JPH01105448A - 荷電粒子線装置 - Google Patents

荷電粒子線装置

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JPH01105448A
JPH01105448A JP62261037A JP26103787A JPH01105448A JP H01105448 A JPH01105448 A JP H01105448A JP 62261037 A JP62261037 A JP 62261037A JP 26103787 A JP26103787 A JP 26103787A JP H01105448 A JPH01105448 A JP H01105448A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
charged particle
particle beam
electron beam
auxiliary electrode
Prior art date
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Pending
Application number
JP62261037A
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English (en)
Inventor
Ryuzo Aihara
相原 龍三
Haruo Kasahara
春生 笠原
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Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は電子ビームやイオンビーム等の荷電粒子線装置
に関し、特に、減速した荷電粒子線をターゲットに照射
するようにした荷電粒子線装置に関する。
[従来の技術] 電子ビーム装置では、ターゲットに電子ビームを照射し
、更に、その照射位置を移動させることによって、所望
図形の描画を行ったり、該電子ビームの照射に伴って発
生した2次電子等を検出し、該ターゲットの表面観察等
を行っている。ところで、加速電圧30kVで加速され
た電子ビームをターゲットに照射した場合、電子ビーム
の高いエネルギーのためにターゲットの表面部分がエツ
チングされてしまい、ターゲット表面の形状を変化させ
てしまう。このため、電子ビームの加速電圧を低くし、
ターゲットに照射される電子ビームのエネルギーを低下
させることも考えられるが、加速電圧を低くすると、集
束レンズで電子ビームを細く集束することができなくな
り、ターゲットのエツチングは回避されるものの、微細
部分への高精度の電子の照射を行うことができなくなる
このため、第2図に示すような電子ビーム装置が考えら
れている。図中、1は陰極、2はウェーネルト電極、3
は加速電極であり、該陰極1と加速電極3との間には、
加速電圧電源4から加速電圧が印加されている。5は対
物レンズで、アインツエル型の静電レンズであって、接
地電位の外側電極6と、レンズ電源7からレンズ電圧が
印加される中心電極8から成っている。9は偏向電極、
10は電子ビームが照射される被描画材料や被観察試料
等のターゲット、11は減速電場電源である。
上述した構成において、陰極1から発生し、加速電極3
によって加速された電子ビームは、中心電極8の電m7
からレンズ電圧が印加されている対物レンズ5によって
ターゲット10上に細く集束される。該電子ビームは、
該偏向電極9に印加される電圧によって偏向され、該電
子ビームのターゲット10上の照射位置は任意に変更す
ることができ、その結果、電子ビーム描画装置では所望
の図形を描画することができ、電子ビームで表面の観察
を行う場合では、所望の観察表面が電子ビームによって
走査される。
さて、加速電圧電源4からは、例えば−30kVの加速
電圧が陰極1と加速電極3との間に印加され、電子ビー
ムは比較的高いエネルギーで対物レンズ5に入射し、従
って、該電子ビームはターゲット10上に細く集束され
る。ここで、該ターゲット10には電源11から、例え
ば、−27kVの減速電圧が印加されており、その結果
、対物レンズ5の接地電位の外側電極6と該ターゲット
10との間には電子ビームの減速電場が形成され、電子
ビームは、エネルギーが低くされてターゲット10に照
射されることになる。すなわち、ターゲット10に照射
される電子ビームの加速電圧は、実質的に一3kVとな
る。
このように、この装置では、電子ビームは高いエネルギ
ーの状態で静電レンズに入射することから細く集束され
る一方、ターゲット10には低いエネルギーの状態で照
射されることから、該ターゲット表面のエツチングは防
止される。従って、該ターゲットの表面形状を変えるこ
となく電子ビームをターゲットに連続して照射すること
ができる。
第3図に示した装置は、第2図の装置の変形であり、こ
の装置では、ターゲット10を接地電位に保つようにし
ている。この第3図において、加速電極3に電源12か
ら所定の電圧が印加されると共に、アインツエルレンズ
である対物レンズ5の外側電極6にも、電源13から電
圧が印加されている。各電極に印加される電圧は、例え
ば、電源4から陰極1には一3kV、電源12から加速
電極3には+27kV、電源13からレンズ5の外側電
極6には+27kV、電源7から中心電極8には一12
kVが印加される。このような構成において、電子ビー
ムは加速電圧−30kVで加速され、該電子ビームは高
いエネルギーで対物レンズ5に入射し、細く集束される
。該対物レンズを透過した電子ビームは、+27kVが
印加された外側電極6と接地電位のターゲット10との
間に形成された減速電場によって減速され、実質的に一
3kVの加速電圧でターゲットに照射される。
従って、この第3図の装置においても、電子ビームは高
いエネルギーで対物レンズに入射することから細く集束
される一方、ターゲット10には低いエネルギーの状態
で照射されることから、該ターゲット表面のエツチング
は防止される。その結果、該ターゲット10上の微細な
部分に、ターゲットの表面形状を変えることなく高精度
に電子を照射することができる。
上述した構成において、対物レンズ5とターゲット10
との間には減速電場が形成されるが、該ターゲット10
の表面の形状に凹凸があると、減速電場が乱されて不均
一となり、電子ビームを精度良く細く集束することが困
難となる。又、ターゲット10が減速電場の電界に露出
しており、該ターゲットと対物レンズの外側電極との間
で微小放電が発生した時に、該ターゲットが損傷するこ
ともある。更に、該ターゲット近傍に2次電子検土器と
して接地電位のマイクロチャンネルプレートを配置した
場合、ターゲットからの2次電子は27kVの高いエネ
ルギーで加速されて検出器に入射するため、該検出器が
急速に劣化してしまう。
このような問題があるため、第4図に示すような構成が
考えられている。この構成は、第2図の装置を改良した
もので、第2図と同一部分には同一番号を付してその詳
細な説明を省略する。この構成において、対物レンズと
して磁界型レンズ20を使用しており、該対物レンズ2
0の磁極は接地電位とされている。21.22.23は
偏向コイル、アライメントコイルであり、又、24はタ
ーゲット10と同電位の補助電極である。25は該ター
ゲット10より数kV高電位のシンチレータ26、ライ
トパイプ27.接地電位のフォトマルチプライヤ−28
より成る2次電子検出器である。
この構成では、電子ビームの減速電場は対物レンズ20
の磁極と補助電極24との間に形成され、該補助電極2
4とターゲット10との間は等電位空間となるため、タ
ーゲット10の表面に凹凸が存在していても減速電場は
乱されることはなく、電子ビームが不正に偏向されたり
、ボケが生じたりすることは防止される。又、ターゲッ
ト10が減速電界に露出していないので、ターゲットと
他の部分との間で微小放電が生じることはなく、該ター
ゲットの損傷は防止される。更に、ターゲット10への
電子ビームの照射に伴って発生した2次電子は、ターゲ
ット表面近傍に減速電場がないために、高いエネルギー
で加速されることはなく、2次電子検出器は急速に劣化
することはない。なお、第4図の装置のように、ターゲ
ット10を接地電位とするには、対物レンズ20の磁極
に、電子ビーム減速用の高電圧を印加すれば良い。
なお、ここまでは電子ビームを例に説明したが、イオン
ビームであっても同様である。イオンビームの場合、第
2図、第3図の構成では、各電源から印加される電圧の
極性が電子ビームと逆になり、又、第4図の例では、イ
オンビームの場合、対物レンズとして磁界型レンズに代
え、静電レンズが使用される。
[発明が解決しようとする問題点] ところで、走査電子顕微鏡やイオンビーム装置でターゲ
ットの形態観察を行う場合には、ターゲットを傾斜させ
る必要がある。しかしながら、第4図の構成では、補助
電極24の存在によって試料傾斜の自由度がなく、ター
ゲット表面の形態観察に支障を来たす。
本発明は上述した点に鑑みてなされたもので、ターゲッ
ト近傍に等電位空間を形成するために補助電極を設けて
も、ターゲットを傾斜させることが可能な荷電粒子線装
置を提供することを目的している。
[問題点を解決するための手段] 本発明に基づく荷電粒子線装置は、荷電粒子線発生源か
ら発生し加速された荷電粒子線を集束するための集束レ
ンズと、該荷電粒子線が照射されるターゲットとを備え
、該集束レンズと該ターゲットとの間に減速電場を形成
するように構成した荷電粒子線装置において、該ターゲ
ットと該集束レンズとの間に配置され、該ターゲットと
略同電位で、荷電粒子線通過孔を有した補助電極と、該
補助電極と該ターゲットとの間に配置された2次電子検
出器とを備え、該補助電極を該荷電粒子線通過孔部分を
頂点とした傘状に形成したことを特徴としている。
[実施例] 以下本発明の一実施例を添附図面に基づいて詳述する。
第1図の装置は第4図に示した装置を改良したもので、
第4゛図と同一部分には同一番号を付してその詳細な説
明は省略する。第1図の装置と第4図の装置との相異点
は、補助電極24を電子ビーム通過孔Oを頂点とした傘
状に形成した点であり、該補助電極は対物レンズ20の
磁極に碍子30を介して固定されている。
このように、本実施例では、補助電極24を重上に形成
したので、ターゲットの形態観察を行う場合にターゲッ
ト10を図中点線の如く傾斜させても、該ターゲットが
補助電極24に衝突することは防止される。なお、この
実施例では、シンチレータ26には試料電位からみて数
kV高い電位を印加しているものの、絶縁体であるライ
トパイプ27を介してシンチレータ26からの信号を伝
達するようにしているため、フォトマルチプライヤ−2
8を接地電位で動作させることができ、検出回路系を簡
単にすることができる。
以上本発明の一実施例を詳述したが、本発明は上述した
実施例に限定されず幾多の変形が可能である。例えば、
単一の2次電子検出器を配置したが、描画装置などでタ
ーゲットのマークを検出する場合には、軸対称に複数の
検出器を配置することは望ましい。又、電子ビームを例
に説明したが、イオンビーム装置にも本発明は適用でき
る。その場合、対物レンズとしては、通常静電型のレン
ズが使用される。
[効果] 以上詳述した如く、本発明においては、補助電極を傘状
とし、該補助電極とターゲットとの間の等電位中周を広
げるようにしたので、ターゲットを傾斜させての荷電粒
子線の照射を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す図、第2図。 第3図および第4図は、電子ビームを減速してターゲッ
トに照射する装置を示す図である。 1・・・エミッタ   2・・・引出し電極3・・・加
速電極   5・・・対物レンズ6・・・外側電極  
 8・・・中心電極9・・・偏向電極  10・・・タ
ーゲット4.7.1.1.12.13・・・電源20・
・・対物レンズ 25・・・2次電子検出器26・・・
シンチレータ 27・・・ライトパイプ 28・・・フォトマルチプライヤ− 30・・・碍子

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)荷電粒子線発生源から発生し加速された荷電粒子
    線を集束するための集束レンズと、該荷電粒子線が照射
    されるターゲットとを備え、該集束レンズと該ターゲッ
    トとの間に減速電場を形成するように構成した荷電粒子
    線装置において、該ターゲットと該集束レンズとの間に
    配置され、該ターゲットと略同電位で、荷電粒子線通過
    孔を有した補助電極と、該補助電極と該ターゲットとの
    間に配置された2次電子検出器とを備え、該補助電極を
    該荷電粒子線通過孔部分を頂点とした傘状に形成したこ
    とを特徴とする電子ビーム装置。
  2. (2)該荷電粒子線は電子ビームである特許請求の範囲
    第1項記載の電子ビーム装置。
  3. (3)該荷電粒子線はイオンビームである特許請求の範
    囲第1項記載の電子ビーム装置。
JP62261037A 1987-10-16 1987-10-16 荷電粒子線装置 Pending JPH01105448A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6578520B2 (en) 2000-01-14 2003-06-17 Kao Corporation Absorbent mat for excreta treatment
US7128023B2 (en) 2001-11-19 2006-10-31 Kao Corporation Pet toilet
WO2014057918A1 (ja) * 2012-10-12 2014-04-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ イオンビーム装置

Cited By (4)

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JP2014078458A (ja) * 2012-10-12 2014-05-01 Hitachi High-Technologies Corp イオンビーム装置

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