置される。このイオン投影型縮
小露光装置３０では、イオン源３１から放出したイオン
３２はマスク上のパターンの１ブロック全体に一括して
照射され、その１ブロックの縮小パターンが試料上に投
射される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述のような従来のス
テンシルマスクを用いた荷電粒子ビーム投射装置の問題
点を図３を用いて説明する。図３（ａ）のように、試料
基板４０にビーム遮蔽領域４２がビーム投射領域４１内
に島状に孤立した状態で存在する場合、この形状に対応
するステンシルマスクは原理的に作成することができな
い。つまり、図３（ｂ）はステンシルマスクを示し、マ
スク基板４３にビーム照射領域４１に対応する開口部４
４を設け、その開口部４４の中央にビーム遮蔽領域４２
に対応する島状マスク４５が浮かぶ状態を作成すること
はできない。従って、図３（ａ）に類似のドーナツ形状
など環状領域への簡便な荷電粒子ビーム投射方法が望ま
れていた。

【０００６】本発明第一の目的は、ステンシルマスクを
用いた荷電粒子ビーム投射方法のうち、特に、島状遮蔽
領域を有する環状領域への簡便な荷電粒子ビーム投射方
法を提供することにあり、また、第二の目的は第一の目
的を実現するための荷電粒子ビーム投射装置を提供する
ことにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を実現させるた
めに、本発明の方法または装置は以下の特徴を有してい
る。

【０００８】（１）荷電粒子の通過できる開口または凹
部からなるパターンを備えたステンシルマスクに荷電粒
子ビームを照射し、上記ステンシルマスクを透過した上
記荷電粒子ビームを試料に照射して上記ステンシルマス
クのパターンを試料上に投射する荷電粒子ビーム投射方
法で、特に、島状の孤立遮蔽領域を含む投射形状の荷電
粒子ビーム投射方法であって、上記ステンシルマスクに
おける島状遮蔽部を支える支持部を有するステンシルマ
スクを用いて、荷電粒子ビームによって上記支持部の影
部を含むパターンを投射する第一の投射工程と、上記ス
テンシルマスクの開口の一部に荷電粒子ビーム照射を行
い、この時上記ステンシルマスクを通過した上記荷電粒
子ビームを偏向して、上記第一の投射工程によって生じ
た上記支持部の影部に荷電粒子ビームを照射する第二の
投射工程からなる荷電粒子ビーム投射方法。

【０００９】（２）（１）に記載の荷電粒子ビーム投射
方法で、上記ステンシルマスクへの荷電粒子ビーム照射
が、上記荷電粒子ビームを上記ステンシルマスク上で走
査，掃引によってなされる荷電粒子ビーム投射方法。

【００１０】（３）（１）の荷電粒子ビーム投射方法
で、上記ステンシルマスクへの荷電粒子ビーム照射が、
上記荷電粒子ビームを走査することなくステンシルマス
クを照射することによってなされる荷電粒子ビーム投射
方法。

【００１１】（４）（３）に記載の荷電粒子ビーム投射
方法で、第二の投影工程はステンシルマスクの上段で成
形した照射ビームによってなされることを特徴とする荷
電粒子ビーム投射方法。

【００１２】（５）（１）から（４）のいずれかの荷電
粒子ビーム投射方法で、上記荷電粒子が特にイオンビー
ムであり、試料へのイオンビーム投射によって上記試料
内にイオン注入する荷電粒子ビーム投射方法。

【００１３】（６）（１）から（４）のいずれかの荷電
粒子ビーム投射方法で、上記荷電粒子が特に電子ビーム
であり、試料への電子ビーム投射によって上記試料表面
に電子ビーム露光する荷電粒子ビーム投射方法。

【００１４】（７）荷電粒子源と、荷電粒子の透過でき
る開口または凹部からなるパターンを備えたステンシル
マスクを保持するマスクステージと、上記荷電粒子源よ
り荷電粒子ビームを引き出し上記ステンシルマスクに照
射する荷電粒子ビームの照射光学系と、上記ステンシル
マスクを透過した荷電粒子ビームを上記荷電粒子ビーム
を上記試料の任意位置へ照射して上記ステンシルマスク
のパターンを上記試料上に投射する対物レンズを含む荷
電粒子の照射光学系とを備えた荷電粒子ビーム投射装置
で、上記ステンシルマスクと上記対物レンズの間に偏向
器を備えた荷電粒子ビーム投射装置。

【００１５】（８）（７）の荷電粒子ビーム投射装置
で、上記荷電粒子源より荷電粒子ビームを引き出した上
記荷電粒子ビームを上記ステンシルマスク上で走査，掃
引するための偏向器を上記照射光学系内に備えた荷電粒
子ビーム投射装置。

【００１６】（９）荷電粒子源と、荷電粒子の透過でき
る開口または凹部からなるパターンを備えたステンシル
マスクを保持するマスクステージと、試料を保持する試
料ステージと、上記荷電粒子源より荷電粒子ビームを引
き出し上記マスクに照射する荷電粒子ビームの照射光学
系と、上記ステンシルマスクを透過した荷電粒子ビーム
を上記試料の任意位置へ照射して上記ステンシルマス
クのパターンを上記試料上に投射する荷電粒子ビームの
投射光学系とを備えた荷電粒子ビーム投射装置で、上
記荷電粒子の照射光学系に開口が可変のビーム制限手
段を備えた荷電粒子ビーム投射装置。

【００１７】（１０）（７）から（９）のいずれかに記
載の荷電粒子ビーム投射装置で、上記荷電粒子が特にイ
オンビームであり、試料へのイオンビーム投射によって
上記試料内にイオン注入する荷電粒子ビーム投射装置。

【００１８】（１１）荷電粒子源から引き出した荷電粒
子ビームをステンシルマスクに照射し、上記ステンシル
マスクを透過した上記荷電粒子ビームを試料に照射して
上記ステンシルマスクのパターンを試料上に投射する荷
電粒子ビーム投射装置におけるステンシルマスクであっ
て、特に、島状の孤立遮蔽領域を含む形状への荷電粒子
ビーム投射を行うステンシルマスクで、上記ステンシル
マスクにおける島状遮蔽領域を支える支持部は上記荷電
粒子ビーム投射装置のイオン光学軸を含むステンシルマ
スクを用いる。

【００１９】

【作用】本発明による荷電粒子ビーム投射装置の一つ
は、荷電粒子ビームの一例としてイオンビームを用いた
装置で、直径の細いイオンビームをステンシルマスク上
で走査させ、このステンシルマスクに設けられた開口を
通過したビームによってマスクの開口パターン形状に試
料上にイオン注入できる構成である。本装置の具体的な
構成を図１を用いて説明する。

【００２０】イオン源１から引き出されたイオンビーム
２は照射光学系３により、ステンシルマスク４に照射さ
れる（加速電圧１０ｋＶ）。ステンシルマスク４はマス
クステージ５に保持されている。ステンシルマスク４は
例えば、図４（ａ）に示したように、マスク基板５０に
開口５１，５２と遮蔽領域５３を有する構造であり、遮
蔽領域５３は２本の支持部５４，５４′で支えられてい
る。図１でステンシルマスク４を通過したイオンビーム
２は投射光学系６により試料７に照射される。投射光学
系６はステンシルマスク４の像を試料７上に縮小して投
射する。本実施例では縮小率は８分の１である。試料７
は試料ステージ８に保持され、水平面内に移動可能であ
る。

【００２１】照射光学系３は照射レンズ１０（３枚電極
の静電レンズ）と，レンズ１１（３枚電極の静電レン
ズ）と，ビーム制限アパチャ１２と，Ｅ×Ｂ質量分離器
１３と，アライメント偏向器１４と，ブランキング偏向
器１５（２極の静電偏向器）と，ブランキングアパチャ
１６と，走査偏向器１７，１８とで構成されている。レ
ンズ１１はイオンビーム２を必要十分な強度で引き出
し、イオンビーム２のクロスオーバ１９を形成する。イ
オンビーム２の周囲の不要なイオンはビーム制限アパチ
ャ１６で制限される。イオンビーム２はブランキング偏
向器１５によってブランキングアパチャ１６上で偏向さ
れることにより試料７から遮断される。

【００２２】また、イオンビーム２のうち不要なイオン
種成分についてはＥ×Ｂ質量分離器１３により質量分離
アパチャを兼ねたブランキングアパチャ１６上で偏向さ
れることにより試料７から遮断される。なお、Ｅ×Ｂ質
量分離器１３はイオンビームのクロスオーバ１９をその
中心に配置しており、色収差の発生を抑制している。

【００２３】アラインメント偏向器１４はイオンビーム
２を偏向して、イオンビーム２の軸が照射レンズ１０と
投射レンズ２４の中心軸を通るようにする。なお、Ｅ×
Ｂ質量分離器１３と，ブランキング偏向器１５，ブラン
キングアパチャ１６とを照射光学系３内に設けたのはイ
オンビーム２の照射によるステンシルマスク４の劣化を
抑えるためであって、これらを投射光学系６内に設けて
も作用は変わらない。照射レンズ１０はイオン源の像を
約１倍で結像するようにイオンビーム２を集束しなが
ら、ステンシルマスク４に照射している。

【００２４】投射光学系６は、偏向器２０，２１と、回
転補正器２２（電磁コイル）と，ビーム制限アパチャ２
３と，投射レンズ２４（３枚電極の静電レンズ）と，位
置補正偏向器２５（８極の静電偏向器）で構成されてい
る。回転補正器２２はレンズ強度の無視できる電磁レン
ズで、ステンシルマスク４を透過したイオンビーム２を
回転させて試料７上でステンシルマスク４の像回転を補
正する。ビーム制限アパチャ２３は装置内で散乱したイ
オンビーム等を除去する。位置補正偏向器２５はステン
シルマスク４を透過したイオンビーム２を試料７上で偏
向することで試料７上でのステンシルマスク４の像位置
を補正する。

【００２５】偏向器２０，２１は、ステンシルマスク４
と回転補正器２２の間に位置し、ステンシルマスク４を
通過したビームの軌道を変える役割をする。

【００２６】環状領域への荷電粒子ビーム投射を実現す
るためには、図４（ａ）のステンシルマスクのような遮
蔽部を支える細い支持部を設け、このステンシルマスク
を介して試料に荷電粒子ビーム投射を行う。

【００２７】

【実施例】

（実施例１）本発明による上記荷電粒子ビーム投射装置
（図１）を用いたイオンビーム投射方法を図４と図５を
用いて説明する。

【００２８】図４（ａ）は環状にビーム照射するための
ステンシルマスク形状の一例である。各符号は上述の通
り。図４（ｂ）はステンシルマスク５０基板上でのビー
ム走査法の一例を示し、ｙ方向に走査し、かつ、ｘ方向
に掃引し、開口５１，５２を含む全領域を走査する（５
５はイオンビームの断面を示す。）。これによって、開
口５１，５２の縮小形状が試料上に投射される。この場
合、図１における偏向器２０，２１は動作させない。こ
れらのビーム投射工程をここでは第一投射工程と呼ぶ。
図４（ｃ）は同図（ｂ）における一点鎖線５６に対応す
るイオン注入領域の試料断面を示す。５７は試料基板で
あり、領域５８，５８′がビーム投射部、領域５９はマ
スクの支持部５４′によってビームが遮蔽され、ビーム
照射（イオン注入）されなかった非投射部を示してい
る。

【００２９】次に、この非投射部５９のみをビーム照射
するための投射方法(第二投射工程)を図５を用いて説明
する。まず、支持部５４，５４′の直近の開口部のみを
ビーム走査掃引する。走査掃引領域は図５（ａ）のよう
に支持部５４，５４′とほぼ同形の領域６０，６０′で
あってもよいし、図５（ｂ）のように一つの領域６１に
してもよい。この場合、ビーム操作が簡便になる。ま
た、ビーム掃引が支持部５４，５４′に掛かっても問題
はない。

【００３０】第二の投射工程で支持部の直近の開口部に
ビームを照射すると、支持部形状とほぼ同形状となるた
め、支持部による影部へのビーム投射が確実になる。こ
のように領域６０，６０′または６１に照射され、開口
部５１を通過したビーム７０（同図（ｃ））は、ステン
シルマスクの下流にある偏向器７１，７２（図１では２
０，２１）に電圧を印加し、ビーム軌道を変え、第一投
射工程における非投射部（図４（ｃ）における５９）に
ビーム照射でき、図５（ｃ）の断面図のように領域５
８，５８′の間の領域７３にイオン投射される。第一，
第二の荷電粒子ビーム投射工程により、島状遮蔽領域を
有する形状にビーム照射することができた。

【００３１】なお、本実施例のマスク形状では、遮蔽部
５３は２本の支持部５４，５４′によって支える例を示
したが、強度的に遮蔽部５３を支えることができれば、
支持部は１本でも問題はない。また、逆に２本より多く
てもよい。

【００３２】（実施例２）別構成の荷電粒子ビーム投射
装置を用いた環状領域への荷電粒子ビーム投射方法およ
び装置の実施例を図６を用いて説明する。本実施例で
も、荷電粒子の一例としてイオンを採用し、イオンビー
ム投射装置を例に説明する。

【００３３】荷電粒子ビーム投射装置は、主に、イオン
源１０１，照射レンズ１０３，可変スリット１０４，ス
テンシルマスク１０７，投影レンズ１０８，偏向器１１
１，１１２などから構成される（図６では照射レンズ１
０３，投射レンズ１０８，対物レンズ１０９を光学レン
ズの如く略図で示しているが、実際は図１のように複数
枚の電極から構成されている）。

【００３４】イオン源１０１から放出されたイオンビー
ム１０２は照射レンズ１０３によって平行ビームにさ
れ、ステンシルマスク１０７にほぼ垂直に入射するよう
に調整される。ステンシルマスク１０７の直前に可変ス
リット１０４を設置したのが本装置の特徴である。可変
スリット１０４が全開状態１０４′では、照射レンズ１
０３を通過したイオンビーム１０５は全てステンシルマ
スク１０７に照射される。また、可変スリット１０４の
開口が一部制限状態１０４″では、通過ビームは制限ビ
ーム１０６となりステンシルマスク１０７を照射する領
域を制限できる。照射領域が限定されたイオンビームは
ステンシルマスク１０７の一部を照射し、ステンシルマ
スク１０７に設けられたパターンの一部を通過し、投影
レンズ１０８によって縮小され、さらに、対物レンズ１
０９によって縮小されたパターンの一部が試料１１０に
垂直入射できる。

【００３５】この装置を用いて、島状遮蔽領域を有する
形状にイオン注入する方法を図７から図１０を用いて説
明する。用いたマスクは図４（ａ）と同じとする。

【００３６】図７で、まず、可変アパチャ１０４′を開
放にして、レンズ１０３を通過したイオンビーム１０２
を全てステンシルマスク１０７に照射させる。ステンシ
ルマスク１０７は図４（ｂ）での断面を示しているた
め、図ではステンシルマスク１０７通過後のイオンビー
ム１２０は分離して示されている。この時、偏向器１１
１，１１２は動作させずに、イオンビーム１０２をレン
ズ１０８，１０９に導入し、縮小して試料１１０に投射
する（第一投射工程）。ここで、可変スリット１０４と
ステンシルマスク１０７，照射ビーム１０２，ステンシ
ルマスクを通過した直後の成形ビーム１２０の関係を、
より明確に示すために、図８に斜視図で示した。イオン
ビーム１０２はステンシルマスク１０７に照射され、ス
テンシルマスク１０７に設けられた開口１２１を通過し
て成形され、開口と同形状の断面を持つ成形ビーム１２
０になる。

【００３７】次に、図９のように可変スリット１０４
Ａ，１０４Ｂを動作させ、開口部１２２を小さくし、ス
テンシルマスク１０７を照射するイオンビーム１０２を
制限した。スリット１０４Ａ，１０４Ｂによって制限さ
れたビーム１２３の大きさ、マスク照射位置は、図９に
示したように、遮蔽部の支持部１２４の一部を照射する
ような矩形形状である。これにより、ステンシルマスク
を通過する成形ビームは、支持部１２４に近接した小断
面を有する２本の矩形ビーム列１２５，１２５′とな
る。

【００３８】ここで、図１０に示すように、このビーム
列１２５，１２５′をステンシルマスクの下流にある偏
向器１１１，１１２によってビーム軌道を変える。偏向
器を２段にすることで、試料への入射角を極力垂直にす
るためである。変えるべきビーム軌道の偏向量は、第一
投射工程によって影部となった支持部を投射するように
軌道を偏向させ、試料に投射させた。以上の第一，第二
投射工程によって、荷電粒子ビームを一括してステンシ
ルマスクに入射させる荷電粒子ビーム装置でもイオンビ
ーム照射領域は図３（ａ）のような環状にすることがで
きた。

【００３９】本実施例では、荷電粒子ビームの一例とし
て、イオンビームを用いたイオン注入を例にとったが、
この方法は電子ビームリソグラフィやイオンビームリソ
グラフィでも適用でき、レジストへの環状領域への電子
ビーム露光やイオンビーム露光にも採用することができ
る。

【００４０】

【発明の効果】本発明によれば、これまでステンシルマ
スクを用いて環状領域への荷電粒子ビーム投射が可能と
なった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による荷電粒子ビーム投射装置の概略構
成図。

【図２】従来のイオン投影型縮小露光装置の概略構成
図。

【図３】試料上に荷電粒子ビーム投射したい環状領域の
説明図。

【図４】本発明による荷電粒子ビーム投射方法を実現さ
せるためのステンシルマスク形状の一例を示す説明図。

【図５】本発明による荷電粒子ビーム投射方法の説明
図。

【図６】本発明による別の荷電粒子ビーム投射方法を示
す説明図。

【図７】本発明による荷電粒子ビーム投射方法の説明
図。

【図８】可変スリット，ステンシルマスク，照射ビーム
の関係を明確に示すための斜視図。

【図９】一部閉じたスリット，制限された照射ビーム，
ステンシルマスク，ステンシルマスクを通過したビーム
の関係を示すための斜視図。

【図１０】荷電粒子ビーム投射方法でステンシルマスク
通過後のイオンビーム軌道の説明図。

【符号の説明】

１…イオン源、２…イオンビーム、４…ステンシルマス
ク、７…試料、４２…島状遮蔽領域、２０，２１…偏向
器。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｊ 37/305 Ｂ 9508−2Ｇ 37/317 Ｚ 9508−2ＧＨ０１Ｌ 21/30 ５５１

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】荷電粒子の通過できる開口または凹部から
なるパターンを備えたステンシルマスクに荷電粒子ビー
ムを照射し、上記ステンシルマスクを透過した上記荷電
粒子ビームを試料に照射して上記ステンシルマスクのパ
ターンを試料上に投射する荷電粒子ビーム投射方法にお
いて、島状の孤立遮蔽領域を含む投射形状の荷電粒子ビ
ーム投射方法であって、上記ステンシルマスクにおける
島状遮蔽部を支える支持部を有するステンシルマスクを
用いて、上記荷電粒子ビームによって上記支持部の影部
を含むパターンを投射する第一の投射工程と、上記ステ
ンシルマスクの開口の一部に荷電粒子ビーム照射を行
い、上記ステンシルマスクを通過した上記荷電粒子ビー
ムを偏向して、上記第一の投射工程によって生じた上記
支持部の影部に荷電粒子ビームを照射する第二の投射工
程からなることを特徴とする荷電粒子ビーム投射方法。
【請求項２】請求項１において、上記ステンシルマスク
への上記荷電粒子ビームの照射が、上記荷電粒子ビーム
を上記ステンシルマスク上で走査，掃引によってなされ
る荷電粒子ビーム投射方法。
【請求項３】請求項１において、上記ステンシルマスク
への上記荷電粒子ビームの照射が、上記荷電粒子ビーム
を走査することなく上記ステンシルマスクを照射するこ
とによってなされる荷電粒子ビーム投射方法。
【請求項４】請求項３において、上記第二の投影工程は
上記ステンシルマスクの上段で成形した照射ビームによ
ってなされる荷電粒子ビーム投射方法。
【請求項５】請求項１，２，３または４において、上記
荷電粒子が特にイオンビームであり、試料へのイオンビ
ーム投射によって上記試料内にイオン注入する荷電粒子
ビーム投射方法。
【請求項６】請求項１，２，３または４において、上記
荷電粒子が特に電子ビームであり、試料への電子ビーム
投射によって上記試料表面に電子ビーム露光する荷電粒
子ビーム投射方法。
【請求項７】荷電粒子源と、上記荷電粒子の透過できる
開口または凹部からなるパターンを備えたステンシルマ
スクを保持するマスクステージと、上記荷電粒子源より
上記荷電粒子のビームを引き出し上記ステンシルマスク
に照射する照射光学系と、上記ステンシルマスクを透過
した上記荷電粒子ビームを上記荷電粒子ビームを上記試
料の任意位置へ照射して上記ステンシルマスクのパター
ンを上記試料上に投射する対物レンズを含む荷電粒子の
照射光学系とを備えた荷電粒子ビーム投射装置におい
て、上記ステンシルマスクと上記対物レンズの間に偏向
器を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム投射装置。
【請求項８】請求項７において、上記荷電粒子源より引
き出した上記荷電粒子ビームを上記ステンシルマスク上
で走査，掃引するための偏向器を上記照射光学系内に備
えた荷電粒子ビーム投射装置。
【請求項９】荷電粒子源と、上記荷電粒子の透過できる
開口または凹部からなるパターンを備えたステンシルマ
スクを保持するマスクステージと、試料を保持する試料
ステージと、上記荷電粒子源より荷電粒子ビームを引き
出し上記マスクに照射する上記荷電粒子ビームの照射光
学系と、上記ステンシルマスクを透過した上記荷電粒子
ビームを上記荷電粒子ビームを上記試料の任意位置へ照
射して上記ステンシルマスクのパターンを上記試料上へ
の投射光学系とを備えた荷電粒子ビーム投射装置におい
て、上記荷電粒子の上記投射光学系に開口が可変のビー
ム制限手段を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム投
射装置。
【請求項１０】請求項７，８または９において、上記荷
電粒子が特にイオンビームであり、上記試料へのイオン
ビーム投射によって上記試料内にイオン注入する荷電粒
子ビーム投射装置。
【請求項１１】荷電粒子源から引き出した荷電粒子ビー
ムをテンシルマスクに照射し、上記ステンシルマスクを
透過した上記荷電粒子ビームを試料に照射して上記ステ
ンシルマスクのパターンを試料上に投射する荷電粒子ビ
ーム投射装置におけるステンシルマスクで、島状の孤立
遮蔽領域を含む形状への上記荷電粒子ビームの投射を行
うステンシルマスクにおいて、上記ステンシルマスクに
おける上記遮蔽領域を支える支持部は上記荷電粒子ビー
ム投射装置のイオン光学軸を含むことを特徴とするステ
ンシルマスク。