JP3013341B2 - Ｘ線照射用光学系及びそれを用いたｘ線投影露光装置 - Google Patents

Ｘ線照射用光学系及びそれを用いたｘ線投影露光装置

Info

Publication number
JP3013341B2
JP3013341B2 JP4085924A JP8592492A JP3013341B2 JP 3013341 B2 JP3013341 B2 JP 3013341B2 JP 4085924 A JP4085924 A JP 4085924A JP 8592492 A JP8592492 A JP 8592492A JP 3013341 B2 JP3013341 B2 JP 3013341B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
optical system
exposure apparatus
projection exposure
light source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP4085924A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05259036A (ja
Inventor
健二 栗原
博雄 木下
勉 溝田
恒之 芳賀
康弘 鳥居
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NTT Inc
NTT Inc USA
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
NTT Inc USA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp, NTT Inc USA filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP4085924A priority Critical patent/JP3013341B2/ja
Publication of JPH05259036A publication Critical patent/JPH05259036A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3013341B2 publication Critical patent/JP3013341B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光源位置から、水平方
向には比較的広い広がり角で広がるが垂直方向には比較
的狭い広がり角でしか広がらないで得られるＸ線を、被
照射体に照射させるのに用いるＸ線照射用光学系、及び
それを用いたＸ線投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路を製造するのに、
図３及び図４に示すような、電子蓄積リング２を有する
シンクロトロン放射光発生装置１の光源位置Ｐ１から、
水平方向には比較的広い広がり角で広がるが垂直方向に
は比較的狭い広がり角てしか広がらないで得られるＸ線
３を得、そして、そのＸ線３を、被照射体としての、マ
スクステ―ジ４上に配された反射型マスク５に、集束用
ミラ―７を用いて構成されたＸ線照射用光学系６を用い
て照射させ、それによって得られる反射型マスク５のＸ
線３によって照射された領域８のＸ線像を、被露光体と
しての、ウエハステ―ジ９上に配されたフォトレジスト
層（図示せず）を塗布しているウエハ１０上に、凸面ミ
ラ―１２及び凹面ミラ―１３を用いて構成されたＸ線像
縮小用反射光学系１１によって縮小して投影させ、それ
によって、被露光体としてのウエハ１０上のフォトレジ
スト層に対する露光を行わせるように構成されているＸ
線投影露光装置が提案されている。
【０００３】この場合、Ｘ線照射用光学系６の集束用ミ
ラ―７は、光源位置Ｐ１からのＸ線３を、光源位置Ｐ１
でのＸ線像の垂直方向の結像位置及び水平方向の結像位
置がともに図３及び図４にそれぞれ示すようにＸ線像縮
小用反射光学系１１の入射瞳位置Ｐ２に位置するように
集束させるミラ―面を有している。なお、図４において
は、簡単のため、反射型マスク５のＸ線３によって照射
された領域８のＸ線像が、Ｘ線像縮小用反射光学系１１
において反射して、ウエハ１０上に縮小投影させている
ことの詳細は示していない。また、１４は、反射型マス
ク５と、Ｘ線像縮小用反射光学系１１との間に設けたス
リットである。
【０００４】上述した従来のＸ線投影露光装置によれ
ば、光源位置Ｐ１から、水平方向には比較的広い広がり
角で広がるが垂直方向には比較的狭い広がり角てしか広
がらないで得られるＸ線３を得、一方、Ｘ線照射用光学
系６の集束用ミラ―７が、光源位置Ｐ１からのＸ線３
を、光源位置Ｐ１でのＸ線像の垂直方向の結像位置及び
水平方向の結像位置がともにＸ線像縮小用反射光学系１
１の入射瞳位置Ｐ２に位置するように集束させるミラ―
面を有しているので、反射型マスク５のＸ線３によって
照射される領域８のパタ―ンが、図５に示すように、水
平方向に長いストライプ状に得られる。
【０００５】そして、そのストライプ状のパタ―ンにつ
いては、その水平方向の長さを、反射型マスク５のＸ線
照射用光学系６の集束用ミラ―７に対する位置、集束用
ミラ―７のミラ―面の曲率などを予め適当に選んでおく
ことによって、反射型マスク５の水平方向の有効長に対
応する長さまたはそれより長い長さにすることができ
る。
【０００６】以上のことから、図３及び図４に示す従来
のＸ線投影露光装置によれば、反射型マスク５及び被露
光体としてのウエハ１０を、それぞれのマスクステ―ジ
４及びウエハステ―ジ９を用いて、図３において矢で示
すように、互に同期して垂直方向に運動させることによ
って、被露光体としてのウエハ１０に対し、反射型マス
ク５の全域の光像の露光を行わせることができる。
【０００７】また、光源位置Ｐ１からの水平方向には比
較的広い広がり角で広がるが垂直方向には比較的狭い広
がり角てしか広がらないで得られるＸ線３を、反射型マ
スク５に、集束用ミラ―７を用いて構成されたＸ線照射
用光学系６を用いて照射させるようにしているので、集
束用ミラ―７を用いて構成されたＸ線照射用光学系６を
用いている、ということができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図３及び図４に示す従
来のＸ線投影露光装置は、Ｘ線照射用光学系６に用いて
いる集束用ミラ―７が、光源位置Ｐ１からのＸ線３を、
光源位置Ｐ１でのＸ線像の垂直方向の結像位置及び水平
方向の結像位置がともにＸ線像縮小用反射光学系１１の
入射瞳位置Ｐ２に位置するように集束させるミラ―面を
有し、一方、反射型マスク５のＸ線によって照射される
領域８のパタ―ンが、上述したように、水平方向に長い
ストライプ状に得られるので、Ｘ線像縮小用反射光学系
１１の凸面ミラ―１２及び凹面ミラ―１３は、反射型マ
スク５からのＸ線像を反射するのに、水平方向には比較
的長いが垂直方向には短い長さのストライプ状パタ―ン
でなる領域しか、反射領域として用いていない。
【０００９】このため、反射型マスク５からのＸ線像を
反射するのに用いている反射領域に、反射面としての欠
陥があった場合、その欠陥の水平方向の長さの、凸面ミ
ラ―１２及び凹面ミラ―１３の反射領域の水平方向に長
さに対する割合に関しては、その割合が十分小さいとし
ても、その欠陥の垂直方向の長さの、凸面ミラ―１２及
び凹面ミラ―１３の反射領域の垂直方向の長さに対する
割合に関しては、その割合が、きわめて大きい。
【００１０】従って、図３及び図４に示す従来のＸ線投
影露光装置の場合、被露光体としてのウエハ１０上に投
影されるＸ線像が、垂直方向に関し、Ｘ線像縮小用反射
光学系１１の凸面ミラ―１２及び凹面ミラ―１３の欠陥
によって影響を受ける度合に関し、その度合が、きわめ
て大きい、という欠点を有していた。
【００１１】よって、本発明は、上述した欠点のない、
新規なＸ線照射用光学系、及びそれを用いたＸ線投影露
光装置を提案せんとするものである。
【課題を解決するための手段】本発明によるＸ線照射用
光学系は、図３及び図４で前述した従来のＸ線照射用光
学系の場合と同様に、光源位置から、水平方向には比較
的広い広がり角で広がるが垂直方向には比較的狭い広が
り角でしか広がらないで得られるＸ線を、被照射体に照
射させるように、集束用ミラ―を用いて構成されてい
る。
【００１２】しかしながら、本発明によるＸ線照射用光
学系は、このようなＸ線照射用光学系において、上記集
束用ミラ―が、上記光源位置からの上記Ｘ線を、上記光
源位置でのＸ線像の垂直方向の結像位置及び水平方向の
結像位置が上記被照射体の近傍前位置及び上記被照射体
の後位置にそれぞれ位置するように集束させるミラ―面
を有する。
【００１３】また、本発明によるＸ線照射用光学系を用
いたＸ線投影露光装置は、図３及び図４で前述した従来
のＸ線照射用光学系を用いたＸ線投影露光装置の場合と
同様に、光源位置から、水平方向には比較的広い広がり
角で広がるが垂直方向には比較的狭い広がり角でしか広
がらないで得られるＸ線を、被照射体としての反射型マ
スクに、集束用ミラ―を用いて構成されたＸ線照射用光
学系を用いて照射させ、それによって得られる上記反射
型マスクの上記Ｘ線によって照射された領域のＸ線像
を、被露光体上に、Ｘ線像縮小用反射光学系によって縮
小して投影させ、それによって、上記被露光体に対する
露光を行わせるように構成されている。
【００１４】しかしながら、本発明によるＸ線照射用光
学系を用いたＸ線投影露光装置は、このようなＸ線照射
用光学系を用いたＸ線投影露光装置において、上記Ｘ線
照射用光学系の上記集束用ミラ―が、上記光源位置から
の上記Ｘ線を、上記光源位置でのＸ線像の垂直方向の結
像位置及び水平方向の結像位置が上記反射型マスクの近
傍位前置及び上記被照射体としての反射型マスクの後位
置としての上記Ｘ線結像縮小用反射光学系の入射瞳位置
にそれぞれ位置するように集束させるミラ―面を有す
る。
【００１５】
【作用・効果】本発明によるＸ線照射用光学系を用いた
Ｘ線投影露光装置によれば、Ｘ線照射用光学系の集束用
ミラ―が、光源位置からのＸ線を、光源位置でのＸ線像
の垂直方向の結像位置及び水平方向の結像位置がともに
Ｘ線像縮小用反射光学系の入射瞳位置に位置するように
集束させるミラ―面を有しているのに代え、光源位置か
らのＸ線を、光源位置でのＸ線像の垂直方向の結像位置
及び水平方向の結像位置が反射型マスクの近傍前位置及
び被照射体としての反射型マスクの後位置としてのＸ線
結像縮小用反射光学系の入射瞳位置にそれぞれ位置する
ように集束させるミラ―面を有することを除いて、図３
及び図４で前述した従来のＸ線投影露光装置と同様であ
るので、図３及び図４で前述した従来のＸ線照射用光学
系を用いたＸ線投影露光装置の場合と同様に、反射型マ
スクのＸ線によって照射される領域のパタ―ンが、図５
で前述したように、水平方向に長いストライプ状に得ら
れる。
【００１６】そして、そのストライプ状のパタ―ンにつ
いては、図３及び図４で前述した従来のＸ線照射用光学
系を用いたＸ線投影露光装置の場合と同様に、水平方向
の長さを、反射型マスクのＸ線照射用光学系の集束用ミ
ラ―に対する位置、集束用ミラ―のミラ―面の曲率など
を予め適当に選んでおくことによって、反射型マスクの
水平方向の有効長に対応する長さまたはそれより長い長
さにすることができる。
【００１７】以上のことから、本発明によるＸ線照射用
光学系を用いたＸ線投影露光装置の場合も、図３及び図
４で前述した従来のＸ線照射用光学系を用いたＸ線投影
露光装置の場合と同様に、反射型マスク及び被露光体
を、互に同期して垂直方向に運動させることによって、
被露光体に対し、反射型マスクの全域の光像の露光を行
わせることができる。
【００１８】また、本発明によるＸ線照射用光学系を用
いたＸ線投影露光装置も、図３及び図４で前述した従来
のＸ線照射用光学系を用いたＸ線投影露光装置の場合と
同様に、光源位置からの水平方向には比較的広い広がり
角で広がるが垂直方向には比較的狭い広がり角てしか広
がらないで得られるＸ線を、反射型マスクに、集束用ミ
ラ―を用いて構成されたＸ線照射用光学系を用いて照射
させるようにしているので、集束用ミラ―を用いて構成
されたＸ線照射用光学系６を用いている、ということが
できる。
【００１９】しかしながら、本発明によるＸ線照射用光
学系を用いたＸ線投影露光装置の場合、Ｘ線照射用光学
系に用いている集束用ミラ―が、光源位置からのＸ線
を、光源位置でのＸ線像の垂直方向の結像位置及び水平
方向の結像位置が反射型マスクの近傍前位置及びＸ線像
縮小用反射光学系の入射瞳位置に位置するように集束さ
せるミラ―面を有しているので、反射型マスクのＸ線に
よって照射される領域のパタ―ンが、上述したように、
水平方向に長いストライプ状に得られ、このため、Ｘ線
像縮小用反射光学系を構成しているミラ―が、反射型マ
スクからのＸ線像を反射するのに、水平方向には比較的
長いが垂直方向には短い長さのストライプ状パタ―ンで
なる領域しか、反射領域として用いていないとしても、
そのストライプ状のパタ―ンの垂直方向の長さを、図３
及び図４で前述した従来のＸ線照射用光学系を用いたＸ
線投影露光装置の場合に比し格段的に長くすることがで
きる。
【００２０】このため、反射型マスクからのＸ線像を反
射するのに用いている反射領域に、反射面としての欠陥
があったとしても、その欠陥の長さの、Ｘ線像縮小用反
射光学系を構成しているミラ―の反射領域の垂直方向の
長さに対する割合に関し、その割合を、図３及び図４で
前述した従来のＸ線照射用光学系を用いたＸ線投影露光
装置の場合に比し格段的に小さくすることができる。
【００２１】従って、本発明によるＸ線照射用光学系を
用いたＸ線投影露光装置によれば、被露光体上に投影さ
れるＸ線像が、垂直方向に関し、Ｘ線像縮小用反射光学
系を構成しているミラ―の欠陥によって影響を受ける度
合に関し、その度合が図３及び図４で前述した従来のＸ
線照射用光学系を用いたＸ線投影露光装置の場合に比し
格段的に小さい。
【００２２】よって、図３及び図４で前述した従来のＸ
線照射用光学系を用いたＸ線投影露光装置の欠点を有効
に回避させることができる。
【００２３】また、本発明によるＸ線照射用光学系によ
れば、それを、上述した本発明によるＸ線投影露光装置
のＸ線照射用光学系に、上述したように適用することが
できるとともに、そのように適用することによって、本
発明によるＸ線投影露光装置に、上述した優れた作用効
果をもたらすことができる。
【００２４】
【実施例】次に、図１及び図２を伴って、本発明による
Ｘ線照射用光学系の実施例及びそれを用いたＸ線投影露
光装置の実施例を、Ｘ線照射用光学系を用いたＸ線投影
露光装置の実施例で述べよう。
【００２５】図１及び図２において、図３及び図４との
対応部分には同一符号を付して示す。
【００２６】図１及び図２に示す本発明によるＸ線照射
用光学系を用いたＸ線投影露光装置は、図３及び図４で
前述した従来のＸ線投影露光装置の場合と同様に、電子
蓄積リング２を有するシンクロトロン放射光発生装置１
の光源位置Ｐ１から、水平方向には比較的広い広がり角
で広がるが垂直方向には比較的狭い広がり角てしか広が
らないで得られるＸ線３を得、そして、そのＸ線３を、
被照射体としての、マスクステ―ジ４上に配された反射
型マスク５に、集束用ミラ―７を用いて構成されたＸ線
照射用光学系６を用いて照射させ、それによって得られ
る反射型マスク５のＸ線３によって照射された領域８の
Ｘ線像を、被露光体としての、ウエハステ―ジ９上に配
されたフォトレジスト層（図示せず）を塗布しているウ
エハ１０上に、凸面ミラ―１２及び凹面ミラ―１３を用
いて構成されたＸ線像縮小用反射光学系１１によって縮
小して投影させ、それによって、被露光体としてのウエ
ハ１０上のフォトレジスト層に対する露光を行わせるよ
うに構成されている。なお、図２においては、図４の場
合と同様に、簡単のため、反射型マスク５のＸ線３によ
って照射された領域８のＸ線像が、Ｘ線像縮小用反射光
学系１１において反射して、ウエハ１０上に縮小投影さ
せていることの詳細は示していない。
【００２７】しかしながら、図１及び図２に示す本発明
によるＸ線照射用光学系を用いたＸ線投影露光装置の場
合、Ｘ線照射用光学系６の集束用ミラ―７が、光源位置
Ｐ１からのＸ線３を、光源位置Ｐ１でのＸ線像の垂直方
向の結像位置及び水平方向の結像位置が反射型マスク５
の近傍前位置Ｐ３及び上記被照射体としての反射型マス
ク５の後位置としてのＸ線結像縮小用反射光学系１１の
入射瞳位置Ｐ２にそれぞれ位置するように集束させるミ
ラ―面を有する。なお、実際上は、このようなミラ―面
を有する集束用ミラ―７は、２枚のトロイダルミラ―を
用いたり、２枚のトロイダルミラ―と１枚の平面ミラ―
とを用いたり、２枚のシリンドリカルミラ―を用いたり
して構成することができる。
【００２８】以上が、本発明によるＸ線照射用光学系を
用いたＸ線投影露光装置の実施例の構成である。
【００２９】このような構成を有する本発明によるＸ線
照射用光学系を用いたＸ線投影露光装置によれば、Ｘ線
照射用光学系６の集束用ミラ―７が、光源位置Ｐ１から
のＸ線３を、光源位置Ｐ１でのＸ線像の垂直方向の結像
位置及び水平方向の結像位置がともにＸ線像縮小用反射
光学系１１の入射瞳位置Ｐ２に位置するように集束させ
るミラ―面を有しているのに代え、光源位置Ｐ１からの
Ｘ線３を、光源位置Ｐ１でのＸ線像の垂直方向の結像位
置及び水平方向の結像位置が反射型マスク５の近傍前位
置Ｐ３及び被照射体としての反射型マスク５の後位置と
してのＸ線結像縮小用反射光学系１１の入射瞳位置Ｐ２
にそれぞれ位置するように集束させるミラ―面を有する
ことを除いて、図３及び図４で前述した従来のＸ線照射
用光学系を用いたＸ線投影露光装置の場合と同様である
ので、図３及び図４で前述した従来のＸ線照射用光学系
を用いたＸ線投影露光装置の場合と同様に、反射型マス
ク５のＸ線３によって照射される領域８のパタ―ンが、
図５で前述したように、水平方向に長いストライプ状に
得られる。
【００３０】そして、そのストライプ状のパタ―ンにつ
いては、水平方向の長さを、反射型マスク５のＸ線照射
用光学系６の集束用ミラ―７に対する位置、集束用ミラ
―７のミラ―面の曲率などを予め適当に選んでおくこと
によって、反射型マスク５の水平方向の有効長に対応す
る長さまたはそれより長い長さにすることができる。
【００３１】以上のことから、図１及び図２に示す本発
明によるＸ線照射用光学系を用いたＸ線投影露光装置の
場合も、図３及び図４で前述した従来のＸ線投影露光装
置の場合と同様に、反射型マスク５及び被露光体として
のウエハ１０を、それぞれのマスクステ―ジ４及びウエ
ハステ―ジ９を用いて、図１において矢で示すように、
互に同期して垂直方向に運動させることによって、被露
光体としてのウエハ１０に対し、反射型マスク５の全域
の光像の露光を行わせることができる。
【００３２】また、図１及び図２に示す本発明によるＸ
線照射用光学系を用いたＸ線投影露光装置も、図３及び
図４で前述した従来のＸ線照射用光学系を用いたＸ線投
影露光装置の場合と同様に、光源位置Ｐ１からの水平方
向には比較的広い広がり角で広がるが垂直方向には比較
的狭い広がり角てしか広がらないで得られるＸ線３を、
反射型マスク５に、集束用ミラ―７を用いて構成された
Ｘ線照射用光学系６を用いて照射させるようにしている
ので、集束用ミラ―７を用いて構成されたＸ線照射用光
学系６を用いている、ということができる。
【００３３】しかしながら、図１及び図２に示す本発明
によるＸ線照射用光学系を用いたＸ線投影露光装置の場
合、Ｘ線照射用光学系６に用いている集束用ミラ―７
が、光源位置Ｐ１からのＸ線３を、光源位置Ｐ１でのＸ
線像の垂直方向の結像位置及び水平方向の結像位置が反
射型マスク５の近傍前位置Ｐ３及びＸ線像縮小用反射光
学系１１の入射瞳位置Ｐ２に位置するように集束させる
ミラ―面を有しているので、反射型マスク５のＸ線によ
って照射される領域８のパタ―ンが、上述したように、
水平方向に長いストライプ状に得られ、このため、Ｘ線
像縮小用反射光学系１１の凸面ミラ―１２及び凹面ミラ
―１３が、反射型マスク５からのＸ線像を反射するの
に、水平方向には比較的長いが垂直方向には短い長さの
ストライプ状パタ―ンでなる領域しか、反射領域として
用いていないとしても、そのストライプ状のパタ―ンの
垂直方向の長さを、図３及び図４で前述した従来のＸ線
照射用光学系を用いたＸ線投影露光装置の場合に比し格
段的に長くすることができる。
【００３４】このため、反射型マスク５からのＸ線像を
反射するのに用いている反射領域に、反射面としての欠
陥があったとしても、その欠陥の長さの、Ｘ線像縮小用
反射光学系１１を構成している凸面ミラ―１２及び凹面
ミラ―１３の反射領域の垂直方向の長さに対する割合に
関し、その割合を図３及び図４で前述した従来のＸ線照
射用光学系を用いたＸ線投影露光装置の場合に比し格段
的に小さくすることができる。
【００３５】従って、図１及び図２に示す本発明による
Ｘ線照射用光学系を用いたＸ線投影露光装置によれば、
被露光体としてのウエハ１０上に投影されるＸ線像が、
垂直方向に関し、Ｘ線像縮小用反射光学系１１の凸面ミ
ラ―１２及び凹面ミラ―１３の欠陥によって影響を受け
る度合に関し、その度合が、図３及び図４で前述した従
来のＸ線照射用光学系を用いたＸ線投影露光装置の場合
に比し格段的に小さい。
【００３６】また、図１及び図２に示す本発明によるＸ
線投影露光装置には、上述したように、本発明によるＸ
線照射用光学系６を用いているが、その本発明によるＸ
線照射用光学系６によれば、それを上述したように、本
発明によるＸ線投影露光装置に適用することができると
ともに、そのように適用することによって、本発明によ
るＸ線投影露光装置に、上述した優れた作用効果をもた
らすことができる。
【００３７】なお、上述においては、本発明によるＸ線
照射用光学系６、及びそれを用いたＸ線投影露光装置の
１つの実施例を示したに留まり、例えばＸ線３をシンク
ロトロン放射光発生装置１から得るのに代え、レ―ザプ
ラズマＸ線発生装置から得るようにすることもでき、ま
た、Ｘ線照射用光学系６を、反射型マスク以外に対する
照射系に用いることもでき、その他、本発明の精神を脱
することなしに、種々の変型、変更をなし得るであろ
う。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＸ線照射用光学系の実施例、及び
それを用いたＸ線投影露光装置の実施例の説明に供す
る、水平方向にみた略線図である。
【図２】本発明によるＸ線照射用光学系の実施例、及び
それを用いたＸ線投影露光装置の実施例の説明に供す
る、垂直方向にみた略線図である。
【図３】従来のＸ線照射用光学系、及びそれを用いたＸ
線投影露光装置の説明に供する水平方向にみた略線図で
ある。
【図４】従来のＸ線照射用光学系、及びそれを用いたＸ
線投影露光装置の説明に供する垂直方向にみた略線図で
ある。
【図５】図１及び図２に示す本発明によるＸ線照射用光
学系、及びそれを用いたＸ線投影露光装置の説明に供す
る、反射型マスクのＸ線によって照射される領域のパタ
―ンを示す図である。
【符号の説明】
１ シンクロトロン放射光発生装置 ２ 電子蓄積リング ３ Ｘ線 ４ マスクステ―ジ ５ 反射型マスク ６ Ｘ線照射用光学系 ７ 集束用ミラ― ８ 領域 ９ ウエハステ―ジ １０ ウエハ １１ Ｘ線像縮小用反射光学系 １２ 凸面ミラ― １３ 凹面ミラ― Ｐ１ 光源位置 Ｐ２ 入射瞳位置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 芳賀 恒之 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (72)発明者 鳥居 康弘 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−174111（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−225215（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−307923（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光源位置から、水平方向には比較的広い
    広がり角で広がるが垂直方向には比較的狭い広がり角で
    しか広がらないで得られるＸ線を、被照射体に照射させ
    る、集束用ミラ―を用いて構成されたＸ線照射用光学系
    において、 上記集束用ミラ―が、上記光源位置からの上記Ｘ線を、
    上記光源位置でのＸ線像の垂直方向の結像位置及び水平
    方向の結像位置が上記被照射体の近傍前位置及び上記被
    照射体の後位置にそれぞれ位置するように集束させるミ
    ラ―面を有することを特徴とするＸ線照射用光学系。
  2. 【請求項２】 光源位置から、水平方向には比較的広い
    広がり角で広がるが垂直方向には比較的狭い広がり角で
    しか広がらないで得られるＸ線を、被照射体としての反
    射型マスクに、集束用ミラ―を用いて構成されたＸ線照
    射用光学系を用いて照射させ、それによって得られる上
    記反射型マスクの上記Ｘ線によって照射された領域のＸ
    線像を、被露光体上に、Ｘ線像縮小用反射光学系によっ
    て縮小して投影させ、それによって、上記被露光体に対
    する露光を行わせるように構成されたＸ線投影露光装置
    において、 上記Ｘ線照射用光学系の上記集束用ミラ―が、上記光源
    位置からの上記Ｘ線を、上記光源位置でのＸ線像の垂直
    方向の結像位置及び水平方向の結像位置が上記反射型マ
    スクの近傍前位置及び上記被照射体としての反射型マス
    クの後位置としての上記Ｘ線結像縮小用反射光学系の入
    射瞳位置にそれぞれ位置するように集束させるミラ―面
    を有することを特徴とするＸ線投影露光装置。
JP4085924A 1992-03-09 1992-03-09 Ｘ線照射用光学系及びそれを用いたｘ線投影露光装置 Expired - Lifetime JP3013341B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4085924A JP3013341B2 (ja) 1992-03-09 1992-03-09 Ｘ線照射用光学系及びそれを用いたｘ線投影露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4085924A JP3013341B2 (ja) 1992-03-09 1992-03-09 Ｘ線照射用光学系及びそれを用いたｘ線投影露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05259036A JPH05259036A (ja) 1993-10-08
JP3013341B2 true JP3013341B2 (ja) 2000-02-28

Family

ID=13872321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4085924A Expired - Lifetime JP3013341B2 (ja) 1992-03-09 1992-03-09 Ｘ線照射用光学系及びそれを用いたｘ線投影露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3013341B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013240498A (ja) * 2012-05-22 2013-12-05 Etsuo Tanaka アーム回動式ハンガー

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6429941B1 (en) 1998-07-14 2002-08-06 Minolta Co., Ltd. Distance measuring equipment and method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013240498A (ja) * 2012-05-22 2013-12-05 Etsuo Tanaka アーム回動式ハンガー

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05259036A (ja) 1993-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3284045B2 (ja) Ｘ線光学装置およびデバイス製造方法
JPH0478002B2 (ja)
US11350513B2 (en) Stop for arrangement in a constriction of an EUV illumination beam
TW201131315A (en) Illumination system, lithographic apparatus and illumination method
JP2000091220A (ja) 投影露光装置及び投影露光方法
JP2979667B2 (ja) 反射型のｘ線露光用マスク
US5127029A (en) X-ray exposure apparatus
JP3013341B2 (ja) Ｘ線照射用光学系及びそれを用いたｘ線投影露光装置
US7167310B2 (en) Microscope, especially microscope used for inspection in semiconductor manufacture
KR0179297B1 (ko) 반도체 노광 장치
JPS622539A (ja) 照明光学系
JPH0588355A (ja) 反射型マスク及びそれを用いた露光装置
JP2000182953A (ja) マイクロリソグラフィ―投影装置
JP3371510B2 (ja) 照明装置及び露光装置
JP4511502B2 (ja) 基板露光装置
JP2503696B2 (ja) 投影露光装置
JP3305119B2 (ja) Ｘ線投影露光装置
JP3521506B2 (ja) 照明装置及び露光装置
JP3079496B2 (ja) Ｘ線露光装置
JPH10189414A (ja) Ｘ線投影露光装置及びｘ線投影露光方法
JP3254771B2 (ja) Ｘ線縮小投影露光装置および方法
JPS6346974B2 (ja)
JP2868028B2 (ja) Ｘ線照射装置
JPH0769576B2 (ja) 照明光学装置
JPS61117554A (ja) 露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071217

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081217

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091217

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101217

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101217

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111217

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111217

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121217

Year of fee payment: 13

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121217

Year of fee payment: 13