JPH07105901A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH07105901A JPH07105901A JP5253441A JP25344193A JPH07105901A JP H07105901 A JPH07105901 A JP H07105901A JP 5253441 A JP5253441 A JP 5253441A JP 25344193 A JP25344193 A JP 25344193A JP H07105901 A JPH07105901 A JP H07105901A
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- JP
- Japan
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- ion beam
- ion
- mass
- impurity ions
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 イオン注入装置は、所望の不純物イオンのみ
からなるイオンビーム１に質量分析する質量分析器３
と、イオンビーム１を加速する加速器４と、加速器４の
後段に配設されたフィルター装置１１とを有している。
フィルター装置１１は、所望の不純物イオンのみを通過
させるように、イオンビーム１を質量分析する磁場を形
成するフィルターマグネット５を備えている。 【効果】 加速器４の通過時にイオンビーム１に発生す
る不要な不純物イオンをフィルター装置１１により略完
全に除去することができるため、ウエーハ９に注入され
るコンタミネーション粒子を充分に低減させることがで
きる。
からなるイオンビーム１に質量分析する質量分析器３
と、イオンビーム１を加速する加速器４と、加速器４の
後段に配設されたフィルター装置１１とを有している。
フィルター装置１１は、所望の不純物イオンのみを通過
させるように、イオンビーム１を質量分析する磁場を形
成するフィルターマグネット５を備えている。 【効果】 加速器４の通過時にイオンビーム１に発生す
る不要な不純物イオンをフィルター装置１１により略完
全に除去することができるため、ウエーハ９に注入され
るコンタミネーション粒子を充分に低減させることがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオンビームに発生す
る不要な不純物イオンを除去するフィルター装置を備え
たイオン注入装置に関するものである。
る不要な不純物イオンを除去するフィルター装置を備え
たイオン注入装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、中電流型のイオン注入装置は、図
２に示すように、イオン源５１から正電荷のイオンを引
出電極によって引き出し、質量分析器５２で質量分析す
ることによって、所望の不純物イオンのみからなるイオ
ンビーム５３を生成させるようになっている。そして、
イオン注入装置は、このイオンビーム５３を加速器５４
により加速させ、四重極レンズ５５により収束させた
後、ＸＹ走査電極５６により走査しながらウエーハ５７
に照射させるようになっている。
２に示すように、イオン源５１から正電荷のイオンを引
出電極によって引き出し、質量分析器５２で質量分析す
ることによって、所望の不純物イオンのみからなるイオ
ンビーム５３を生成させるようになっている。そして、
イオン注入装置は、このイオンビーム５３を加速器５４
により加速させ、四重極レンズ５５により収束させた
後、ＸＹ走査電極５６により走査しながらウエーハ５７
に照射させるようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のイオン注入装置では、質量分析器５２により所望の
不純物イオンのみに質量分析されたイオンビーム５３
が、加速器５４等を通過する際に、荷電変換により不要
な不純物イオンを含むことになり、この不要な不純物イ
オンがコンタミネーション粒子としてウエーハ５７に注
入されることになる。
来のイオン注入装置では、質量分析器５２により所望の
不純物イオンのみに質量分析されたイオンビーム５３
が、加速器５４等を通過する際に、荷電変換により不要
な不純物イオンを含むことになり、この不要な不純物イ
オンがコンタミネーション粒子としてウエーハ５７に注
入されることになる。
【０００４】即ち、例えばＢ+ イオンをイオン注入する
場合について説明すると、イオンビーム５３により質量
分析されてＢ+ イオンのみとされたイオンビーム５３が
加速器５４等を進行する際に、イオンビーム５３の軌道
上に存在する動作ガスであるＢＦ3 ガスにイオンビーム
５３のＢ+ イオンが衝突することになる。そして、この
ＢＦ3 ガスとＢ+ イオンとの衝突によって、Ｂ+ イオ
ン、Ｆ+ イオン、ＢＦ+イオン、およびＢＦ2 + イオン
が発生することになり、Ｆ+ イオン、ＢＦ+ イオン、お
よびＢＦ2 + イオンがコンタミネーション粒子としてウ
エーハ５７に注入されることになる。
場合について説明すると、イオンビーム５３により質量
分析されてＢ+ イオンのみとされたイオンビーム５３が
加速器５４等を進行する際に、イオンビーム５３の軌道
上に存在する動作ガスであるＢＦ3 ガスにイオンビーム
５３のＢ+ イオンが衝突することになる。そして、この
ＢＦ3 ガスとＢ+ イオンとの衝突によって、Ｂ+ イオ
ン、Ｆ+ イオン、ＢＦ+イオン、およびＢＦ2 + イオン
が発生することになり、Ｆ+ イオン、ＢＦ+ イオン、お
よびＢＦ2 + イオンがコンタミネーション粒子としてウ
エーハ５７に注入されることになる。
【０００５】また、ＢＦ2 + イオンをイオン注入する場
合には、ＢＦ2 + イオンから発生したＢＦ+ イオンやＢ
+ イオンがコンタミネーション粒子としてウエーハ５７
に注入されることになる。また、ダブルチャージイオン
（Ｍ++イオン）をイオン注入する場合には、Ｍ++イオン
から発生したＭ+ イオンがコンタミネーション粒子とし
てウエーハ５７に注入されることになる。
合には、ＢＦ2 + イオンから発生したＢＦ+ イオンやＢ
+ イオンがコンタミネーション粒子としてウエーハ５７
に注入されることになる。また、ダブルチャージイオン
（Ｍ++イオン）をイオン注入する場合には、Ｍ++イオン
から発生したＭ+ イオンがコンタミネーション粒子とし
てウエーハ５７に注入されることになる。
【０００６】そこで、従来においては、フィルター電極
やバーチカルフィルター等のフィルター装置が各部に配
設され、不要な不純物イオンの多くが除去されるように
なっているが、近年におけるクオーターミクロン以下の
デザインルールに基づく高集積デバイスに充分に対応す
ることが困難になってきているため、コンタミネーショ
ン粒子となる不要な不純物イオンをさらに除去できるイ
オン注入装置が望まれるようになっている。
やバーチカルフィルター等のフィルター装置が各部に配
設され、不要な不純物イオンの多くが除去されるように
なっているが、近年におけるクオーターミクロン以下の
デザインルールに基づく高集積デバイスに充分に対応す
ることが困難になってきているため、コンタミネーショ
ン粒子となる不要な不純物イオンをさらに除去できるイ
オン注入装置が望まれるようになっている。
【０００７】従って、本発明においては、イオンビーム
に発生する不要な不純物イオンを充分に除去し、ウエー
ハに注入されるコンタミネーション粒子を極めて低減さ
せることができるイオン注入装置を提供することを目的
としている。
に発生する不要な不純物イオンを充分に除去し、ウエー
ハに注入されるコンタミネーション粒子を極めて低減さ
せることができるイオン注入装置を提供することを目的
としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のイオン注入装置
は、上記課題を解決するために、所望の不純物イオンの
みからなるイオンビームに質量分析する質量分析手段
と、上記イオンビームを加速する加速手段と、上記イオ
ンビームに発生する不要な不純物イオンを除去するフィ
ルター手段とを有しており、下記の特徴を有している。
は、上記課題を解決するために、所望の不純物イオンの
みからなるイオンビームに質量分析する質量分析手段
と、上記イオンビームを加速する加速手段と、上記イオ
ンビームに発生する不要な不純物イオンを除去するフィ
ルター手段とを有しており、下記の特徴を有している。
【０００９】即ち、上記フィルター手段は、上記加速手
段の後段で、且つ上記イオンビームを走査するビーム走
査手段の前段に配設されている。そして、所望の不純物
イオンのみを通過させるように、イオンビームを質量分
析する磁場を形成するフィルターマグネットを備えてお
り、この偏向角が所望イオンに対して１５°〜６０°の
範囲であることを特徴としている。
段の後段で、且つ上記イオンビームを走査するビーム走
査手段の前段に配設されている。そして、所望の不純物
イオンのみを通過させるように、イオンビームを質量分
析する磁場を形成するフィルターマグネットを備えてお
り、この偏向角が所望イオンに対して１５°〜６０°の
範囲であることを特徴としている。
【００１０】
【作用】上記の構成によれば、フィルター手段は、加速
手段からフィルター手段に至るまでに発生した不要な不
純物イオンを含むイオンビームをフィルターマグネット
により形成される磁場により質量分析し、所望の不純物
イオンのみからなるイオンビームとすることになる。従
って、イオン注入装置は、フィルター手段に至るまでに
イオンビームに発生した不要な不純物イオンを略完全に
除去することが可能になっているため、ウエーハに注入
されるコンタミネーション粒子を充分に低減させること
が可能になっている。
手段からフィルター手段に至るまでに発生した不要な不
純物イオンを含むイオンビームをフィルターマグネット
により形成される磁場により質量分析し、所望の不純物
イオンのみからなるイオンビームとすることになる。従
って、イオン注入装置は、フィルター手段に至るまでに
イオンビームに発生した不要な不純物イオンを略完全に
除去することが可能になっているため、ウエーハに注入
されるコンタミネーション粒子を充分に低減させること
が可能になっている。
【００１１】
【実施例】本発明の一実施例を図１に基づいて説明すれ
ば、以下の通りである。
ば、以下の通りである。
【００１２】本実施例に係るイオン注入装置は、図１に
示すように、イオンビーム１を生成するイオン源２と、
イオンビーム１を所望の不純物イオンに質量分析する質
量分析器３（質量分析手段）と、イオンビーム１を加速
する加速器４（加速手段）とを有している。加速器４の
後段には、４５°の曲げ角度に設定されたフィルターマ
グネット５を備えたフィルター装置１１（フィルター手
段）が配設されて、さらに、フィルター装置１１を通過
するイオンビーム１の直進方向には、モニターファラデ
ー６がこの順に配設されている。尚、フィルターマグネ
ット５の曲げ角度は、１５°〜６０°の範囲に設定され
ていれば良い。この曲げ角度が１５°よりも小さいと、
例えば１５０ｋＶ程度以上の高エネルギーの場合に、不
要な不純物イオンの除去が困難となる。また、６０°よ
りも大きいと、イオン注入装置としての配置構成上、大
形化して好ましくない。
示すように、イオンビーム１を生成するイオン源２と、
イオンビーム１を所望の不純物イオンに質量分析する質
量分析器３（質量分析手段）と、イオンビーム１を加速
する加速器４（加速手段）とを有している。加速器４の
後段には、４５°の曲げ角度に設定されたフィルターマ
グネット５を備えたフィルター装置１１（フィルター手
段）が配設されて、さらに、フィルター装置１１を通過
するイオンビーム１の直進方向には、モニターファラデ
ー６がこの順に配設されている。尚、フィルターマグネ
ット５の曲げ角度は、１５°〜６０°の範囲に設定され
ていれば良い。この曲げ角度が１５°よりも小さいと、
例えば１５０ｋＶ程度以上の高エネルギーの場合に、不
要な不純物イオンの除去が困難となる。また、６０°よ
りも大きいと、イオン注入装置としての配置構成上、大
形化して好ましくない。
【００１３】上記のフィルターマグネット５を備えたフ
ィルター装置１１は、質量分析器３と同様に磁場を生成
することによりイオンビーム１を偏向させるようになっ
ており、所望のイオンビーム１のみがフィルター装置１
１の出口部を通過するように磁場強度が調整されるよう
になっている。また、モニターファラデー６は、質量分
析器３から加速器４を介して入射されたイオンビーム１
のビーム電流を検出することによって、質量分析器３に
より偏向されたイオンビーム１が正規の経路上を進行し
ていることを確認させるようになっている。
ィルター装置１１は、質量分析器３と同様に磁場を生成
することによりイオンビーム１を偏向させるようになっ
ており、所望のイオンビーム１のみがフィルター装置１
１の出口部を通過するように磁場強度が調整されるよう
になっている。また、モニターファラデー６は、質量分
析器３から加速器４を介して入射されたイオンビーム１
のビーム電流を検出することによって、質量分析器３に
より偏向されたイオンビーム１が正規の経路上を進行し
ていることを確認させるようになっている。
【００１４】上記のフィルター装置１１により偏向され
たイオンビーム１の進行方向には、水平スキャナ７が配
設されている。これにより、水平スキャナ７を通過する
イオンビーム１は、水平スキャナ７の作用により水平方
向に走査されるようになっている。
たイオンビーム１の進行方向には、水平スキャナ７が配
設されている。これにより、水平スキャナ７を通過する
イオンビーム１は、水平スキャナ７の作用により水平方
向に走査されるようになっている。
【００１５】上記の水平スキャナ７を通過するイオンビ
ーム１の進行方向には、平行化マグネット８が配設され
ており、平行化マグネット８は、水平スキャナ７により
走査されたイオンビーム１をウエーハ９方向に偏向させ
るようになっている。
ーム１の進行方向には、平行化マグネット８が配設され
ており、平行化マグネット８は、水平スキャナ７により
走査されたイオンビーム１をウエーハ９方向に偏向させ
るようになっている。
【００１６】上記の平行化マグネット８からのイオンビ
ーム１が照射されるウエーハ９は、エンドステーション
１０に設けられており、図示しないクランプ機構により
上下動されるようになっている。この上下駆動とイオン
ビーム１の水平走査が同時に行われることにより被注入
試料への均一な注入が行われるようになっている。
ーム１が照射されるウエーハ９は、エンドステーション
１０に設けられており、図示しないクランプ機構により
上下動されるようになっている。この上下駆動とイオン
ビーム１の水平走査が同時に行われることにより被注入
試料への均一な注入が行われるようになっている。
【００１７】上記の構成において、イオン注入装置の動
作について説明する。
作について説明する。
【００１８】先ず、イオン注入装置を立ち上げる場合に
は、イオン源２、質量分析器３、および加速器４への電
力供給が開始されることになる。これにより、イオン源
２から正電荷のイオンが引出電極によって引き出され、
質量分析器３で質量分析された特定の不純物イオンのみ
からなるイオンビーム１が生成されることになる。この
イオンビーム１は、加速器４により加速された後、フィ
ルター装置１１内を直進してモニターファラデー６に到
達することになり、モニターファラデー６によりビーム
電流が検出されることになる。そして、このビーム電流
は、イオンビーム１が正規の経路を進行するように、質
量分析器３への電力供給量の調整に用いられることにな
る。
は、イオン源２、質量分析器３、および加速器４への電
力供給が開始されることになる。これにより、イオン源
２から正電荷のイオンが引出電極によって引き出され、
質量分析器３で質量分析された特定の不純物イオンのみ
からなるイオンビーム１が生成されることになる。この
イオンビーム１は、加速器４により加速された後、フィ
ルター装置１１内を直進してモニターファラデー６に到
達することになり、モニターファラデー６によりビーム
電流が検出されることになる。そして、このビーム電流
は、イオンビーム１が正規の経路を進行するように、質
量分析器３への電力供給量の調整に用いられることにな
る。
【００１９】モニターファラデー６による調整が終了す
ると、フィルターマグネット５への電力供給が開始され
ることになり、フィルター装置１１内に磁場が生成され
ることになる。この際、加速器４により加速されたイオ
ンビーム１は、加速器４からフィルター装置１１に至る
までに存在する動作ガスとの衝突によって、荷電変換に
より各種の不要な不純物イオンを含んだものになってい
る。従って、フィルター装置１１の磁場は、イオンビー
ム１を各不純物イオンに質量分析することになり、所望
の不純物イオンのみからなるイオンビーム１をフィルタ
ー装置１１の出口部に収束させながら進行させることに
なる。尚、フィルター装置１１における質量分析は、曲
げ角度が４５°に設定されているため、各不純物イオン
を略完全に分離させることになっている。
ると、フィルターマグネット５への電力供給が開始され
ることになり、フィルター装置１１内に磁場が生成され
ることになる。この際、加速器４により加速されたイオ
ンビーム１は、加速器４からフィルター装置１１に至る
までに存在する動作ガスとの衝突によって、荷電変換に
より各種の不要な不純物イオンを含んだものになってい
る。従って、フィルター装置１１の磁場は、イオンビー
ム１を各不純物イオンに質量分析することになり、所望
の不純物イオンのみからなるイオンビーム１をフィルタ
ー装置１１の出口部に収束させながら進行させることに
なる。尚、フィルター装置１１における質量分析は、曲
げ角度が４５°に設定されているため、各不純物イオン
を略完全に分離させることになっている。
【００２０】上記のフィルター装置１１を通過したイオ
ンビーム１は、イオンビーム１とガス粒子との衝突で生
じる不要イオンを全く含まないビームであって、水平ス
キャナ７および平行化マグネット８を通過してエンドス
テーション１０に到達することになる。さらに、走査幅
や水平スキャナ７の平行化マグネットでの偏向角が調整
された後、ウエーハ９へのイオン注入が開始されること
になる。
ンビーム１は、イオンビーム１とガス粒子との衝突で生
じる不要イオンを全く含まないビームであって、水平ス
キャナ７および平行化マグネット８を通過してエンドス
テーション１０に到達することになる。さらに、走査幅
や水平スキャナ７の平行化マグネットでの偏向角が調整
された後、ウエーハ９へのイオン注入が開始されること
になる。
【００２１】このように、本実施例のイオン注入装置
は、所望の不純物イオンのみからなるイオンビーム１に
質量分析する質量分析器３と、イオンビーム１を加速す
る加速器４と、この加速器４の後段に配設され、所望の
不純物イオンのみを通過させるように、イオンビーム１
の各不純物イオンを質量分析する磁場を形成するフィル
ターマグネット５を備えたフィルター装置１１とを有し
ている。
は、所望の不純物イオンのみからなるイオンビーム１に
質量分析する質量分析器３と、イオンビーム１を加速す
る加速器４と、この加速器４の後段に配設され、所望の
不純物イオンのみを通過させるように、イオンビーム１
の各不純物イオンを質量分析する磁場を形成するフィル
ターマグネット５を備えたフィルター装置１１とを有し
ている。
【００２２】これにより、加速器４により加速されたイ
オンビーム１は、加速器４からフィルター装置１１に至
るまでに存在する動作ガスとの衝突によって、荷電変換
により各種の不要な不純物イオンを含んだものになって
いるが、フィルター装置１１は、フィルターマグネット
５により形成される磁場によって、イオンビーム１を各
不純物イオンに質量分析し、所望の不純物イオンのみを
通過させることになる。従って、イオン注入装置は、加
速器４の通過時にイオンビーム１に発生する不要な不純
物イオンをフィルター装置１１により略完全に除去する
ことが可能になっており、結果としてウエーハに注入さ
れるコンタミネーション粒子を充分に低減させることが
可能になっている。
オンビーム１は、加速器４からフィルター装置１１に至
るまでに存在する動作ガスとの衝突によって、荷電変換
により各種の不要な不純物イオンを含んだものになって
いるが、フィルター装置１１は、フィルターマグネット
５により形成される磁場によって、イオンビーム１を各
不純物イオンに質量分析し、所望の不純物イオンのみを
通過させることになる。従って、イオン注入装置は、加
速器４の通過時にイオンビーム１に発生する不要な不純
物イオンをフィルター装置１１により略完全に除去する
ことが可能になっており、結果としてウエーハに注入さ
れるコンタミネーション粒子を充分に低減させることが
可能になっている。
【００２３】また、本実施例のイオン注入装置は、所望
の不純物イオンのみからなるイオンビーム１に質量分析
する質量分析器３と、イオンビーム１を加速する加速器
４と、この加速器４の後段に配設され、所望の不純物イ
オンのみを通過させるように、イオンビーム１の各不純
物イオンを質量分析する磁場を形成するフィルターマグ
ネット５を備えたフィルター装置１１と、フィルター装
置１１の後段に配設され、イオンビーム１の走査を行う
走査器と、更には、走査されたイオンビーム１をウエー
ハ９方向に再偏向させる平行化マグネット８とを有して
いる。
の不純物イオンのみからなるイオンビーム１に質量分析
する質量分析器３と、イオンビーム１を加速する加速器
４と、この加速器４の後段に配設され、所望の不純物イ
オンのみを通過させるように、イオンビーム１の各不純
物イオンを質量分析する磁場を形成するフィルターマグ
ネット５を備えたフィルター装置１１と、フィルター装
置１１の後段に配設され、イオンビーム１の走査を行う
走査器と、更には、走査されたイオンビーム１をウエー
ハ９方向に再偏向させる平行化マグネット８とを有して
いる。
【００２４】これにより、質量分析器３からウエーハ９
までのイオンビーム１の進行経路は、フィルター装置１
１および平行化マグネット８によるイオンビーム１の偏
向により曲折しているため、このイオン注入装置は、質
量分析器３からウエーハ９までの直線距離を短縮するこ
とが可能になり、結果として、装置を小型化することが
可能になっている。
までのイオンビーム１の進行経路は、フィルター装置１
１および平行化マグネット８によるイオンビーム１の偏
向により曲折しているため、このイオン注入装置は、質
量分析器３からウエーハ９までの直線距離を短縮するこ
とが可能になり、結果として、装置を小型化することが
可能になっている。
【００２５】
【発明の効果】本発明のイオン注入装置は、以上のよう
に、所望の不純物イオンのみからなるイオンビームに質
量分析する質量分析手段と、上記イオンビームを加速す
る加速手段と、上記イオンビームに発生する不要な不純
物イオンを除去するフィルター手段とを有しており、上
記フィルター手段は、上記加速手段の後段で、且つ上記
イオンビームを走査するビーム走査手段の前段に配設さ
れており、所望の不純物イオンのみを通過させるよう
に、イオンビームを質量分析する磁場を形成するフィル
ターマグネットを備えており、この偏向角が所望イオン
に対して１５°〜６０°の範囲に設定されている構成で
ある。
に、所望の不純物イオンのみからなるイオンビームに質
量分析する質量分析手段と、上記イオンビームを加速す
る加速手段と、上記イオンビームに発生する不要な不純
物イオンを除去するフィルター手段とを有しており、上
記フィルター手段は、上記加速手段の後段で、且つ上記
イオンビームを走査するビーム走査手段の前段に配設さ
れており、所望の不純物イオンのみを通過させるよう
に、イオンビームを質量分析する磁場を形成するフィル
ターマグネットを備えており、この偏向角が所望イオン
に対して１５°〜６０°の範囲に設定されている構成で
ある。
【００２６】これにより、加速手段の通過時にイオンビ
ームに発生する不要な不純物イオンをフィルター手段に
より略完全に除去することが可能であるため、ウエーハ
に注入されるコンタミネーション粒子を充分に低減させ
ることが可能であるという効果を奏する。
ームに発生する不要な不純物イオンをフィルター手段に
より略完全に除去することが可能であるため、ウエーハ
に注入されるコンタミネーション粒子を充分に低減させ
ることが可能であるという効果を奏する。
【００２７】しかも、イオンビームを加速後、走査前に
フィルターマグネットで不要な不純物イオンを除去して
おり、きわめて効果的にフィルターの機能を奏すること
ができる。
フィルターマグネットで不要な不純物イオンを除去して
おり、きわめて効果的にフィルターの機能を奏すること
ができる。
【図１】本発明のイオン注入装置の構成図である。
【図２】従来例を示すものであり、イオン注入装置の構
成図である。
成図である。
１ イオンビーム ２ イオン源 ３ 質量分析器（質量分析手段） ４ 加速器（加速手段） ５ フィルターマグネット ６ モニターファラデー ７ 水平スキャナ（走査手段） ８ 平行化マグネット ９ ウエーハ １０ エンドステーション １１ フィルター装置（フィルター手段）
Claims (1)
- 【請求項１】所望の不純物イオンのみからなるイオンビ
ームに質量分析する質量分析手段と、上記イオンビーム
を加速する加速手段と、上記イオンビームに発生する不
要な不純物イオンを除去するフィルター手段とを有した
イオン注入装置において、 上記フィルター手段は、上記加速手段の後段で、且つ上
記イオンビームを走査するビーム走査手段の前段に配設
されており、所望の不純物イオンのみを通過させるよう
に、イオンビームを質量分析する磁場を形成するフィル
ターマグネットを備えており、この偏向角が所望イオン
に対して１５°〜６０°の範囲であることを特徴とする
イオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5253441A JPH07105901A (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5253441A JPH07105901A (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07105901A true JPH07105901A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17251447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5253441A Pending JPH07105901A (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105901A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999063572A1 (en) * | 1998-06-02 | 1999-12-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Acceleration and analysis architecture for ion implanter |
| JP2003178708A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
| WO2005098894A1 (en) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Axcelis Technologies, Inc. | Method and apparatus for selective pre-dispersion of extracted ion beams in ion implantation systems |
| JP2006351312A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置 |
| KR100677046B1 (ko) * | 2005-09-21 | 2007-02-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이온 주입 장치 |
-
1993
- 1993-10-08 JP JP5253441A patent/JPH07105901A/ja active Pending
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