JPS60240125A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JPS60240125A JPS60240125A JP59096982A JP9698284A JPS60240125A JP S60240125 A JPS60240125 A JP S60240125A JP 59096982 A JP59096982 A JP 59096982A JP 9698284 A JP9698284 A JP 9698284A JP S60240125 A JPS60240125 A JP S60240125A
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- curved
- energy beam
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- pattern forming
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は、エネルギービームの照射によりパターン形成
面にパターンを描画する露光方法に係り、特に、該パタ
ーン形成面が曲面である場合の露光方法に関す。
面にパターンを描画する露光方法に係り、特に、該パタ
ーン形成面が曲面である場合の露光方法に関す。
（ｂ） 技術の背景
主として半導体装置の製造において、従前より、露光技
術にはエネルギービームとして紫外光を用いた紫外線露
光法が一般的であったが、光波長（精々４０００程度度
）の関係から微細加工には限界があるために、最近では
電子ビームを用いた電子ビーム露光蔭が重用されるよう
になってきた。然し、現用の電子ビーム露光法はビーム
照射によってパターンを直接描画する方法で、それなり
の利点はあるが処理に長時間を要し、紫外線露光法で行
われているレチクルないしマスクのパターンを転写する
ような、量産的露光方法は未だ未開発と云ってよく、鋭
意研究が行われている状況である。
術にはエネルギービームとして紫外光を用いた紫外線露
光法が一般的であったが、光波長（精々４０００程度度
）の関係から微細加工には限界があるために、最近では
電子ビームを用いた電子ビーム露光蔭が重用されるよう
になってきた。然し、現用の電子ビーム露光法はビーム
照射によってパターンを直接描画する方法で、それなり
の利点はあるが処理に長時間を要し、紫外線露光法で行
われているレチクルないしマスクのパターンを転写する
ような、量産的露光方法は未だ未開発と云ってよく、鋭
意研究が行われている状況である。
現在までに、上記量産的露光方法の一案として、光電子
像投影方式によりレチクルないしマスクのパターンを転
写する電子ビー′ム露光方法が提案されている。この光
電子像投影方式の電子ビーム露光方法は、レチクルない
しマスク上の光電子発生膜パターンに発生させた光電子
を、電界や磁界によって制御し、露光表面に結像させる
方式であるが、該制御を複雑にしないで鮮明な結像を得
るために、従来平面であったパターン面を曲面にするこ
とが提案されて、曲面のパターンを有するレチクルない
しマスクの安定した製造が望まれるようになって来た。
像投影方式によりレチクルないしマスクのパターンを転
写する電子ビー′ム露光方法が提案されている。この光
電子像投影方式の電子ビーム露光方法は、レチクルない
しマスク上の光電子発生膜パターンに発生させた光電子
を、電界や磁界によって制御し、露光表面に結像させる
方式であるが、該制御を複雑にしないで鮮明な結像を得
るために、従来平面であったパターン面を曲面にするこ
とが提案されて、曲面のパターンを有するレチクルない
しマスクの安定した製造が望まれるようになって来た。
＋ｃ＋ 従来技術と問題点
第１図は電子ビーム露光装置で平面レチクルのパターン
を描画する従来の露光方法を示した図（ａ）ｆｂ）、第
２図は同じく曲面レチクルのパターンを従来の露光方法
で描画した場合の問題を示した図（ａｌ（ｂｌで、Ａは
中心軸、Ｂはビーム、Ｃはスポット、Ｄは描画領域、ｌ
はホールグー、２．２ａはレチクル、３．３ａはパター
ン形成面をそれぞれ示す。
を描画する従来の露光方法を示した図（ａ）ｆｂ）、第
２図は同じく曲面レチクルのパターンを従来の露光方法
で描画した場合の問題を示した図（ａｌ（ｂｌで、Ａは
中心軸、Ｂはビーム、Ｃはスポット、Ｄは描画領域、ｌ
はホールグー、２．２ａはレチクル、３．３ａはパター
ン形成面をそれぞれ示す。
従来から行われている平面レチクルにパターンを描画す
る露光方法は、第１図ｆａ）図示のように、電子ビーム
露光装置における偏向してない電子ビームの中心軸Ａに
直角に（該電子ビーム露光装置のＸＹテーブルに載置さ
れて）設けられたホールグー１上に、レチクル２のパタ
ーン形成面３を上向きにしてレチクル２を載置（パター
ン形成面３が中心軸Ａに直角になる）し、エネルギービ
ームである電子のビームＢをパターン形成面３に照射し
ながら円形、矩形などのスポットｃを結像させて行う。
る露光方法は、第１図ｆａ）図示のように、電子ビーム
露光装置における偏向してない電子ビームの中心軸Ａに
直角に（該電子ビーム露光装置のＸＹテーブルに載置さ
れて）設けられたホールグー１上に、レチクル２のパタ
ーン形成面３を上向きにしてレチクル２を載置（パター
ン形成面３が中心軸Ａに直角になる）し、エネルギービ
ームである電子のビームＢをパターン形成面３に照射し
ながら円形、矩形などのスポットｃを結像させて行う。
この際、スポットＣが例えば中心軸Ａ位置とそれから離
れた位置にある場合では、電子ビームの結像のための制
御条件が異なる（例えば電子レンズ系の強度を変えるな
ど）ため、スポットＣにぼけが生じないで描画可能な描
画領域りの大きさには制限があり、その大きさは通常中
心軸Ａを中心とした約１０鶴角程度である。このため、
パターンの大きさが描画領域りより大きい場合には、パ
ターン形成面３を複数の描画領域りに分割し、ホールグ
ーｌの移動によりレチクル２を中心軸Ａに対して直角に
移動させ（前記ＸＹテーブルで移動させ）、図（ｂ）図
示のように、描画する描画領域りの中心を中心軸Ａに合
わせて該パターンの部分描画を行い、これを繋げて全体
の描画を形成している。
れた位置にある場合では、電子ビームの結像のための制
御条件が異なる（例えば電子レンズ系の強度を変えるな
ど）ため、スポットＣにぼけが生じないで描画可能な描
画領域りの大きさには制限があり、その大きさは通常中
心軸Ａを中心とした約１０鶴角程度である。このため、
パターンの大きさが描画領域りより大きい場合には、パ
ターン形成面３を複数の描画領域りに分割し、ホールグ
ーｌの移動によりレチクル２を中心軸Ａに対して直角に
移動させ（前記ＸＹテーブルで移動させ）、図（ｂ）図
示のように、描画する描画領域りの中心を中心軸Ａに合
わせて該パターンの部分描画を行い、これを繋げて全体
の描画を形成している。
この露光方法で、曲面のパターン形成面３ａを有するレ
チクル２ａにパターンを描画すると第２図図示のように
なる。
チクル２ａにパターンを描画すると第２図図示のように
なる。
図（ａ）は複数に分割された描画領域りの中で描画する
描画領域りが中心軸Ａに略直角である場合を示し、描画
条件は第１図図示の場合と略同じになり問題がない。細
かく見れば、該描画領域りは曲面であって、中心軸Ａに
直角な面との間に位置による変位の差があるが、該曲面
が関数表示されて電子ビームの制御系に予め入力されて
いるならば、該制御系の制御範囲内で該描画領域りにス
ポットＣを結像させることが可能であり、併せて、中心
軸Ａに直角な面に対する結像位置の傾斜が、該傾斜に起
因するスポツｌ−Ｃのぼけを無視出来る程度に小さいか
らである。若し該描画領域り内において上記の条件が満
たされない場合には、該描画領域りの大きさを小さくす
ることによって可能になる。
描画領域りが中心軸Ａに略直角である場合を示し、描画
条件は第１図図示の場合と略同じになり問題がない。細
かく見れば、該描画領域りは曲面であって、中心軸Ａに
直角な面との間に位置による変位の差があるが、該曲面
が関数表示されて電子ビームの制御系に予め入力されて
いるならば、該制御系の制御範囲内で該描画領域りにス
ポットＣを結像させることが可能であり、併せて、中心
軸Ａに直角な面に対する結像位置の傾斜が、該傾斜に起
因するスポツｌ−Ｃのぼけを無視出来る程度に小さいか
らである。若し該描画領域り内において上記の条件が満
たされない場合には、該描画領域りの大きさを小さくす
ることによって可能になる。
しかしながら、描画する描画領域りの中心が中心軸Ａに
合っていても、中心軸Ａに直角な面に対する該描画領域
り面の傾斜が大きい場合には図（ｂ）図示のようになり
、一般にスポツ＋−Ｃの結像位置が前記制御系の制御範
囲を越えて結像が困難になり、また、仮に該結像が可能
であったとしても、該傾斜に起因するスポットｃのぼけ
が無視出来なくなり、鮮明な描画が困難である。このこ
とは、該描画領域りの大きさを小さくしても解決しない
。
合っていても、中心軸Ａに直角な面に対する該描画領域
り面の傾斜が大きい場合には図（ｂ）図示のようになり
、一般にスポツ＋−Ｃの結像位置が前記制御系の制御範
囲を越えて結像が困難になり、また、仮に該結像が可能
であったとしても、該傾斜に起因するスポットｃのぼけ
が無視出来なくなり、鮮明な描画が困難である。このこ
とは、該描画領域りの大きさを小さくしても解決しない
。
以上の事情は、レチクルに限らずマスクにパターンを描
画する場合においても全く同様である。
画する場合においても全く同様である。
従って、パターンを描画する従来の露光方法においては
、レチクルないしマスクのパターン形成面が曲面である
場合には、例えば描画領域を細分化しても、鮮明な描画
が困難である欠点を有する。
、レチクルないしマスクのパターン形成面が曲面である
場合には、例えば描画領域を細分化しても、鮮明な描画
が困難である欠点を有する。
＋ｄｌ 発明の目的
本発明の目的は上記従来の欠点に鑑み、レチクルないし
マスクのパターン形成面が曲面テあっても、エネルギー
ビームの照射によるパターンの描・画を鮮明に行うこと
が可能な露光方法を提供するにある。
マスクのパターン形成面が曲面テあっても、エネルギー
ビームの照射によるパターンの描・画を鮮明に行うこと
が可能な露光方法を提供するにある。
τｅ）発明の構成
上記目的は、曲面をなすパターン形成面を有する試料に
エネルギービームを照射してパターンを分割露光する際
、該エネルギービームが照射されている領域が該エネル
ギービームに対して略垂直となるように該試料の傾きを
制御しつつ該エネルギービームを該試料に照射する本発
明の露光方法によって達成される。
エネルギービームを照射してパターンを分割露光する際
、該エネルギービームが照射されている領域が該エネル
ギービームに対して略垂直となるように該試料の傾きを
制御しつつ該エネルギービームを該試料に照射する本発
明の露光方法によって達成される。
この構成により全ての描画領域が第２図ｔ８＞図示の状
態になり、所望のパターンを鮮明に描画することが可能
になる。
態になり、所望のパターンを鮮明に描画することが可能
になる。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明の実施例を図により説明する。全図を通じ同
一符号は同一対象物を示す。
一符号は同一対象物を示す。
第３図は電子ビーム露光装置で曲面レチクルのパターン
を描画する本発明の露光方法を示した図（８１（ｂｌ、
第４図はそのレチクルを傾斜させる機構の一実施例を示
した図（ａ） （ｂｌ、第５図はその傾斜機構を組み込
んだ電子ビーム露光装置のＸＹテーブルの一実施例を示
した図ｔａｌ （ｂｌで、１１は台、１２．１３は回動
台、１２ａ、１３ａは軸、１２ｂ、１３ｂはランク、１
２ｃ、１３ｃはピニオン、１２ｄ、１２ｅ、１３ｄ、１
３ｅは歯車、１２ｆ、１３ｆは軸、１２ｇ、１３ｇはモ
ータ、１２ｈ、１３ｂはリンク機構、１２Ｌ１２ｋ、１
３Ｌ１３にはタイミングベルト、２１は台、２２．２３
は駆動機構、２４はチャンバーをそれぞれ示す。
を描画する本発明の露光方法を示した図（８１（ｂｌ、
第４図はそのレチクルを傾斜させる機構の一実施例を示
した図（ａ） （ｂｌ、第５図はその傾斜機構を組み込
んだ電子ビーム露光装置のＸＹテーブルの一実施例を示
した図ｔａｌ （ｂｌで、１１は台、１２．１３は回動
台、１２ａ、１３ａは軸、１２ｂ、１３ｂはランク、１
２ｃ、１３ｃはピニオン、１２ｄ、１２ｅ、１３ｄ、１
３ｅは歯車、１２ｆ、１３ｆは軸、１２ｇ、１３ｇはモ
ータ、１２ｈ、１３ｂはリンク機構、１２Ｌ１２ｋ、１
３Ｌ１３にはタイミングベルト、２１は台、２２．２３
は駆動機構、２４はチャンバーをそれぞれ示す。
第３図（ａ１図示はホールダ−１が中心軸Ａに直角であ
る際に、描画する描画領域りの中心が中心軸Ａに合って
いて、該描画領域り面が中心軸Ａに略直角である場合で
、第２図１ａ）図示の場合と同様になり該描画領域りに
は鮮明な描画を行うことが可能である。図（ｂ）図示は
第２図（ｂ）図示に対応する描画領域ｐに描画する場合
であり、本発明においては該描画領域りの中心を中心軸
Ａに合わせ且つ該描画領域り面を中心軸Ａに略直角にな
るようにホールダ−１を（即ちレチクル２ａを）傾斜さ
せである。従って、該描画領域りは図（ａ１図示と同様
な状態になり、該描画領域りにも問題なく鮮明な描画を
行うことが可能になる。若し描画領域り内において第２
図（ａｌで説明した条件が満たされない場合には、前述
のように該描画領域りの大きさを小さくすればよい。こ
うすることにより、任意の曲面を持つパターン形成面３
ａに鮮明なパターンを描画することが可能になる。
る際に、描画する描画領域りの中心が中心軸Ａに合って
いて、該描画領域り面が中心軸Ａに略直角である場合で
、第２図１ａ）図示の場合と同様になり該描画領域りに
は鮮明な描画を行うことが可能である。図（ｂ）図示は
第２図（ｂ）図示に対応する描画領域ｐに描画する場合
であり、本発明においては該描画領域りの中心を中心軸
Ａに合わせ且つ該描画領域り面を中心軸Ａに略直角にな
るようにホールダ−１を（即ちレチクル２ａを）傾斜さ
せである。従って、該描画領域りは図（ａ１図示と同様
な状態になり、該描画領域りにも問題なく鮮明な描画を
行うことが可能になる。若し描画領域り内において第２
図（ａｌで説明した条件が満たされない場合には、前述
のように該描画領域りの大きさを小さくすればよい。こ
うすることにより、任意の曲面を持つパターン形成面３
ａに鮮明なパターンを描画することが可能になる。
レチクル２ａを傾斜させる機構の一実施例は第４図図示
の如くである。
の如くである。
図（ａ）図示において、台１１は、中心軸Ａに直角に配
置される枠状の台で、内側に回動台１２が取付けられる
。回動台１２は、枠状の台で内側に回動台１３が取付け
られるが、台１１に備えた軸１２ａを軸にして回動可能
で、図（ｂｌに拡大図示したように、ラック１２ｂを備
え、該回動の角度は、ラック１２ｂ、ピニオン１２ｃ、
歯車１２ｄ、１２ｅを介して、台１１に垂直に支持され
た軸１２ｆの回動で制御される。回動台１３は、レチク
ル２ａを載置する台であるが、軸１２ａに直交して回動
台１２に備えた軸１３ａを軸にして回動可能で、回動台
１２と同様（図（ｂ）参照）に、ラック１３ｂを備え、
該回動の角度は、ラック１３ｂ、ピニオン１３ｃ、歯車
１３ｄ、１３ｅを介して、台１１に垂直に支持された軸
１３ｆの回動で制御される。ここで、ピニオン１３Ｃと
歯車１３ｄとを結合している軸は、軸１２ａに同軸にし
であるので、台１２の回動に関係なく台１３の回動制御
が可能である。かくすることにより、台１１の定位置に
支持されている軸１２ｆ、１３ｆの回動制御により、台
１３上のレチクル２ａ （図示省略）゛に任意の傾斜を
与えることが可能である。
置される枠状の台で、内側に回動台１２が取付けられる
。回動台１２は、枠状の台で内側に回動台１３が取付け
られるが、台１１に備えた軸１２ａを軸にして回動可能
で、図（ｂｌに拡大図示したように、ラック１２ｂを備
え、該回動の角度は、ラック１２ｂ、ピニオン１２ｃ、
歯車１２ｄ、１２ｅを介して、台１１に垂直に支持され
た軸１２ｆの回動で制御される。回動台１３は、レチク
ル２ａを載置する台であるが、軸１２ａに直交して回動
台１２に備えた軸１３ａを軸にして回動可能で、回動台
１２と同様（図（ｂ）参照）に、ラック１３ｂを備え、
該回動の角度は、ラック１３ｂ、ピニオン１３ｃ、歯車
１３ｄ、１３ｅを介して、台１１に垂直に支持された軸
１３ｆの回動で制御される。ここで、ピニオン１３Ｃと
歯車１３ｄとを結合している軸は、軸１２ａに同軸にし
であるので、台１２の回動に関係なく台１３の回動制御
が可能である。かくすることにより、台１１の定位置に
支持されている軸１２ｆ、１３ｆの回動制御により、台
１３上のレチクル２ａ （図示省略）゛に任意の傾斜を
与えることが可能である。
第４図図示の傾斜機構を組み込んだ電子ビーム露光装置
のＸＹテーブルの一実施例は第５図の如くである。
のＸＹテーブルの一実施例は第５図の如くである。
図（ａ）図示において、台２１は、台１１を載せている
台であって、例えばＸ方向に移動可能であり、該移動は
駆動機構２２によって制御される。台１１は、第４図図
示の台１１であって、台２１上で台２１に対して前記Ｘ
方向と直角な方向例えばＹ方向に移動可能であり、該移
動は駆動機構２３によって制御される。従って、台１１
は、駆動機構２２．２３の制御により任意のＸＹ動が可
能である。また、台１３上のレチクル２ａ （図示省略
）に任意の傾斜を与えるための軸１２ｆ、１３ｆの回動
は、図（ｂ）に拡大図示したように、二つのリンクから
なりそれらの一端がそれぞれ軸１２ｆ （１３ｆ）とモ
ータ１２ ｇ （１３ｇ ）の軸に係合するリンク機構
１２ｈ （１３ｈ）に取付けられたタイミングベルト１
２ｊ（１３ｊ） 、１２ｋ （１３ｋ）を介することに
よって、軸１２ｆ、１３ｆが台１１と共にＸＹ動するこ
とに関係なく、それぞれ定位置に配設されたモータ１２
ｇ、モータ１３ｇにより制御される。かくすることによ
り、定位置に配設されている駆動機構２２．２３および
モータ１２ｇ、１３ｇの制御により、台１３上のレチク
ル２ａに任意のＸＹ粒位置任意の傾斜とを与えることが
可能である。なお、チャンバー２４は、電子ビームの描
画のために谷１３上のレチクル２ａを真空中に置く囲い
であり、駆動機構２２．２３の駆動部およびモータ１２
ｇ、１３ｇをチャンバー２４の外側に配設して故障の低
減化とメンテナンスの容易化を図っている。
台であって、例えばＸ方向に移動可能であり、該移動は
駆動機構２２によって制御される。台１１は、第４図図
示の台１１であって、台２１上で台２１に対して前記Ｘ
方向と直角な方向例えばＹ方向に移動可能であり、該移
動は駆動機構２３によって制御される。従って、台１１
は、駆動機構２２．２３の制御により任意のＸＹ動が可
能である。また、台１３上のレチクル２ａ （図示省略
）に任意の傾斜を与えるための軸１２ｆ、１３ｆの回動
は、図（ｂ）に拡大図示したように、二つのリンクから
なりそれらの一端がそれぞれ軸１２ｆ （１３ｆ）とモ
ータ１２ ｇ （１３ｇ ）の軸に係合するリンク機構
１２ｈ （１３ｈ）に取付けられたタイミングベルト１
２ｊ（１３ｊ） 、１２ｋ （１３ｋ）を介することに
よって、軸１２ｆ、１３ｆが台１１と共にＸＹ動するこ
とに関係なく、それぞれ定位置に配設されたモータ１２
ｇ、モータ１３ｇにより制御される。かくすることによ
り、定位置に配設されている駆動機構２２．２３および
モータ１２ｇ、１３ｇの制御により、台１３上のレチク
ル２ａに任意のＸＹ粒位置任意の傾斜とを与えることが
可能である。なお、チャンバー２４は、電子ビームの描
画のために谷１３上のレチクル２ａを真空中に置く囲い
であり、駆動機構２２．２３の駆動部およびモータ１２
ｇ、１３ｇをチャンバー２４の外側に配設して故障の低
減化とメンテナンスの容易化を図っている。
そして、第３図図示パターン形成面３ａを関数表示して
、上記の傾斜機構を組み込んだＸＹテーブルを制御する
制御系に入力することにより、描画する描画領域りの中
心を中心軸Ａに合わせるように、且つ、該描画領域りの
面を中心軸Ａに直角にするように該制御系を構成してお
けば、曲面であるパターン形成面３ａに所望のパターン
を鮮明に描画することが容易に可能になる。
、上記の傾斜機構を組み込んだＸＹテーブルを制御する
制御系に入力することにより、描画する描画領域りの中
心を中心軸Ａに合わせるように、且つ、該描画領域りの
面を中心軸Ａに直角にするように該制御系を構成してお
けば、曲面であるパターン形成面３ａに所望のパターン
を鮮明に描画することが容易に可能になる。
以上の事情は、レチクルに限らずマスクにパターンを描
画する場合においても全く同様である。
画する場合においても全く同様である。
ｆｇｌ 発明の効果
以上に説明したように、本発明による構成によれば、レ
チクルないしマスクのパターン形成面が曲面であっても
、エネルギービームの照射によるパターンの描画を鮮明
に行うことが可能な露光方法を提供することが出来て、
例えば光電子像投影方式の電子ビーム露光方法で望んで
いる曲面レチクルないし曲面マスクの安定した製造を可
能にさせる効果がある。
チクルないしマスクのパターン形成面が曲面であっても
、エネルギービームの照射によるパターンの描画を鮮明
に行うことが可能な露光方法を提供することが出来て、
例えば光電子像投影方式の電子ビーム露光方法で望んで
いる曲面レチクルないし曲面マスクの安定した製造を可
能にさせる効果がある。
第１図は電子ビーム露光装置で平面レチクルのパターン
を描画する従来の露光方法を示した図（ａ）（ｂｌ、第
２図は同じく曲面レチクルのパターンを従来の露光方法
で描画した場合の問題を示した図ｆａｌ（ｂｌ、第３図
は電子ビーム露光装置で曲面レチクルのパターンを描画
する本発明の露光方法を示した図（ａ） （ｂ）、第４
図はそのレチクルを傾斜させる機構の一実施例を示した
図＋ａ） （ｂ）、第５図はその傾斜機構を組み込んだ
電子ビーム露光装置のＸＹテーブルの一実施例を示した
図（ａ） （ｂ）である。 図面において、Ａは中心軸、Ｂはビーム、Ｃはスポット
、Ｄは描画領域、■はボールグー、２．２ａはレチクル
、３．３ａはパターン形成面、比２１は台、１２．１３
は回動台、１２ａ、 １２ｆ 、 １３ａ、 １３ｆは
モー外１２ｈ、１３ｈはリンク機構、１２Ｌ１２ｋ。 １３ｊ、１３にはタイミングヘルド、２２．２３は駆動
機構、２４はチャンバーをそれぞれ示す。
を描画する従来の露光方法を示した図（ａ）（ｂｌ、第
２図は同じく曲面レチクルのパターンを従来の露光方法
で描画した場合の問題を示した図ｆａｌ（ｂｌ、第３図
は電子ビーム露光装置で曲面レチクルのパターンを描画
する本発明の露光方法を示した図（ａ） （ｂ）、第４
図はそのレチクルを傾斜させる機構の一実施例を示した
図＋ａ） （ｂ）、第５図はその傾斜機構を組み込んだ
電子ビーム露光装置のＸＹテーブルの一実施例を示した
図（ａ） （ｂ）である。 図面において、Ａは中心軸、Ｂはビーム、Ｃはスポット
、Ｄは描画領域、■はボールグー、２．２ａはレチクル
、３．３ａはパターン形成面、比２１は台、１２．１３
は回動台、１２ａ、 １２ｆ 、 １３ａ、 １３ｆは
モー外１２ｈ、１３ｈはリンク機構、１２Ｌ１２ｋ。 １３ｊ、１３にはタイミングヘルド、２２．２３は駆動
機構、２４はチャンバーをそれぞれ示す。
Claims (1)
- 曲面をなすパターン形成面を有する試料にエネルギービ
ームを照射してパターンを分割露光する際、該エネルギ
ービームが照射されている領域が該エネルギービームに
対して略垂直となるように該試料の傾きを制御しつつ該
エネルギービームを該試料に照射することを特徴とする
露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59096982A JPS60240125A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59096982A JPS60240125A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60240125A true JPS60240125A (ja) | 1985-11-29 |
Family
ID=14179417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59096982A Pending JPS60240125A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60240125A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0287630A1 (en) * | 1986-10-08 | 1988-10-26 | Varian Associates, Inc. | Method and apparatus for constant angle of incidence scanning in ion beam systems |
| EP0497227A2 (en) * | 1991-01-28 | 1992-08-05 | Sarcos Group | Method and apparatus for fabrication of micro-structures using non-planar, exposure beam lithography |
| US6063200A (en) * | 1998-02-10 | 2000-05-16 | Sarcos L.C. | Three-dimensional micro fabrication device for filamentary substrates |
| WO2018074820A1 (ko) * | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 최진우 | 곡면형 반도체 생산 장치 및 곡면형 반도체를 이용한 이미지 센서 |
-
1984
- 1984-05-15 JP JP59096982A patent/JPS60240125A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0287630A1 (en) * | 1986-10-08 | 1988-10-26 | Varian Associates, Inc. | Method and apparatus for constant angle of incidence scanning in ion beam systems |
| EP0497227A2 (en) * | 1991-01-28 | 1992-08-05 | Sarcos Group | Method and apparatus for fabrication of micro-structures using non-planar, exposure beam lithography |
| US6063200A (en) * | 1998-02-10 | 2000-05-16 | Sarcos L.C. | Three-dimensional micro fabrication device for filamentary substrates |
| US6066361A (en) * | 1998-02-10 | 2000-05-23 | Sarcos L.C. | Method for coating a filament |
| WO2018074820A1 (ko) * | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 최진우 | 곡면형 반도체 생산 장치 및 곡면형 반도체를 이용한 이미지 센서 |
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