JPH0385719A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPH0385719A JPH0385719A JP1223650A JP22365089A JPH0385719A JP H0385719 A JPH0385719 A JP H0385719A JP 1223650 A JP1223650 A JP 1223650A JP 22365089 A JP22365089 A JP 22365089A JP H0385719 A JPH0385719 A JP H0385719A
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- JP
- Japan
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- mask
- exposure
- ray
- width
- pattern
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- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000000233 ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、露光用マスクを介して被露光物を平行なｘｖ
Ａ＜露光させる露光方法に関するものである。
Ａ＜露光させる露光方法に関するものである。
本発明は、上記の様な露光方法において、Ｘ線の光軸に
対して露光用マスクを傾斜させて露光を行うことによっ
て、露光用マスクｂパターンの描画が容易であり、Ｘ線
の照射による露光用マスクの損傷の発生が少なく、しか
も露光を効率的に行うことができる様にしたものである
。
対して露光用マスクを傾斜させて露光を行うことによっ
て、露光用マスクｂパターンの描画が容易であり、Ｘ線
の照射による露光用マスクの損傷の発生が少なく、しか
も露光を効率的に行うことができる様にしたものである
。
リソグラフィ技術は半導体装置の製造に際して極めて重
要な技術であるが、半導体装置の撒細化に伴って、従来
の紫外線リソグラフィ等の代りに解像力の高いＸ線リソ
グラフィを用いることが考えられている。
要な技術であるが、半導体装置の撒細化に伴って、従来
の紫外線リソグラフィ等の代りに解像力の高いＸ線リソ
グラフィを用いることが考えられている。
そして近時においては、半影ぼけ等を減少させて更に高
い解像力を得るために、指向性（平行性）に優れ且つ高
強度であるＳＯＲ光を露光用Ｘ線として用いることが考
えられている。
い解像力を得るために、指向性（平行性）に優れ且つ高
強度であるＳＯＲ光を露光用Ｘ線として用いることが考
えられている。
しかし、Ｘ線を曲げたりＸ線用レンズを作ることは難し
いので、従来は、第２図に示す様な等倍近接露光を行っ
ていた。
いので、従来は、第２図に示す様な等倍近接露光を行っ
ていた。
即ち、Ｘ線を透過させるマスク基板１１にＸ線吸収体１
２をパターニングしたＸ線マスク１３と、Ｘ線レジスト
１４を塗布した半導体ウェハ１５とをｌＯ〜２０．ｕｍ
程度の間隔に互いに平行に保持し、ｘｇマスク１３及び
半導体ウェハ１５に垂直な方向からＸ線マスク１３にＳ
ＯＲＯＲ光査６射させていた。
２をパターニングしたＸ線マスク１３と、Ｘ線レジスト
１４を塗布した半導体ウェハ１５とをｌＯ〜２０．ｕｍ
程度の間隔に互いに平行に保持し、ｘｇマスク１３及び
半導体ウェハ１５に垂直な方向からＸ線マスク１３にＳ
ＯＲＯＲ光査６射させていた。
ところが、等倍露光を行うためには、当然にＸ線マスク
１３のパターンも原寸で描画する必要がある。例えば、
Ｘ線レジスト１４に幅１１が０．２μｍであるパターン
を転写するためには、Ｘ線マスク１３にも幅ｌ、が０．
２μｍであるパターンを描画しておく必要がある。
１３のパターンも原寸で描画する必要がある。例えば、
Ｘ線レジスト１４に幅１１が０．２μｍであるパターン
を転写するためには、Ｘ線マスク１３にも幅ｌ、が０．
２μｍであるパターンを描画しておく必要がある。
しかし、この様に微細なパターンを描画ｆることは、電
子線を用いても近接効果によってパターンがぼやける等
の支障を来たし、容易でない。
子線を用いても近接効果によってパターンがぼやける等
の支障を来たし、容易でない。
これに対し、反射光学系を用いて縮小投影露光すること
も考えられている（例えば、特開昭６１−１１７８３０
号公報）。縮小投影露光であれば、Ｘ線マスク１３とし
て拡大マスクを用いることができるので、Ｘ線マスク１
３のパターンの描画が容易になる。
も考えられている（例えば、特開昭６１−１１７８３０
号公報）。縮小投影露光であれば、Ｘ線マスク１３とし
て拡大マスクを用いることができるので、Ｘ線マスク１
３のパターンの描画が容易になる。
しかし、反射光学系を用いると、反射率が１００％でな
いのでＳＯＲＯＲ光査６衰する。このため、露光に長時
間を要し、露光を効率的に行うことができない。
いのでＳＯＲＯＲ光査６衰する。このため、露光に長時
間を要し、露光を効率的に行うことができない。
本発明による露光方法では、平行なＸ線１６の光軸に対
して露光用マスク１３を傾斜させて露光を行う様にして
いる。
して露光用マスク１３を傾斜させて露光を行う様にして
いる。
本発明による露光方法では、露光用マスク１３上のパタ
ーンが縮小されて被露光物１４に転写されるので、露光
用マスク１３として拡大マスクを用いることができる。
ーンが縮小されて被露光物１４に転写されるので、露光
用マスク１３として拡大マスクを用いることができる。
また、露光用マスク１３がＸ線１６の光軸に対して垂直
である場合に比べて、単位面積当りの露光用マスク１３
へ入射するＸ線１６の量が少ない。
である場合に比べて、単位面積当りの露光用マスク１３
へ入射するＸ線１６の量が少ない。
また、露光用マスク１３を透過したＸ線１６の１００％
が被露光物１４の露光に利用されるので、露光用マスク
１３を透過したＸ線１６の一部しか利用されない場合に
比べて、露光用マスク１３上のパターンを被露光物１４
に転写するための露光時間が少なくてよい。
が被露光物１４の露光に利用されるので、露光用マスク
１３を透過したＸ線１６の一部しか利用されない場合に
比べて、露光用マスク１３上のパターンを被露光物１４
に転写するための露光時間が少なくてよい。
以下、本発明の一実施例を第１図を参照しながら説明す
る。
る。
本実施例では、第１図に示す様に、半導体ウェハ１５の
表面とＳＯＲＯＲ光査６軸とは垂直であるが、Ｘ線マス
ク１３はＳＯＲＯＲ光査６軸に対してｉ頃斜している。
表面とＳＯＲＯＲ光査６軸とは垂直であるが、Ｘ線マス
ク１３はＳＯＲＯＲ光査６軸に対してｉ頃斜している。
Ｘ線マスク１３と半導体ウェハ１５との間の距離は、最
も離間している部分つまり第１図中の右端の部分では２
０μｍ程度であり、最も近接している部分つまり第１図
中の左端の部分ではＸ線マスク１３とＸ線レジスト１４
とが接触しない程度である。
も離間している部分つまり第１図中の右端の部分では２
０μｍ程度であり、最も近接している部分つまり第１図
中の左端の部分ではＸ線マスク１３とＸ線レジスト１４
とが接触しない程度である。
この様な状態でＸ線マスク１３及びＳＯＲＯＲ光査６導
体ウェハ１５とを相対的に且つ間欠的に移動させ、ステ
ップアンドリピートで露光を行う。
体ウェハ１５とを相対的に且つ間欠的に移動させ、ステ
ップアンドリピートで露光を行う。
この様な本実施例によれば、第１図からも明らかな様に
、Ｘ線レジスト１４に幅ｌＩのパターンを転写するため
のＸＮＩＲマスク１３のパターンの幅Ｅ２は、幅７！１
よりも広い。
、Ｘ線レジスト１４に幅ｌＩのパターンを転写するため
のＸＮＩＲマスク１３のパターンの幅Ｅ２は、幅７！１
よりも広い。
幅Ｊ、に対する幅ｌｔの比は、Ｘ線マスク１３の傾斜角
度を変更することによって任意に選定することができる
。例えば、Ｘ線マスク１３と半導体ウェハ１５との威す
角度を６０°とすると、幅１１が０．２μｍであれば、
幅１２は０．４μｍとなる。
度を変更することによって任意に選定することができる
。例えば、Ｘ線マスク１３と半導体ウェハ１５との威す
角度を６０°とすると、幅１１が０．２μｍであれば、
幅１２は０．４μｍとなる。
なお、ＳＯＲＯＲ光査６全な平行光ではないので、半影
ぼけを減少させるために、Ｘ線吸収体１２のパターンの
断面を、半導体ウェハ１５側で広＜ ＳＯＲＯＲ光査６
源側で狭い台形としてもよい。
ぼけを減少させるために、Ｘ線吸収体１２のパターンの
断面を、半導体ウェハ１５側で広＜ ＳＯＲＯＲ光査６
源側で狭い台形としてもよい。
また、本実施例ではＸ線マスク１３をＳＯＲＯＲ光査６
軸に対して傾斜させているが、Ｘ線マスり■３が半導体
ウェハ１５から２０μｍ程度を超えて離間すると、やは
り半影ぼけが多くなる。従って、Ｘ線マスク１３を、第
１図の様な平面的なものでなく、断面鋸歯状としてもよ
い。
軸に対して傾斜させているが、Ｘ線マスり■３が半導体
ウェハ１５から２０μｍ程度を超えて離間すると、やは
り半影ぼけが多くなる。従って、Ｘ線マスク１３を、第
１図の様な平面的なものでなく、断面鋸歯状としてもよ
い。
本発明による露光方法では、露光用マスクとして拡大マ
スクを用いることができるので、露光用マスクのパター
ンの描画が容易である。
スクを用いることができるので、露光用マスクのパター
ンの描画が容易である。
また、単位面積当りの露光用マスクへ入射するＸ線の量
が少ないので、Ｘ線の照射による露光用マスクの損傷の
発生が少ない。
が少ないので、Ｘ線の照射による露光用マスクの損傷の
発生が少ない。
また、露光用マスク上のパターンを被露光物に転写する
ための露光時間が少なくてよいので、露光を効率的に行
うことができる。
ための露光時間が少なくてよいので、露光を効率的に行
うことができる。
第１図及び第２図は本発明の夫々−実施例及び−従来例
を示す側面図である。 なお図面に用いた符号において、 ・−・−−−−−−−−−−Ｘ線マスク■ Ｘ線レジスト ＳＯＲ光 である。 代 理 人 土 屋 勝
を示す側面図である。 なお図面に用いた符号において、 ・−・−−−−−−−−−−Ｘ線マスク■ Ｘ線レジスト ＳＯＲ光 である。 代 理 人 土 屋 勝
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 露光用マスクを介して被露光物を平行なＸ線に露光させ
る露光方法において、 前記Ｘ線の光軸に対して前記露光用マスクを傾斜させて
前記露光を行うことを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1223650A JPH0385719A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1223650A JPH0385719A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0385719A true JPH0385719A (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=16801508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1223650A Pending JPH0385719A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0385719A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007066596A1 (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | 露光方法および露光装置 |
| JP2008281055A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Jtekt Corp | 段付き嵌合構造及び段付き軸受 |
| JP2010026369A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | V Technology Co Ltd | 近接露光装置 |
-
1989
- 1989-08-30 JP JP1223650A patent/JPH0385719A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007066596A1 (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | 露光方法および露光装置 |
| JP2008281055A (ja) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Jtekt Corp | 段付き嵌合構造及び段付き軸受 |
| JP2010026369A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | V Technology Co Ltd | 近接露光装置 |
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