JPH0732108B2 - 電子線露光装置 - Google Patents
電子線露光装置Info
- Publication number
- JPH0732108B2 JPH0732108B2 JP57131476A JP13147682A JPH0732108B2 JP H0732108 B2 JPH0732108 B2 JP H0732108B2 JP 57131476 A JP57131476 A JP 57131476A JP 13147682 A JP13147682 A JP 13147682A JP H0732108 B2 JPH0732108 B2 JP H0732108B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- electron beam
- electron
- image
- solenoid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 54
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/14—Lenses magnetic
- H01J37/141—Electromagnetic lenses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
- H01J2237/0451—Diaphragms with fixed aperture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/1505—Rotating beam around optical axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/152—Magnetic means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30472—Controlling the beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31776—Shaped beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 発明の対象 本発明は集積回路の製造等に使用される成形電子ビーム
を用いる電子線露光装置に関する。
を用いる電子線露光装置に関する。
従来技術 近年、集積回路のパターンを高速,高精度に描画するた
めに、可変成形電子線露光装置(以下、単に「露光装
置」という。)が使用されるようになった(例えば、J.
Vac.Sci.Jechnol.,15(3),May/June 1978,pp.887〜89
0参照)。第1図は、この露光装置の原理を説明する図
である。図において、1は電子線源であり、2,3は矩形
状孔を有するマスク、4,5は成形レンズである。また、
7は偏向器、9は対物レンズ、そして10はウエハ等の試
料面である。
めに、可変成形電子線露光装置(以下、単に「露光装
置」という。)が使用されるようになった(例えば、J.
Vac.Sci.Jechnol.,15(3),May/June 1978,pp.887〜89
0参照)。第1図は、この露光装置の原理を説明する図
である。図において、1は電子線源であり、2,3は矩形
状孔を有するマスク、4,5は成形レンズである。また、
7は偏向器、9は対物レンズ、そして10はウエハ等の試
料面である。
前記2つの成形レンズ4,5により、マスク2上の矩形が
マスク3上に結像され、これとマスク3上の矩形状孔と
の共通部分として、露光用矩形ビーム6を形成する。こ
の矩形ビーム6の大きさは、前記成形レンズ4,5の間に
設けられた偏向器7により調節することができる。前記
矩形ビーム6は縮小レンズ8,対物レンズ9により、試料
面10上に縮小結像される。この縮小矩形ビームは、対物
レンズ9内の偏向器11により試料面10上で位置を移動さ
せ、任意の図形を描くことができる。
マスク3上に結像され、これとマスク3上の矩形状孔と
の共通部分として、露光用矩形ビーム6を形成する。こ
の矩形ビーム6の大きさは、前記成形レンズ4,5の間に
設けられた偏向器7により調節することができる。前記
矩形ビーム6は縮小レンズ8,対物レンズ9により、試料
面10上に縮小結像される。この縮小矩形ビームは、対物
レンズ9内の偏向器11により試料面10上で位置を移動さ
せ、任意の図形を描くことができる。
第2図は、図形描画の様子を示す図であり、第2図
(A)は前記露光装置が理想的に動作した場合を示すも
のである。21は偏向器11による偏向範囲、22は偏向方
向、23は描画図形、24は矩形ビームである。このように
矩形ビーム24の方向と、偏向方向22とが合致している
と、図の如く矩形ビームを順次接続して所望の図形を正
確に描画することができる。
(A)は前記露光装置が理想的に動作した場合を示すも
のである。21は偏向器11による偏向範囲、22は偏向方
向、23は描画図形、24は矩形ビームである。このように
矩形ビーム24の方向と、偏向方向22とが合致している
と、図の如く矩形ビームを順次接続して所望の図形を正
確に描画することができる。
しかしながら、矩形ビーム24の辺の方向と偏向方向(走
査方向)22とを合致させることは、一般に容易ではな
い。これらの方向が合致していない場合、描画される図
形は第2図(B)に示すようになる。図から明らかな如
く、前記2つの方向が一致しない場合、描画図形25は矩
形間の接続不整が生じ、図形の寸法精度が低下したり境
界がなめらかでなくなつたりする。
査方向)22とを合致させることは、一般に容易ではな
い。これらの方向が合致していない場合、描画される図
形は第2図(B)に示すようになる。図から明らかな如
く、前記2つの方向が一致しない場合、描画図形25は矩
形間の接続不整が生じ、図形の寸法精度が低下したり境
界がなめらかでなくなつたりする。
従来、上記矩形ビームの方向を偏向方向と一致させるに
は、前記矩形マスク2,3を機械的に回転させていた。し
かしながら、この方法では、回転軸の中心をビームの光
学軸の中心や矩形孔に一致させることはできないため、
試料面10上に達するビームが、途中にあるビーム軸決定
アパーチヤで切られ、矩形ビームの電流密度が不均一に
なるという欠点があつた。また、この方法は、非常な熟
練者が長時間をかけなければ達成できないという重大な
欠点があつた。
は、前記矩形マスク2,3を機械的に回転させていた。し
かしながら、この方法では、回転軸の中心をビームの光
学軸の中心や矩形孔に一致させることはできないため、
試料面10上に達するビームが、途中にあるビーム軸決定
アパーチヤで切られ、矩形ビームの電流密度が不均一に
なるという欠点があつた。また、この方法は、非常な熟
練者が長時間をかけなければ達成できないという重大な
欠点があつた。
また、上述の如く、矩形マスク2,3を機械的に回転させ
る代わりに、縮小レンズ8により矩形ビームを回転させ
ることも考えられるが、この方法には、電子線源1の像
が対物レンズ9の前にあるアパーチャ上で大きく移動
し、ビームが遮られるという別の欠点がある。
る代わりに、縮小レンズ8により矩形ビームを回転させ
ることも考えられるが、この方法には、電子線源1の像
が対物レンズ9の前にあるアパーチャ上で大きく移動
し、ビームが遮られるという別の欠点がある。
以下、上述の欠点について詳細に説明する。
まず、第5図により、電子線源1の像について説明す
る。第5図には、実線で矩形マスク2上の1点(図で
は、代表点として軸上の1点をとった)からの電子線像
が、破線で電子線源1の電子線像が、それぞれ示されて
いる。図からも明らかな如く、電子線源1の電子線像
は、成形レンズ4,5の間に、像14として形成される。こ
れを物点として、成形レンズ5により、15で示される位
置に拡大像が、更に、これを物点として、更に拡大され
た像16が、対物アパーチャ13上に形成される。
る。第5図には、実線で矩形マスク2上の1点(図で
は、代表点として軸上の1点をとった)からの電子線像
が、破線で電子線源1の電子線像が、それぞれ示されて
いる。図からも明らかな如く、電子線源1の電子線像
は、成形レンズ4,5の間に、像14として形成される。こ
れを物点として、成形レンズ5により、15で示される位
置に拡大像が、更に、これを物点として、更に拡大され
た像16が、対物アパーチャ13上に形成される。
この場合の拡大率は、可変成形像6の試料面10上への縮
小率を1/Mとすると、ほぼM倍である。このような状態
で、縮小レンズ8の励磁をわずかに変化させることによ
り矩形ビームを回転すると、電子線源1の電子線像に、
第6図に示す如き変化が生ずる。
小率を1/Mとすると、ほぼM倍である。このような状態
で、縮小レンズ8の励磁をわずかに変化させることによ
り矩形ビームを回転すると、電子線源1の電子線像に、
第6図に示す如き変化が生ずる。
第6図は、矩形ビーム6(矩形マスク3の位置と一致す
る)の電子線像と、前述の15で示される位置に形成され
る電子線源1の拡大電子線像(矢印で示す)とを示して
いる。通常、電子線源1の拡大像の位置は、縮小レンズ
8の光軸17から離れた位置にある。これを仮に、矢印の
先端Aとする。なお、上述の、電子線源1の拡大像の位
置Aが、縮小レンズ8の光軸17から離れた位置にくる理
由は、電子線源1,成形レンズ4および5,縮小レンズ8の
光軸を、工作精度上、完全に一致させることができず、
通常、100μm程度ずれるためである。また、上述の電
子線源1の拡大像の位置は、縮小レンズ8の焦点位置の
若干外側になるが、これは、縮小レンズ8により、電子
線源1の拡大像を対物アパーチャ13上に結像させるため
には、矢印で示された拡大像を実像(物点)とする必要
があるためである(縮小レンズ8の焦点位置の内側にあ
ると虚像になる)。
る)の電子線像と、前述の15で示される位置に形成され
る電子線源1の拡大電子線像(矢印で示す)とを示して
いる。通常、電子線源1の拡大像の位置は、縮小レンズ
8の光軸17から離れた位置にある。これを仮に、矢印の
先端Aとする。なお、上述の、電子線源1の拡大像の位
置Aが、縮小レンズ8の光軸17から離れた位置にくる理
由は、電子線源1,成形レンズ4および5,縮小レンズ8の
光軸を、工作精度上、完全に一致させることができず、
通常、100μm程度ずれるためである。また、上述の電
子線源1の拡大像の位置は、縮小レンズ8の焦点位置の
若干外側になるが、これは、縮小レンズ8により、電子
線源1の拡大像を対物アパーチャ13上に結像させるため
には、矢印で示された拡大像を実像(物点)とする必要
があるためである(縮小レンズ8の焦点位置の内側にあ
ると虚像になる)。
第6図(a)は、最初に矩形ビーム6の焦点を合わせた
状態を示すものとする。このとき、上述の点Aは、対物
アパーチャ13の中心にあるように軸調整がなされてお
り、図のA′の位置にくる。そして、この状態で描画し
た際に第2図(B)に示す如く描画されたとする。
状態を示すものとする。このとき、上述の点Aは、対物
アパーチャ13の中心にあるように軸調整がなされてお
り、図のA′の位置にくる。そして、この状態で描画し
た際に第2図(B)に示す如く描画されたとする。
ところで、一般に、電子ビームは磁場中を通過するとき
回転作用を受ける。この場合の回転角θは、次の式で表
わされる。
回転作用を受ける。この場合の回転角θは、次の式で表
わされる。
ここで、e,m0はそれぞれ電子の電荷と質量、Vは加速電
圧、また、B(z)は電子の進行方向の磁場強度であ
る。
圧、また、B(z)は電子の進行方向の磁場強度であ
る。
磁場が、ソレノイドコイル(以下、「ソレノイドレン
ズ」という)によるものの場合、前記回転角θは、 と表わされる。
ズ」という)によるものの場合、前記回転角θは、 と表わされる。
ここで、Iはソレノイドを流れる電流、Nはコイル巻線
数、また、Eは電子のエネルギーでeV単位である。
数、また、Eは電子のエネルギーでeV単位である。
のとき、θは略1radである。
ここで、話を第6図の説明に戻して、矩形ビームの回転
を、偏向方向に一致させるために、縮小レンズ8を若干
強励磁(第6図(b)に示す)したときと、若干弱励磁
(第6図(c)に示す)したときに、上述の電子線源1
の拡大像A″およびAの位置がどう変化するかを、考
える。
を、偏向方向に一致させるために、縮小レンズ8を若干
強励磁(第6図(b)に示す)したときと、若干弱励磁
(第6図(c)に示す)したときに、上述の電子線源1
の拡大像A″およびAの位置がどう変化するかを、考
える。
第6図(a)に示した状態で、縮小レンズ8の焦点距離
をf、電子線源1の拡大像Aの位置を縮小レンズ8の中
心からf+Δとする。ここで、f+Δ=a、縮小レンズ
8と対物アパーチャ13間の距離をbとすると、 なる関係が成立する。これから、A点の、レンズ8によ
る拡大像の位置は、第6図(a)に示すA′から第6図
(b)に示すA″に移り、その倍率mは、 となる。すなわち、縮小レンズ8の焦点距離fを少し変
化させると、Δはもともと小さな値なので、mは大きく
変化することになる。
をf、電子線源1の拡大像Aの位置を縮小レンズ8の中
心からf+Δとする。ここで、f+Δ=a、縮小レンズ
8と対物アパーチャ13間の距離をbとすると、 なる関係が成立する。これから、A点の、レンズ8によ
る拡大像の位置は、第6図(a)に示すA′から第6図
(b)に示すA″に移り、その倍率mは、 となる。すなわち、縮小レンズ8の焦点距離fを少し変
化させると、Δはもともと小さな値なので、mは大きく
変化することになる。
従って、第6図(b)では、電子線源1の拡大像A″の
位置は、対物アパーチャ13の中心を大きく外れる。この
ため、対物アパーチャ13を通過する電子ビーム量は、第
6図(a)に示した状態に比べて、大きく減少すること
になる。なお、第6図(c)に示した場合も同様であ
る。
位置は、対物アパーチャ13の中心を大きく外れる。この
ため、対物アパーチャ13を通過する電子ビーム量は、第
6図(a)に示した状態に比べて、大きく減少すること
になる。なお、第6図(c)に示した場合も同様であ
る。
上述の、第6図(b)に示す状態では、対物アパーチャ
13を通過する電子ビーム量が、第6図(a)に示した状
態に比べて、大きく減少する理由について、第7図およ
び第8図を用いて、以下、詳細に説明する。
13を通過する電子ビーム量が、第6図(a)に示した状
態に比べて、大きく減少する理由について、第7図およ
び第8図を用いて、以下、詳細に説明する。
第6図(a)〜(c)に示した電子線源1の拡大像Aの
更に拡大された像を、それぞれ、A′,A″,Aとする。
また、A点からの全ビームが、第7図に示した電子線1
8,19の中に放出されるものとする。
更に拡大された像を、それぞれ、A′,A″,Aとする。
また、A点からの全ビームが、第7図に示した電子線1
8,19の中に放出されるものとする。
第6図(a)に示した状態では、電子線18,19は縮小レ
ンズ8を通過後、それぞれ、40,41で示される如く進
む。この状態で、アパーチャ13の中心にA′が来るよう
に、光軸調整が行われているわけである。
ンズ8を通過後、それぞれ、40,41で示される如く進
む。この状態で、アパーチャ13の中心にA′が来るよう
に、光軸調整が行われているわけである。
ここで、矩形ビームを回転させるために、縮小レンズ8
を、第6図(b)に示す如く少し強励磁にすると、縮小
レンズ8の焦点は第7図で「より強励磁の時の焦点」と
書かれている位置(少し内側)に移動する。これにより
電子線18,19は二点鎖線42,43で示される如く進むことに
なる。このため、電子線源1の拡大像Aの更に拡大され
た像はA″の位置に生ずるが、その延長線はB点でボケ
た像を形成し、上述の電子線の一方42が、アパーチャ13
にかかる状態になる。これは、B点で電子線が一部遮ら
れることに対応している。
を、第6図(b)に示す如く少し強励磁にすると、縮小
レンズ8の焦点は第7図で「より強励磁の時の焦点」と
書かれている位置(少し内側)に移動する。これにより
電子線18,19は二点鎖線42,43で示される如く進むことに
なる。このため、電子線源1の拡大像Aの更に拡大され
た像はA″の位置に生ずるが、その延長線はB点でボケ
た像を形成し、上述の電子線の一方42が、アパーチャ13
にかかる状態になる。これは、B点で電子線が一部遮ら
れることに対応している。
矩形ビームを上と逆回転させるために、縮小レンズ8
を、第6図(c)に示す如く少し弱励磁にした場合に
も、逆方向に同様のずれが発生し、B点でビームが一部
遮られる。なお、第7図では、作図の都合上、電子線1
8,19と同42,43とが同一平面上に描かれているが、実際
には、光軸の周りに回転していることは言うまでもな
い。
を、第6図(c)に示す如く少し弱励磁にした場合に
も、逆方向に同様のずれが発生し、B点でビームが一部
遮られる。なお、第7図では、作図の都合上、電子線1
8,19と同42,43とが同一平面上に描かれているが、実際
には、光軸の周りに回転していることは言うまでもな
い。
また、第7図中の電子線源1の拡大像Aの更に拡大され
た像A′とB点との距離Xは、ほぼ、 となる(第8図参照)。
た像A′とB点との距離Xは、ほぼ、 となる(第8図参照)。
ここで、δは焦点距離の変化量、はA点から光軸まで
の距離を示している。なお、b/fは通常10〜20程度、
は1mm程度なので、δを100μm,f=10mmとすると、上述
の電子線のアパーチャ13上での移動量(X)は、100〜2
00μm程度となる。アパーチャ13の径は500μm程度な
ので、上記移動量(X)では、矩形ビームの電流密度が
10%以上減少することになり、露光ムラ等の原因とな
る。
の距離を示している。なお、b/fは通常10〜20程度、
は1mm程度なので、δを100μm,f=10mmとすると、上述
の電子線のアパーチャ13上での移動量(X)は、100〜2
00μm程度となる。アパーチャ13の径は500μm程度な
ので、上記移動量(X)では、矩形ビームの電流密度が
10%以上減少することになり、露光ムラ等の原因とな
る。
上述の如き理由で、縮小レンズ8を若干強励磁または弱
励磁することにより、矩形ビームを微小角度回転補正し
た場合にも、前述の、矩形マスク2,3を機械的に回転さ
せる方法と同様に、矩形ビームの電流密度が不均一にな
るという欠点が現われることになり、好ましくない。
励磁することにより、矩形ビームを微小角度回転補正し
た場合にも、前述の、矩形マスク2,3を機械的に回転さ
せる方法と同様に、矩形ビームの電流密度が不均一にな
るという欠点が現われることになり、好ましくない。
なお、特公昭57−41815号公報には、2枚の縮小レンズ
を組み合わせたダブルギャップレンズを用いて、矩形ビ
ーム回転時の角度調整装置が開示されているが、この装
置においても、明確な記載はないが、上述の如き、倍率
mが大きく変化することによる弊害、つまり、矩形ビー
ムの電流密度が不均一になるという欠点が現われること
は明らかである。
を組み合わせたダブルギャップレンズを用いて、矩形ビ
ーム回転時の角度調整装置が開示されているが、この装
置においても、明確な記載はないが、上述の如き、倍率
mが大きく変化することによる弊害、つまり、矩形ビー
ムの電流密度が不均一になるという欠点が現われること
は明らかである。
発明の目的 本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、従来の露光装置における上述の如き欠
点を除去し、成形ビームの電流密度の均一性を損うこと
なく、成形ビームの方向を容易に調整可能とした露光装
置を提供することにある。
とするところは、従来の露光装置における上述の如き欠
点を除去し、成形ビームの電流密度の均一性を損うこと
なく、成形ビームの方向を容易に調整可能とした露光装
置を提供することにある。
発明の総括的説明 本発明の上記目的は、電子線発生手段からの電子線照射
を受ける多角形状孔を有するマスクおよび該マスクの多
角形状孔を通過した電子線を被露光物上に縮小結像する
縮小電子レンズを有する電子線露光装置において、前記
マスクと前記被露光物との間に電子線ビーム回転調整用
ソレノイドレンズを配置し、該ソレノイドレンズの焦点
距離Fを、前記マスクと前記縮小電子レンズとの間の距
離Lの5倍以上に選定してなることを特徴とする電子線
露光装置により達成される。
を受ける多角形状孔を有するマスクおよび該マスクの多
角形状孔を通過した電子線を被露光物上に縮小結像する
縮小電子レンズを有する電子線露光装置において、前記
マスクと前記被露光物との間に電子線ビーム回転調整用
ソレノイドレンズを配置し、該ソレノイドレンズの焦点
距離Fを、前記マスクと前記縮小電子レンズとの間の距
離Lの5倍以上に選定してなることを特徴とする電子線
露光装置により達成される。
発明の実施例 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。
る。
第3図は本発明の一実施例を示すものである。本装置
は、第1図に示した装置の第2の成形アパーチヤ(以
下、単に「アパーチヤ」という。)3と縮小レンズ8と
の間の空間に、ソレノイドレンズ12を設けたものであ
る。他の符号1〜11は第1図に示したと同じ構成要素を
示している。なお、上記第2の成形アパーチヤ3と縮小
レンズ8との間の空間は、アパーチヤを縮小するために
かなり距離を置くのが一般的であり、前記ソレノイドレ
ンズ12を配することは容易である。
は、第1図に示した装置の第2の成形アパーチヤ(以
下、単に「アパーチヤ」という。)3と縮小レンズ8と
の間の空間に、ソレノイドレンズ12を設けたものであ
る。他の符号1〜11は第1図に示したと同じ構成要素を
示している。なお、上記第2の成形アパーチヤ3と縮小
レンズ8との間の空間は、アパーチヤを縮小するために
かなり距離を置くのが一般的であり、前記ソレノイドレ
ンズ12を配することは容易である。
第3図に示す如くソレノイドレンズ12を配して、該ソレ
ノイドレンズ12の励磁を増加させると矩形ビームの回転
角を増加させることができるし、励磁方向を逆転するこ
とにより矩形ビームの回転方向を逆転させることも可能
である。
ノイドレンズ12の励磁を増加させると矩形ビームの回転
角を増加させることができるし、励磁方向を逆転するこ
とにより矩形ビームの回転方向を逆転させることも可能
である。
前記ソレノイドレンズ12の励磁の制御を他のレンズ制御
と同じコントローラから行えるようにしておけば、オペ
レータが容易に操作することができる。
と同じコントローラから行えるようにしておけば、オペ
レータが容易に操作することができる。
なお、ソレノイドレンズ12は、電子ビームに対して回転
作用のみならず焦点作用をも有するので、ソレノイドレ
ンズ12の焦点距離に以下の如き制限条件が存在する。第
1の条件は、ソレノイドレンズを励磁して矩形ビームを
回転させた場合に、焦点の位置が大きくずれないこと、
また、第2の条件はソレノイドレンズを働かせることに
より生ずるビームの軸ずれが許容誤差内であることであ
る。
作用のみならず焦点作用をも有するので、ソレノイドレ
ンズ12の焦点距離に以下の如き制限条件が存在する。第
1の条件は、ソレノイドレンズを励磁して矩形ビームを
回転させた場合に、焦点の位置が大きくずれないこと、
また、第2の条件はソレノイドレンズを働かせることに
より生ずるビームの軸ずれが許容誤差内であることであ
る。
以下、これらの条件について定量的に検討する。第4図
にソレノイドレンズ部前後の電子軌道の詳細を示した。
にソレノイドレンズ部前後の電子軌道の詳細を示した。
まず、第1の条件について考える。前記アパーチヤで成
形された矩形ビーム6は、縮小レンズ8により点31に縮
小結像される。このときの縮小率を1/Mとする。ソレノ
イドレンズを動作させると結像点がΔzだけずれる。
形された矩形ビーム6は、縮小レンズ8により点31に縮
小結像される。このときの縮小率を1/Mとする。ソレノ
イドレンズを動作させると結像点がΔzだけずれる。
このΔzは次のように表わされる。
ここで、l1はアパーチヤからソレノイドレンズ中心まで
の距離、Fはソレノイドレンズの焦点距離である。
の距離、Fはソレノイドレンズの焦点距離である。
式(3)から明らかな如く、Δzを小さくするために
は、l1は小さいこと、F,Mは大きいことが必要である。
実際問題として、ソレノイドレンズはアパーチヤと縮小
レンズの略中間に置かれるので ここで、Lはアパーチヤと縮小レンズとの距離となり、
また、FとLの間には なる関係がある。L,M,Δzに現実的な値を代入すると
(L=10〜20cm,M=10〜20,Δz=10〜20μm)、 となる。
は、l1は小さいこと、F,Mは大きいことが必要である。
実際問題として、ソレノイドレンズはアパーチヤと縮小
レンズの略中間に置かれるので ここで、Lはアパーチヤと縮小レンズとの距離となり、
また、FとLの間には なる関係がある。L,M,Δzに現実的な値を代入すると
(L=10〜20cm,M=10〜20,Δz=10〜20μm)、 となる。
次に、第2の条件について考える。ソレノイドレンズを
働かせることにより生ずるビームの軸ずれは、ソレノイ
ドレンズの中心がアパーチヤと縮小レンズとを結ぶ軸と
一致していないことから生ずるものである。このずれ量
をhとする。電子線源のクロスオーバの像は、縮小レン
ズ8の前焦点の近傍32に結像され、その大きさはクロス
オーバ径と同程度である。ソレノイドレンズを動作させ
ることにより生ずる、前記クロスオーバ像の軸に垂直方
向の偏位Δrは次式で表わされる。
働かせることにより生ずるビームの軸ずれは、ソレノイ
ドレンズの中心がアパーチヤと縮小レンズとを結ぶ軸と
一致していないことから生ずるものである。このずれ量
をhとする。電子線源のクロスオーバの像は、縮小レン
ズ8の前焦点の近傍32に結像され、その大きさはクロス
オーバ径と同程度である。ソレノイドレンズを動作させ
ることにより生ずる、前記クロスオーバ像の軸に垂直方
向の偏位Δrは次式で表わされる。
式(6)から明らかな如く、Δrを小さくするにはl2が
小さいこと(これは、Δzを小さくするのと逆方向であ
る。)、hが小さいこと、Fは大きいことが必要であ
る。実際問題として、 と考えると、 となる。ここで、hは製作上の誤差から0.1mm以下にす
ることは困難であり、Δrとしてはクロスオーバ径10μ
m程度しか許容できない。従つて となる。式(5)と(8)からソレノイドレンズの焦点
距離Fは、前記アパーチヤと縮小レンズとの間の距離L
の5倍以上が必要であることがわかる。Lは通常20cm程
度であるのでFは1m以上となる。
小さいこと(これは、Δzを小さくするのと逆方向であ
る。)、hが小さいこと、Fは大きいことが必要であ
る。実際問題として、 と考えると、 となる。ここで、hは製作上の誤差から0.1mm以下にす
ることは困難であり、Δrとしてはクロスオーバ径10μ
m程度しか許容できない。従つて となる。式(5)と(8)からソレノイドレンズの焦点
距離Fは、前記アパーチヤと縮小レンズとの間の距離L
の5倍以上が必要であることがわかる。Lは通常20cm程
度であるのでFは1m以上となる。
回転調整のため、θが5°程度必要とすると、励磁は 程度で十分で、このとき焦点距離を1m以上とすることは
ソレノイドレンズを用いることで容易に達成可能であ
る。なお、上記実施例に示したソレノイドレンズは、回
転レンズ,ソレノイドコイル,回転コイル等とも呼ばれ
ることがある。
ソレノイドレンズを用いることで容易に達成可能であ
る。なお、上記実施例に示したソレノイドレンズは、回
転レンズ,ソレノイドコイル,回転コイル等とも呼ばれ
ることがある。
上記実施例においては、縮小レンズが1段の場合を例に
挙げたが、縮小率を大きくする必要がある場合等、複数
個の縮小レンズを用いることがある。このような場合、
前記ソレノイドレンズを置く位置としては、任意の縮小
レンズ間であつても良い。すなわち、前記アパーチヤと
最終段の縮小レンズとの間に置くことが可能である。
挙げたが、縮小率を大きくする必要がある場合等、複数
個の縮小レンズを用いることがある。このような場合、
前記ソレノイドレンズを置く位置としては、任意の縮小
レンズ間であつても良い。すなわち、前記アパーチヤと
最終段の縮小レンズとの間に置くことが可能である。
また、上記実施例では矩形成形ビーム露光装置を例に挙
げたが、成形ビームの形状は矩形に限られるものでない
ことは言うまでもない。
げたが、成形ビームの形状は矩形に限られるものでない
ことは言うまでもない。
発明の効果 以上述べた如く、本発明によれば、電子線発生手段から
の電子線照射を受ける多角形状孔を有するマスクおよび
該マスクの多角形状孔を縮小結像する電子レンズ系を有
する露光装置において、前記マスクと最終段の電子レン
ズとの間に電子線ビーム回転調整用ソレノイドコイルを
配置したので、成形ビームの電流密度の均一性を損うこ
となく、成形ビームの方向を容易に調整可能な露光装置
を実現できるという顕著な効果を奏するものである。
の電子線照射を受ける多角形状孔を有するマスクおよび
該マスクの多角形状孔を縮小結像する電子レンズ系を有
する露光装置において、前記マスクと最終段の電子レン
ズとの間に電子線ビーム回転調整用ソレノイドコイルを
配置したので、成形ビームの電流密度の均一性を損うこ
となく、成形ビームの方向を容易に調整可能な露光装置
を実現できるという顕著な効果を奏するものである。
第1図は露光装置の原理を示す図、第2図(A),
(B)は矩形ビームと描画図形の関連を示す図、第3図
は本発明の一実施例である露光装置を示す図、第4図は
ソレノイドレンズを動作させたときの電子軌道を示す
図、第5図〜第8図は、本発明の原理を説明する図であ
る。 1:電子線源、2,3:マスク、4,5:成形レンズ、6:成形ビー
ム、7:偏向器、8:縮小レンズ、9:対物レンズ、10:試料
面、11:偏向器、12:ソレノイドレンズ。
(B)は矩形ビームと描画図形の関連を示す図、第3図
は本発明の一実施例である露光装置を示す図、第4図は
ソレノイドレンズを動作させたときの電子軌道を示す
図、第5図〜第8図は、本発明の原理を説明する図であ
る。 1:電子線源、2,3:マスク、4,5:成形レンズ、6:成形ビー
ム、7:偏向器、8:縮小レンズ、9:対物レンズ、10:試料
面、11:偏向器、12:ソレノイドレンズ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松坂 尚 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭57−73938(JP,A) 特開 昭57−41815(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】電子線発生手段からの電子線照射を受ける
多角形状孔を有するマスクおよび該マスクの多角形状孔
を通過した電子線を被露光物上に縮小結像する縮小電子
レンズを有する電子線露光装置において、前記マスクと
前記被露光物との間に電子線ビーム回転調整用ソレノイ
ドレンズを配置し、該ソレノイドレンズの焦点距離F
を、前記マスクと前記縮小電子レンズとの間の距離Lの
5倍以上に選定してなることを特徴とする電子線露光装
置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57131476A JPH0732108B2 (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 電子線露光装置 |
US06/516,091 US4577111A (en) | 1982-07-28 | 1983-07-22 | Apparatus for electron beam lithography |
GB08319949A GB2125614B (en) | 1982-07-28 | 1983-07-25 | Apparatus for electron beam lithography |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57131476A JPH0732108B2 (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 電子線露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5922326A JPS5922326A (ja) | 1984-02-04 |
JPH0732108B2 true JPH0732108B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=15058861
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57131476A Expired - Lifetime JPH0732108B2 (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 電子線露光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4577111A (ja) |
JP (1) | JPH0732108B2 (ja) |
GB (1) | GB2125614B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8415623D0 (en) * | 1984-06-19 | 1984-07-25 | Nixon W C | Charged particle sources |
JPH01500942A (ja) * | 1986-10-08 | 1989-03-30 | バリアン・アソシエイツ・インコーポレイテッド | イオンビーム装置において入射角を一定にする方法および装置 |
GB2197751A (en) * | 1986-11-24 | 1988-05-25 | Philips Electronic Associated | Variable shaped spot electron beam pattern generator |
JP2843594B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1999-01-06 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光装置及びその露光方法 |
EP0431864B1 (en) * | 1989-12-04 | 1998-04-29 | Fujitsu Limited | Method of detecting and adjusting exposure conditions of charged particle exposure system and such a system |
US5674413A (en) * | 1993-12-23 | 1997-10-07 | International Business Machines Corporation | Scattering reticle for electron beam systems |
US5466904A (en) * | 1993-12-23 | 1995-11-14 | International Business Machines Corporation | Electron beam lithography system |
US5523580A (en) * | 1993-12-23 | 1996-06-04 | International Business Machines Corporation | Reticle having a number of subfields |
US5635719A (en) * | 1996-07-23 | 1997-06-03 | International Business Machines Corporation | Variable curvilinear axis deflection means for particle optical lenses |
US5757010A (en) * | 1996-12-18 | 1998-05-26 | International Business Machines Corporation | Curvilinear variable axis lens correction with centered dipoles |
DE19911372A1 (de) * | 1999-03-15 | 2000-09-28 | Pms Gmbh | Vorrichtung zum Steuern eines Strahls aus elektrisch geladenen Teilchen |
EP1777728A1 (en) * | 2005-10-20 | 2007-04-25 | Carl Zeiss SMS GmbH | Lithography system |
JP4843425B2 (ja) * | 2006-09-06 | 2011-12-21 | エルピーダメモリ株式会社 | 可変成形型電子ビーム描画装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1605087A (en) * | 1977-05-31 | 1981-12-16 | Rikagaku Kenkyusho | Method for shaping a beam of electrically charged particles |
JPS5445025A (en) * | 1977-09-13 | 1979-04-10 | Kyokuto Kaihatsu Kogyo Co Ltd | Buffer device in packing case lifting mechanism of damp car |
JPS5456041A (en) * | 1977-10-01 | 1979-05-04 | Otsuka Chem Co Ltd | Metal corrosion preventing composition |
DD134582A1 (de) * | 1978-01-19 | 1979-03-07 | Eberhard Hahn | Verfahren und einrichtung zur justierung einer elektronenstrahlbearbeitungsanlage |
JPS551186A (en) * | 1979-04-23 | 1980-01-07 | Toshiba Corp | Electron beam exposure apparatus |
GB2055243B (en) * | 1979-08-01 | 1983-07-06 | Zeiss Jena Veb Carl | Method and device for tilting planar beam probes |
JPS6014463B2 (ja) * | 1980-04-26 | 1985-04-13 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡 |
JPS5741815A (en) * | 1980-08-26 | 1982-03-09 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | Controlling method for sheet shape in tandem rolling mill |
JPS5773938A (en) * | 1980-10-28 | 1982-05-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Correcting apparatus for electron beam rotation on electro optical mirror |
-
1982
- 1982-07-28 JP JP57131476A patent/JPH0732108B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-07-22 US US06/516,091 patent/US4577111A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-07-25 GB GB08319949A patent/GB2125614B/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2125614B (en) | 1986-02-05 |
GB2125614A (en) | 1984-03-07 |
JPS5922326A (ja) | 1984-02-04 |
US4577111A (en) | 1986-03-18 |
GB8319949D0 (en) | 1983-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH09223475A (ja) | 電磁偏向器、及び該偏向器を用いた荷電粒子線転写装置 | |
JPH0732108B2 (ja) | 電子線露光装置 | |
JPH10335215A (ja) | 荷電粒子線描画装置 | |
JPH0831724A (ja) | 電子線描画装置及び電子線描画方法 | |
JPH02125609A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP4729403B2 (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
JP2004134389A (ja) | ビーム誘導構成体、結像方法、電子顕微鏡システムおよび電子リソグラフィシステム | |
JPH0732111B2 (ja) | 荷電ビ−ム投影露光装置 | |
JPH05243112A (ja) | イオン光学描写装置 | |
EP0035556B1 (en) | Electron beam system | |
JP3283218B2 (ja) | 電子線描画装置 | |
WO2000075954A2 (en) | Apparatus and method for forming a charged particle beam of arbitrary shape | |
JP2005032837A (ja) | 荷電粒子描画方法及び該方法を用いたデバイス製造方法 | |
JPS6133254B2 (ja) | ||
JPH09180987A (ja) | 荷電粒子線転写装置 | |
GB1587852A (en) | Electron beam apparatus | |
JP3431564B2 (ja) | 電子ビーム描画方法及び装置 | |
US5989753A (en) | Method, apparatus, and mask for pattern projection using a beam of charged particles | |
JP3531323B2 (ja) | イオンビーム加工方法および装置 | |
JP3315882B2 (ja) | 電子線描画装置 | |
JP2001118765A (ja) | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光装置の調整方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP3324749B2 (ja) | 電子線描画方法および電子線描画装置 | |
JPH06163383A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 | |
JPH0582430A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
JPS61125127A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 |