JP4468336B2 - イオンビーム注入装置および方法 - Google Patents
イオンビーム注入装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4468336B2 JP4468336B2 JP2006222064A JP2006222064A JP4468336B2 JP 4468336 B2 JP4468336 B2 JP 4468336B2 JP 2006222064 A JP2006222064 A JP 2006222064A JP 2006222064 A JP2006222064 A JP 2006222064A JP 4468336 B2 JP4468336 B2 JP 4468336B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- ion beam
- path
- target
- segment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims description 110
- 238000002513 implantation Methods 0.000 title description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 16
- 230000005405 multipole Effects 0.000 claims description 30
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 44
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 16
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 13
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 4
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000005591 charge neutralization Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010960 commercial process Methods 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Description
1.高分解能で短く比較的単純なビームライン中、単一分析マグネットで効率的に質量分析されるイオン注入用リボンビームを発生すること、
2.ビームが注入のターゲットより小さく、そのターゲットは均一な注入が達成されるように2Dパターンで走査される第二の操作様式を与えること、
3.ターゲット表面に渡り、イオンビームの平行と注入角度の変動を制御すること、
4.高エネルギー中性原子でb通常の汚染を除去する方式における、どちらかの注入様式のイオンビームを減速する手段を与えること、
5.イオンビームにおける電流密度の変化と制御の手段
を与えること、が可能となる。
1)ヨーク310の入口で意図するビーム軸の右に始まり、意図するビーム軸にほぼ平行にヨークの出口まで弓形の経路をとり、ヨークの側壁と意図するビーム経路の間を通過する、セグメント120a
2)上向きに約90度湾曲するセグメント120b
3)ヨークの出口に近くビーム経路の上部を越えて約180度左に円弧をなすセグメント120c(このセグメントは任意選択的に2つの弧状セグメントと1つの直線部分に再分割できる)
4)ヨーク出口に向かって約90度湾曲する120d
5)ヨーク出口から始まり、ヨークの入口まで、ビームの意図する道程の反対方向に、ヨークの側壁と意図するビーム経路間を通過する、意図するビーム軸にほぼ平行な弓状経路をとるセグメント120e
6)上向きに約90度湾曲するセグメント120f
7)ヨークの入口に近くビーム経路の上部を越えて約180度の右に円弧をなすセグメント120g(このセグメントは任意選択的に2つの弧状セグメントと1つの直線部分に再分割できる)
8)ヨークの入口に向かって90度湾曲し、回路を完成させるように、コイル包絡線の経路の始点で連結しているセグメント102h。
従って、下部コイルは上部コイルの鏡像である。
(i)配列において他の環状コイルの2つの丸みのある傾斜端部に対して湾曲方向と対向する1つの環状のコイルの2つの丸みのある傾斜端部に湾曲方向を与え、
(ii)2つのコイルのそれぞれに閉ループの空洞体積を経由して中央開空間チャネルを与え、前記中央開空間チャネルが、前記傾斜ループ端のそれぞれから配列の直線寸法距離を越えて他の端部に伸び、
(iii)前記弓形ヨーク構成の2つの対向する壁の内面に沿って前記内部空間領域内に配置してあり、1対の配置された丸みのある傾斜ループ端が前記弓形ヨーク構成の2つの開端部のそれぞれから身長して隣接し、
(iv)前記曲線状の中央軸および、ビームが前記弓形ヨーク構成の前記内部空間内に位置する前記2つのループ状コイル間に存在する隙間空間内を進行するにつれ、連続するリボンイオンビームの意図する弧状の経路、とを限定する境界としての役割をする。
1)母材の寸法を超えて伸長する一様なプロフィール
2)ガウス形または他の所望のプロフィール
3)母材の寸法を超えて伸びる直線的に変わるプロフィール
4)イオンビームプロセスに有用ないかなる他の予め決められたビームプロフィール
さらに、半値幅のような測定値が意味を持つガウス形ビームプロフィールおよび他のプロフィールの場合には、ビームプロフィールの半値幅を制御できる。
Claims (12)
- ターゲットにイオン注入する装置であって、
イオン源と、
イオンビームをイオン源から引き出すための引き出し装置と、
イオンビームを質量対電荷比に従う軌跡に沿って導くための磁気質量分析機と、
イオンビームをS字状に湾曲させて減速させるビームダンプと、を含み、
前記磁気質量分析機は、
3次元形状を有する1対の対称的なコイルと、
縦断面を長方形状としイオンビームを伝送する進路を有する強磁性のヨークと、を含み、
前記進路にコイルを通して制御された電流を流すことによって、コイルおよびヨークで境界をつけられた進路に実質的に閉じ込められる双極子磁場を発生させ、
分岐したイオンビームから磁気質量分析機の非分散面に1つのより長い寸法を有する連続したリボンビームを形成することを特徴とする、装置。 - 前記磁気質量分析機の下流に、イオンビームの均一性を制御するための多極レンズをさらに含む、請求項1に記載の装置。
- 前記多極レンズの下流に、連続するリボン状イオンビームの平行を制御するための焦点レンズをさらに含む、請求項2に記載の装置。
- 前記焦点レンズが、ビームを平行にするために適切な磁場を発生させることのできる4極レンズまたは2極レンズである、請求項3に記載の装置。
- 前記多極レンズが、イオンビームの大きさを制御するためにも使用される、請求項2乃至4の何れか1項に記載の装置。
- ターゲットをイオンビーム軸の横断方向のうち少なくとも1方向に動かす手段をさらに含む、請求項1乃至5の何れか1項に記載の装置。
- 前記イオンビームがターゲットの寸法以上の寸法に分岐し、該ターゲットが1方向のみに掃引される、請求項6に記載の装置。
- 前記イオンビームのより長い寸法がターゲットより小さく、そのターゲットが2方向に掃引される、請求項6に記載の装置。
- 前記ターゲットが半導体ウエハーであり、イオンビームによって掃引される、請求項1乃至8の何れか1項に記載の装置。
- 前記ヨークがイオンビームの経路を取り囲む弓形ヨークであり、前記コイルがイオンビームの経路に沿って伸長する鏡面対称の1対の鞍形コイルである、請求項1乃至9の何れか1項に記載の装置。
- 前記鞍形コイルは、直列に連続して接続された8つの導電セグメントであって、
ビーム軸の曲面セグメントとほぼ平行にビーム軸の中央平面に対して接線方向に位置する第一の曲面セグメントと、
ビーム軸の中央平面から外に約90度曲がっている第二の曲面セグメントと、
ビーム軸を横切って180度円弧する第三の曲面セグメントと、
第二のセグメントとほぼ平行に位置する約90度の第四の曲面セグメントと、
湾曲したビーム軸セグメントと平行に、第一のセグメントに対向して位置する第五の曲面セグメントと、
ビーム軸の中央平面から外に90度曲がっている第六のセグメントと、
ビーム軸を横切って後ろに180度円弧する第七のセグメントと、
90度向きをかえて第一の曲面セグメントに接続する第八のセグメントとを含む、請求項10に記載の装置。 - 前記弓形ヨークの経路が、0.25と2mの範囲の半径を有する曲線および範囲が約45度以上110度未満の曲率の円弧であり、
前記弓形ヨークは、少なくとも一部が強磁性体から形成され、固定した寸法および実質的に直方形の断面を有する弓形壁構造と、移動するビームの入口と出口の役割をする2つの別個の開口端と、移動するビームの空間進路の役割をする確定可能な体積の内部空間領域とを含み、
前記鞍形コイルは、位置合わせした配列として平行に設けられ、
(a)位置合わせした配列の1対の各々別個のコイルは、2つの丸い傾いたループ端を持つ伸張された完全なループであり、その各々は同一方向に曲げられ、内部空間領域の対向する側にあるループ両端を接続する2組の多極導体セグメントであり、更に、
(b)前記鞍形コイルの位置合わせした配列が、
(i)配列における他のループ状コイルの2つの丸い傾斜端に対して湾曲方向が対向する1つのループ状コイルの2つの丸い傾斜端に対して湾曲方向を与え、
(ii)2つのコイルの各々の閉ループの空洞体積を経由して中央開空間チャネルを提供し、前記中央開空間チャネルは前記傾斜ループ端の各々から配列の直線寸法距離を越えて他の端に伸長し、
(iii)前記弓形ヨーク構造の2つの対向する壁の内部表面に沿って前記内部空間領域内に位置し、1対の位置合わせをした丸い傾斜したループ端が前記弓形ヨーク構成の2つの開口端の各々から伸長し隣接して、
(iv)前記曲線の中央軸および、リボンビームが前記弓形ヨーク構成の前記空間領域内に位置する前記2つのループ状コイル間に出て行く空隙空間内を移動するにつれて、連続するリボンビームの意図する弧状経路、とに対して限定する境界としての役割をすることを含む、請求項10又は11に記載の装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/209,484 US7462843B2 (en) | 2004-05-18 | 2005-08-22 | Apparatus and methods for ion beam implantation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007059394A JP2007059394A (ja) | 2007-03-08 |
JP4468336B2 true JP4468336B2 (ja) | 2010-05-26 |
Family
ID=37922664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006222064A Active JP4468336B2 (ja) | 2005-08-22 | 2006-08-16 | イオンビーム注入装置および方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4468336B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8723135B2 (en) * | 2012-04-03 | 2014-05-13 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion beam bending magnet for a ribbon-shaped ion beam |
CN106932809B (zh) * | 2015-12-30 | 2023-07-14 | 核工业西南物理研究院 | 一种w字形多板变角组合结构的主动水冷量热靶结构 |
CN107864546B (zh) * | 2017-10-31 | 2019-06-07 | 华中科技大学 | 一种回旋加速器的束流强度稳定调制装置 |
US10886098B2 (en) * | 2018-11-20 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic filter and ion implanter having asymmetric electrostatic configuration |
-
2006
- 2006-08-16 JP JP2006222064A patent/JP4468336B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007059394A (ja) | 2007-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7326941B2 (en) | Apparatus and methods for ion beam implantation using ribbon and spot beams | |
US7462843B2 (en) | Apparatus and methods for ion beam implantation | |
US7675050B2 (en) | Apparatus and method for ion beam implantation using ribbon and spot beams | |
US7902527B2 (en) | Apparatus and methods for ion beam implantation using ribbon and spot beams | |
JP4677099B2 (ja) | 荷電粒子に関する装置および方法 | |
US8481959B2 (en) | Apparatus and method for multi-directionally scanning a beam of charged particles | |
KR101640171B1 (ko) | 리본 이온 빔을 위한 질량 분석 자석 | |
WO2005086204A2 (en) | Modulating ion beam current | |
KR101653731B1 (ko) | 빔 상보성 개구 형상을 빔 형상에 맞춤으로써 오염 및 미립자를 감소시키기 위한 시스템 및 방법 | |
JP7474255B2 (ja) | イオン注入システムおよび方法 | |
JP6460038B2 (ja) | 磁気偏向システム、イオン注入システム、イオンビームを走査する方法 | |
KR20090108059A (ko) | 이온 주입 장치 | |
JP5068928B2 (ja) | 低エネルギービーム増大化方法及びビーム照射装置 | |
US8354654B2 (en) | Apparatus and method for ion beam implantation using scanning and spot beams with improved high dose beam quality | |
JP4414988B2 (ja) | イオンビーム注入装置および方法 | |
JP7154236B2 (ja) | イオン注入システムにおける注入角度を補正するための方法、およびイオン注入システム | |
JP4468336B2 (ja) | イオンビーム注入装置および方法 | |
US9786470B2 (en) | Ion beam generator, ion implantation apparatus including an ion beam generator and method of using an ion beam generator | |
JP5004318B2 (ja) | イオン注入装置 | |
JP2006228667A (ja) | イオン照射装置 | |
JPH10308191A (ja) | イオン注入装置 | |
CN117995630A (zh) | 高分辨率电磁铁分析器、离子注入系统及离子束产生方法 | |
CN117995631A (zh) | 一种具有高分辨率电磁铁分析器的离子注入系统及离子束产生方法 | |
KR20120132318A (ko) | 이온주입장치 | |
WO2002054442A2 (en) | Ion beam collimating system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090507 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100202 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100224 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4468336 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20170305 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |