JP6460038B2 - 磁気偏向システム、イオン注入システム、イオンビームを走査する方法 - Google Patents
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Description
照射均一性が、イオン光束の変化によって影響を受けにくい。
低注入量レベルでも、より高いウェハスループットが可能である。
そして、高注入量の応用分野では、部分的表面帯電、熱衝撃、そして部分的な粒子誘発性の現象、例えばスパッタリングや放射線障害などによる性能低下が、大いに低減させられる。
円弧を描くウェハがビームを通過する運動によれば、大いに走査速度を改善するが、ビームの効果的な利用を達成するためには、多くのウェハまたは基板が回転円形コンベアーに同時に取り付けられられることを必要とする。
また、大きな電界が必要とされるので、高イオンエネルギーで電界走査を実行することがより困難になる。
結果として生じるそのリボンビームは、それから注入されるべきウェハまたは他の対象基板の方へ方向付けられる。そこで、ビームの位置にかかわりなく、恒常的なあらかじめ選択された方向に向かい、対象基板上の目標の表面に到着する。
第1および第2のコア端面と、同第1および第2のコア端面の間の磁気コアを通過して延びるチャネルと、
上記磁気コア内の上記チャネルを通過して延設される交流コイル巻線を有する交流コイルと、
上記磁気コア内の上記チャネルを通過して延設される直流コイル巻線を有し、上記交流コイルと実質的に誘導結合を生じない直流コイル、
上記交流コイルと上記直流コイルは、イオンビームが通過する隙間をそれらの間で形成しており、
上記交流コイルに連結され、上記隙間に対して時間関数において実質的に極性が交互に変化する交流磁場を作り出すために上記交流コイルに励磁電流を印加し、イオンビームの走査を起こさせる交流電流電源と、
上記直流コイルに連結され、上記直流コイルに対して、上記隙間に直流磁場を作り出す電流を印加する直流電流電源とを備え、
上記交流コイル巻線は上記チャネルの長手方向に向かって上記第1および第2のコア端面の間を横切るように延設され、上記交流コイル巻線は同第1および第2のコア端面の間で実質的に一方向に配向され、
さらに、上記直流コイル巻線は上記チャネルの長手方向に向かって上記第1および第2のコア端面を横切るように延設され、上記直流コイル巻線は同第1および第2のコア端面の間で実質的に一方向に配向されていることを特徴とする。
上記直流コイル巻線は、上記チャネル内であって上記交流コイル巻線が配設される異なる平面上では互いに平行であり、上記直流コイル巻線は、上記チャネルの外側では非平行な方向に形成されていることを特徴とする。
先行技術と対照に、しかしながら、その交流巻線はレーストラック形状やボビン形状を採用せず、代わりに、磁気走査装置を通過するイオンビームの長手方向と平行な方向に向かって延び(少なくとも交差せず)ている。このような装置は、最終的には、電流密度が磁極面に沿って実質的には単一方向あるいは線形に分散されることとなり、磁極面の一部に集中するのではない。これは、次に、イオンが偏向され、交流磁場に対する改善された均一性を提供し、そして、下流の対象基板上でのビームスポット性能の均一性も向上させる。
このような、走査方向と直交する平面での偏向は、イオンビームの中央の長手方向の軸が、イオンビームが磁気走査装置に到達したときに、イオンビームが対象基板に到達したときの中央の長手方向の軸とは異なるものとなることを許容する。言い換えると、磁気走査装置の入り口と対象基板との間の見通し線はないということである。これは、次に、中性の分子(その進行方向は、磁気走査装置内の磁場の存在にかかわらず影響を受けない)が、磁気走査装置の下流の位置でイオンビームから切り離されるのを許容する。
すなわち、選択されたイオンの種を含むイオンビームを作り出すイオン源と、
請求項1の磁気偏向システムと、
上記イオン源の下流に配置され、上記イオンビームを受けるための選択された表面を有する半導体基板を配置可能としたエンドステーションと、
上記イオンビームが、上記イオン源から上記磁気偏向システムを経由して上記エンドステーションまで真空の下で進むことができるように、上記イオン源から上記磁気偏向システムを経由して上記エンドステーションへと延設された真空筐体を備え、
上記交流電流電源によって励磁されるときに、上記交流コイルは上記選択された表面の平面で第1の方向にイオンビームを走査させ、
上記直流電流電源によって励磁されるときに、上記直流コイルは、上記イオンビームが走査する上記第1の方向と直交する平面内で上記イオンビームが偏向されることを特徴とするイオン注入システムである。
上記直流コイルは、励磁されると、
上記第1の方向に直交する上記平面の中央の長手方向の軸の第1の側に存在しているイオンビームのイオンに対して、上記中央の長手方向の軸に向けて、あるいは交差させて焦点化させており、
上記第1の方向に直交する上記平面の中央の長手方向の軸の反対側の第2の側に存在しているイオンビームのイオンに対して、上記中央の長手方向の軸から離れさせる。
イオンビームの行程の方向と、イオンビームが走査される方向との両方にほぼ直交する方向に走査イオンビームをコリメートさせるように構成されるようにしてもよい。
互いに対向する対称形の第1と第2の双極子を有するイオンビームコリメータであって、当該双極子の間には中央軸を有するイオンビーム開口を画定し、同中央軸はイオンビーム軌道と平行な方向に当該双極子の間を通過しており、
上記第1と第2の双極子におけるそれぞれの磁極は、上述の中央軸と直交する方向に、単調で多項式の形状となっている磁極面を有し、上記中央軸に向かって間隔が広がる磁極間ギャップを形成するようにしてもよい。
(a) イオン源でイオンを作り出す工程と、
(b) 上記イオン源の下流に配置される磁気走査装置の長手方向のチャネルにて、以下を作り出す工程と、
(i)交流場と、
(ii)上記交流場に対して実質的に直交する平面での直流場、
上記磁気走査装置は、第1および第2のコア端面と、この第1および第2のコア端面の間で当該磁気コアを通過するように延びるチャネルとを備え、
実質的に磁気コアの中のチャネル内で単一方向に延設され、上記第1および第2のコア端面を横切る交流コイル巻線を備え、交流場を作り出す交流コイルと、
同様に実質的に上記磁気コアの中のチャネル内で単一方向に延設され、上記第1および第2のコア端面を横切る直流コイル巻線を備え、直流場を作り出す直流コイルとを備え、
上記直流コイルは、上記交流コイルと実質的に誘導結合を生じず、
上記交流コイルと上記直流コイルは、その間に長手方向のチャネルを形成しており、
(c) 上記磁気走査装置の長手方向のチャネルに上記イオン源からのイオンを配向させることで、同イオンが上記チャネル内の交流場によって上記磁気走査装置の下流に配置される選択された表面を交差するように走査させる工程と
なお、交流場、基本的に交流磁場を指しており、直流場は、同様に直流磁場を指している。なお、それぞれが独立している場合のみならず、重畳されている場合も含む。
を実施する。
現在の発明のさらにもう一つの面に従って、
イオン注入機でイオンの平行ビームを生み出す方法であって、
(a)イオン源でイオンを作り出す工程と、
(b)全体的に扇形にイオンビームを形成するように磁気走査装置でイオンビーム経路を偏向する工程と、
(c)扇形のイオンビームを、イオンビーム軌道の中心と平行な中央の軸を有するイオンビーム開口を有するイオンビームコリメータの方へ偏向する工程と、
(d)イオンビーム開口の中央の軸とほぼ平行な方向に向けてイオンを平行なビームとなって出て行く、扇形のイオンビームをコリメータにてコリメートする工程とを実行し、さらに、(d)扇形のイオンビームをコリメータにてコリメートする工程では、
(e)上記中央の軸と直角な方向において単調に多項式の形状に変化する磁場をコリメータのイオンビーム開口内に作り出し、それにより、コリメータに到達するイオンのうち中央の軸に対する直角な方向での距離が比較的近いものは、上記中央の軸に対する直角な方向での距離が相対的に遠いイオンよりも弱い磁場力を受けるようにさせている。
特に、軸70の両側のイオンは磁気走査装置60によって常に−X方向に偏向される。これにより、そのうちのいくらかは、偏向される前に中心の長手方向の軸Zを横切る。一方、他のものは単純に中心の長手方向の軸Zからそれ、同軸Zを横切ることはない。X−Z平面でイオンを偏向させることにより、磁気走査装置60で下流で軸Z’に沿うことになるイオン行程の最終方向を特定することになる。
このことより、磁気偏向システムの入口と出口の間の中央の長手方向の軸を画定しており、直流コイルは、励磁されると、第1の方向に直交する平面の中央の長手方向の軸の第1の側に存在しているイオンビームのイオンに対して、中央の長手方向の軸に向けて、あるいは交差させて収束させており、第1の方向に直交する上記平面の中央の長手方向の軸の反対側の第2の側に存在しているイオンビームのイオンに対して、中央の長手方向の軸から離れさせていると言える。
ここで交流が意味するのは、通常のサイン波形や三角波形に限定されるものではない。実質的あるいは主にという意味での時変磁場を提供する時変電流をもたらすどのようなコイルであってもよい。
図3に示される方向では、交流コイル巻線140は、中心の長手方向の軸Zから等距離を隔ててX−Z平面と平行に延設されている。実質的に交流コイル巻線140は第1および第2の内壁に沿って延設されているからである。
図に示すように、交流コイル巻線140は、一対(140−1,140−2)配置されている。それぞれの交流コイル巻線140−1,140−2は、交流コイル巻線の第1のセットと、交流コイル巻線の第2のセットに相当する。交流コイル巻線の第1のセットと、交流コイル巻線の第2のセットは、第1のグループおよび第2のグループとして、上記チャネルの長手方向に沿って延設されている。交流コイル巻線140−1,140−2は上記チャネル内部では平たい形状をなし、上記第1の内壁に対面し、それぞれ隣接する状態で互いに平行に近接して配置されており、また、上記第2の内壁にも対面し、それぞれ隣接する状態で配置されている。この第1および第2の内壁は、上記第1および第2のコア端面の間であって、上記チャネルを通過する部位に相当する。
それぞれの交流コイル巻線140−1,140−2は、上記チャネル内に延設される際に第1および第2のコア端面を横切っているが、上記チャネルの外では同第1および第2のコア端面と平行になるように折り曲げられている。第1および第2のコア端面自体は、チャネルの開口部分であるのでほぼ正方形の環状となっている。その相対向する二辺に沿ってチャンネル内に向けて延設されているが、チャネルの外側では残る他の二辺に沿うように、かつ、互いに反対側の変に向かって交流コイル巻線140−1,140−2は延設されている。むろん、両者は重なり合わずに互いに離反する方向に配向されている。
交流コイル巻線140−1,140−2の電気的な経路は、チャネル内の第1の内壁にそって第1のコア端面160aから第2のコア端面160bに向かい、第2のコア端面160bにおいて同コア端面160bに沿って第2の内壁に沿って第2のコア端面160bから第1のコア端面160aに向かい、第2の内壁を出て第1のコア端面160aに沿って第1の内壁の側に向かう経路となっている。一対の交流コイル巻線140−1,140−2のそれぞれにおいて、この方向に正または負の電流が流れることになるので、上記交流コイル巻線140−1,140−2は上記チャネルの長手方向に向かって上記第1および第2のコア端面の間を横切るように延設され、かつ、上記交流コイル巻線は同第1および第2のコア端面の間で実質的に一方向に配向されていることになる。
また、以下の説明の中では、これらのコイルは直流コイル巻線と呼ばれる。
ここで直流が意味するのは、正確に一定値を保つという意味に限定されるものではない。このコイルで作り出されるフィールドは、実質的あるいは主に時間不変であることだけが必要であることを理解すべきである。
例えば、いくつかの実施例においては、直流コイル巻線150に供給される直流電流に小さな時変変動を加えることが望まれることがある。イオンビームの長手方向の(Z)方向に対して直角であり、さらに走査方向(+/−Y)に対しても直角の方向の変動を、このイオンビームにもたらすためである。そのような変動は、イオン源20の機能によってイオンビームにもたらされるイオン密度変動の除去に貢献することができる。
図に示すように、直流コイル巻線150は、一対(150−1,150−2)配置されている。それぞれの直流コイル巻線150−1,150−2は、直流コイル巻線の第1のセットと、直流コイル巻線の第2のセットに相当する。直流コイル巻線の第1のセットと、直流コイル巻線の第2のセットは、第1のグループおよび第2のグループとして、上記チャネルの長手方向に沿って延設されている。直流コイル巻線150−1,150−2は上記チャネル内部では平たい形状をなし、上記第3の内壁に対面し、それぞれ隣接する状態で互いに平行に近接して配置されており、また、上記第4の内壁にも対面し、それぞれ隣接する状態で配置されている。この第3および第4の内壁は、上記第1および第2のコア端面の間であって、上記チャネルを通過する部位に相当する。
それぞれの直流コイル巻線150−1,150−2は、上記チャネル内に延設される際に第1および第2のコア端面を横切っているが、上記チャネルの外では同第1および第2のコア端面と平行になるように折り曲げられている。直流コイル巻線150−1,150−2は、第1および第2のコア端面で相対向する二辺に沿ってチャンネル内に向けて延設されているが、チャネルの外側では残る他の二辺に沿うように、かつ、互いに反対側の辺に向かって直流コイル巻線150−1,150−2は延設されている。むろん、両者は重なり合わずに互いに離反する方向に配向されている。
直流コイル巻線150−1,150−2の電気的な経路は、チャネル内の第3の内壁にそって第1のコア端面160aから第2のコア端面160bに向かい、第2のコア端面160bにおいて同コア端面160bに沿って第4の内壁に沿って第2のコア端面160bから第1のコア端面160aに向かい、第2の内壁を出て第1のコア端面160aに沿って第1の内壁の側に向かう経路となっている。一対の直流コイル巻線150−1,150−2のそれぞれにおいて、この方向に正または負の電流が流れることになるので、上記直流コイル巻線150−1,150−2は上記チャネルの長手方向に向かって上記第1および第2のコア端面の間を横切るように延設され、かつ、上記直流コイル巻線は同第1および第2のコア端面の間で実質的に一方向に配向されていることになる。
図5の特定の実施例は、磁気走査装置60における断面正方形のでチャネルを示している。しかし、そのような左右対称性は、本発明を実装している磁気走査装置60の良好な運転のために必要でないことは理解されよう。
交流コイル巻線140は第1および第2の平面に相当する第1および第2の内壁に沿って配設されており、直流コイル巻線150は第3および第4の平面に相当する第3および第4の内壁に沿って配設されている。
対向する第1および第2の内壁と、対向する第3および第4の内壁は、チャネルを取り囲む4面の内壁であり、それらは直交している。よって、第1および第2の平面と第3および第4の平面と直交していると言え、また、交流コイル巻線140と直流コイル巻線150とが、それらの間に取り囲まれた空間を画定して隙間(チャネル)を形成していると言える。
図3で最もよく観察できるように、交流コイル巻線は、それからコア端面160a,160bに沿い、断面長方形のチャネルの開口の両側で、同開口に隣接するように延設されている。これは、Y軸と平行な方向である。
参照の容易のために、磁気コアのコア端面160a,160bに沿って延設される交流コイル巻線140の一部には参照番号140cが付されている。一方、磁気コアの中を断面長方形のチャネルを通過して延設される部分には、140a,140bと参照番号が付さられている。すなわち、交流コイル巻線140a,140bは、交流磁場の方向とほぼ直交する方向に、第1と第2のコア端面160a,160bの間の磁気コア160のほぼ実質的な全長にわたって延設されている。
一連の交流コイル巻線140のうち、140a,140bの部分では第1および第2の内壁に沿って延設されているのでチャネル内では互いに平行であり、チャネルの外側の交流コイル巻線140cの部分ではこれらとは非平行な方向に形成される。
その交流コイル巻線140は、磁気コアを通過して、あるいはその周りで、連続する電気的な環路を形成していることは、もちろんよく理解されるべきである。
図3と図4は、2つの同一のコイル構造が交流コイル巻線140を形成していることと、これらの2つの構造はY=0のZ−平面を基準として対称的に配置されていることをを示している。それらは外部において電気的に接続され、両方のコイルの電流が磁気コアのチャネル内側の内壁ごとに同方向となるようにされている。コイル構造は、各々、巻線からなる1枚の層を持っている。
現実に実装可能な様々な他の構造もある。例えば、所望の交流磁気強度を実現するために必要な交流コイル電流を減ずるため、より多くの巻数が必要であるときは、2枚あるいはそれ以上の層の巻線を使用すればよい。
直流コイル巻線150は、それからコア端面160a,160bに沿い、断面長方形のチャネルの開口の両側で、同開口に隣接するように延設されている。これは、X軸と平行な方向である。参照の容易のために、磁気コアのコア端面160a,160bに沿って延設される直流コイル巻線150の一部には参照番号150cが付されている。一方、磁気コアの中を断面長方形のチャネルを通過して延設される部分には、150a,150bと参照番号が付さられている。すなわち、直流コイル巻線150a,150bは、直流磁場の方向とほぼ直交する方向に、第1と第2のコア端面160a,160bの間の磁気コア160のほぼ実質的な全長にわたって延設されている。
一連の直流コイル巻線150のうち、150a,150bの部分では第3および第4の内壁に沿って延設されているのでチャネル内では互いに平行であり、チャネルの外側の直流コイル巻線150cの部分ではこれらとは非平行な方向に形成される。
交流コイル巻線と同様に、直流コイル巻線は連続する電気的な環路を形成しており、また交流コイルと類似した構造的特徴を備えるように配置されることができる。
電気抵抗を持つコイルの場合、作り出される熱は、水または水/グリコールの組合せによる液体冷却によって取り除かれるのが普通である。水−または、一般的には液体−の通路が、コイル構造内に実装されなければならない。
この走査装置コイルのために、直接冷却によるものが実装されている。これは、その巻線そのものが穴を備えた銅、あるいは銅の中の穴を備え、その穴を水が通過する。この種の冷却装置が、図4において識別されることができる。他の選択肢は、その巻線と隔離はされているが良好な熱接触の状態にある水路を含む間接的な冷却を利用することである。
図4において識別されうるように、交流コイルと直流コイルは、共に、冷却流体を受け入れるため、それぞれ交流コイル巻線140の間および直流コイル巻線150の間に一つ以上の横方向の間隔を形成されている。この間隔内に冷却媒体が外部から供給される。
例えば、トランス型シリコン合金鋼などの低い電気抵抗を備えた薄い強磁性積層体は、磁場ヒステリシスと誘導される渦電流損失によって磁気コアで生み出される熱を減らすことができる。必要であれば、そのような熱は、空冷または液体冷却によって取り除くこともできる。磁気コア160の代替材料はフェライト材である。しかし、これは低い磁場で磁気的に飽和するし、実際問題として利用するにはいくぶん高価である。鉄粉を使用することもできる。
実質的に直交する交流振動フィールドへの直流フィールドの重畳は、走査周期の間、どの時点でもゼロフィールドを生じない磁場を作り出すことになる。
次に、上記の米国特許5,481,116号公報で説明されるように、これはゼロ交差の際にビームサイズ変動の現象を排除する。
この場合、直流フィールドはあまり均一でなく、従って下流の基板でイオンビームの横向きの偏向の変動とビームサイズの結果として生じるイオン光学的悪化を引き起こす。
これは、450mmの直径のウェハ上を走査するためにも適切なことである。
実際、利用可能な余剰のパワーを、より大きな作用ギャップや、より高い走査周波数の提供に利用することができる。両方ともイオン注入装置の全体的な商業的なパフォーマンスを最大にすることに役立つ。
図12は、米国特許5,438,203号公報で記述されるように、単極走査装置のコイルを通過するエネルギー付与電流の時間軸での変動を概略的に示すグラフである。波形の三角形状は、図12において明らかである。ピークのコイル電流I2と最小のコイル電流I1の間で、瞬間的な電流iは、時間tに対してほぼ線形に以下のように変化する。
特に、I1とI2との関係(条件)を限定した場合には、以下の式が成立する。
実際問題として交流偏向のピークとほぼ同じ直流偏向を可能にすることができる。すなわち、図7と図8で示されるように、光線の13度である。前に述べたように、これはゼロ交差効果を除くのに十分である。
磁気走査装置61は、(図6に示される実施例で)65度の曲がり角に対応するために、X−Z平面で長さ方向に沿ってカーブしている。
この例では、磁気コアの中に延びているチャネルは、第1および第2のコア端面の間で湾曲している。
図5の中で見られるように、磁気走査装置61は、断面正方形か長方形の交流と直流コイル巻線141a/b,151a/bを伴っている。これらの交流と直流コイル巻線141a/b,151a/bは、積層磁気コア161における相互に直交する内壁に沿って延設されている。
図4と図5の実施例のように、交流と直流コイル巻線141a/b,151a/bは同様の方法で冷却しても良い。
次に、このような機能を実現するために通常利用されることになる別の直流アナライザー磁石を必要としなくすることができる。これは重要なコスト削減と物理的なサイズの考察の点で有利となる。
図11において最もよく観察されるように、双極子110,120の磁極面Cは、X’−Y平面でカーブしており、第1の双極子110である磁極要素110aと110bの間と、第2の双極子120の磁極要素120a,120b、の間のX’方向の横向きの加工間隙(ワーキングギャップ)は、Y方向で磁極要素の先端に向かうにつれ、すなわち中央の長手方向の軸Z’から離れるにつれて狭くなっている。
磁極面の間のX’方向の隙間は、中央の長手方向の軸Z’に向かうにつれて大きくなっている。これの理由は、以下の通りである。もし、第1および第2の双極子110,120が、コリメータ80を通過するときのリボンビーム131の幅に対応するために一定の横向きの加工間隙を持つことになっているならば、より大きな走査角度のものを平行にするためには、双極子110,120を通過するイオン経路長は、中央の長手方向の軸Z’(すなわち、まっすぐに通過するビーム方向)からの距離に比例して幾分か増加する必要ある。
しかし、これは図10に示されるバタフライ型磁極形状に帰結していく。
このような一対の対向する双極子がもつ問題は、図10においてRと記される領域において、磁極が必然的に中央の長手方向の軸Z’の近くで点のようにならざるをえないということである。次に、結果たる装置の偏向磁場を非常に曖昧にさせ、さらに励磁の強さを変動させてしまう。それゆえ、ウェハ100で走査領域の中心近くで、非常に大きな照射不均一が起こりえる。
このコリメータ80は、磁気偏向システムの下流に配置される第2のイオンビームコリメータとなり、イオンビームの進行方向と、イオンビームが走査される方向との両方にほぼ直交する方向に走査イオンビームをコリメートさせるものである。
これは、磁極面Cに実質的な双曲線の輪郭を採用することにより実現される。開口がより大きくなると、偏向場の強度が中央の長手方向の軸Z’の付近で弱くなることにより、磁気構造を通過するビームの経路長はこの領域で相対的に長くなり、隣接した点のような磁極先端形状を避けることができる。図10に示される蝶形の磁極形の重要性はさらに小さくなる。
このコリメータ80は、互いに対向する対称形の第1と第2の双極子(それぞれ磁極要素110a,110bと磁極要素120a、120b)を有しており、当該双極子の間には中央軸を有するイオンビーム開口を画定している。そしてこの中央軸はイオンビーム軌道と平行な方向に当該双極子の間を通過している。
それぞれの双極子(磁極要素110a,110bと磁極要素120a,120bであり、磁極とも呼ぶ)は、中央の長手方向の軸Z’に向かうにつれて増大するギャップを有し、かつ、それにつれて、単調に、多項式で表される、対称形の形状とされている。すなわち、第1と第2の双極子におけるそれぞれの磁極は、上述の中央軸と直交する方向に、単調で多項式の形状となっている磁極面を有し、上記中央軸に向かって間隔が広がる磁極間ギャップを形成している。
それぞれの双極子(磁極要素110a,110bと磁極要素120a、120b)の磁極面は、一般的な双曲線の輪郭を有しているので、イオンビーム開口内には四極子の場をつくり出すことになる。
Y−X’平面の磁極の正確な輪郭は、大きな走査角度のときでも正確に平行化されることが確実となるように調整される。必要となる磁極端の輪郭を決定するための方法論は、以下で述べる。
ここに解説される装置が走査方向でより多く開口を利用することができる理由は、大きな走査角度において磁極端の輪郭がイオン光学的な収差を修正するように成形されているからである。
まず第1に、磁極端の輪郭に対する推測上の最高のものを利用する。そのフィールドはこの輪郭のために計算されるか計測され、走査装置磁石における偏向角度βの機能としての偏向角θ(平行化された角度)の角度の値が決定される。角度θは、コリメータ80を通過する磁場の積分値と比例する。このフィールド積分値は、概ね次のようになる。
これは、図14と図15に図示されている。各々の走査角度βにおいて、磁極端は有効長を変えるようにΔL(β)だけ調整される。このΔL(β)は以下となるようにする。
ここで、単調にというのは、途中で変化率が正から負へあるいはその逆に変化することが無く一様な凹凸面であることを表している。
また、多項式で表される形状というのは、2次関数、3次関数あるいは4次関数というような多項式関数で曲面が表されることを意味している。
さらに、対象形の形状というのはギャップを挟んで対峙する対の磁極がそれぞれ対称形であるということである。
これにより、全体的な質量や、必要な電力の縮小という効果が得られる。
+Y方向に正方向に位置が離れているイオンは、中央の長手方向の軸Z’と平行な軸に向けて負のY方向に偏向される。これに対して、中央の長手方向の軸Z’を基準として、−Y方向に負方向に位置が離れているイオンは、中央の長手方向の軸Z’と平行な軸に向かって逆の方向(+Y方向)に偏向される。同じ方向に全てのイオンを偏向させる上記の米国特許5,438,203号公報とは、対照をなしている。
最も単純な形では、補正器75は四重極でもよい。補正器75がX方向において集束化させることを実現するために、補正器75の四重極は、コリメータ80のものとは反対の極性となるように励起される(エネルギーを与えられる)。
このようなX方向での集束化により、コリメータ80によって生じるX方向でのピンぼけを補償することができる。
これは、磁気走査装置においてゼロ交差を避ける構造と方法、および、小さなイオンビーム走査角度においてビーム照射における中心変動を避けるコリメータにおける構造と方法から生じている。
・前記実施例の中で開示した相互に置換可能な部材および構成等を適宜その組み合わせを変更して適用すること
・前記実施例の中で開示されていないが、公知技術であって前記実施例の中で開示した部材および構成等と相互に置換可能な部材および構成等を適宜置換し、またその組み合わせを変更して適用すること
・前記実施例の中で開示されていないが、公知技術等に基づいて当業者が前記実施例の中で開示した部材および構成等の代用として想定し得る部材および構成等と適宜置換し、またその組み合わせを変更して適用すること
は本発明の一実施例として開示されるものである。
Claims (15)
- 選択された表面の上にイオンビームを走査するための磁気偏向システムであって、
第1および第2のコア端面と、同第1および第2のコア端面の間の磁気コアを通過して延びるチャネルと、
上記磁気コア内の上記チャネルを通過して延設される交流コイル巻線を有する交流コイルと、
上記磁気コア内の上記チャネルを通過して延設される直流コイル巻線を有し、上記交流コイルと実質的に誘導結合を生じない直流コイル、
上記交流コイルと上記直流コイルは、イオンビームが通過する隙間をそれらの間で形成しており、
上記交流コイルに連結され、上記隙間に対して時間関数において実質的に極性が交互に変化する交流磁場を作り出すために上記交流コイルに励磁電流を印加し、イオンビームの走査を起こさせる交流電流電源と、
上記直流コイルに連結され、上記直流コイルに対して、上記隙間に直流磁場を作り出す電流を印加する直流電流電源とを備え、
上記交流コイル巻線は上記チャネルの長手方向に向かって上記第1および第2のコア端面の間を横切るように延設され、上記交流コイル巻線は同第1および第2のコア端面の間で実質的に一方向に配向され、
さらに、上記直流コイル巻線は上記チャネルの長手方向に向かって上記第1および第2のコア端面を横切るように延設され、上記直流コイル巻線は同第1および第2のコア端面の間で実質的に一方向に配向されていることを特徴とする磁気偏向システム。 - 上記請求項1の磁気偏向システムにおいて
上記交流コイル巻線は、上記チャネルの長手方向に平行な第1および第2の平面に沿って延設され、
上記直流コイル巻線は、上記チャネルの長手方向に平行な第3および第4の平面に沿って延設され、
上記交流コイル巻線と上記直流コイル巻線が、それらの間に取り囲まれた空間を画定して上記隙間を形成するように、上記第1および第2の平面は、上記第3および第4の平面と直交していることを特徴とする磁気偏向システム。 - 上記請求項1の磁気偏向システムにおいて、
上記チャネルの長手方向の第1のグループに沿って延設される上記交流コイル巻線の第1のセットと、上記チャネルの長手方向の第2のグループに沿って延設される上記交流コイル巻線の第2のセットを有し、
上記第1と第2のグループは、上記第1および第2のコア端面の間の上記チャネルを通過して延設される状況で互いに平行に近接して配設され、
上記交流コイル巻線の上記第1および第2のセットは、上記第1および第2のコア端面を横切って延設される際に、上記チャネルの外で互いが離反するように配置されていることを特徴とする磁気偏向システム。 - 上記請求項3の磁気偏向システムにおいて、
上記チャネルの長手方向の第1のグループに沿って延設される上記直流コイル巻線の第1のセットと、上記チャネルの長手方向の第ニのグループに沿って延設される上記直流コイル巻線の第2のセットとを有し、
上記第1と第2のグループは、上記第1および第2のコア端面の間の上記チャネルを通過して延設される状況で互いに平行に近接して配設され、
上記直流コイル巻線の上記第1および第2のセットは、上記第1および第2のコア端面を横切って延設される際に、上記チャネルの外で互いが離反するように配置されていることを特徴とする磁気偏向システム。 - 上記請求項1の磁気偏向システムにおいて、
上記交流コイルは、冷却流体を受け入れるため、当該交流コイル巻線の間に一つ以上の横方向の間隔を形成され、
上記直流コイルは、上記冷却流体を受け入れるため、当該直流コイル巻線の間に一つ以上の横方向の間隔を形成されていることを特徴とする磁気偏向システム。 - 上記請求項1の磁気偏向システムにおいて、
上記磁気コアの間に延びている上記チャネルは、上記第1および第2のコア端面の間で湾曲していることを特徴とする磁気偏向システム。 - 上記請求項1の磁気偏向システムにおいて、
上記交流コイル巻線は、上記チャネル内では互いに平行であり、上記チャネルの外側では非平行な方向に形成され、
上記直流コイル巻線は、上記チャネル内であって上記交流コイル巻線が配設される異なる平面上では互いに平行であり、上記直流コイル巻線は、上記チャネルの外側では非平行な方向に形成されていることを特徴とする磁気偏向システム。 - 上記請求項1の磁気偏向システムにおいて、
上記交流コイル巻線は、上記交流磁場の方向とほぼ直交する方向に、上記第1と第2のコア端面の間の磁気コアのほぼ実質的な全長にわたって延設されていることを特徴とする磁気偏向システム。 - 上記請求項8の磁気偏向システムにおいて、
上記直流コイル巻線は、上記直流磁場の方向とほぼ直交する方向に、上記第1と第2のコア端面の間の磁気コアのほぼ実質的な全長にわたって延設されていることを特徴とする磁気偏向システム。 - イオン注入システムであって、
選択されたイオンの種を含むイオンビームを作り出すイオン源と、
選択された表面の上にイオンビームを走査する磁気偏向システムと、
上記イオン源の下流に配置され、上記イオンビームを受けるための選択された表面を有する半導体基板を配置可能としたエンドステーションと、
上記イオンビームが、上記イオン源から上記磁気偏向システムを経由して上記エンドステーションまで真空の下で進むことができるように、上記イオン源から上記磁気偏向システムを経由して上記エンドステーションへと延設された真空筐体を備え、
上記磁気偏向システムは、
第1および第2のコア端面と、同第1および第2のコア端面の間の磁気コアを通過して延びるチャネルと、
上記磁気コア内の上記チャネルを通過して延設される交流コイル巻線を有する交流コイルと、
上記磁気コア内の上記チャネルを通過して延設される直流コイル巻線を有し、上記交流コイルと実質的に誘導結合を生じない直流コイル、
上記交流コイルと上記直流コイルは、イオンビームが通過する隙間をそれらの間で形成しており、
上記交流コイルに連結され、上記隙間に対して時間関数において実質的に極性が交互に変化する交流磁場を作り出すために上記交流コイルに励磁電流を印加し、イオンビームの走査を起こさせる交流電流電源と、
上記直流コイルに連結され、上記直流コイルに対して、上記隙間に直流磁場を作り出す電流を印加する直流電流電源とを備え、
上記交流コイル巻線は上記チャネルの長手方向に向かって上記第1および第2のコア端面の間を横切るように延設され、上記交流コイル巻線は同第1および第2のコア端面の間で実質的に一方向に配向され、
さらに、上記直流コイル巻線は上記チャネルの長手方向に向かって上記第1および第2のコア端面を横切るように延設され、上記直流コイル巻線は同第1および第2のコア端面の間で実質的に一方向に配向されており、かつ、
上記交流電流電源によって励磁されるときに、上記交流コイルは上記選択された表面の平面で第1の方向にイオンビームを走査させ、
上記直流電流電源によって励磁されるときに、上記直流コイルは、上記イオンビームが走査する上記第1の方向と直交する平面内で上記イオンビームが偏向されることを特徴とするイオン注入システム。 - 上記請求項10のイオン注入システムにおいて、
上記磁気偏向システムは、上記磁気偏向システムの入口と出口の間の中央の長手方向の軸を画定しており、
上記直流コイルは、励磁されると、
上記第1の方向に直交する上記平面の中央の長手方向の軸の第1の側に存在しているイオンビームのイオンに対して、上記中央の長手方向の軸に向けて、あるいは交差させて収束させており、
上記第1の方向に直交する上記平面の中央の長手方向の軸の反対側の第2の側に存在しているイオンビームのイオンに対して、上記中央の長手方向の軸から離れさせることを特徴とするイオン注入システム。 - 上記請求項10のイオン注入システムにおいて、
上記磁気偏向システムの下流に配置される第2のイオンビームコリメータを含み、
イオンビームの進行の方向と、イオンビームが走査される方向との両方にほぼ直交する方向に走査イオンビームをコリメートさせるように構成されていることを特徴とするイオン注入システム。 - 上記請求項10のイオン注入システムにおいて、
互いに対向する対称形の第1と第2の双極子を有するイオンビームコリメータであって、当該双極子の間には中央軸を有するイオンビーム開口を画定し、同中央軸はイオンビーム軌道と平行な方向に当該双極子の間を通過しており、
上記第1と第2の双極子におけるそれぞれの磁極は、上述の中央軸と直交する方向に、単調で多項式の形状となっている磁極面を有し、上記中央軸に向かって間隔が広がる磁極間ギャップを形成していることを特徴とするイオン注入システム。 - 上記請求項13のイオン注入システムにおいて、
イオンビームコリメータの各々の磁極面は、一般的な双曲線の輪郭を有し、
イオンビーム開口内に四極子の場をつくり出していることを特徴とするイオン注入システム。 - 選択された表面上にイオンビームを走査する方法であって、
(a) イオン源でイオンを作り出す工程と、
(b) 上記イオン源の下流に配置される磁気走査装置の長手方向のチャネルにて、以下を作り出す工程と、
(i)交流場と、
(ii)上記交流場に対して実質的に直交する平面での直流場、
上記磁気走査装置は、第1および第2のコア端面と、この第1および第2のコア端面の間で当該磁気コアを通過するように延びるチャネルとを備え、
実質的に磁気コアの中のチャネル内で単一方向に延設され、上記第1および第2のコア端面を横切る交流コイル巻線を備え、交流場を作り出す交流コイルと、
同様に実質的に上記磁気コアの中のチャネル内で単一方向に延設され、上記第1および第2のコア端面を横切る直流コイル巻線を備え、直流場を作り出す直流コイルとを備え、
上記直流コイルは、上記交流コイルと実質的に誘導結合を生じず、
上記交流コイルと上記直流コイルは、その間に長手方向のチャネルを形成しており、
(c) 上記磁気走査装置の長手方向のチャネルに上記イオン源からのイオンを配向させることで、同イオンが上記チャネル内の交流場によって上記磁気走査装置の下流に配置される選択された表面を交差するように走査させる工程と
を実施することを特徴とする選択された表面上にイオンビームを走査する方法。
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US11320476B2 (en) * | 2019-07-15 | 2022-05-03 | The Boeing Company | Eddy current system for use with electrically-insulative structures and methods for inductively heating or inductively inspecting |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5481116A (en) | 1994-06-10 | 1996-01-02 | Ibis Technology Corporation | Magnetic system and method for uniformly scanning heavy ion beams |
US5438203A (en) | 1994-06-10 | 1995-08-01 | Nissin Electric Company | System and method for unipolar magnetic scanning of heavy ion beams |
US5672879A (en) * | 1995-06-12 | 1997-09-30 | Glavish; Hilton F. | System and method for producing superimposed static and time-varying magnetic fields |
US20060017010A1 (en) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Axcelis Technologies, Inc. | Magnet for scanning ion beams |
US7635850B2 (en) | 2006-10-11 | 2009-12-22 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion implanter |
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