JPS63284817A - シンクロトロン放射光の照射方法 - Google Patents
シンクロトロン放射光の照射方法Info
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- JPS63284817A JPS63284817A JP62118104A JP11810487A JPS63284817A JP S63284817 A JPS63284817 A JP S63284817A JP 62118104 A JP62118104 A JP 62118104A JP 11810487 A JP11810487 A JP 11810487A JP S63284817 A JPS63284817 A JP S63284817A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
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- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 5
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はシンクロトロン放射光の照射方法に係り、特に
ミラーを用いて照射面積を拡大させる方法に関する。
ミラーを用いて照射面積を拡大させる方法に関する。
［従来の技術１
従来、ＬＳＩ製造時のりソグラフィ技術における回路パ
ターンの転写用光源としては主に水銀灯が用いられてい
た。水銀灯から発する光は０．３６−という短い波長を
有しているので細密パターンの転写に適しているからで
ある。
ターンの転写用光源としては主に水銀灯が用いられてい
た。水銀灯から発する光は０．３６−という短い波長を
有しているので細密パターンの転写に適しているからで
ある。
ところが、近年ＬＳＩの高密度化がさらに要求されるよ
うになり、これに伴ってパターンの細密化が益々進みつ
つある。例えば、容ＭＬ １ＭビットのＬＳＩの回路パ
ターンは１μｓ程度の単位長さを有しているが、容伍が
６４Ｍビットとなるとその回路パターンの単位長さは０
．２５ ｕ程度にもなる。従ってこのような超ＬＳＩを
製造する場合には、水銀灯を用いることができず、さら
に短い波長の光で転写する必要がある。
うになり、これに伴ってパターンの細密化が益々進みつ
つある。例えば、容ＭＬ １ＭビットのＬＳＩの回路パ
ターンは１μｓ程度の単位長さを有しているが、容伍が
６４Ｍビットとなるとその回路パターンの単位長さは０
．２５ ｕ程度にもなる。従ってこのような超ＬＳＩを
製造する場合には、水銀灯を用いることができず、さら
に短い波長の光で転写する必要がある。
そこで、転写用光源としてシンクロトロン放射光の利用
が注目され開発されつつある。
が注目され開発されつつある。
第３図にシンクロトロン放射装置の概略を示す。
高周波加速空胴ａにて加速された電子が環状のビームダ
クトｂ内を進行する。ビームダクトｂの屈曲部分にはそ
れぞれ偏向磁界を形成するための偏向部Ｃが設けられ、
これにより電子は偏向されて環状のビームダクトｂ内を
周回する。そして周回する毎に電子は高周波加速空胴ａ
により加速され、所定の速度まで加速されたところでそ
の速度が保持される。
クトｂ内を進行する。ビームダクトｂの屈曲部分にはそ
れぞれ偏向磁界を形成するための偏向部Ｃが設けられ、
これにより電子は偏向されて環状のビームダクトｂ内を
周回する。そして周回する毎に電子は高周波加速空胴ａ
により加速され、所定の速度まで加速されたところでそ
の速度が保持される。
ところで、高速で走る電子が磁界によって円軌道を描く
場合には電子の軌道の接線方向にシンクロトロン放射光
が放射されることが知られており、ビームダクトｂ内を
周回する電子の速度を高速度に保持すると、第３図のよ
うに偏向部Ｃにおいてシンクロトロン放射光ｄが放射さ
れる。
場合には電子の軌道の接線方向にシンクロトロン放射光
が放射されることが知られており、ビームダクトｂ内を
周回する電子の速度を高速度に保持すると、第３図のよ
うに偏向部Ｃにおいてシンクロトロン放射光ｄが放射さ
れる。
このシンクロトロン放射光ｄの波長は電子のエネルギー
に依存しており、電子のエネルギーを調節することによ
り所望の波長の放射光ｄを得ることができる。そこで、
第４図に示すように偏向部Ｃ内のビームダクトｂに取出
口ｅを設けて電子の円軌道での接線方向に放射される極
短波長のシンクロトロン放射光ｑを取出せば、これを利
用して超ＬＳＩの回路パターン転写を行なうことが可能
となる。
に依存しており、電子のエネルギーを調節することによ
り所望の波長の放射光ｄを得ることができる。そこで、
第４図に示すように偏向部Ｃ内のビームダクトｂに取出
口ｅを設けて電子の円軌道での接線方向に放射される極
短波長のシンクロトロン放射光ｑを取出せば、これを利
用して超ＬＳＩの回路パターン転写を行なうことが可能
となる。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、第５図に示すようにビームダクトｂ内に
おいて電子は水平面内の周回軌道りを有しているので、
シンクロトロン放射光Ｑは水平方向には所望の発散角度
ｉを持って取出すことができるが、鉛直方向の発散角度
ｊは通常１ｍｒａｄ以下と極めて小さなものになってし
まう。その結果、転写時の照射域には鉛直方向の幅ｊの
狭い細長い形状となっていた。このため、大面積を照射
する場合には照射域ｋをそのまま用いることができず、
第６図に示すように取出されたシンクロトロン放射光ｑ
を−Ｈミラーｍに反射させると共にこのミラーｍを回転
させてその照射域の拡大を図っていた。
おいて電子は水平面内の周回軌道りを有しているので、
シンクロトロン放射光Ｑは水平方向には所望の発散角度
ｉを持って取出すことができるが、鉛直方向の発散角度
ｊは通常１ｍｒａｄ以下と極めて小さなものになってし
まう。その結果、転写時の照射域には鉛直方向の幅ｊの
狭い細長い形状となっていた。このため、大面積を照射
する場合には照射域ｋをそのまま用いることができず、
第６図に示すように取出されたシンクロトロン放射光ｑ
を−Ｈミラーｍに反射させると共にこのミラーｍを回転
させてその照射域の拡大を図っていた。
この場合、ミラーｍの回転に伴ってシンクロトロン放射
光ｑの入射角ｐが変化するが、一般に入射角が変化する
とミラーでの反射光のスペクトル及び強度が変化するこ
とが知られている。すなわち、入射角が太き（なる程反
射光のスペクトルの短波長側がカットされ強度が低下す
る。従って、ミラーｍを回転させてシンクロトロン放射
光ｑを照射させると、露光面ｎへの照射が不均一なもの
となってしまう。そこで、均一な照射を行なうためには
、ミラーｍの回転速度をシンクロトロン放射光ｑの入射
角ｐに応じて高精度に制御しなければならなかった。
光ｑの入射角ｐが変化するが、一般に入射角が変化する
とミラーでの反射光のスペクトル及び強度が変化するこ
とが知られている。すなわち、入射角が太き（なる程反
射光のスペクトルの短波長側がカットされ強度が低下す
る。従って、ミラーｍを回転させてシンクロトロン放射
光ｑを照射させると、露光面ｎへの照射が不均一なもの
となってしまう。そこで、均一な照射を行なうためには
、ミラーｍの回転速度をシンクロトロン放射光ｑの入射
角ｐに応じて高精度に制御しなければならなかった。
また、ミラーｍからの反射光はミラーｍの回転に伴って
露光面ｎへの照射角度が変化するので、この影響を最小
限に押えるためにミラーｍから露光面ｎまでの距離を数
ｍ以上もとる必要があり、装置が大型化するという問題
もあった。
露光面ｎへの照射角度が変化するので、この影響を最小
限に押えるためにミラーｍから露光面ｎまでの距離を数
ｍ以上もとる必要があり、装置が大型化するという問題
もあった。
かくして本発明の目的は上記従来技術の問題点を解消し
、容易に均一な照射を行なうことができると共に装置の
小型化を図ることができるシンクロトロン放射光の照射
方法を提供することにある。
、容易に均一な照射を行なうことができると共に装置の
小型化を図ることができるシンクロトロン放射光の照射
方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
第１の発明に係るシンクロトロン放射光の照射方法は上
記目的を達成するために、電子の周回軌道から取り出さ
れたシンクロトロン放射光をミラーに反射させた後その
反射光を露光面に照射させる方法において、照射面積を
拡大すべく上記ミラーを平行に移動させる方法である。
記目的を達成するために、電子の周回軌道から取り出さ
れたシンクロトロン放射光をミラーに反射させた後その
反射光を露光面に照射させる方法において、照射面積を
拡大すべく上記ミラーを平行に移動させる方法である。
また、第２の発明に係るシンクロトロン放射光の照射方
法は、電子の周回軌道から取り出されたシンクロトロン
放射光をミラーに反射させた後その反射光を露光面に照
射させる方法において、シンクロトロン放射光を互いに
平行に配置された一対のミラーに順次反射させると共に
照射面積を拡大すべく上記一対のミラーのうちいずれか
一方を平行移動させる方法である。
法は、電子の周回軌道から取り出されたシンクロトロン
放射光をミラーに反射させた後その反射光を露光面に照
射させる方法において、シンクロトロン放射光を互いに
平行に配置された一対のミラーに順次反射させると共に
照射面積を拡大すべく上記一対のミラーのうちいずれか
一方を平行移動させる方法である。
［作 用〕
ミラーを平行移動させることにより、シンクロトロン放
射光の入射角を一定に保ったままその反射光を平行に振
らして照射面積を拡大させることが可能となる。入射角
が変らないので、ミラーでの反射光のスペクトル及び強
度が変化することはなくミラーを一定速度で平行移動さ
せるだけで均一な照射がなされる。
射光の入射角を一定に保ったままその反射光を平行に振
らして照射面積を拡大させることが可能となる。入射角
が変らないので、ミラーでの反射光のスペクトル及び強
度が変化することはなくミラーを一定速度で平行移動さ
せるだけで均一な照射がなされる。
さらに、ミラーを平行移動させるので露光面への照射角
度が一定となり、このためミラーから露光面までの距離
を大きくとる必要がなくなる。
度が一定となり、このためミラーから露光面までの距離
を大きくとる必要がなくなる。
また、第２の発明のようにシンクロトロン放射光を平行
な一対のミラーに順次反射させて照射させれば、この一
対のミラーへの入射光と出射光とが常に平行となるので
、電子の周回軌道から取り出された水平方向のシンクロ
トロン放射光を水平のまま照射することができる。従っ
て、露光面となるウェハやパターンマスクを斜めにしな
いで鉛直にセットすることができる。
な一対のミラーに順次反射させて照射させれば、この一
対のミラーへの入射光と出射光とが常に平行となるので
、電子の周回軌道から取り出された水平方向のシンクロ
トロン放射光を水平のまま照射することができる。従っ
て、露光面となるウェハやパターンマスクを斜めにしな
いで鉛直にセットすることができる。
［実施例］
以下、本発明の実施例を添付図面に従って説明する。
第１図は本発明の一実施例に係るシンクロトロン放射光
の照射方法を示す側面図である。第３図に示した装置と
同様のシンクロトロン放射光発生装置（図示せず〉が水
平に設けられており、この装置から取り出したシンクロ
トロン放射光の光路１上に傾斜角度θでミラー２が設け
られている。
の照射方法を示す側面図である。第３図に示した装置と
同様のシンクロトロン放射光発生装置（図示せず〉が水
平に設けられており、この装置から取り出したシンクロ
トロン放射光の光路１上に傾斜角度θでミラー２が設け
られている。
このミラー２はステップモータ及びシリンダ（図示せず
）等によりその鏡面に垂直に平行移動し得るように構成
されている。
）等によりその鏡面に垂直に平行移動し得るように構成
されている。
さらに、ミラー２によるシンクロトロン放射光の反射光
路に対して垂直にウェハ３が配置されると共にこのウェ
ハ３の表面上に超ＬＳＩ用のパターンマスク４が配置さ
れている。
路に対して垂直にウェハ３が配置されると共にこのウェ
ハ３の表面上に超ＬＳＩ用のパターンマスク４が配置さ
れている。
次に、本実施例の照射方法を述べる。
まず、シンクロトロン放射光発生装置を駆動してシンク
ロトロン放射光を発生させる。このシンクロトロン放射
光は水平な光路１上を進行して入射角θでミラー２に入
射した後、ここで反射されて光路５を通りパターンマス
ク４及びウェハ３に垂直に照射される。このシンクロト
ロン放射光の照射に伴ってミラー２をその鏡面に垂直な
方向に一定速度で平行移動させる。すると、光路１上を
進行してきたシンクロトロン放射光は破線の如く進んで
やはり入射角θでミラー２に入射した後、ここで反射さ
れて光路５と平行な光路６を通りパターンマスク４及び
ウェハ３に照射される。
ロトロン放射光を発生させる。このシンクロトロン放射
光は水平な光路１上を進行して入射角θでミラー２に入
射した後、ここで反射されて光路５を通りパターンマス
ク４及びウェハ３に垂直に照射される。このシンクロト
ロン放射光の照射に伴ってミラー２をその鏡面に垂直な
方向に一定速度で平行移動させる。すると、光路１上を
進行してきたシンクロトロン放射光は破線の如く進んで
やはり入射角θでミラー２に入射した後、ここで反射さ
れて光路５と平行な光路６を通りパターンマスク４及び
ウェハ３に照射される。
このようにして、ミラー２への入射角θを一定に保った
ままその反射光を平行に振らし、パターンマスク４によ
るウェハ３へのパターン転写がなされる。
ままその反射光を平行に振らし、パターンマスク４によ
るウェハ３へのパターン転写がなされる。
第２図は他の実施例を示す側面図である。この実施例は
第１図の実施例においてミラー２と平行に固定ミラー７
を光路５及び６上に設けたものである。このようにする
と、ミラー２で反射して光路５あるいは６上を進行する
シンクロトロン放射光は固定ミラー７で再び反射されて
光路８あるいは９上を進みパターンマスク４及びウェハ
３に照射される。このとき、固定ミラー７がミラー２と
平行に配置されているので、固定ミラー７での反射光路
８及び９はミラー２への入射光路１と平行、すなわち水
平となる。その結果、被照射物となるウェハ３及びパタ
ーンマスク４を鉛直に配置することができるようになる
。
第１図の実施例においてミラー２と平行に固定ミラー７
を光路５及び６上に設けたものである。このようにする
と、ミラー２で反射して光路５あるいは６上を進行する
シンクロトロン放射光は固定ミラー７で再び反射されて
光路８あるいは９上を進みパターンマスク４及びウェハ
３に照射される。このとき、固定ミラー７がミラー２と
平行に配置されているので、固定ミラー７での反射光路
８及び９はミラー２への入射光路１と平行、すなわち水
平となる。その結果、被照射物となるウェハ３及びパタ
ーンマスク４を鉛直に配置することができるようになる
。
ところで、ウェハ３上へのパターン転写の際には量産の
ため一般に大きなウェハ３の一部にパターンを転写した
後、ウェハ３とパターンマスク４とを相対的にステッピ
ング（移動）させてウェハ３の他の部分への転写を行な
い、以下この操作を繰り返して同一パターンをウェハ３
上に複数転写している。従って、第２図のようにウェハ
３及びパターンマスク４を斜めではなく鉛直に配置する
ことができれば、これらのステッピングの操作性及び精
度が向上する。
ため一般に大きなウェハ３の一部にパターンを転写した
後、ウェハ３とパターンマスク４とを相対的にステッピ
ング（移動）させてウェハ３の他の部分への転写を行な
い、以下この操作を繰り返して同一パターンをウェハ３
上に複数転写している。従って、第２図のようにウェハ
３及びパターンマスク４を斜めではなく鉛直に配置する
ことができれば、これらのステッピングの操作性及び精
度が向上する。
なお、第２図においてミラー２を平行移動させると共に
ミラー７を固定したが、これとは逆にミラー２を固定し
てミラー７を平行移動させることもできる。
ミラー７を固定したが、これとは逆にミラー２を固定し
てミラー７を平行移動させることもできる。
また、上述した各実施例において、ミラー２を平行移動
させる方向はミラー２と垂直な方向に限るものではなく
、光路１と平行な方向その他の方向としても同様の効果
が得られる。
させる方向はミラー２と垂直な方向に限るものではなく
、光路１と平行な方向その他の方向としても同様の効果
が得られる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、次の如き優れた効
果が発揮される。
果が発揮される。
（１） ミラーを平行移動させることにより、反射光
をそのスペクトル及び強度の変化を生じることなく照射
することができる。従って、容易に均一な照射を行なう
ことが可能となる。
をそのスペクトル及び強度の変化を生じることなく照射
することができる。従って、容易に均一な照射を行なう
ことが可能となる。
（２） 露光面への照射角度が一定となり、ミラーか
ら露光面までの距離を大きくとる必要がないので装置が
小型化される。
ら露光面までの距離を大きくとる必要がないので装置が
小型化される。
（３） 平行な一対のミラーを用いることにより、ウ
ェハやパターンマスクを斜めとしないで鉛直に配置する
ことができ、これらのステッピングの操作性及び精度を
向上させることが可能となる。
ェハやパターンマスクを斜めとしないで鉛直に配置する
ことができ、これらのステッピングの操作性及び精度を
向上させることが可能となる。
第１図は本発明の一実施例に係るシンクロトロン放射光
の照射方法を示す側面図、第２図は他°の実施例を示す
側面図、第３図は一般的なシンクロトロン放射光発生装
置の概略図、第４図はシンクロトロン放射光の取出口付
近を示す構成図、第５図及び第６図は従来技術の問題点
を示す説明図である。 図中、１，５及び６は光路、２はミラー、３はウェハ、
４はパターンマスクである。 特 許 出 願 人 石川島播磨重工業株式会社代理
人弁理士 絹 谷 信 雄 １．５，６・・・光路 ２・・・・・・々ツー ３・・−・−・・クエへ ２ ４・・・・・・バターシ
マスフ第２図
の照射方法を示す側面図、第２図は他°の実施例を示す
側面図、第３図は一般的なシンクロトロン放射光発生装
置の概略図、第４図はシンクロトロン放射光の取出口付
近を示す構成図、第５図及び第６図は従来技術の問題点
を示す説明図である。 図中、１，５及び６は光路、２はミラー、３はウェハ、
４はパターンマスクである。 特 許 出 願 人 石川島播磨重工業株式会社代理
人弁理士 絹 谷 信 雄 １．５，６・・・光路 ２・・・・・・々ツー ３・・−・−・・クエへ ２ ４・・・・・・バターシ
マスフ第２図
Claims (2)
- （１）電子の周回軌道から取り出されたシンクロトロン
放射光をミラーに反射させた後その反射光を露光面に照
射させる方法において、照射面積を拡大すべく上記ミラ
ーを平行に移動させることを特徴とするシンクロトロン
放射光の照射方法。 - （２）電子の周回軌道から取り出されたシンクロトロン
放射光をミラーに反射させた後その反射光を露光面に照
射させる方法において、シンクロトロン放射光を互いに
平行に配置された一対のミラーに順次反射させると共に
照射面積を拡大すべく上記一対のミラーのうちいずれか
一方を平行移動させることを特徴とするシンクロトロン
放射光の照射方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62118104A JPS63284817A (ja) | 1987-05-16 | 1987-05-16 | シンクロトロン放射光の照射方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62118104A JPS63284817A (ja) | 1987-05-16 | 1987-05-16 | シンクロトロン放射光の照射方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63284817A true JPS63284817A (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=14728112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62118104A Pending JPS63284817A (ja) | 1987-05-16 | 1987-05-16 | シンクロトロン放射光の照射方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63284817A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03254115A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-13 | Canon Inc | 露光装置 |
-
1987
- 1987-05-16 JP JP62118104A patent/JPS63284817A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03254115A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-13 | Canon Inc | 露光装置 |
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