JPH0773843A - イオン打込装置及びイオン打込方法 - Google Patents
イオン打込装置及びイオン打込方法Info
- Publication number
- JPH0773843A JPH0773843A JP12220594A JP12220594A JPH0773843A JP H0773843 A JPH0773843 A JP H0773843A JP 12220594 A JP12220594 A JP 12220594A JP 12220594 A JP12220594 A JP 12220594A JP H0773843 A JPH0773843 A JP H0773843A
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- Japan
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- ion
- ion beam
- unit
- ions
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、不必要な物質がウェーハ１１
に打込まれるのを抑制できるイオン打込装置を提供する
ことにある。 【構成】発生したイオンは、質量分離部４で特定の質量
のイオンビームに分離され、加速部２で加速され、さら
に、偏向部５を通り、ウェーハ１１に打込まれる。
に打込まれるのを抑制できるイオン打込装置を提供する
ことにある。 【構成】発生したイオンは、質量分離部４で特定の質量
のイオンビームに分離され、加速部２で加速され、さら
に、偏向部５を通り、ウェーハ１１に打込まれる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大電流のイオンビーム
を得る半導体製造装置用イオン打込装置に係り、特に分
離された特定のイオンを加速する際に発生する中性粒子
や変質したイオン等の不要物質を除去もしくは最少とし
て、良質で高エネルギーのイオンビームを得るイオン打
込装置に関する。
を得る半導体製造装置用イオン打込装置に係り、特に分
離された特定のイオンを加速する際に発生する中性粒子
や変質したイオン等の不要物質を除去もしくは最少とし
て、良質で高エネルギーのイオンビームを得るイオン打
込装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】大電流のイオンビーム出力を得るイオン
打込装置としては、例えば、特開昭60−105153号公報に
記載のごとき方式が知られている。この様な方式におい
ては、大電流のイオンビーム出力を得る為には、特定の
イオン種を分離するための磁場を強磁場とすることが行
われている。又、この磁場強度を大きくするのにも、構
造上限界がある。このため、強磁場でイオン分離した後
に、後段において加速する方式が知られている。
打込装置としては、例えば、特開昭60−105153号公報に
記載のごとき方式が知られている。この様な方式におい
ては、大電流のイオンビーム出力を得る為には、特定の
イオン種を分離するための磁場を強磁場とすることが行
われている。又、この磁場強度を大きくするのにも、構
造上限界がある。このため、強磁場でイオン分離した後
に、後段において加速する方式が知られている。
【０００３】又、イオンビームを被照射物に走査して打
込む場合、被照射物自体を回転させながら移動するメカ
ニカルスキャン方式も知られている。この様な方式とし
ては特開昭57−187853号や特開昭57−182956号の公報が
ある。
込む場合、被照射物自体を回転させながら移動するメカ
ニカルスキャン方式も知られている。この様な方式とし
ては特開昭57−187853号や特開昭57−182956号の公報が
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明のイオン打込装
置は、大電流良質のイオンビームを得ることを目的とし
ている。
置は、大電流良質のイオンビームを得ることを目的とし
ている。
【０００５】しかしながら、強磁場を印加し、就中イオ
ン種分離用の磁石の後段に加速部を有することにより高
エネルギーのイオン種を取り出そうとすると、強磁場の
作用や分離されたイオンにエネルギーを加えるため中性
粒子や変質したイオンの不要物質が発生し、被照射物に
悪影響を及ぼすことになる。
ン種分離用の磁石の後段に加速部を有することにより高
エネルギーのイオン種を取り出そうとすると、強磁場の
作用や分離されたイオンにエネルギーを加えるため中性
粒子や変質したイオンの不要物質が発生し、被照射物に
悪影響を及ぼすことになる。
【０００６】更に、分離したイオンビームを被照射物上
に走査するため、走査用の磁界を加えると、この磁界に
よっても不要物質が発生し、悪影響を及ぼすことが判っ
た。特に、微細な半導体デバイスにおいては、被照射物
上不要物質が打込まれると、被照射物の精度を低下させ
ることになり、致命的な欠陥となる。
に走査するため、走査用の磁界を加えると、この磁界に
よっても不要物質が発生し、悪影響を及ぼすことが判っ
た。特に、微細な半導体デバイスにおいては、被照射物
上不要物質が打込まれると、被照射物の精度を低下させ
ることになり、致命的な欠陥となる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明においては、良質
で高エネルギーのイオンビームを得る為、分離イオンを
加速した後、不要な物質を除去する偏向部を設けると共
に、不要物質を除去した良質のイオンビームは不要物質
を発生する無用の磁界を加えないよう、磁場スキャンを
採用せずメカニカルに被照射物を移動走査するメカニカ
ルスキャン方式を採用することにより、被照射物に到達
する不要物質を徹底して除去し、発生を抑制する構成と
した。
で高エネルギーのイオンビームを得る為、分離イオンを
加速した後、不要な物質を除去する偏向部を設けると共
に、不要物質を除去した良質のイオンビームは不要物質
を発生する無用の磁界を加えないよう、磁場スキャンを
採用せずメカニカルに被照射物を移動走査するメカニカ
ルスキャン方式を採用することにより、被照射物に到達
する不要物質を徹底して除去し、発生を抑制する構成と
した。
【０００８】
【作用】イオン偏向部の磁場は、磁場の強さを特定のイ
オンを目的の角度だけ偏向させるために必要な磁場の強
さを与えることにより、正の電荷を帯びた特定の質量を
もつイオンが、イオン打込室の所定の場所に導かれる軌
道に入るように偏向されるが、中性粒子は磁場に影響さ
れず直進するため、また不必要なイオンは偏向部の磁場
の強さが不必要なイオンをイオン打込室の所定の場所に
導くための強さと異なるため、イオン打込軌道からはず
れるように動作する。それによって偏向磁場を通過した
イオンビームは、特定の質量をもつイオンビームだけが
イオン打込室のイオンを打込む位置に導かれるため、中
性粒子および不必要なイオンがイオン被照射物に打込ま
れることはない。
オンを目的の角度だけ偏向させるために必要な磁場の強
さを与えることにより、正の電荷を帯びた特定の質量を
もつイオンが、イオン打込室の所定の場所に導かれる軌
道に入るように偏向されるが、中性粒子は磁場に影響さ
れず直進するため、また不必要なイオンは偏向部の磁場
の強さが不必要なイオンをイオン打込室の所定の場所に
導くための強さと異なるため、イオン打込軌道からはず
れるように動作する。それによって偏向磁場を通過した
イオンビームは、特定の質量をもつイオンビームだけが
イオン打込室のイオンを打込む位置に導かれるため、中
性粒子および不必要なイオンがイオン被照射物に打込ま
れることはない。
【０００９】同時に、不要物質を除去した良質のイオン
ビームは、その後に不必要な物質の発生する磁場のない
メカニカルスキャン方式としたため、良質のイオンビー
ムが被照射体に照射されることとなる。
ビームは、その後に不必要な物質の発生する磁場のない
メカニカルスキャン方式としたため、良質のイオンビー
ムが被照射体に照射されることとなる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１，図２，図３
により説明する。
により説明する。
【００１１】図１に、本発明のイオンビーム軌道を有す
る前段加速方式のイオン打込装置のイオンビーム部を立
体図で表わしたものである。図２は、図１のイオンビー
ム軌道を側面から見た図面である。
る前段加速方式のイオン打込装置のイオンビーム部を立
体図で表わしたものである。図２は、図１のイオンビー
ム軌道を側面から見た図面である。
【００１２】イオン源１で生成されたイオンは、イオン
加速部２で加速され、イオン分離部４に入り、分離部の
磁場により特定の質量をもつイオン種に分離される。特
定の質量をもつイオン種は、イオン偏向部５に導かれ、
イオン偏向部５の磁場により、イオンビーム軌道が曲げ
られ、イオン打込室９の所定の位置に導かれ、ディスク
６のウェーハ１１（イオン被照射物）に打込まれる。
加速部２で加速され、イオン分離部４に入り、分離部の
磁場により特定の質量をもつイオン種に分離される。特
定の質量をもつイオン種は、イオン偏向部５に導かれ、
イオン偏向部５の磁場により、イオンビーム軌道が曲げ
られ、イオン打込室９の所定の位置に導かれ、ディスク
６のウェーハ１１（イオン被照射物）に打込まれる。
【００１３】イオン偏向部５は打込み操作をしない場
合、偏向をせずファラディカップ１０にイオンビームが
直進する。ファラディカップ１０はカーボン等中性粒子
や不要イオンの吸収体で構成されている。
合、偏向をせずファラディカップ１０にイオンビームが
直進する。ファラディカップ１０はカーボン等中性粒子
や不要イオンの吸収体で構成されている。
【００１４】ディスク６は、ディスク回転モータ７によ
り回転されながら、ディスク走査モータ８により走査さ
れ、ウェーハ１１の全面に均一なイオン打込みが行われ
る。イオン分離部４の出口からイオン偏向部５の間で発
生した中性粒子は、イオン偏向部５の磁場でも偏向され
ず、ファラディカップ１０に入り、ディスク６には当る
ことはない。さらに特定の質量を有するイオン以外は、
イオン打込室９の所定の位置に達するイオンビーム軌道
３からはずれるため、スリット１２等によりさえぎら
れ、ディスク６に打込まれることがない。
り回転されながら、ディスク走査モータ８により走査さ
れ、ウェーハ１１の全面に均一なイオン打込みが行われ
る。イオン分離部４の出口からイオン偏向部５の間で発
生した中性粒子は、イオン偏向部５の磁場でも偏向され
ず、ファラディカップ１０に入り、ディスク６には当る
ことはない。さらに特定の質量を有するイオン以外は、
イオン打込室９の所定の位置に達するイオンビーム軌道
３からはずれるため、スリット１２等によりさえぎら
れ、ディスク６に打込まれることがない。
【００１５】図３は、本発明のイオンビーム軌道を有す
るイオン打込装置で、イオン分離部４の後にイオン加速
部２を有する後段加速タイプのイオンビーム軌道の側面
図である。
るイオン打込装置で、イオン分離部４の後にイオン加速
部２を有する後段加速タイプのイオンビーム軌道の側面
図である。
【００１６】図４は、従来から使用されているイオンビ
ーム軌道で、イオン分離部４を出たイオンビームは、真
直ぐ、ディスク６に打込まれる構造となっている。
ーム軌道で、イオン分離部４を出たイオンビームは、真
直ぐ、ディスク６に打込まれる構造となっている。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、イオン打込室の前に設
置されたイオン偏向部の磁場により、イオンビーム軌道
が曲げられ、中性粒子および不必要なイオンの除去が出
来且つその後に中性粒子や不要イオンの発生させる磁界
を一切排除しているため、イオン打込み精度が極めて高
くなると共に、不必要なイオン，中性粒子がイオン被照
射物に打込まれることを最大限に防ぐことができる。
置されたイオン偏向部の磁場により、イオンビーム軌道
が曲げられ、中性粒子および不必要なイオンの除去が出
来且つその後に中性粒子や不要イオンの発生させる磁界
を一切排除しているため、イオン打込み精度が極めて高
くなると共に、不必要なイオン，中性粒子がイオン被照
射物に打込まれることを最大限に防ぐことができる。
【図１】本発明のイオンビーム軌道の概略立体図であ
る。
る。
【図２】図１のイオンビーム軌道（前段加速方式）の側
面図である。
面図である。
【図３】本発明のイオンビーム軌道を有した後段加速方
式のイオンビーム軌道の側面図を示す。
式のイオンビーム軌道の側面図を示す。
【図４】従来のイオン打込装置に用いられているイオン
ビーム軌道の立体図を示す。
ビーム軌道の立体図を示す。
１…イオン源、２…イオン加速部、３…イオンビーム軌
道、４…イオン分離部、５…イオン偏向部、６…ディス
ク、７…ディスク回転モータ、８…ディスク走査モー
タ、９…イオン打込室、１０…ファラディカップ、１１
…ウェーハ、１２…スリット。
道、４…イオン分離部、５…イオン偏向部、６…ディス
ク、７…ディスク回転モータ、８…ディスク走査モー
タ、９…イオン打込室、１０…ファラディカップ、１１
…ウェーハ、１２…スリット。
Claims (9)
- 【請求項１】イオンを生成するイオン源部と、該イオン
源により生成されたイオンから特定の質量を持つイオン
を分離してイオンビームとして取りだすイオン分離部
と、該イオンビームの被照射物を設置するイオン打込室
から成り、該イオンビームの軌道が一平面内にあるイオ
ン打込装置において、前記イオン分離部と前記被照射物
の間に、イオンビーム軌道を偏向するイオン偏向部を設
けると共に、前記イオン分離部と前記イオン偏向部の間
に加速部を設けたことを特徴とするイオン打込装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記被照射物を移動走
査する走査部を設けたことを特徴とするイオン打込装
置。 - 【請求項３】請求項２において、前記イオン偏向部を設
けた前記イオンビーム軌道は、一平面内にあることを特
徴とするイオン打込装置。 - 【請求項４】請求項２において、前記イオン打込室は、
イオン被照射物を取付けるディスクと、ディスクを回転
させながらディスクがイオンビーム軌道を横切るように
移動させる構成としたことを特徴とするイオン打込装
置。 - 【請求項５】請求項２において、該イオン偏向部で、イ
オンを偏向しない場合は、イオンがイオン分離部出口よ
り直線軌道で進み、イオンビーム量測定器に導かれるビ
ーム軌道を有することを特徴とするイオン打込装置。 - 【請求項６】イオンを生成するイオン源部と、該イオン
源により生成されたイオンから特定の質量を持つイオン
を偏向により分離してイオンビームとして取りだすイオ
ン分離部と、該イオンビームの被照射物を設置するイオ
ン打込室から成るイオン打込装置において、前記イオン
分離部と前記被照射物の間に、イオンビーム軌道を偏向
するイオン偏向部を設け、所定の平面内における前記イ
オン分離部のイオンビームの偏向方向と、前記所定の平
面内における前記イオン偏向部のイオンビームの偏向方
向が、逆方向となるように構成されていることを特徴と
するイオン打込装置。 - 【請求項７】イオンを発生させ、前記発生したイオンか
ら特定の質量を分離してイオンビームとして取りだし、
前記イオンビームを加速し、前記加速したイオンビーム
を前記質量分離と同平面内で偏向し、被照射物に打込む
ことを特徴とするイオン打込方法。 - 【請求項８】イオンを発生させ、前記発生したイオンか
ら特定の質量を偏向分離してイオンビームとして取りだ
し、所定の平面内で前記質量分離部の偏向方向と逆方向
となるように前記イオンビームを偏向し、被照射物に打
込むことを特徴とするイオン打込方法。 - 【請求項９】イオンを発生させ、前記発生したイオンか
ら特定の質量を分離してイオンビームとして取りだし、
前記イオンビームを加速し、前記加速したイオンビーム
を偏向器で偏向し、前記偏向されたイオンビームを被照
射物に打ち込み、さらに、打ち込み操作をしない場合に
は前記加速したイオンビームを偏向器で偏向せずに吸収
体に向けて直進させ、前記加速したイオンビームを前記
吸収体に吸収させることを特徴とするイオン打込方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12220594A JPH088083B2 (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | イオン打込装置及びイオン打込方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12220594A JPH088083B2 (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | イオン打込装置及びイオン打込方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61241340A Division JPH0731997B2 (ja) | 1986-10-13 | 1986-10-13 | イオン打込方法及びイオン打込装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0773843A true JPH0773843A (ja) | 1995-03-17 |
| JPH088083B2 JPH088083B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=14830157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12220594A Expired - Lifetime JPH088083B2 (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | イオン打込装置及びイオン打込方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088083B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6693517B2 (en) | 2000-04-21 | 2004-02-17 | Donnelly Corporation | Vehicle mirror assembly communicating wirelessly with vehicle accessories and occupants |
| US7370983B2 (en) | 2000-03-02 | 2008-05-13 | Donnelly Corporation | Interior mirror assembly with display |
| US7581859B2 (en) | 2005-09-14 | 2009-09-01 | Donnelly Corp. | Display device for exterior rearview mirror |
| US7255451B2 (en) | 2002-09-20 | 2007-08-14 | Donnelly Corporation | Electro-optic mirror cell |
| US7310177B2 (en) | 2002-09-20 | 2007-12-18 | Donnelly Corporation | Electro-optic reflective element assembly |
-
1994
- 1994-06-03 JP JP12220594A patent/JPH088083B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH088083B2 (ja) | 1996-01-29 |
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