JP2005353537A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005353537A JP2005353537A JP2004175847A JP2004175847A JP2005353537A JP 2005353537 A JP2005353537 A JP 2005353537A JP 2004175847 A JP2004175847 A JP 2004175847A JP 2004175847 A JP2004175847 A JP 2004175847A JP 2005353537 A JP2005353537 A JP 2005353537A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- ion
- divergence angle
- parallelism
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【解決手段】 イオン注入装置において、該イオン注入装置は、イオンビームの収束装置と、平行化装置と、平行度及び発散角度を測定する測定装置とを備え、
イオンビームの平行度及び発散角度が設定値内に収まるように収束装置及び平行化装置を制御する。
また、平行度及び発散角度を測定する測定装置は、ビーム分割スリットと、このビーム分割スリットを透過したビームの電流量を計測する可動式ファラデーカップを具備している構成とした。
【選択図】 図6
Description
この従来のイオン注入装置の一例として、特許文献1に記載されたイオン注入装置について、図7を用いて説明する。
図7は、従来のイオン注入装置の全体構成を示すブロック図である。
イオンビームを収束する収束装置130は、光学におけるレンズが光の収束作用を有している類似性から収束レンズ、或いは、単に、レンズとのみいう場合がある。
これらの物理量は、イオンビームを構成するそれぞれのイオンの運動の揃いの程度を定量的に表現するものである。
また、これらの量は、適当な規格化を行えば、イオンビームの走査中において、不変量として取り扱える性質を有している。
図8及び図9は、従来のイオン注入装置の問題点を説明するための、基板近傍におけるイオンビームの注入の状態を示す側面図である。
従って、従来のイオン注入装置では、イオン源の状態変化によりエミッタンスが変化し、注入プロファイルも連動して変化する可能性があり、安定した高精度で均一なイオン注入が困難であるという問題を抱えていた。
(1)請求項1に記載したように構成すると、イオンビームの基板への発散角度及び平行度を管理すること、及び、制御することが可能になり、高精度で均一なイオン注入ができる。
特に、立体構造を持つデバイスに注入する場合、正確な発散角及び平行度を測定することは重要であり、このようなケースにはとりわけ効果的である。
先ず、本実施の形態のイオン注入装置の基本構成を図1乃至図3を用いて説明する。
図1は、本発明のイオン注入装置の概略構成を示す平面図である。
図2は、本発明のイオン注入装置の概略構成を示す側面図である。
図3は、本発明のイオン注入装置のステージ付近の外観斜視図である。
なお、図2において、26はHVターミナルを支持するインシュレータである。
なお、図2において、92は基板キャリアである。
先ず、イオンビームIの発散角度及び平行度を測定する測定装置について説明する。
この測定装置は、基本的に、従来のイオンビームのエミッタンスの測定装置を利用する。
図4は、エミッタンスの測定原理を説明するための斜視図である。
図5は、実際のエミッタンスを測定する測定装置の原理を示す側面図である。
ここで、その2次元的な座標として、慣習通り、水平方向にX座標を、垂直方向にY座標を採ることにする。
即ち、第1のスリットS1により位置xを定め、第2のスリットS2を動かして位置xにおける運動量分布Mを電流検出板D1により測定し、第1のスリットS1を動かすことにより各位置xにおける運動量分布Mを測定すれば、位置xと発散角αの位相図が得られ、エミッタンスを算出することができる。
図5では、図4における第1の可動スリットS1の代わりに、多数のスリットを有する分割スリットSbをイオンビームIの走査方向に垂直に配置し、図4における第2の可動スリットS2の代わりに高位置分解能可動式ファラデーカップFcを用い、当該可動ファラデーカップFcに入射した荷電粒子であるイオンビームIの電流量からビーム強度を測定することにより、エミッタンスを測定することができる。
Tanθ(R)=d(R)/L ・・・・・ (1)
ここで、d(R)は、位置Rにおけるスリットの中心軸からビーム強度のピーク位置の変位であり、Lは、分割スリットSbから可動式ファラデーカップFcまでの距離である。
Tanφ =(f−w)/(2L) ・・・・・ (2)
ここで、fは、ピークPの半値幅、wはスリットの幅である。
先ず、イオンビームの平行度の制御について図1及び図2を用いて説明する。
図1及び図2に示すイオンビームの平行化装置70は、磁場中で荷電粒子が偏向される性質を利用して、所定の発散角度を有するイオンビームIを平行に基板に入射させる装置である。
また、図示による説明は省略するが、この平行化装置70では、イオンビームIを収束する光学系のパラメータを調整することにより、イオンビームの平行度を制御できる。
図1及び図2に示すように、収束レンズ50は、磁場若しくは電場或いは双方の作用により、イオンビームIを収束し、その発散角度を制御し得る機能を有している。
従って、この収束レンズ50の磁場、電場又は双方の強度を調整することにより、イオンビームIの発散角度を制御することができる。
また、この収束レンズ50の前後に配置されたスリット42、52のアパーチャーを調整することによってもイオンビームIの発散成分を除去できるので、イオンビームIの発散角度を制御できる。
図6は、本実施の形態のイオン注入装置10の基本動作を説明するためのフローチャートである。
一方、本実施の形態のイオン注入装置10では、図6に示すように、適宜、イオンビームの発散角及び平行度の測定制御を行う。
次に、イオンビームの平行度が設定値の範囲内にあるかどうかの判断を行う(ST3)。
ここで、イオンビームの平行度が、設定値の範囲内にある場合は、イオンビームの発散角度が設定値の範囲内かどうかの判断を行う(ST5)。
ここで、発散角度も再度、測定するのは、平行化レンズ70の光学系パラメータを調整することにより、イオンビームの発散角度も変化している可能性があるからである。
この調整をイオンビームの平行度が設定値の範囲内に収まるまで繰り返す。
ここで、設定値の範囲内にある場合は、測定データの出力を行い(ST7)、処理が終了する(ST8)。
ここで、平行度も再度、測定するのは、ビームの発散角度制御により、イオンビームの平行度が変化している可能性があるからである。
例えば、上記実施の形態では、図1及び図2に示す構成のイオン注入装置で説明したが、本発明の特徴は、イオンビームの発散角度及びその平行度の測定及びそれらの制御であるので、一般のイオン注入装置に適用可能であり、図1のものに限定されないのは勿論のことである。
20:イオン源
30:加速管
42、52:スリット(収束装置)
50:四重極レンズ(収束装置)
70:平行化装置(平行化レンズ)
94:基板
Sb:ビーム分割スリット
Fc:可動式ファラデーカップ
Claims (5)
- イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速して、イオンビームを半導体ウェハー等の基板に注入するイオン注入装置において、
前記基板に入射するイオンビームの平行度及び発散角度を測定する測定装置と、イオンビームの平行度及び発散角度を所望の設定値の範囲内になるように制御する制御機能を備えたことを特徴とするイオン注入装置。 - イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速して、イオンビームを半導体ウェハー等の基板に注入するイオン注入装置において、
該イオン注入装置は、イオンビームの収束装置と、イオンビームの平行化装置と、前記基板に入射するイオンビームの平行度及び発散角度を測定する測定装置とを備え、
先ず、前記イオンビームの平行度及び発散角度を測定する測定装置により、前記基板に入射するイオンビームの平行度及び発散角度を測定し、
次に、イオンビームの平行度が設定値の範囲外の場合は、前記イオンビームの平行化装置の各パラメータを調整することにより、イオンビームの平行度が設定値の範囲内に収まるように制御し、
次に、イオンビームの発散角度が設定値の範囲外の場合は、前記イオンビームの収束装置の各パラメータを調整することにより、イオンビームの発散角度が設定値の範囲内に収まるように制御するようにしたことを特徴とするイオン注入装置。 - イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速して、イオンビームを半導体ウェハー等の基板に注入するイオン注入装置において、
該イオン注入装置は、イオンビームの収束装置と、イオンビーム平行化装置と、前記基板に入射するイオンビームの平行度及び発散角度を測定する測定装置とを備え、
先ず、前記イオンビームの平行度及び発散角度を測定する測定装置により、前記基板に入射するイオンビームの平行度及び発散角度を測定し、
次に、イオンビームの発散角度が設定値の範囲外の場合は、前記イオンビームの収束装置の各パラメータを調整することにより、イオンビームの発散角度が設定値の範囲内に収まるように制御し、
次に、イオンビームの平行度が設定値の範囲外の場合は、前記イオンビーム平行化装置の各パラメータを調整することにより、イオンビームの平行度が設定値の範囲内に収まるように制御するようにしたことを特徴とするイオン注入装置。 - 上記イオンビームの平行度及び発散角度を測定する測定装置は、前記イオンビームの走査方向の垂直面内に、水平(X軸)方向、及び/又は、垂直(Y軸)方向に取り付けられるビーム分割スリットと、このビーム分割スリットを透過したビームの電流量を計測する可動式ファラデーカップを具備していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のイオン注入装置。
- 上記イオンビームの平行度及び発散角度を測定する測定位置を上記基板近傍としたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のイオン注入装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004175847A JP2005353537A (ja) | 2004-06-14 | 2004-06-14 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004175847A JP2005353537A (ja) | 2004-06-14 | 2004-06-14 | イオン注入装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005353537A true JP2005353537A (ja) | 2005-12-22 |
Family
ID=35587810
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004175847A Pending JP2005353537A (ja) | 2004-06-14 | 2004-06-14 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005353537A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007073271A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Ulvac Japan Ltd | ステンシルマスクイオン注入装置 |
JP2008506239A (ja) * | 2004-07-07 | 2008-02-28 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | ビーム角度と、スキャンされるビームまたはリボンビームの平面に対して直交する発散の測定のための装置及び方法 |
JP2010050108A (ja) * | 2009-12-01 | 2010-03-04 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオンビーム測定方法 |
JP2013051306A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入方法 |
KR20150000399A (ko) * | 2013-06-24 | 2015-01-02 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 고에너지 정밀도의 고주파 가속식의 이온가속·수송장치 |
US10121666B2 (en) | 2015-12-10 | 2018-11-06 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation method and ion implantation apparatus |
US10453689B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-10-22 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation method and ion implantation apparatus |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06290725A (ja) * | 1993-04-02 | 1994-10-18 | Hitachi Ltd | イオン源装置およびそのイオン源装置を備えたイオン打ち込み装置 |
JPH09180662A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-11 | Hitachi Ltd | イオンビーム装置 |
JPH10308191A (ja) * | 1997-05-07 | 1998-11-17 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JPH11126576A (ja) * | 1997-10-22 | 1999-05-11 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JPH11337699A (ja) * | 1998-05-25 | 1999-12-10 | Nissin Electric Co Ltd | 高周波加速管の入射器およびそれを備える高周波大電流イオン注入装置 |
JP2003208869A (ja) * | 2000-12-06 | 2003-07-25 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
JP2004093151A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Japan Atom Energy Res Inst | 多孔スリットと可動式発光体を用いた荷電粒子ビームの質の測定法 |
JP2004511880A (ja) * | 2000-08-28 | 2004-04-15 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | イオン注入器のビーム平行度を調節する方法および装置 |
-
2004
- 2004-06-14 JP JP2004175847A patent/JP2005353537A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06290725A (ja) * | 1993-04-02 | 1994-10-18 | Hitachi Ltd | イオン源装置およびそのイオン源装置を備えたイオン打ち込み装置 |
JPH09180662A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-11 | Hitachi Ltd | イオンビーム装置 |
JPH10308191A (ja) * | 1997-05-07 | 1998-11-17 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JPH11126576A (ja) * | 1997-10-22 | 1999-05-11 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JPH11337699A (ja) * | 1998-05-25 | 1999-12-10 | Nissin Electric Co Ltd | 高周波加速管の入射器およびそれを備える高周波大電流イオン注入装置 |
JP2004511880A (ja) * | 2000-08-28 | 2004-04-15 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | イオン注入器のビーム平行度を調節する方法および装置 |
JP2003208869A (ja) * | 2000-12-06 | 2003-07-25 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
JP2004093151A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Japan Atom Energy Res Inst | 多孔スリットと可動式発光体を用いた荷電粒子ビームの質の測定法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008506239A (ja) * | 2004-07-07 | 2008-02-28 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | ビーム角度と、スキャンされるビームまたはリボンビームの平面に対して直交する発散の測定のための装置及び方法 |
JP2007073271A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Ulvac Japan Ltd | ステンシルマスクイオン注入装置 |
JP2010050108A (ja) * | 2009-12-01 | 2010-03-04 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオンビーム測定方法 |
JP2013051306A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入方法 |
KR20150000399A (ko) * | 2013-06-24 | 2015-01-02 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 고에너지 정밀도의 고주파 가속식의 이온가속·수송장치 |
JP2015005472A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-08 | 株式会社Sen | 高エネルギー精度の高周波加速式のイオン加速・輸送装置 |
TWI614787B (zh) * | 2013-06-24 | 2018-02-11 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd | 高能量精度的高頻加速型離子加速/輸送裝置 |
KR102085387B1 (ko) | 2013-06-24 | 2020-03-05 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | 고에너지 정밀도의 고주파 가속식의 이온가속·수송장치 |
US10121666B2 (en) | 2015-12-10 | 2018-11-06 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation method and ion implantation apparatus |
US10453689B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-10-22 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation method and ion implantation apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5341070B2 (ja) | 分子イオンから成るイオンビームを抽出する方法およびシステム(クラスタイオンビーム抽出システム) | |
JP5652583B2 (ja) | ハイブリッド結合及び二重機械式走査構造を有するイオン注入システム及び方法 | |
KR100714928B1 (ko) | 이온 주입기를 위한 고 전달, 저 에너지 빔라인 장치 | |
CN107112181B (zh) | 用于离子注入的组合静电透镜系统 | |
JP5172668B2 (ja) | イオンビーム角度処理制御技術 | |
US7105839B2 (en) | Method and fine-control collimator for accurate collimation and precise parallel alignment of scanned ion beams | |
KR101250189B1 (ko) | 빔각 측정 방법 | |
KR101860337B1 (ko) | 이온 빔 튜닝 | |
JP2009200050A (ja) | 注入角度に傾斜したワークピースにイオンビームを注入する方法および装置 | |
TW200834634A (en) | New and improved beam line architecture for ion implanter | |
JP7474255B2 (ja) | イオン注入システムおよび方法 | |
WO2005086204A2 (en) | Modulating ion beam current | |
JP7154236B2 (ja) | イオン注入システムにおける注入角度を補正するための方法、およびイオン注入システム | |
US8354654B2 (en) | Apparatus and method for ion beam implantation using scanning and spot beams with improved high dose beam quality | |
JP5004318B2 (ja) | イオン注入装置 | |
KR100844619B1 (ko) | 비평행 이온 빔을 이용한 2-모드 이온 주입 | |
JP2005353537A (ja) | イオン注入装置 | |
JP5057008B2 (ja) | イオン注入装置 | |
JPH10308191A (ja) | イオン注入装置 | |
JP4562485B2 (ja) | イオン注入装置 | |
JP2006196385A (ja) | イオン注入装置及び半導体装置の製造方法 | |
KR20060066792A (ko) | 이온주입기에 있어서 이온빔 균일성 조절장치 및 방법 | |
JP2023008929A (ja) | イオン注入システムにおけるリボンビーム角度調整 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070425 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070525 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100401 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100421 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100901 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101028 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110427 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110726 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110810 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110819 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110909 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20111118 |