JPH1138193A - Ｘ線照明光学系とｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線照明光学系とｘ線露光装置Info
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- JPH1138193A JPH1138193A JP9197675A JP19767597A JPH1138193A JP H1138193 A JPH1138193 A JP H1138193A JP 9197675 A JP9197675 A JP 9197675A JP 19767597 A JP19767597 A JP 19767597A JP H1138193 A JPH1138193 A JP H1138193A
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- Japan
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- ray
- mirror
- optical system
- ray mirror
- exposure
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 一括露光方式のＸ線露光装置を実現するのに
適した新規なＸ線照明光学系を提供する。 【解決手段】 ＳＲ光源からの放射光によって所定の照
明領域を照明するＸ線照明光学系において、該ＳＲ光源
から該照明領域までの光路中に第１のＸ線ミラーと第２
のＸ線ミラーを備え、該第１のＸ線ミラーの反射面形状
（ａ）は２軸両方向とも凹であり、該第２のＸ線ミラー
の反射面形状（ｂ）は少なくとも１軸方向が凸であるこ
とを特徴とする。このＸ線照明光学系を用いて、マスク
を一括照明する。
適した新規なＸ線照明光学系を提供する。 【解決手段】 ＳＲ光源からの放射光によって所定の照
明領域を照明するＸ線照明光学系において、該ＳＲ光源
から該照明領域までの光路中に第１のＸ線ミラーと第２
のＸ線ミラーを備え、該第１のＸ線ミラーの反射面形状
（ａ）は２軸両方向とも凹であり、該第２のＸ線ミラー
の反射面形状（ｂ）は少なくとも１軸方向が凸であるこ
とを特徴とする。このＸ線照明光学系を用いて、マスク
を一括照明する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造に用いられる一括露光方式のＸ線ステッパーに好適
なＸ線照明光学系の技術分野に関する。
製造に用いられる一括露光方式のＸ線ステッパーに好適
なＸ線照明光学系の技術分野に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線露光装置は、０．１８μｍデザイン
ルール以降のデバイスをプリントするための有力なリソ
グラフィー装置の１つと考えられている。デザインルー
ルがより狭くなるにしたがって、リソグラフィー装置に
は十分なスループットで、低歪みで、かつＣＤ均一性が
高い転写性能が要求される。
ルール以降のデバイスをプリントするための有力なリソ
グラフィー装置の１つと考えられている。デザインルー
ルがより狭くなるにしたがって、リソグラフィー装置に
は十分なスループットで、低歪みで、かつＣＤ均一性が
高い転写性能が要求される。
【０００３】Ｘ線露光装置用の露光光として用いられる
シンクロトロン放射（ＳＲ）光は、一度に全露光フィー
ルドを露光するためには垂直方向の発散角が小さすぎる
という問題がある。
シンクロトロン放射（ＳＲ）光は、一度に全露光フィー
ルドを露光するためには垂直方向の発散角が小さすぎる
という問題がある。
【０００４】そこで露光される領域を広げるための３つ
の方法が従来から提案されている。これらはミラースキ
ャン露光方式、ステージスキャン露光方式、そして一括
露光方式である。
の方法が従来から提案されている。これらはミラースキ
ャン露光方式、ステージスキャン露光方式、そして一括
露光方式である。
【０００５】先の２つのいずれのスキャン方式において
も、マスクとウェーハ上にパワーの集中が発生し、それ
が露光中に移動する。一方、３つめの一括露光方式にお
いては、パワーは全露光フィールドに広げられる。
も、マスクとウェーハ上にパワーの集中が発生し、それ
が露光中に移動する。一方、３つめの一括露光方式にお
いては、パワーは全露光フィールドに広げられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、マスクとウ
ェーハの熱歪みに着目すると、先の２つのスキャン方式
では、パワーが集中し、かつ集中位置が移動するため
に、局所的な歪みが大きくなるという無視できない問題
がある。これに対して一括露光方式では部分的なパワー
の集中がなく、時間的に安定しているので熱歪みの問題
が小さく、Ｘ線露光装置において十分なスループットで
低歪みでかつＣＤ均一性が高い転写性能をうるためのよ
り現実的な方法であるといえる。
ェーハの熱歪みに着目すると、先の２つのスキャン方式
では、パワーが集中し、かつ集中位置が移動するため
に、局所的な歪みが大きくなるという無視できない問題
がある。これに対して一括露光方式では部分的なパワー
の集中がなく、時間的に安定しているので熱歪みの問題
が小さく、Ｘ線露光装置において十分なスループットで
低歪みでかつＣＤ均一性が高い転写性能をうるためのよ
り現実的な方法であるといえる。
【０００７】本発明の目的は、上述した一括露光方式の
Ｘ線露光装置を現実的に実現するのに適した、新規なＸ
線照明光学系を提供することにある。
Ｘ線露光装置を現実的に実現するのに適した、新規なＸ
線照明光学系を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明のＸ線照明光学系は、ＳＲ光源から放射された放射
光によって所定の照明領域を照明するＸ線照明光学系に
おいて、該ＳＲ光源から該照明領域までの光路中に第１
のＸ線ミラーと第２のＸ線ミラーを備え、該第１のＸ線
ミラーの反射面形状は２軸両方向とも凹であり、該第２
のＸ線ミラーの反射面形状は少なくとも１軸方向が凸で
ある。
発明のＸ線照明光学系は、ＳＲ光源から放射された放射
光によって所定の照明領域を照明するＸ線照明光学系に
おいて、該ＳＲ光源から該照明領域までの光路中に第１
のＸ線ミラーと第２のＸ線ミラーを備え、該第１のＸ線
ミラーの反射面形状は２軸両方向とも凹であり、該第２
のＸ線ミラーの反射面形状は少なくとも１軸方向が凸で
ある。
【０００９】また、ここでＸ線照明光学系を構成するミ
ラーは、第１および第２のＸ線ミラーの２枚だけからな
ることが望ましい。
ラーは、第１および第２のＸ線ミラーの２枚だけからな
ることが望ましい。
【００１０】本発明のＸ線露光装置は、上記構成のＸ線
照明光学系を備え、マスクの所定面を一括照明する。
照明光学系を備え、マスクの所定面を一括照明する。
【００１１】
【発明の実施の形態】一般に投影光学系は、大画角化の
ために多くの課題を有しているが、Ｘ線露光装置である
Ｘ線ステッパーは露光フィールドを大きくするための制
限が少ない。
ために多くの課題を有しているが、Ｘ線露光装置である
Ｘ線ステッパーは露光フィールドを大きくするための制
限が少ない。
【００１２】図１はＸ線ステッパーのスループット（ウ
ェーハ枚数／時）をパラメータとしたステップ＋露光時
間とオーバーヘッドとの関係を示すグラフであり、
（ａ）は露光フィールドが３２ｍｍ□（６７ショット／
１２インチウェーハ）である場合、（ｂ）は露光フィー
ルドが５０ｍｍ□（２３ショット／１２インチウェー
ハ）である場合を示す。
ェーハ枚数／時）をパラメータとしたステップ＋露光時
間とオーバーヘッドとの関係を示すグラフであり、
（ａ）は露光フィールドが３２ｍｍ□（６７ショット／
１２インチウェーハ）である場合、（ｂ）は露光フィー
ルドが５０ｍｍ□（２３ショット／１２インチウェー
ハ）である場合を示す。
【００１３】図１の（ａ）、（ｂ）のグラフの比較か
ら、本発明の実施の形態のＸ線照明光学系の目的とする
露光画面の大画角化によってスループットが改善される
ことが理解できる。
ら、本発明の実施の形態のＸ線照明光学系の目的とする
露光画面の大画角化によってスループットが改善される
ことが理解できる。
【００１４】図２は本発明の実施の形態のＸ線露光装置
のＸ線照明光学系の構成を示す模式的斜視図であり、図
中符号１はＳＲリングからなるＳＲ光源、２は第１のＸ
線ミラー、３は第２のＸ線ミラー、４は真空チャンバー
のＢｅ窓、５はマスクである。図３は実施例のミラーの
反射面形状を示す立体図であり、（ａ）は第１のＸ線ミ
ラー、（ｂ）は第２のＸ線ミラーである。
のＸ線照明光学系の構成を示す模式的斜視図であり、図
中符号１はＳＲリングからなるＳＲ光源、２は第１のＸ
線ミラー、３は第２のＸ線ミラー、４は真空チャンバー
のＢｅ窓、５はマスクである。図３は実施例のミラーの
反射面形状を示す立体図であり、（ａ）は第１のＸ線ミ
ラー、（ｂ）は第２のＸ線ミラーである。
【００１５】図２に示すように、ＳＲ（シンクロトロン
放射）光源１から発したシンクロトロン放射光は、図３
に示されるような形状を有する第１のＸ線ミラー２およ
び第２のＸ線ミラー３により反射され、真空チャンバの
Ｂｅ窓４を透過し、それから真空チャンバ内の減圧され
たＨｅ中に設置されたマスク５を照射する。
放射）光源１から発したシンクロトロン放射光は、図３
に示されるような形状を有する第１のＸ線ミラー２およ
び第２のＸ線ミラー３により反射され、真空チャンバの
Ｂｅ窓４を透過し、それから真空チャンバ内の減圧され
たＨｅ中に設置されたマスク５を照射する。
【００１６】第１のＸ線ミラー２、第２のＸ線ミラー３
の反射面形状は、マスク５を透過してウェーハのレジス
トに吸収されるＸ線の強度分布が全露光領域において一
様となるように最適化により決定される。本発明の実施
例の第１のＸ線ミラー２の反射面形状は図３（ａ）に示
されるようにｘｙの２軸両方向ともに凹である。また、
第２のＸ線ミラー３反射面のｙ方向の形状は図３（ｂ）
に示すように凸であるが、図３（ｂ）では凸であるｘ方
向の形状が凹であるか凸であるかは、ミラーの配置およ
び露光フィールドサイズに依存する。
の反射面形状は、マスク５を透過してウェーハのレジス
トに吸収されるＸ線の強度分布が全露光領域において一
様となるように最適化により決定される。本発明の実施
例の第１のＸ線ミラー２の反射面形状は図３（ａ）に示
されるようにｘｙの２軸両方向ともに凹である。また、
第２のＸ線ミラー３反射面のｙ方向の形状は図３（ｂ）
に示すように凸であるが、図３（ｂ）では凸であるｘ方
向の形状が凹であるか凸であるかは、ミラーの配置およ
び露光フィールドサイズに依存する。
【００１７】ただし、マスクのパターンがウェーハに転
写される領域を露光領域とし、放射光の発光点から出射
されて該露光領域の中心に到達する放射光を主光線と
し、主光線が第１のミラー上で反射される点を第１のミ
ラーの中心とし、主光線が第２のミラー上で反射される
点を第２のミラーの中心とし、各ミラーにおいて該ミラ
ーの中心から引いた各ミラーの法線をｚ軸とし、ミラー
の反射面からミラーの外部に向けた方向をｚ軸の正の方
向とし、各ミラーに入射する主光線と各ミラーのｚ軸と
の作る平面に垂直な軸を各ミラーのｘ軸とし、各ミラー
のｘ軸、ｚ軸の双方に垂直な軸を各ミラーのｙ軸とし、
各ミラーから出射した主光線の進行方向のベクトルとの
内積が正となる各ミラーのｙ軸の方向を正の方向とし、
ｙ軸の正の方向の単位ベクトルとｚ軸の正の方向の単位
ベクトルとの外積がｘ軸の正の方向の単位ベクトルとな
るような各ミラーのｘ軸の方向を正の方向として定義す
る。なお実施例では、上の構成において、シンクロトロ
ン放射光は実現可能な蓄積リングの１つ（５８５Ｍｅ
Ｕ、５００ｍＡ）の点光源から発したものとした。発光
点と第１のＸ線ミラー２の中心間の距離ｌ1 ＝２８００
ｍｍ、第１のＸ線ミラー２の中心と第２のＸ線ミラー３
の中心間の距離ｌ2 ＝３２００ｍｍ、第２のＸ線ミラー
３の中心とマスク５間の距離ｌ3 ＝５０００ｍｍ、第１
のＸ線ミラー２、第２のＸ線ミラー３への斜入射角θ＝
１８ｍｒａｄと設定し、第２のＸ線ミラー３よりマスク
５寄り４５００ｍｍに１８μｍの厚さのＢｅ膜が真空隔
壁のＢｅ窓４として設置されている。真空隔壁よりマス
ク側にはＨｅが１５０Ｔｏｒｒの圧力で満たされてい
る。マスク５はＳｉＣからなる２μｍの厚さのメンブレ
ン上にタングステンを主成分とする吸収体からなるパタ
ーンが描かれてある。マスクメンブレンから２０μｍの
ギヤツプで、ウェーハがある。ウェーハの露光領域は４
ＧｂｉｔＤＲＡＭ世代で必要となってくる５０ｍｍ□と
なっており、第２のＸ線ミラー３から反射されたＸ線は
マスク５上で約６０ｍｍの照射領域を照射する。
写される領域を露光領域とし、放射光の発光点から出射
されて該露光領域の中心に到達する放射光を主光線と
し、主光線が第１のミラー上で反射される点を第１のミ
ラーの中心とし、主光線が第２のミラー上で反射される
点を第２のミラーの中心とし、各ミラーにおいて該ミラ
ーの中心から引いた各ミラーの法線をｚ軸とし、ミラー
の反射面からミラーの外部に向けた方向をｚ軸の正の方
向とし、各ミラーに入射する主光線と各ミラーのｚ軸と
の作る平面に垂直な軸を各ミラーのｘ軸とし、各ミラー
のｘ軸、ｚ軸の双方に垂直な軸を各ミラーのｙ軸とし、
各ミラーから出射した主光線の進行方向のベクトルとの
内積が正となる各ミラーのｙ軸の方向を正の方向とし、
ｙ軸の正の方向の単位ベクトルとｚ軸の正の方向の単位
ベクトルとの外積がｘ軸の正の方向の単位ベクトルとな
るような各ミラーのｘ軸の方向を正の方向として定義す
る。なお実施例では、上の構成において、シンクロトロ
ン放射光は実現可能な蓄積リングの１つ（５８５Ｍｅ
Ｕ、５００ｍＡ）の点光源から発したものとした。発光
点と第１のＸ線ミラー２の中心間の距離ｌ1 ＝２８００
ｍｍ、第１のＸ線ミラー２の中心と第２のＸ線ミラー３
の中心間の距離ｌ2 ＝３２００ｍｍ、第２のＸ線ミラー
３の中心とマスク５間の距離ｌ3 ＝５０００ｍｍ、第１
のＸ線ミラー２、第２のＸ線ミラー３への斜入射角θ＝
１８ｍｒａｄと設定し、第２のＸ線ミラー３よりマスク
５寄り４５００ｍｍに１８μｍの厚さのＢｅ膜が真空隔
壁のＢｅ窓４として設置されている。真空隔壁よりマス
ク側にはＨｅが１５０Ｔｏｒｒの圧力で満たされてい
る。マスク５はＳｉＣからなる２μｍの厚さのメンブレ
ン上にタングステンを主成分とする吸収体からなるパタ
ーンが描かれてある。マスクメンブレンから２０μｍの
ギヤツプで、ウェーハがある。ウェーハの露光領域は４
ＧｂｉｔＤＲＡＭ世代で必要となってくる５０ｍｍ□と
なっており、第２のＸ線ミラー３から反射されたＸ線は
マスク５上で約６０ｍｍの照射領域を照射する。
【００１８】第１のＸ線ミラー２はｘ軸方向に凹、ｙ軸
方向に凹の形状としてあり、中心近傍で、ｘ方向曲率半
径をｒx ＝８９．９ｍｍ−０．００６２×ｙｍｍ、ｙ方
向曲率半径ｒy ＝８２２８４ｍｍと設定した。曲率半径
ｒx をｙ方向に変化させているので、ミラーはミラー中
心近傍において発光点から遠ざかる方向に曲率半径が若
干小さくなっている。第２のＸ線ミラー３は特にｙ軸方
向に凸の形状をしてあり、ｘ方向の曲率半径１３３２ｍ
ｍ、ｙ方向の曲率半径３４８００ｍｍと設定した。
方向に凹の形状としてあり、中心近傍で、ｘ方向曲率半
径をｒx ＝８９．９ｍｍ−０．００６２×ｙｍｍ、ｙ方
向曲率半径ｒy ＝８２２８４ｍｍと設定した。曲率半径
ｒx をｙ方向に変化させているので、ミラーはミラー中
心近傍において発光点から遠ざかる方向に曲率半径が若
干小さくなっている。第２のＸ線ミラー３は特にｙ軸方
向に凸の形状をしてあり、ｘ方向の曲率半径１３３２ｍ
ｍ、ｙ方向の曲率半径３４８００ｍｍと設定した。
【００１９】図４は、本発明の実施例の装置で得られた
レジストに吸収されるＸ線強度と強度むらとを示す立体
図であり、（ａ）はレジスト面におけるＸ線吸収強度の
分布状態、（ｂ）はレジスト面におこる強度むらの分布
状態を示す。
レジストに吸収されるＸ線強度と強度むらとを示す立体
図であり、（ａ）はレジスト面におけるＸ線吸収強度の
分布状態、（ｂ）はレジスト面におこる強度むらの分布
状態を示す。
【００２０】このＸ線は感度４０Ｊ／ｃｍ3 のレジスト
（これは５０ｍＪ／ｃｍ2 に相当する）を１ショット当
たり１．５秒で露光する。図１（ｂ）に示されるように
１２インチウェーハ（２３ショット／ウェーハ）に対
し、１時間当たり５０枚のスループットが達成される。
レジストに吸収されるパワーは図４（ａ）に見られるよ
うに全領域でほぼ一定とすることができ、強度むらは図
４（ｂ）に見られるように５０ｍｍ□の露光領域全面に
おいてレンジで１％以下となっている。
（これは５０ｍＪ／ｃｍ2 に相当する）を１ショット当
たり１．５秒で露光する。図１（ｂ）に示されるように
１２インチウェーハ（２３ショット／ウェーハ）に対
し、１時間当たり５０枚のスループットが達成される。
レジストに吸収されるパワーは図４（ａ）に見られるよ
うに全領域でほぼ一定とすることができ、強度むらは図
４（ｂ）に見られるように５０ｍｍ□の露光領域全面に
おいてレンジで１％以下となっている。
【００２１】さらに、一括露光方式および２つのスキャ
ン露光方式における、マスクとウェーハの熱歪みによる
歪みとＣＤ均一性に及ぼす影響をそれぞれシミュレーシ
ョンにより調べた。その結果、一括露光方式の歪みは２
つのスキャン露光方式の歪みの１／４よりも小さくなっ
ていることが判明した。
ン露光方式における、マスクとウェーハの熱歪みによる
歪みとＣＤ均一性に及ぼす影響をそれぞれシミュレーシ
ョンにより調べた。その結果、一括露光方式の歪みは２
つのスキャン露光方式の歪みの１／４よりも小さくなっ
ていることが判明した。
【００２２】以上の実施の形態によれば、第１のＸ線ミ
ラーの反射面形状を２軸とも所定の曲率半径の凹とし、
第２のＸ線ミラーの反射面形状を少なくともｙ方向を所
定の曲率半径で凸とすることにより、シンクロトロン放
射光の垂直方向の発散角を拡散し、例えば５０ｍｍ□と
いう大きい露光フィールドを露光し、かつ水平方向のシ
ンクロトロン放射光を集めることにより、スループット
を向上させるという、２枚のＸ線ミラーからなるＸ線照
明光学系を実現することができる。
ラーの反射面形状を２軸とも所定の曲率半径の凹とし、
第２のＸ線ミラーの反射面形状を少なくともｙ方向を所
定の曲率半径で凸とすることにより、シンクロトロン放
射光の垂直方向の発散角を拡散し、例えば５０ｍｍ□と
いう大きい露光フィールドを露光し、かつ水平方向のシ
ンクロトロン放射光を集めることにより、スループット
を向上させるという、２枚のＸ線ミラーからなるＸ線照
明光学系を実現することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、一
括露光方式のＸ線露光装置を実現するのに適した新規な
Ｘ線照明光学系を提供することができるという効果があ
る。
括露光方式のＸ線露光装置を実現するのに適した新規な
Ｘ線照明光学系を提供することができるという効果があ
る。
【００２４】また、大きな露光フィールドを露光し、か
つ水平方向のシンクロトロン放射光を集めて照明強度を
向上させることにより、スループットを向上させた優れ
たＸ線露光装置を提供することができるという効果があ
る。
つ水平方向のシンクロトロン放射光を集めて照明強度を
向上させることにより、スループットを向上させた優れ
たＸ線露光装置を提供することができるという効果があ
る。
【図１】図１はＸ線ステッパーのスループット（ウェー
ハ枚数／時）をパラメータとしたステップ＋露光時間と
オーバーヘッドとの関係を示すグラフである。（ａ）は
露光フィールドが３２ｍｍ□（６７ショット／１２イン
チウェーハ）である場合を示す。（ｂ）は露光フィール
ドが５０ｍｍ□（６７ショット／１２インチウェーハ）
である場合を示す。
ハ枚数／時）をパラメータとしたステップ＋露光時間と
オーバーヘッドとの関係を示すグラフである。（ａ）は
露光フィールドが３２ｍｍ□（６７ショット／１２イン
チウェーハ）である場合を示す。（ｂ）は露光フィール
ドが５０ｍｍ□（６７ショット／１２インチウェーハ）
である場合を示す。
【図２】本発明の実施の形態のＸ線露光装置のＸ線照明
光学系の構成を示す模式的斜視図である。
光学系の構成を示す模式的斜視図である。
【図３】実施例のミラーの反射面形状を示す立体図であ
る。（ａ）は第１のＸ線ミラーである。（ｂ）は第２の
Ｘ線ミラーである。
る。（ａ）は第１のＸ線ミラーである。（ｂ）は第２の
Ｘ線ミラーである。
【図４】本発明の実施例の装置で得られたレジストに吸
収されるＸ線強度と強度むらとを示す立体図である。
（ａ）はレジスト面におけるＸ線吸収強度の分布状態を
示す。（ｂ）はレジスト面におこる強度むらの分布状態
を示す。
収されるＸ線強度と強度むらとを示す立体図である。
（ａ）はレジスト面におけるＸ線吸収強度の分布状態を
示す。（ｂ）はレジスト面におこる強度むらの分布状態
を示す。
【符号の説明】 １ ＳＲ光源 ２ 第１のＸ線ミラー ３ 第２のＸ線ミラー ４ Ｂｅ窓 ５ マスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福田 恵明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 鵜澤 俊一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 ＳＲ光源から放射された放射光によって
所定の照明領域を照明するＸ線照明光学系において、該
ＳＲ光源から該照明領域までの光路中に第１のＸ線ミラ
ーと第２のＸ線ミラーを備え、該第１のＸ線ミラーの反
射面形状は２軸両方向とも凹であり、該第２のＸ線ミラ
ーの反射面形状は少なくとも１軸方向が凸であることを
特徴とするＸ線照明光学系。 - 【請求項２】 Ｘ線照明光学系を構成するミラーは、前
記第１および第２のＸ線ミラーの２枚だけからなる請求
項１に記載のＸ線照明光学系。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載のＸ線照
明光学系を備え、マスクの所定面を一括照明することを
特徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9197675A JPH1138193A (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | Ｘ線照明光学系とｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9197675A JPH1138193A (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | Ｘ線照明光学系とｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1138193A true JPH1138193A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16378476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9197675A Withdrawn JPH1138193A (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | Ｘ線照明光学系とｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1138193A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6947518B2 (en) * | 1999-05-28 | 2005-09-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus, X-ray exposure method, X-ray mask, X-ray mirror, synchrotron radiation apparatus, synchrotron radiation method and semiconductor device |
| JP2007271595A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | J Tec:Kk | Ｘ線集光装置 |
-
1997
- 1997-07-24 JP JP9197675A patent/JPH1138193A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6947518B2 (en) * | 1999-05-28 | 2005-09-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray exposure apparatus, X-ray exposure method, X-ray mask, X-ray mirror, synchrotron radiation apparatus, synchrotron radiation method and semiconductor device |
| JP2007271595A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | J Tec:Kk | Ｘ線集光装置 |
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