JPS6329930A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
- Publication number
- JPS6329930A JPS6329930A JP61173449A JP17344986A JPS6329930A JP S6329930 A JPS6329930 A JP S6329930A JP 61173449 A JP61173449 A JP 61173449A JP 17344986 A JP17344986 A JP 17344986A JP S6329930 A JPS6329930 A JP S6329930A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- exposure
- scaled down
- reduction projection
- range
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 57
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体製造工程におけるフォトリングラフィ工
程において表面に感光材（以下）ｔトレジストと呼ぶ）
を塗布した半導体基板（以下ウェハと呼ぶ）表面に所望
のパターンを持ったガラスマスク（Ｏ下しチクルと呼ぶ
）のパターンを縮小投影露光処理する装置に関するもの
でおる。
程において表面に感光材（以下）ｔトレジストと呼ぶ）
を塗布した半導体基板（以下ウェハと呼ぶ）表面に所望
のパターンを持ったガラスマスク（Ｏ下しチクルと呼ぶ
）のパターンを縮小投影露光処理する装置に関するもの
でおる。
［従来の技術］
従来の縮小投影露光装置の露光光学系を第３図により説
明する。第３図に示すように露光光学系は、露光照明ラ
ンプ１と集光ミラー２と複数のインテグレータレンズ３
とシャッター４より構成される露光照明光学系、及び複
数のリレーレンズ５と露光照明照射範囲を設定する遮光
板６とコンデンサレンズ７より構成される集光光学系、
並びに縮小レンズ８により構成される縮小投影光学系よ
り構成されている。露光照明光学系より照射された均一
な光束が集光光学系と縮小投影光学系の間に搭載された
レチクル１１に対し、集光光学系により設定された露光
照明照射範囲のみに照射され、その投影像が縮小投影光
学系により高精度の移動ステージ１２上に搭載されたウ
ェハ１３の表面に対し１１５ 、１／１０等に縮小投影
され露光処理される。
明する。第３図に示すように露光光学系は、露光照明ラ
ンプ１と集光ミラー２と複数のインテグレータレンズ３
とシャッター４より構成される露光照明光学系、及び複
数のリレーレンズ５と露光照明照射範囲を設定する遮光
板６とコンデンサレンズ７より構成される集光光学系、
並びに縮小レンズ８により構成される縮小投影光学系よ
り構成されている。露光照明光学系より照射された均一
な光束が集光光学系と縮小投影光学系の間に搭載された
レチクル１１に対し、集光光学系により設定された露光
照明照射範囲のみに照射され、その投影像が縮小投影光
学系により高精度の移動ステージ１２上に搭載されたウ
ェハ１３の表面に対し１１５ 、１／１０等に縮小投影
され露光処理される。
上記露光処理とウェハが搭載されたステージ１２の移動
を繰り返し行ってウェハ１３表面の全面の露光処理が実
行される。
を繰り返し行ってウェハ１３表面の全面の露光処理が実
行される。
［発明が解決しようとする問題点］
上述した従来の縮小投影露光装置は集光光学系から縮小
投影光学系への光路が固定で必る為、縮小投影光学系が
持つ有効露光範囲より大きな半導体素子パターンの露光
２１ハ埋は基本的に不可能で必る。
投影光学系への光路が固定で必る為、縮小投影光学系が
持つ有効露光範囲より大きな半導体素子パターンの露光
２１ハ埋は基本的に不可能で必る。
仮に、無理に実行するには半導体素子パターンを数分割
し、各部分に対応するレチクルを作製し、その部分を露
光処理する毎に装置に搭載するレチクルを交換し、再び
露光処理を行うことにより不可能ではない。
し、各部分に対応するレチクルを作製し、その部分を露
光処理する毎に装置に搭載するレチクルを交換し、再び
露光処理を行うことにより不可能ではない。
しかし、各部分レチクルの製造誤差、各レチクル交換時
の装置に対する合わせ誤差、露光処理毎での各レチクル
のウェハに対する合わせ誤差等多くの誤差要因が発生し
、填実的には不可能である。
の装置に対する合わせ誤差、露光処理毎での各レチクル
のウェハに対する合わせ誤差等多くの誤差要因が発生し
、填実的には不可能である。
又、近年、半導体素子の高密度化、高性能化が進行する
につれ、微細パターンを持つ大寸法の半導体素子の製作
が要求されつつおる。
につれ、微細パターンを持つ大寸法の半導体素子の製作
が要求されつつおる。
しかしながら、微細パターンを解像する高解像力と、有
効露光範囲を拡大することは縮小投影レンズを設計、製
造する上で相反することであり、両立させた縮小投影レ
ンズを実現することは現在では困難である。
効露光範囲を拡大することは縮小投影レンズを設計、製
造する上で相反することであり、両立させた縮小投影レ
ンズを実現することは現在では困難である。
本発明の目的は集光光学系と縮小投影光学系のイ装置を
変更することなく、縮小投影光学系の光軸中心にその有
効範囲内の光束を、集光光学系の持つ有効範囲から任意
に選択し導入する縮小投影露光装置を提供することにあ
る。
変更することなく、縮小投影光学系の光軸中心にその有
効範囲内の光束を、集光光学系の持つ有効範囲から任意
に選択し導入する縮小投影露光装置を提供することにあ
る。
［問題点を解決するための手段１
本発明は移動ステージ上に搭載された半導体基板の表面
上に所望のマスクパターンの象を縮小投影光学系に通し
て投影し露光処理する装置において、前記縮小投影光学
系の前段に、光路を平行移動させる光学系と露光照明範
囲を設定する遮光板とを設置したことを特徴とする縮小
投影露光装置でおる。
上に所望のマスクパターンの象を縮小投影光学系に通し
て投影し露光処理する装置において、前記縮小投影光学
系の前段に、光路を平行移動させる光学系と露光照明範
囲を設定する遮光板とを設置したことを特徴とする縮小
投影露光装置でおる。
［実施例１
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
（実施例１〉
第１図は本発明の実施例１０概略図で必る。
実施例１の縮小投影露光装置は露光照明ランプ１と集光
ミラー２と複数のインテグレータレンズ３とシャッター
４より構成される露光照明光学系へ及び複数のリレーレ
ンズ５と露光照明照射範囲を設定する遮光板６とコンデ
ンサレンズ７より構成される集光光学系Ｂ及び縮小投影
レンズ８により構成される縮小投影光学系Ｃ及び複数の
リレーレンズ９と入射角に応じてその入射光軸に対し透
過光軸を平行移動さぜるダハプリズム１０より構成され
る光路移動光学系りにより構成されている。
ミラー２と複数のインテグレータレンズ３とシャッター
４より構成される露光照明光学系へ及び複数のリレーレ
ンズ５と露光照明照射範囲を設定する遮光板６とコンデ
ンサレンズ７より構成される集光光学系Ｂ及び縮小投影
レンズ８により構成される縮小投影光学系Ｃ及び複数の
リレーレンズ９と入射角に応じてその入射光軸に対し透
過光軸を平行移動さぜるダハプリズム１０より構成され
る光路移動光学系りにより構成されている。
集光光学系Ｂと光路移動光学系りの間に搭載されたレチ
クル１１に対し遮光板６により範囲設定された光束を照
射し、その透過光束を縮小投影光学系Ｃの光軸中心へ導
入するべく、遮光板６の設定と連動しダハプリズム１０
の角度が変更され、高精度の移動ステージ１２上に搭載
されたウェハ１３を縮小投影露光処理するものでおる。
クル１１に対し遮光板６により範囲設定された光束を照
射し、その透過光束を縮小投影光学系Ｃの光軸中心へ導
入するべく、遮光板６の設定と連動しダハプリズム１０
の角度が変更され、高精度の移動ステージ１２上に搭載
されたウェハ１３を縮小投影露光処理するものでおる。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２を示すもので必り、光路移動
光学系りは複数のリレーレンズつと複数のミラー１４に
より構成されているものであり、第１図の実施例１と同
様に遮光板６の設定と連動しミラー１４が移動してレチ
クル１１からの透過光束を縮小投影光学系Ｃの光軸中心
へ導入させるものである。
光学系りは複数のリレーレンズつと複数のミラー１４に
より構成されているものであり、第１図の実施例１と同
様に遮光板６の設定と連動しミラー１４が移動してレチ
クル１１からの透過光束を縮小投影光学系Ｃの光軸中心
へ導入させるものである。
以上、両実雄側ともに遮光板６の動作と光路移動光学系
りの動作と高精度の移動ステージ１２の動作とを連動制
御することにより、縮小投影光学系Ｃが持つ有効露光範
囲以上のレチクルパターンをウェハ上に露光処理するこ
とを可能としている。
りの動作と高精度の移動ステージ１２の動作とを連動制
御することにより、縮小投影光学系Ｃが持つ有効露光範
囲以上のレチクルパターンをウェハ上に露光処理するこ
とを可能としている。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、縮小投影光学系が
持つ有効露光範囲より大きな寸法の半導体素子パターン
の露光処理が可能となり、微細パターンを持つ大寸法の
半導体素子の製作に対応することができる効果を有する
ものでおる。
持つ有効露光範囲より大きな寸法の半導体素子パターン
の露光処理が可能となり、微細パターンを持つ大寸法の
半導体素子の製作に対応することができる効果を有する
ものでおる。
第１図及び第２図は本発明の縮小投影露光装置の実施例
の概略図、第３図は従来の縮小投影露光装置の概略図で
市る。 １・・・露光照明ランプ ２・・・集光ミラー３・・
・インテグレータレンズ ４・・・シャッター ５・・・リレーレンズ６・
・・遮光板 ７・・・コンデンサレンズ８・
・・縮小投影レンズ ９・・・リレーレンズ１０・・
・ダハプリズム １１・・・レチクル１２・・・移
動ステージ １３・・・ウェハ１４・・・ミラー
の概略図、第３図は従来の縮小投影露光装置の概略図で
市る。 １・・・露光照明ランプ ２・・・集光ミラー３・・
・インテグレータレンズ ４・・・シャッター ５・・・リレーレンズ６・
・・遮光板 ７・・・コンデンサレンズ８・
・・縮小投影レンズ ９・・・リレーレンズ１０・・
・ダハプリズム １１・・・レチクル１２・・・移
動ステージ １３・・・ウェハ１４・・・ミラー
Claims (1)
- （１）移動ステージ上に搭載された半導体基板の表面上
に所望のマスクパターンの像を縮小投影光学系に通して
投影し露光処理する装置において、前記縮小投影光学系
の前段に、光路を平行移動させる光学系と露光照明範囲
を設定する遮光板とを設置したことを特徴とする縮小投
影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61173449A JPS6329930A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61173449A JPS6329930A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 縮小投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6329930A true JPS6329930A (ja) | 1988-02-08 |
Family
ID=15960677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61173449A Pending JPS6329930A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6329930A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7110084B2 (en) | 2003-09-17 | 2006-09-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical system and exposure apparatus |
| JP2018205682A (ja) * | 2017-06-06 | 2018-12-27 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置 |
-
1986
- 1986-07-23 JP JP61173449A patent/JPS6329930A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7110084B2 (en) | 2003-09-17 | 2006-09-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Illumination optical system and exposure apparatus |
| JP2018205682A (ja) * | 2017-06-06 | 2018-12-27 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60232552A (ja) | 照明光学系 | |
| JP3304378B2 (ja) | 投影露光装置、及び素子製造方法 | |
| KR101391384B1 (ko) | 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법 | |
| JP2986077B2 (ja) | フォトクロミック・フィルタを使用する照明調節システム | |
| JPH09190969A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| KR19980042721A (ko) | 공간 제어 가능하고 부분적으로 코히어런스한 광조사 시스템 | |
| JP2001284240A (ja) | 照明光学系、および該照明光学系を備えた投影露光装置と該投影露光装置によるデバイスの製造方法 | |
| JP3200244B2 (ja) | 走査型露光装置 | |
| US6897944B2 (en) | Illumination optical system, exposure method and apparatus using the same | |
| JP3918440B2 (ja) | 照度分布均一化フィルタを備えた光照射装置 | |
| JP3008744B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| JPS6329930A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| US10459343B2 (en) | Illumination device | |
| JPS58215621A (ja) | １「あ」１プロジエクシヨンアライナ | |
| JPH01101628A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JP2503696B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3376043B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JPH0645221A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3362405B2 (ja) | 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法 | |
| JPH0620922A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| WO2004090955A1 (ja) | 照明光学装置、投影露光装置及び露光方法 | |
| JPH06161092A (ja) | 露光用マスク | |
| JP3414392B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3109946B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JPH0385719A (ja) | 露光方法 |