JP2006351312A - イオン注入装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 イオン注入装置において、イオンビームの進行方向に沿って磁極41、42、45、46の極性が変わる電磁石43、47を、イオンビームの軌道を挟んで極性の異なる磁極41、45、42、46が向き合うように対向配置すると共に、イオンビームの進行方向に対して所定の角度傾斜した端面40a、40bを有する1対の電磁石43、47よりなる磁場型レンズ40を、平行化装置の下流側に配置した構成とした。
この場合、平行化装置の下流側に、静電レンズを配置するようにしても良い。
また、平行化装置と、磁場型レンズ40、又は、静電レンズにより合成されるイオンビームの走査面に垂直な平面での入射側焦点に、その偏向中心を一致させるように第2の走査器を配置すると、イオンビームの二方向の平行化精度を一層向上させることができる。
【選択図】 図1
Description
以下、従来のイオン注入装置の全体構成の一例について、図8を用いて説明する。
図8は、従来のイオン注入装置の概略構成を示す平面図である。
なお、同図中180は、図示しないエンドステーションに配置されたイオンを注入するターゲットとなる半導体デバイス基板であり、以下、単に「基板」とのみいう場合がある。
また、Bは基板180に注入されるイオンであるが、以下、「イオンビーム」又は「ビーム」という場合がある。
質量分離器120は、イオンや電子等の荷電粒子が磁場又は電場中で偏向される性質を利用して、磁場、或いは、電場、又は、その双方を発生して、基板180に注入したいイオン種を特定するための装置である。
また、図8では、簡略化のため水平方向にイオンビームBを偏向する走査器160の1対の電極を示したが、この走査器160は、後述するように、垂直方向に偏向するもう1対の電極も有している。
従って、以下、適宜、「平行化電磁石」という場合がある。
従来のイオン注入装置100では、基板180のイオンBの注入全面に渡って、一様な密度で所定のイオン種を所定のエネルギーでイオン注入を行うために、イオン源110から、例えば、30keV程度のエネルギーで引き出されたイオンビームBは、質量分離器120で偏向され、質量分離スリット130で所定のイオン種のみが選別される。
なお、ここでは、説明のため、イオンビームBは水平面内で走査されるとしている。
また、外部電界によりイオンビームBをスキャンする静電タイプの走査器160を取り上げたが、走査器160には静電タイプの代わりに磁気タイプのものが用いられる場合がある。
また、基板180は、イオンビームBの光軸と走査面にそれぞれ直交する面内で、1Hz程度の速度で機械的に走査される。
電磁石を用いたコリメータレンズでは、レンズ内の水平方向におけるイオンビームスキャン軌道に対して、垂直方向のレンズ作用が異なるため、実際には、垂直方向のイオンビーム角度がイオンビームスキャン位置において変化しているという問題を備えている。
先ず、特許文献1の発明では、イオンビームを平行にスキャンするための偏向レンズ内における磁場の均一領域に応じて、イオンビームのスキャン幅に対して、イオンビームのスキャン軸に対する平行度ズレが生じている。
この平行度ズレを小さくするには、広い領域に渡って偏向レンズの磁場が均一になる大型偏向レンズを使用すれば良いが、イオン注入装置が巨大化することになる。
ウェーハ面内を均一に注入するために、マスク開口領域のビームを相当数の重ね合わせ(塗り重ね)をしなければならず、メカニカルスキャンのみでは注入処理に時間が多く必要となり、生産性に欠けたものとなる。
(1)請求項1及び2に記載したように構成すると、半導体デバイス基板上での照射位置に関わり無く、二方向において平行なイオン注入が実現できる。
(3)また、これにより、半導体デバイス上の三次元構造による構造物壁の幅に対する高さの比率が増大しても、同一の半導体デバイス基板におけるすべての領域にわたって、半導体デバイスの内壁にイオンビームの不要な照射をすることなく、必要なイオン注入を行うことが可能となる。
図7は、イオンビームを平行にするための原理を説明するため、イオン注入装置の一部構成を示す側面図である。
図7において、20は走査器、F1は走査器20の偏向中心、30はイオンビームに対して凸レンズ作用を持つ光学素子、180は半導体デバイス基板である。
ここで凸レンズ作用を持つ光学素子30としては、平行化電磁石又は静電レンズなどが相当する。
次に、本発明のイオン注入装置の第1の実施の形態を図1及び図2を用いて説明する。
図1は、本発明のイオン注入装置の第1の実施の形態に用いられる磁場型レンズ40の構造を示す側面図である。
図2は、本発明のイオン注入装置の第1の実施の形態に用いられる磁場型レンズ40の構造を示す平面図である。
そこで、以下、この可変縁磁場型レンズ40の説明を中心に行い、それ以外の他の構成については、従来のイオン注入装置100と同一構成のものを用いる関係上、その説明は割愛する。
図1及び図2では、イオンビームの進行方向をZ軸、水平方向をX軸、垂直方向をY軸とする座標系を用いている。
また、図2に示すように、可変縁磁場型レンズ40の端面(縁)40a、40bは、イオンビームBの進行方向に対して、所定の角度傾斜した形状を有している。
なお、図1において、44、48は、それぞれ一式の電磁石43、47を励磁するコイル、Pは、イオンビームBの軌道を含む基準面である。
また、この電磁石43に対向配置された電磁石47の上流側磁極45はS極、下流側磁極46はN極となる。
可変縁磁場型レンズ40を励磁することにより発生する磁場は、図1で矢印で示すように、A、B、C、Dのような成分を持つ。
ここで、成分AとBは強さが等しくかつ向きが逆なので、ここを通過するイオンビームBは、軌道が若干ずれるが角度は変化しない。
従って、XZ面でのレンズ作用は小さい。
第1近似としては、基準面Pからの距離に比例する。
また、成分CもしくはDと通過するイオンビームBとなす角度をΦとすると、発生するローレンツ力はcosΦに比例する。
従って、可変縁磁場型レンズ40の端面(縁)40a、40bの形状を図2のようにイオンビームBの進行方向に対して所定の角度傾斜させることにより、YZ面でのレンズ作用を持たせることができる。
次に、本発明のイオン注入装置の第2の実施の形態を図3及び図4を用いて説明する。
図3は、本発明のイオン注入装置の第2の実施の形態に用いられる静電レンズ50の構造を示す側面図である。
図4は、本発明のイオン注入装置の第2の実施の形態に用いられる静電レンズ50の構造を示す平面図である。
そこで、以下、この二次元アインツェルレンズ50の説明を中心に行い、それ以外の他の構成については、従来のイオン注入装置と同一構成のものを用いる関係上、その説明は割愛する。
図3及び図4では、図1、図2と同様、イオンビームBの進行方向をZ軸、水平方向X軸、垂直方向をY軸とする座標系を用いている。
本実施の形態のイオン注入装置に用いられる二次元アインツェルレンズ50の発生する電場は、上記のように構成しているために、YZ平面に限られ、イオンビームBに対してX方向への力は生じない。
YZ平面においてイオンビームBに対して凸レンズ作用が生ずる理由は、通常の軸対称アインツェルレンズと同様である。
即ち、レンズ50の入口と出口を同じ電位とし、端の2対の電極52、56は接地し、中央の電極54に電位を与えることで、最終的にイオンビームBは加速も減速もされずレンズの作用のみを受ける。
従って、二次元アインツェルレンズ50によりYZ平面でのレンズ作用を持たせることができる。
図5及び図6は、二方向でのイオンビームBの平行化が実現される原理を説明するための図で、図5が側面図、図6が平面図である。
図5において、平行化装置170と基板180の間に設けられた本発明による可変縁磁場型レンズ40もしくは二次元アインツェルレンズ50による補正レンズ40(50)とする。
上に述べたように、補正レンズ40(50)のレンズ作用はYZ面に限られている。
従って、図6に示したように、補正レンズ40(50)を追加しても、XZ平面でのイオンビームBの振る舞いは、従来のイオン注入装置100と同じである。
平行化装置170の入射側および出射側の端部170a、170bの形状を最適化することにより、走査器20の偏向中心F1を通過するイオンビームBを平行にすることができる。
従来のイオン注入装置100においては、このレンズ作用は考慮されていなかった。
図5に示したように、本発明による補正レンズ40(50)と平行化電磁石170による合成されたYZ平面での凸レンズの入射側焦点に、第2の走査器22の偏向中心F2を一致させ、YZ面に関してここにフォーカスするイオンビームBを入射させることにより、YZ平面でのイオンビームBを平行にすることができる。
従って、このような構成にすることにより、XZ面およびYZ面での二方向において平行なイオンビームBが得られる。
しかし、本発明によれば、基板180上での照射位置に関わり無く、二方向において±0.2°程度以下の平行なイオン注入が実現できる。
これにより、半導体デバイス上の三次元構造による構造物壁の幅に対する高さの比率が増大しても、同一の半導体基板180におけるすべての領域にわたって、半導体デバイスの内壁にイオンビームBの不要な照射をすることなく、必要なイオン注入を行うことが可能となる。
22:第2の走査器
40:磁場型レンズ
40a、40b:電磁石の端面
41、42、45、46:磁極
43、47:電磁石
44、48:コイル
50:静電レンズ
52、54、56:第1乃至第3の電極
100:イオン注入装置
110:イオン源
170:平行化装置(平行化電磁石)
180:基板
B:イオンビーム
Claims (3)
- イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速又は減速し、走査器により基板の注入面にイオンビームを少なくとも一次元の面内で走査し、平行化装置により平行化して注入するイオン注入装置において、
前記イオンビームの進行方向に沿って磁極の極性が変わる電磁石を、前記イオンビームの軌道を挟んで極性の異なる磁極が向き合うように対向配置すると共に、前記イオンビームの進行方向に対して所定の角度傾斜した端面を有する1対の電磁石よりなる磁場型レンズを、前記平行化装置の下流側に配置したことを特徴とするイオン注入装置。 - イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速又は減速し、走査器により基板の注入面にイオンビームを少なくとも一次元の面内で走査して、平行化装置により平行化して注入するイオン注入装置において、
前記イオンビームを挟んで電極が対称に配置された第1乃至第3の3対の電極を有し、前記第1及び第3の2対の電極は接地電位とし、前記第2の1対の電極は電位が制御可能とした静電レンズを、前記平行化装置の下流側に配置したことを特徴とするイオン注入装置。 - 前記平行化装置と、前記磁場型レンズ、又は、前記静電レンズにより合成される前記イオンビームの走査面に垂直な平面での入射側焦点に、その偏向中心を一致させるように第2の走査器を配置したことを特徴とする請求項1又は2に記載のイオン注入装置。
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