JPH01500942A - イオンビーム装置において入射角を一定にする方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ　ンビーム　實において を−　に　る　゛お　び 訝姐 本発明は、イオン光学の分野に関し、特にビームと製品の間の入射角を一定に保 持して、製品の表面全体にイオンビームを走査させる方法および装置に関する。

その製品は典型的には半導体ウェーハである。

ｉ１改１ イオン注入は半導体ウェーハに不純物ドーパントを導入する標準的な技術となっ てきている。イオンビームが発生源で生成され、その加速度を変化させながらタ ーゲットウェーハに向けられる。イオン注入装置は、イオン源、不所望のイオン 種を除去し、ビームを集束させるイオン光学装置、イオンビームをターゲット領 域全体に偏向させる手段、およびウェーハを装着し取り除くエンドステーション を含む。

多くの場合は、イオンビームの断面積はターゲットウェーハの面積よりも実質的 に狭い、したがって、ウェーハとイオンビームとの間の相対的な運動は注入量を ウェーハ表面全体に分布させるために必要である。一連のイオン注入装置におい て、ウェーハは一度に一度注入され、イオンビームは静電偏向プレートにより製 品の表面にわたって二次元に走査される。ここで用いる“入射角”はイオ″；電 −ムとウェーハ表面との間の瞬間的な角度を意味する。その装置において、ウェ ーハにおけるビームの入射角は、ウェーハがきつかり取り付けられたときにビー ムの偏向角とともに変化する。ウェーハは、冷却を強めるために凸状あるいはド ーム状なった表面に留め着けられると、入射角は増加するよう変化する。入射角 の変化の結果、ウェーハの単位面積当たりの注入されるイオンの量は偏向角とと もに変化する。半導体ウェーハの直径は経済性から大きくなる傾向にある（８イ ンチ至っている）、ウェーハが大きくなると、その入射角、注入量も更に増加す る。注入量の変化を制限するために、走査装置の長さは、入射角をほぼ一定に保 つために増加させることができる。注入量の均一性の条件がより厳重になる一方 で、クリーンルームとすべく領域は大変貴重であるので、注入量の変化も、装置 を長くすることも望ましくない、空間走査技術半導体の走査角による注入量の変 化を補償するために使用することができる。かかる技術は米国特許第４，２８３ ，６３１号（１９８１年８月１１日）、同第４．４４９゜０５１号（１９８４年 ５月１５日）に開示されている。しかし、そのような技術は複雑で、以下で説明 する効果にたいして補償するものではない。

あるエネルギを持った入射イオンがいろいろな結晶面に関する入射角に依存して いるいろな浸入距離でターゲツトウェーハの結晶格子の中に侵入していくことが 分かつている。ある侵入角に対して、チャネリングとして知られている効果が比 較的深い浸入深さとして生じる。走査されるイオンビームに対して入射角が変化 すると、侵入深さがいろいろになり、ウェーハの表面領域にわたってデバイスの 特性が対応して変化する。イオン注入の分野においである入射角を避け、それに よりチャネリングを最小にするために入射イオンビームに対してターゲットウェ ーハを僅かに傾けることが慣例となっている。

入射角の変化による他の不所望の効果がシャドウィングである。薬種回路の製造 において、いろいろなエツチングや付着工程後、しばしば平坦でなくなる。垂直 な壁を持つ縦穴のように不純物を注入することが必要であるとき、入射角の変化 は高いレベルを取り囲むことにより縦穴の一部にシャドウィングを生じさせ、不 均一に注入された縦穴を生成する。

入射角を一定にすることは、米国特許第４．１０１．８１３号（１９７８年６月 １８日）および米国特許第４，１１７，３３９号（１９７８年９月２６日）に示 されているように磁気および静電二重偏向走査を使用することにより、イオンビ ームの従来技術において達成されている。二重偏向装置は、電子流が偏かであり 、電子の質量が小さいために電子ビームの場合に利用されている。二重偏向装置 の欠点は、それらが時間とともに変化する電気信号を偏向要素に注意深く同期さ せる必要があることである。

二重偏向装置は理論的にイオンビーム装置に応用することができるが、これらの 装置には、幾つかの実際的な制限がある。イオン注入装置は、１００ミリアンペ アに至る範囲のビームで作業することおよび高い質量が要求される。高電流イオ ンビームは、電荷の斥力によるビームの膨張または伸張を避けるために移動する 電子により空間電荷の中性化が行われなければならない、静電偏向要素を使用す ると、中性化電子および空間電荷の斥力による受け入れがたい電子流の膨張を除 去する必要がある。

イオン注入装置に使用する磁気二重偏向装置が米国特許第４　、３６７　、４１ １号（１９８３年１月４日）に開示されている。開示された装置はノーマルビー ムを一次元に走査するものである０重いイオンを二次元の二重走査をするために は、極端に大きく、実施不可能な要素を必要とする。

イオンビームリソグラフは製品の表面全体にわたって偏向されるイオンビーム非 常に集束されたイオンビームを利用する。入射角を一定にして走査することはイ オン注入に関連して述べたと同じ理由によりイオンビームリソグラフに適してい る。

本発明の目的は、イオンビームを走査する改良された方法および装置を提供する ことである。

本発明の他の目的は、イオンビームと製品との間の入射角を一定にするイオンビ ーム装置を提供することである。

本発明の目的は、薄く、柔軟な製品を、入射角を一定にするような所望な走査パ ターンと整合するように変形するイオンビーム処理方法および装置を提供するこ とである。

ル曹Ｆ１１丞一 本発明にしたがい、これらおよび他の目的は、薄く、柔軟な製品に対して入射角 および一定にして荷電粒子をビームを走査する装置において成し遂げられる１本 装置は、荷電粒子を形成する手段、実質的に入射角を一定にして第１の軸にそっ て製品全体にわたってビームを偏向する走査手段、製品から距離Ｒのところを偏 向中心としてその第１の軸線に垂直な第２の軸にそって製品全体にわたってビー ムを偏向する第２の走査手段、およびイオンビームの経路中に製品を配置する取 り付は手段から成る。その取り付は手段は第１の軸線に平行な偏向中心を通過す る軸線を有し、半径Ｒの仮想シリンダーの表面と一致する凹状形に製品を変形す る手段を含む。

好３！１與施例において、第１の走査手段は、ビームを偏向する第１の静電偏向 器、および走査されるイオンビームを平行に向ける、静電偏向器の下流に配置さ れた角度補正磁石を有する。その取り付は手段は、凹状表面を有する支持プラテ ン、および凹状表面に製品を留め着けるための留め着ける手段を有する。

本発明の特徴は、荷電粒子ビームを形成する手段、製品から距Ｍ玉のところを偏 向中心として二次元のパターンで製品の表面全体にわたってビームを偏向する走 査手段、および製品をビームの経路の中に配置する取付する手段から成る、薄く 柔軟な製品に対し実質的に入射角を一定にして荷電粒子ビームを走査する装置を 提供することである。その取付手段は、偏向中心に中心を有し、半径がＲの仮想 球の表面と一致する凹状表面を有するように製品を変形する手段を有する。

本発明の他の特徴は、薄く柔軟な製品に対して、実質的に入射角を一定にして荷 電粒子ビームを走査する方法を提供することである。その方法は、荷電粒子ビー ムを形成する工程、イオンビームの経路の中に製品を配置する工程、予め定めら れた二次元のパターンにビームを走査する工程、および偏向されたビームと製品 との間の入射角を一定にするために選択された凹状表面へと製品を変形する工程 とから成る。

・　の、　ｔ；日 第１図は、本発明を実施したイオン注入装置の平面１第３Ａおよび第３Ｂは、第 １および第２図の装置における製品取り付は機構を図示する。

第４図は、静電的に取付をなす製品取付を図示する。

第５図は、本発明の他の実施例を図示する。

Ｂ　ｆ−めの　のン。

本発明を実施したイオンビーム注入装置が第１および第２図に示されている。高 電圧ターミナル１０は、高電源１２によりアースに対して高電圧に保持されてい る。ターミナル１０は所望の種類のイオンビームを形成するために必要なイオン 源装置を含む、実施上、イオン源１４はガス取り扱い装置から導出されたガスま たは固体材料を気化させることで形成される蒸気のいずれもイオン化するために 設けられている。典型的なイオン源１４はイオン放電を維持し、放電領域を交差 するように軸方向の磁場をかけ、イオン源の開口の所に電場を成型し、したがっ てイオン源から良く限定された高電流イオンビームを効果的に抽出するために電 源を必要とする。いろいろなイオン源は従来から知られている。たとえば、Ａｉ ｔｋｅｎによる“イオン源１″（イｉＬン」Ｌス」１術−１Ｓｐｒｉｎｇｅｒ− ＶｅｒＩａｇ＋１９８２年）を参照。

イオン源１４からイオンビーム１８が分析電源（図示せず）から付勢される分析 磁石２０において運動量分析される。

分析されたビームは分析器の出口スリット２４を通過し、加速器管２６に至る。

ビームはそこでターミナル１０からアースへの注意深く設計された場の傾斜を受 ける。四重様トリプレットまたは他の集束要素を形成する四重様レンズ２８のよ うな光学要素はターゲット３０のところで空間的かつエネルギ的な集束を達成す るように動作する。ターゲット３０は典型的に半導体ウェーハである。Ｘ軸の静 電偏向プレート３６、ｙ軸の静電偏向プレート３８および角度補正磁石４０から 成る偏向装置がビームをターゲット３０の所望の領域にわたって走査する。ｉＮ 向プレート３６．３８に印加される波形および所望の走査パターンを形成するた めのそれらの同期化は走査制御装置４２により生成される。

偏向装置の動作については以下で詳細に説明する。ビームエ８は残部ガスと荷電 粒子との間の電荷交ｔａ衝突から主に生じる中性成分からビームを完全に分離す るのに十分な、ビーム軸４４から固定された角度だけ偏向される。典型的なイオ ン注入装置において、ターゲットウェー八３０はビーム制限口、ビームモニタお よび集積装置並びに半導体ウェーハを真空システムの中に導入し、イオン注入の 間ウェーハを配置し、冷却する装置を有するターゲットチェンバの中に配置され る。ターゲット３０のユニークな取り付は装置は以下で説明する。イオンビーム １８が横切る、イオン源とターゲットの間の全体の領域は、真空ボンピング装置 （図示せず）により高度の真空にされる。

偏向装置およびターゲット３０取り付は装置を除き、上述の装置はモデル３０５ Ｄイオン注入装置（バリアン製）として市販されている。

本発明によれば、偏向装置はＸ方向では入射角を一定にし、Ｘ方向では偏向中心 ４６に関して通常の走査をなす。

Ｘ方向の走査はＸ軸の偏向プレート３６と角度補正磁石４０とを組み合わせるこ とで達成される。ビーム１８は偏向プレート３６により通常の方法で偏向され、 そのプレートは走査をなすためにランプ電圧を利用し、ビーム軸４４に関して固 定したオフセットを与えるためにＤＣ電圧を利用して付勢される。角度補正磁石 ４０は走査ビームを遮るように偏向プレート３６の下流に配置されている。角度 補正磁石４０はほぼ扇型の磁極片４０ａおよび４０ｂから成る。それら磁極片は 間隙４０ｃが空けられ、巻き線４０ｄおよび４０ｅにより付勢せれる。磁石要素 はｙ軸に平行で時間に関して変化しない磁場をその間隙４０ｃを形成する。′Ｆ ４正磁石４０により形成されるビームを曲げ、操作することでビームの偏向を変 化させ、そこから出ていくビームが走査されるときにそのビームが平行な経路を たどるようにする。

その結果、ビームは、それがＸ軸の偏向プレート３６により走査されるとき、入 射角が一定となってターゲット３０に当たる、平行走査を実施する扇型の磁石の 動作は従来から知られている。たとえば、米国特許第４，３６７．４４１号を参 照、入射角が一定の走査がＸ方向においてなされることから、ターゲット３０は Ｘ方向においては平坦に維持される。角度補正磁石から出た後、ｙ軸方向の偏向 プレート３８の間を通過する。典型的には、Ｘ方向の走査電圧の場合より低周波 数のランプ走査電圧が偏向中心４６に関してＸ方向の走査を行うために、偏向プ レート３８に印加される。（ｉｉ向中心４６からターゲット３０までの距離はＲ で示されていＣ０通常は、偏向装置により形成される合成走査パターンは四角、 矩形または円形となりうるラスタタイプの走査パターンであり、ターゲットウェ ーハの表面を覆い、均等性およびビーム検知に必要な程度までその端部をオーバ ーラツプする。

偏向プレート３８により行われる走査は、平坦なターゲット３０に対し入射角に 変化をもたらす０本発明に従うと、薄く多少柔軟なものであるターゲット３０は 凹状に変形される。第１および第２図の実施例において、ターゲット３０は仮想 シリンダーの表面に一致するように成型される。

そのシリンダーはＸ軸に平行で偏向中心４６を通過する軸を有し、偏向中心４６ と製品３０に表面との間の距離Ｒに等しい半径を有する。その結果、ターゲット ３０はＸ軸に平行なシリンダ表面の一部となる形状となる。

上述したシリンダ面を与える取り付は装置が第３Ａおよび第３Ｂ図に示されてい る。その装置は所望の凹状面を有するウェーハ支持プラテン５０、およびターゲ ットウェーハ３０をプラテン面に周囲から留め着ける留め着はリング５２から成 る。第３Ａ図はｙ軸に沿った断面を示すが、第３Ｂ図はＸ軸に沿った断面を示す 、留め着はリング５２はウェーハ３０をそのプラテン面に押し付け、それを所定 の位置に保持する。プラテン５０の凹状形が、過度の曲げによりウェーハを破損 させない程度の僅かな曲率を有していることは理解されよう０本発明の実施例に おいて、偏向中心４６とウェーハ表面との間の距離発明は約６４インチ（１６５ ，５８ｃｍ）である、従って、直径が２００１１ＩＩ１１のウェーハの中心にお ける偏向は約０．１２５インチ（０，３１７５ｃ輪）だけである。

取り付は装置の他の実施例において、周囲からの留め着けは第４図に示されてい るように静電的な留め着けにで置き換えられる。を源６０がウェーハ６２と電極 との間に接続されている。その電極は伝導性のプラテンからできていてもよく、 ウェーハ６２とプラテン表面とを静電的に引き付けさせるために誘電体層により ウェーハ６２から離されている。静電的留め着けは、留め着けに伴う表面のロス が無く、ウェーハの全表面を露出させ、真空中でも動作を為しうるという利点が ある。

周囲から留め着けることおよび静電的に留め着けることの両方も、プラテン表面 に配置された光学的真空チャック７０により関連着けることができ、第４図に示 されている真空ポンプ７２に接続することができる。真空ポンプ７Ｚが動作する と、真空チャック７０がウェーハ６２をプラテン表面に対して引き付ける。真空 チャック７０が単に動作している間処理チェンバまたは処理ロックがウェーハ交 換の間比較的高圧であり、装置が真空排気されているときに封鎖されていること も理解されよう、しかし、真空チャックは、周囲留め着けまたは静電的留め着け がイオンビーム処理の間ウェーハを所定の位置に保持するために使用された１＆ に、ウェーハをプラテン表面の凹状面の所定の位置に固定するために使用するこ とができる。

従来知られているウェーハ冷却技術のどれでも、本発明の装置に適用することが できる。たとえば、１から５０トールの範囲の圧力を持つガスが、ガス源フ４か ら導入されプラテン５０（第３Ａおよび第３Ｂ図）の通路を通りウェーハ３０と プラテン表面との間の熱移送領域内へと導かれる。このことは米国特許第４，４ ５７，３５９号（１９８４年６月３日）に示されている。熱移送領域はプラテン 表面において環状０リング７８によりシールされている。また、熱伝導性のラバ ーパッド（図示せず）が熱伝導性を強化するためにウェーハとプラテン表面との 間に配置することができる。さらに、プラテン５０はウェーハから移動してきた 熱を取り除くために、冷却水をプラテン５０の通路８０内を循環させることによ り冷却することができる３本発明の好適実施例において必要とされるシリンダー 状面には幾つかの利点がある。必要とされるウェーハの変形が一次元方向のみで あり、したがってウェーハの損傷といったリスクが限定される。さらに、シリン ダー状形が周囲リングにより容易に留め着けることができる。最後に、既知の冷 却技術はこの装置に利用することができる。

いろいろな光学要子が走査されたイオンビームを平行経路にするための角度補正 磁石４０の適所に利用すること。

空間電荷レンで、ソレノイドレンズがある。空間電荷レンズは次の文献に示され ている。　ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ、Ｎｕｃｌ、Ｓｃｉ。

Ｖｏｌ、Ｎ５−２６　Ｎｏ、３（１９７９年６月）ｐｐ、３１１２−３１１４（ モブレイらによる）　、　Ｎｕｃｌ、Ｉｎｓｔｒｒｕｍ、ＮｅＬｈｏｄｓ、Ｖｏ ｌ、１５１、（１９７８年）Ｉ）Ｇｌ−１４３−１４７（ブースらによる）一般 的に、光学要子は、走査されたビームを平行経路にするためにＸ軸の偏向プレー ト３６の偏向中心にその焦点をもっていく０本発明の他の実施例は第５図に示さ れている。イオンビーム１８がＸ軸の偏向プレート８４並びにｙ軸の偏向プレー ト８６および８８により二次元の走査がなされる。前の実施例において、ウェー ハ９０が取り付は装置により走査されたビームの経路に配置される。ｙ軸の偏向 プレート８６および８８について、プレート８６はＸ軸のプレート８４の上流に 、プレート８８はＸ軸のプレート８４の下流に別けて配置される。このように別 けて配置することにより、二次元の走査をなすための偏向中心を一点にする。取 る着は装置９２は偏向中心９４に中心を有し、その偏向中心９４からウェーハ表 面までの距離に等しい半径を有する仮想球の表面と一致する凹状形にウェーハ９ ０を変形する。この装置の一実施例において、偏向中心９４とウェーハ表面との 間の距離は約６４インチ（１６２，５６ｃｍ）である、ウェーハ９０が上述した ような凹状の球形に変形されると、走査されたビームはウェーハ表面領域全体に わたって一定の角度でウェーハ表面に入射する。

第５図に示された取り付は装置において、ウェーハ支持ブレテン９６が上述した ような凹状球形となる１球形とすると、周囲からの留め着けは、端部において曲 げるためのモーメントを必要とすることから比較的効果的なものというかとがで きない、静電的な留め着けは、留め着は力がウェーハ表面全体にわたって作用す ることから、第５図に示されたように球形の場合でも有効に利用することができ る。さらに、真空チャックも上述したように静電的な留め着けも関連してそのプ ラテンに利用することができる。

本発明の好適実施例を説明してきたけれども、当業者であれば賄求の範囲により 画成される発明内でいろいろに変形、変更することができることは理解できよう 。

ＦＩＧ、５ 閑＠調査報告 り重〜−−＾帥−−＾Ｈ叡ＰＣτｌυ５８７１０２５０６す 力合衆国マサチューセッツ州　イブスウィッチ、７７７寸−・・ロード４０

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. １．薄く柔軟な製品に対して一定な入射角で荷電粒子ビームを走査する装置であ って。 予め定められたパラメータの荷電粒子を形成する手段と、 入射角を実質的に一定にして第１の軸にそって製品全体にわたりビームを偏向す る第１の走査手段と、第１の軸に垂直な第２の軸にそって、製品から距離Ｒのと ころを偏向中心として、製品全体にビームを偏向する第２の走査手段と、 製品をビームの経路内に配置する取り付け手段と、から成り、 前記取り付け手段が、前記第１の軸に平行で偏向中心を通過する軸を有し、半径 Ｒを有する仮想シリンダの表面と一致する凹成形に製品を変形する手段を含む、 ところの装置。
2. ２．請求の範囲第１項に記載された装置であって、前記第１の走査手段が第１の 軸にそってビームを偏向する第１のビーム偏向器、および該偏向器から下流には 位置される角度補正磁石を有し、 前記角度補正磁石が、第１の偏向器からのビームをそのビームが走査されるとき に、平行な経路にもっていくための磁場の傾斜および磁極の形を有する、ところ の装置。
3. ３．請求の範囲第２項に記載された装置であって、第１のビーム偏向器が静電的 走査ブレートを有する、ところの装置。
4. ４．請求の範囲第３項に記載された装置であって、第２の走査手段が、前記角度 補正磁石の下流に配置される静電偏向ブレートから成る、ところの装置。
5. ５．請求の範囲第１項に記載された装置であって、前記取り付け手段が、前記凹 状形の表面を有する製品支持プラテン、および製品の周囲端をプラテン表面に対 して留め着けるための留め着けリングを有する、ところの装置。
6. ６．請求の範囲第１項に記載された装置であって、前記取り付け手段が、前記凹 状形の表面を有する製品支持プラテン、および製品をプラテン表面に静電的に留 め着ける手段を有する、ところの装置。
7. ７．請求の範囲第６項に記載された装置であって、前記取り付け手段が、さらに 、前記プラテン表面に配置され、装置を真空排気する前に前記製品を前記プラテ ン表面に吸引するための真空チャック手段を含む、ところの装置。
8. ８．請求の範囲第１項に記載された装置であって、前記取り付け手段が前記荷電 粒子ビームによる処理の間、前記製品を冷却する手段を有する、ところの装置。
9. ９．請求の範囲第１項に記載された装置であって、前記第１の走査手段が、ビー ムを前記第１の軸にそって走査する第１の偏向器、および該第１の偏向器の下流 に配置され、ビームが前記第１の偏向器により走査されるときに、ビームを平行 経路に操作するための四重極レンズを有する、ところの装置。
10. １０．請求の範囲第１項に記載された装置であって、前記第１の走査手段が、ビ ームを前記第１の軸にそって走査する第１の偏向器、および該第１の偏向器の下 流に配置され、ビームが前記第１の偏向器により走査されるときに、ビームを平 行経路に操作するための空間電荷レンズを有する、ところの装置。
11. １１．請求の範囲第１項に記載された装置であって、前記第１の走査手段が、ビ ームを前記第１の軸にそって走査する第１の偏向器、および該第１の偏向器の下 流に配置され、ビームが前記第１の偏向器により走査されるときに、ビームを平 行経路に操作するためのソレノイドレンズを有する、ところの装置。
12. １２．請求の範囲第１項に記載された装置であって、その装置が半導体ウェーハ のイオン注入装置である、ところの装置。
13. １３．薄く柔軟な製品に対して一定な入射角で荷電粒子ビームを走査する装置で あって。 予め定められたパラメータの荷電粒子を形成する手段と、 製品から距離Ｒのところを偏向中心として、製品表面全体にわたって二次元のパ ターンにビームを偏向する走査手段と、 製品をビームの経路内に配置する取り付け手段と、から成り、 前記取り付け手段が、前記偏向中心に中心を有し、半径Ｒを有する仮想シリンダ ーの表面と一致する凹状形に製品を変形する手段を含む、ところの装置。
14. １４．請求の範囲第１３項に記載された装置であって、前記操作手段が、Ｘ軸の 静電走査プレートおよびｙ軸の静電走査プレートを有し、さらに走査電圧を前記 走査プレートに印加する手段を有する、ところの装置。
15. １５．請求の範囲第１３項に記載された装置であって、前記取り付け手段が、前 記凹状形の表面を有する製品支持プラテン、および製品をプラテン表面に静電的 に留め着ける手段を有する、ところの装置。
16. １６．請求の範囲第１３項に記載された装置であって、前記取り付け手段が、さ らに、前記プラテン表面に配置され、装置を真空排気する前に前記製品をそこに たいして吸引するための真空チャック手段を含む、ところの装置。
17. １７．請求の範囲第１６項に記載された装置であって、前記取り付け手段が、さ らに前記荷電粒子ビームによる走査の間、前記製品を冷却する手段と有する、と ころの装置。
18. １８．請求の範囲第１６項に記載された装置であって、その装置が半導体ウェー ハのイオン注入装置である、ところの装置。
19. １９．薄く柔軟な製品に対して一定な入射角で荷電粒子ビームを走査する方法で あって。 予め定められたパラメータの荷電粒子を形状する工程と、 製品をビームの経路内に配置する工程と、走査されるイオンビームの製品の表面 における入射角を一定にするために選択された凹状形に製品を変形する工程と、 から成る方法。
20. ２０．請求の範囲第１９項に記載された方法であって、前記走査工程が、入射角 を実質的に一定にして第１の軸にそって製品全体にわたりビームを偏向すること 、および第１の軸に垂直な第２の軸にそって、製品から距離Ｒのところを偏向中 心にして、製品全体にビームを偏向することを含み、 前記製品が、前記第１に軸に平行で偏向中心を通過する軸を有し、半径Ｒを有す る仮想シリンダの表面と一致する凹状形となるように変形される、ところの方法 。
21. ２１．請求の範囲第１９項に記載された方法であって、ビームが、製品かち距離 Ｒのところを偏向中心として、製品表面全体にわたって二次元のパターンに偏向 され、 前記製品が、偏向中心を中心とし、直径Ｒを有する仮想球の表面と一致する凹状 形となるように変形される、 ところの方法。