JP3079496B2 - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路を製造
する場合における各種の微細パタ―ンを形成する工程に
おいて用い得るＸ線露光装置に関する。
する場合における各種の微細パタ―ンを形成する工程に
おいて用い得るＸ線露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、図４及び図５を伴って次に述べる
Ｘ線露光装置が提案されている。すなわち、Ｘ線源１を
有する。この場合、Ｘ線源１として、シンクロトロン放
射光発生装置を用いている。
Ｘ線露光装置が提案されている。すなわち、Ｘ線源１を
有する。この場合、Ｘ線源１として、シンクロトロン放
射光発生装置を用いている。
【０００３】また、露光用マスク２を有する。この露光
用マスク２は、反射型であり、予定の例えば方形の領域
Ａが、その全域に亘ってＸ線によって照射されたとき、
そのＸ線にもとずく所望のパタ―ンを有するＸ線が得ら
れるように、例えばＸ線を吸収する性質を有する基体上
に、多層膜で構成されたＸ線反射膜が所望のパタ―ンに
形成されている構成を有する。また、露光用マスク２
は、上述した領域Ａをその全域に亘って、後述するマス
ク照射光学系６からの断面円弧状のパタ―ンを有するマ
スク照射Ｘ線Ｘ２によって照射されるように、後述する
試料照射光学系１１に対して運動するマスク載置台３上
に載置されている。
用マスク２は、反射型であり、予定の例えば方形の領域
Ａが、その全域に亘ってＸ線によって照射されたとき、
そのＸ線にもとずく所望のパタ―ンを有するＸ線が得ら
れるように、例えばＸ線を吸収する性質を有する基体上
に、多層膜で構成されたＸ線反射膜が所望のパタ―ンに
形成されている構成を有する。また、露光用マスク２
は、上述した領域Ａをその全域に亘って、後述するマス
ク照射光学系６からの断面円弧状のパタ―ンを有するマ
スク照射Ｘ線Ｘ２によって照射されるように、後述する
試料照射光学系１１に対して運動するマスク載置台３上
に載置されている。
【０００４】さらに、Ｘ線によって、露光用マスク２か
ら得られるＸ線のパターン（所望のパターン）に応じた
パターンで露光されるべき試料４を載置する試料載置台
５を有する。この場合、試料４は、Ｘ線によって露光さ
れるＸ線に感応する膜（フォトレジスト膜）を有してい
る。また、試料載置台５は、上述したマスク載置台３と
連動して運動する試料載置台でなる。
ら得られるＸ線のパターン（所望のパターン）に応じた
パターンで露光されるべき試料４を載置する試料載置台
５を有する。この場合、試料４は、Ｘ線によって露光さ
れるＸ線に感応する膜（フォトレジスト膜）を有してい
る。また、試料載置台５は、上述したマスク載置台３と
連動して運動する試料載置台でなる。
【０００５】また、Ｘ線源１から得られるＸ線Ｘ１を、
露光用マスク２上に、マスク照射Ｘ線Ｘ２として照射さ
せるマスク照射光学系６を有する。このマスク照射光学
系６は、マスク照射Ｘ線Ｘ２を、露光用マスク２上にお
いて、次に述べる試料照射光学系１１の光軸Ｚを中心と
する断面円弧状パターンで局部的に照射させるマスク照
射手段７を有する。このマスク照射手段７は、Ｘ線源１
からのＸ線Ｘ１を遮断し得る板９にＸ線Ｘ１を通す円弧
状スリット１０を形成している構成を有するスリット板
８でなる。
露光用マスク２上に、マスク照射Ｘ線Ｘ２として照射さ
せるマスク照射光学系６を有する。このマスク照射光学
系６は、マスク照射Ｘ線Ｘ２を、露光用マスク２上にお
いて、次に述べる試料照射光学系１１の光軸Ｚを中心と
する断面円弧状パターンで局部的に照射させるマスク照
射手段７を有する。このマスク照射手段７は、Ｘ線源１
からのＸ線Ｘ１を遮断し得る板９にＸ線Ｘ１を通す円弧
状スリット１０を形成している構成を有するスリット板
８でなる。
【０００６】さらに、露光用マスク２からの、マスク照
射Ｘ線Ｘ２がマスク照射光学系６によって照射されるこ
とにもとずき得られるＸ線Ｘ３を、試料４上に、試料照
射Ｘ線Ｘ４として照射させる試料照射光学系１１を有す
る。この場合、試料照射光学系１１は、試料照射Ｘ線Ｘ
４を、試料４上において、マスク照射Ｘ線Ｘ２の断面円
弧状パタ―ンの縮小された断面円弧状パタ―ンで局部的
に照射させる試料照射手段１２を有する。この試料照射
手段１２は、凸反射鏡１３、凹反射鏡１４などの反射鏡
を複数用いて、いわゆるシュワルツシルト型の反射型に
構成されている。以上が、従来のＸ線露光装置の構成で
ある。
射Ｘ線Ｘ２がマスク照射光学系６によって照射されるこ
とにもとずき得られるＸ線Ｘ３を、試料４上に、試料照
射Ｘ線Ｘ４として照射させる試料照射光学系１１を有す
る。この場合、試料照射光学系１１は、試料照射Ｘ線Ｘ
４を、試料４上において、マスク照射Ｘ線Ｘ２の断面円
弧状パタ―ンの縮小された断面円弧状パタ―ンで局部的
に照射させる試料照射手段１２を有する。この試料照射
手段１２は、凸反射鏡１３、凹反射鏡１４などの反射鏡
を複数用いて、いわゆるシュワルツシルト型の反射型に
構成されている。以上が、従来のＸ線露光装置の構成で
ある。
【０００７】このような構成を有する従来のＸ線露光装
置によれば、Ｘ線源１から得られるＸ線Ｘ１にもとず
き、マスク照射光学系６から断面円弧状パタ―ンを有す
るマスク照射Ｘ線Ｘ２が得られるので、マスク載置台３
を運動させていなければ、そのマスク照射Ｘ線Ｘ２によ
って、露光用マスク２を局部的に照射させることができ
る。しかしながら、マスク載置台３を運動させれば、マ
スク照射Ｘ線Ｘ２によって、露光用マスク２の予定の領
域Ａを、その全域に亘って照射させることができる。
置によれば、Ｘ線源１から得られるＸ線Ｘ１にもとず
き、マスク照射光学系６から断面円弧状パタ―ンを有す
るマスク照射Ｘ線Ｘ２が得られるので、マスク載置台３
を運動させていなければ、そのマスク照射Ｘ線Ｘ２によ
って、露光用マスク２を局部的に照射させることができ
る。しかしながら、マスク載置台３を運動させれば、マ
スク照射Ｘ線Ｘ２によって、露光用マスク２の予定の領
域Ａを、その全域に亘って照射させることができる。
【０００８】また、露光用マスク２がマスク照射Ｘ線Ｘ
２によって照射されることにもとずき、露光用マスク２
から、Ｘ線Ｘ３が、マスク照射Ｘ線Ｘ２の露光用マスク
２上での断面円弧状パタ―ンに対応している断面円弧状
パタ―ンを有して得られる。このため、Ｘ線Ｘ３にもと
ずき、試料照射光学系１２から、マスク照射Ｘ線Ｘ２の
露光用マスク２上での断面円弧状パタ―ンに対応してい
る断面円弧状パタ―ンを有する試料照射Ｘ線Ｘ４が得ら
れるので、試料載置台５をマスク載置台３と連動して運
動させなければ、その試料照射Ｘ線Ｘ４によって、試料
４を局部的に照射させることができる。しかしながら、
試料載置台５をマスク載置台３の運動と連動して運動さ
せれば、試料４を、試料照射Ｘ線Ｘ４によって、露光用
マスク２のパタ―ンに対応しているパタ―ンで露光させ
ることができる。
２によって照射されることにもとずき、露光用マスク２
から、Ｘ線Ｘ３が、マスク照射Ｘ線Ｘ２の露光用マスク
２上での断面円弧状パタ―ンに対応している断面円弧状
パタ―ンを有して得られる。このため、Ｘ線Ｘ３にもと
ずき、試料照射光学系１２から、マスク照射Ｘ線Ｘ２の
露光用マスク２上での断面円弧状パタ―ンに対応してい
る断面円弧状パタ―ンを有する試料照射Ｘ線Ｘ４が得ら
れるので、試料載置台５をマスク載置台３と連動して運
動させなければ、その試料照射Ｘ線Ｘ４によって、試料
４を局部的に照射させることができる。しかしながら、
試料載置台５をマスク載置台３の運動と連動して運動さ
せれば、試料４を、試料照射Ｘ線Ｘ４によって、露光用
マスク２のパタ―ンに対応しているパタ―ンで露光させ
ることができる。
【０００９】以上のことから、図４及び図５に示す従来
のＸ線露光装置の場合、試料４を、露光用マスク２のパ
タ―ンに対応しているパタ―ンでＸ線露光させることが
できる。
のＸ線露光装置の場合、試料４を、露光用マスク２のパ
タ―ンに対応しているパタ―ンでＸ線露光させることが
できる。
【００１０】そして、この場合、試料照射Ｘ線Ｘ４の試
料４上での断面円弧状パターンは、マスク照射Ｘ線Ｘ２
の露光用マスク２上における断面円弧状パターンの縮小
された断面円弧状パターンであるので、試料４を、露光
用マスク２のパターンに比し微細なパターンに露光させ
ることができる。また、、露光用マスク２を照射するマ
スク照射Ｘ線Ｘ２の断面円弧状パターンが、試料照射光
学系１１の光軸Ｚを中心とする断面円弧状パターンであ
るので、露光用マスク２から得られるＸ線Ｘ２も試料照
射光学系１１の光軸Ｚを中心とする断面円弧状パターン
であり、このため、そのＸ線Ｘ２にもとずき、試料照射
光学系１１で得られ、そして試料４を照射する試料照射
Ｘ線Ｘ４に、試料照射光学系１１における収差を伴わせ
なくすることができるので、試料４を、露光用マスクの
パターンに忠実な且つ微細なパターンにＸ線露光させる
ことができる。
料４上での断面円弧状パターンは、マスク照射Ｘ線Ｘ２
の露光用マスク２上における断面円弧状パターンの縮小
された断面円弧状パターンであるので、試料４を、露光
用マスク２のパターンに比し微細なパターンに露光させ
ることができる。また、、露光用マスク２を照射するマ
スク照射Ｘ線Ｘ２の断面円弧状パターンが、試料照射光
学系１１の光軸Ｚを中心とする断面円弧状パターンであ
るので、露光用マスク２から得られるＸ線Ｘ２も試料照
射光学系１１の光軸Ｚを中心とする断面円弧状パターン
であり、このため、そのＸ線Ｘ２にもとずき、試料照射
光学系１１で得られ、そして試料４を照射する試料照射
Ｘ線Ｘ４に、試料照射光学系１１における収差を伴わせ
なくすることができるので、試料４を、露光用マスクの
パターンに忠実な且つ微細なパターンにＸ線露光させる
ことができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図４及び図５に示す従
来のＸ線露光装置の場合、露光用マスク２を断面円弧状
パターンで照射するマスク照射Ｘ線Ｘ２を得るための、
マスク照射光学系６におけるマスク照射手段７がスリッ
ト板８を用いて構成されている。このため、マスク照射
Ｘ線Ｘ２は、Ｘ線源１からのＸ線Ｘ１中、スリット板８
の円弧状スリット１０を通る一部で得られているに過ぎ
ない。従って、図４及び図５に示す従来のＸ線露光装置
の場合、Ｘ線源１からのＸ線Ｘ１中、円弧状スリット１
０を通らない分が無駄に捨てられている、という欠点を
有していたとともに、マスク照射Ｘ線Ｘ２が、比較的低
い輝度でしか得られていず、このため、試料４を、弱い
強度でしかＸ線露光させることができない、という欠点
を有していた。
来のＸ線露光装置の場合、露光用マスク２を断面円弧状
パターンで照射するマスク照射Ｘ線Ｘ２を得るための、
マスク照射光学系６におけるマスク照射手段７がスリッ
ト板８を用いて構成されている。このため、マスク照射
Ｘ線Ｘ２は、Ｘ線源１からのＸ線Ｘ１中、スリット板８
の円弧状スリット１０を通る一部で得られているに過ぎ
ない。従って、図４及び図５に示す従来のＸ線露光装置
の場合、Ｘ線源１からのＸ線Ｘ１中、円弧状スリット１
０を通らない分が無駄に捨てられている、という欠点を
有していたとともに、マスク照射Ｘ線Ｘ２が、比較的低
い輝度でしか得られていず、このため、試料４を、弱い
強度でしかＸ線露光させることができない、という欠点
を有していた。
【００１２】よって、本発明は、上述した欠点のない、
新規なＸ線露光装置を提案せんとするものである。
新規なＸ線露光装置を提案せんとするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によるＸ線露光装
置は、図４及び図５で前述した従来のＸ線露光装置の場
合と同様に、(i) Ｘ線源と、(ii)予定の領域がその全域
に亘ってＸ線によって照射されたとき、そのＸ線にもと
ずく所望のパタ―ンを有するＸ線が得られるように構成
されている露光用マスクと、(iii) Ｘ線によって、上記
露光用マスクから得られるＸ線のパタ―ンに応じたパタ
―ンで、露光されるべき試料を載置する試料載置台と、
(iv)上記Ｘ線源からのＸ線を、上記露光用マスク上に、
マスク照射Ｘ線として照射させるマスク照射光学系と、
(v) 上記露光用マスクからの、上記マスク照射Ｘ線が上
記マスク照射光学系によって照射されることにもとずき
得られるＸ線を、上記試料上に、試料照射Ｘ線として照
射させる試料照射光学系とを有し、そして、(vi)上記マ
スク照射光学系が、上記マスク照射Ｘ線を上記露光用マ
スク上において上記試料照射用光学系の光軸を中心とす
る第１の断面円弧状パタ―ンで局部的に照射させるマス
ク照射手段を有し、また、(vii)上記試料照射光学系
が、上記試料照射Ｘ線を上記試料上において上記マスク
照射Ｘ線の第１の断面円弧状パタ―ンの縮小された第２
の断面円弧状パタ―ンで局部的に照射させる試料照射手
段を有し、さらに、(viii)上記露光用マスクが、上記予
定の領域をその全域に亘って上記第１の断面円弧状パタ
―ンを有するマスク照射用Ｘ線によって照射させるよう
に上記試料照射光学系に対して運動するマスク載置台上
に載置され、また、(ix)上記試料載置台が、上記マスク
載置台と連動して運動する試料載置台でなる。
置は、図４及び図５で前述した従来のＸ線露光装置の場
合と同様に、(i) Ｘ線源と、(ii)予定の領域がその全域
に亘ってＸ線によって照射されたとき、そのＸ線にもと
ずく所望のパタ―ンを有するＸ線が得られるように構成
されている露光用マスクと、(iii) Ｘ線によって、上記
露光用マスクから得られるＸ線のパタ―ンに応じたパタ
―ンで、露光されるべき試料を載置する試料載置台と、
(iv)上記Ｘ線源からのＸ線を、上記露光用マスク上に、
マスク照射Ｘ線として照射させるマスク照射光学系と、
(v) 上記露光用マスクからの、上記マスク照射Ｘ線が上
記マスク照射光学系によって照射されることにもとずき
得られるＸ線を、上記試料上に、試料照射Ｘ線として照
射させる試料照射光学系とを有し、そして、(vi)上記マ
スク照射光学系が、上記マスク照射Ｘ線を上記露光用マ
スク上において上記試料照射用光学系の光軸を中心とす
る第１の断面円弧状パタ―ンで局部的に照射させるマス
ク照射手段を有し、また、(vii)上記試料照射光学系
が、上記試料照射Ｘ線を上記試料上において上記マスク
照射Ｘ線の第１の断面円弧状パタ―ンの縮小された第２
の断面円弧状パタ―ンで局部的に照射させる試料照射手
段を有し、さらに、(viii)上記露光用マスクが、上記予
定の領域をその全域に亘って上記第１の断面円弧状パタ
―ンを有するマスク照射用Ｘ線によって照射させるよう
に上記試料照射光学系に対して運動するマスク載置台上
に載置され、また、(ix)上記試料載置台が、上記マスク
載置台と連動して運動する試料載置台でなる。
【００１４】しかしながら、本発明によるＸ線露光装置
は、このような構成を有するＸ線露光装置において、
(x) 上記マスク照射光学系におけるマスク照射手段が、
円弧状スリットを形成している構成を有するスリット板
を用いることなしに、上記Ｘ線源からのＸ線に対してそ
れを集光させる集光ミラ―を用いて構成され、（ｘｉ）
その集光ミラ―が、上記Ｘ線源からのＸ線を、上記マス
ク照射Ｘ線が上記露光用マスク上において上記第１の断
面円弧状パターンで得られるように反射させる曲率を有
する。
は、このような構成を有するＸ線露光装置において、
(x) 上記マスク照射光学系におけるマスク照射手段が、
円弧状スリットを形成している構成を有するスリット板
を用いることなしに、上記Ｘ線源からのＸ線に対してそ
れを集光させる集光ミラ―を用いて構成され、（ｘｉ）
その集光ミラ―が、上記Ｘ線源からのＸ線を、上記マス
ク照射Ｘ線が上記露光用マスク上において上記第１の断
面円弧状パターンで得られるように反射させる曲率を有
する。
【００１５】
【作用・効果】本発明によるＸ線露光装置によれば、マ
スク照射光学系におけるマスク照射手段が、スリット板
を用いて構成されている図４及び図５で前述した従来の
Ｘ線露光装置の場合に代え、従って、スリット板を用い
ることなしに、Ｘ線源からのＸ線に対してそれを集光さ
せる集光ミラ―を用いて構成され、集光ミラ―が、Ｘ線
源からのＸ線を、マスク照射Ｘ線が露光用マスク上にお
いて断面円弧状パターンで得られるように反射させる曲
率を有することを除いて、図４及び図５で前述した従来
のＸ線露光装置の場合と同様の構成を有するので、詳細
説明は省略するが、図４及び図５で前述した従来のＸ線
露光装置の場合と同様に、Ｘ線源から得られるＸ線にも
とずき、マスク照射光学系から得られる断面円弧状パタ
―ンを有するマスク照射Ｘ線によって、露光用マスクの
予定の領域を、その全域に亘って照射させることができ
る。また、露光用マスクがマスク照射Ｘ線によって照射
されることにもとずき露光用マスクから得られるＸ線に
もとずいて、試料照射光学系から、マスク照射Ｘ線の露
光用マスク上での断面円弧状パタ―ンに対応している断
面円弧状パタ―ンを有する試料照射Ｘ線が得られ、そし
て、その試料照射Ｘ線によって、試料を、図４及び図５
で前述した従来のＸ線露光装置の場合と同様に、露光用
マスクのパタ―ンに対応しているパタ―ンで露光させる
ことができる。
スク照射光学系におけるマスク照射手段が、スリット板
を用いて構成されている図４及び図５で前述した従来の
Ｘ線露光装置の場合に代え、従って、スリット板を用い
ることなしに、Ｘ線源からのＸ線に対してそれを集光さ
せる集光ミラ―を用いて構成され、集光ミラ―が、Ｘ線
源からのＸ線を、マスク照射Ｘ線が露光用マスク上にお
いて断面円弧状パターンで得られるように反射させる曲
率を有することを除いて、図４及び図５で前述した従来
のＸ線露光装置の場合と同様の構成を有するので、詳細
説明は省略するが、図４及び図５で前述した従来のＸ線
露光装置の場合と同様に、Ｘ線源から得られるＸ線にも
とずき、マスク照射光学系から得られる断面円弧状パタ
―ンを有するマスク照射Ｘ線によって、露光用マスクの
予定の領域を、その全域に亘って照射させることができ
る。また、露光用マスクがマスク照射Ｘ線によって照射
されることにもとずき露光用マスクから得られるＸ線に
もとずいて、試料照射光学系から、マスク照射Ｘ線の露
光用マスク上での断面円弧状パタ―ンに対応している断
面円弧状パタ―ンを有する試料照射Ｘ線が得られ、そし
て、その試料照射Ｘ線によって、試料を、図４及び図５
で前述した従来のＸ線露光装置の場合と同様に、露光用
マスクのパタ―ンに対応しているパタ―ンで露光させる
ことができる。
【００１６】従って、試料を、図４及び図５で前述した
従来のＸ線露光装置の場合と同様に、露光用マスクのパ
タ―ンに対応しているパタ―ンでＸ線露光させることが
できる。
従来のＸ線露光装置の場合と同様に、露光用マスクのパ
タ―ンに対応しているパタ―ンでＸ線露光させることが
できる。
【００１７】また、この場合、試料照射Ｘ線の試料上で
の断面円弧状パタ―ンが、図４及び図５で前述した従来
のＸ線露光装置の場合と同様に、マスク照射Ｘ線の露光
用マスク上における断面円弧状パタ―ンの縮小された断
面円弧状パタ―ンであるので、試料を、図４及び図５で
前述した従来のＸ線露光装置の場合と同様に、露光用マ
スクのパタ―ンに比し微細なパタ―ンに露光させること
ができる。さらに、露光用マスクを照射するマスク照射
Ｘ線の断面円弧状パタ―ンが、図４及び図５で前述した
従来のＸ線露光装置の場合と同様に、試料照射光学系の
光軸を中心とする断面円弧状パタ―ンであるので、試料
を、図４及び図５で前述した従来のＸ線露光装置の場合
と同様に、露光用マスクのパタ―ンに忠実に露光させる
ことができる。
の断面円弧状パタ―ンが、図４及び図５で前述した従来
のＸ線露光装置の場合と同様に、マスク照射Ｘ線の露光
用マスク上における断面円弧状パタ―ンの縮小された断
面円弧状パタ―ンであるので、試料を、図４及び図５で
前述した従来のＸ線露光装置の場合と同様に、露光用マ
スクのパタ―ンに比し微細なパタ―ンに露光させること
ができる。さらに、露光用マスクを照射するマスク照射
Ｘ線の断面円弧状パタ―ンが、図４及び図５で前述した
従来のＸ線露光装置の場合と同様に、試料照射光学系の
光軸を中心とする断面円弧状パタ―ンであるので、試料
を、図４及び図５で前述した従来のＸ線露光装置の場合
と同様に、露光用マスクのパタ―ンに忠実に露光させる
ことができる。
【００１８】しかしながら、本発明によるＸ線露光装置
の場合、露光用マスクを断面円弧状パタ―ンで照射する
マスク照射Ｘ線を得るための、マスク照射光学系６にお
けるマスク照射手段が、スリット板を用いることなし
に、集光ミラ―を用いて構成され、その集光ミラ―が、
Ｘ線源からのＸ線を、マスク照射Ｘ線が露光用マスク上
において断面円弧状パターンで得られるように反射させ
る曲率を有する。このため、マスク照射Ｘ線は、Ｘ線源
からのＸ線のほとんど全てで得られている。
の場合、露光用マスクを断面円弧状パタ―ンで照射する
マスク照射Ｘ線を得るための、マスク照射光学系６にお
けるマスク照射手段が、スリット板を用いることなし
に、集光ミラ―を用いて構成され、その集光ミラ―が、
Ｘ線源からのＸ線を、マスク照射Ｘ線が露光用マスク上
において断面円弧状パターンで得られるように反射させ
る曲率を有する。このため、マスク照射Ｘ線は、Ｘ線源
からのＸ線のほとんど全てで得られている。
【００１９】従って、本発明によるＸ線露光装置の場
合、Ｘ線源からのＸ線が無駄に捨てられている分をほと
んど有していないとともに、マスク照射Ｘ線が、図４及
び図５で前述した従来のＸ線露光装置の場合に比し高い
輝度で得られ、このため、試料を、図４及び図５で前述
した従来のＸ線露光装置の場合に比し強い強度で露光さ
せることができる。
合、Ｘ線源からのＸ線が無駄に捨てられている分をほと
んど有していないとともに、マスク照射Ｘ線が、図４及
び図５で前述した従来のＸ線露光装置の場合に比し高い
輝度で得られ、このため、試料を、図４及び図５で前述
した従来のＸ線露光装置の場合に比し強い強度で露光さ
せることができる。
【００２０】
【実施例１】次に、図１及び図２を伴って、本発明によ
るＸ線露光装置の実施例を述べよう。 図１及び図２に
おいて、図４及び図５との対応部分には同一符号を付し
詳細説明を省略する。
るＸ線露光装置の実施例を述べよう。 図１及び図２に
おいて、図４及び図５との対応部分には同一符号を付し
詳細説明を省略する。
【００２１】図１及び図２に示す本発明によるＸ線露光
装置は、図４及び図５で前述した従来のＸ線露光装置に
おいて、マスク照射光学系６におけるマスク照射手段７
が、スリット板８を用いて構成されているのに代え、従
って、スリット板８を用いることなしに、Ｘ線源１から
のＸ線Ｘ１に対してそれを集光させる集光ミラ―１５を
用いて構成されていることを除いて、図４及び図５で前
述した従来のＸ線露光装置と同様の構成を有する。
装置は、図４及び図５で前述した従来のＸ線露光装置に
おいて、マスク照射光学系６におけるマスク照射手段７
が、スリット板８を用いて構成されているのに代え、従
って、スリット板８を用いることなしに、Ｘ線源１から
のＸ線Ｘ１に対してそれを集光させる集光ミラ―１５を
用いて構成されていることを除いて、図４及び図５で前
述した従来のＸ線露光装置と同様の構成を有する。
【００２２】この場合、集光ミラ―１５は、Ｘ線源１か
らのＸ線Ｘ１のほとんど全てを、マスク照射Ｘ線Ｘ２
が、露光用マスク２上において、図４及び図５で前述し
た従来のＸ線露光装置の場合と同様に、試料照射光学系
１１の光軸Ｚを中心とする断面円弧状パタ―ンで得られ
るように、反射させる曲率を有する１枚のトロイダルミ
ラ―１６でなる。また、集光ミラ―１５は、そのトロイ
ダルミラ―１６によって、マスク照射Ｘ線Ｘ２が、試料
照射光学系１１における試料照射手段１２の前焦点位置
Ｐに結像するように、構成されている。
らのＸ線Ｘ１のほとんど全てを、マスク照射Ｘ線Ｘ２
が、露光用マスク２上において、図４及び図５で前述し
た従来のＸ線露光装置の場合と同様に、試料照射光学系
１１の光軸Ｚを中心とする断面円弧状パタ―ンで得られ
るように、反射させる曲率を有する１枚のトロイダルミ
ラ―１６でなる。また、集光ミラ―１５は、そのトロイ
ダルミラ―１６によって、マスク照射Ｘ線Ｘ２が、試料
照射光学系１１における試料照射手段１２の前焦点位置
Ｐに結像するように、構成されている。
【００２３】以上が、本発明によるＸ線露光装置の実施
例の構成である。
例の構成である。
【００２４】このような構成を有する本発明によるＸ線
露光装置によれば、上述した事項を除いて、図４及び図
５で前述した従来のＸ線露光装置と同様の構成を有する
ので、詳細説明は省略するが、Ｘ線源１から得られるＸ
線Ｘ１にもとずき、マスク照射光学系６から得られる断
面円弧状パタ―ンを有する露光用マスク２の予定の領域
Ａを、マスク照射Ｘ線Ｘ２によって、その全域に亘って
照射させることができる。また、露光用マスク２がマス
ク照射Ｘ線Ｘ２によって照射されることにもとずき露光
用マスク２から得られるＸ線Ｘ３にもとずいて、試料照
射光学系１２から、マスク照射Ｘ線Ｘ２の露光用マスク
２上での断面円弧状パタ―ンに対応している断面円弧状
パタ―ンを有する試料照射Ｘ線Ｘ４が得られ、そして、
その試料照射Ｘ線Ｘ４によって、試料４を、図４及び図
５で前述した従来のＸ線露光装置の場合と同様に、露光
用マスク２のパタ―ンに対応しているパタ―ンで露光さ
せることができる。
露光装置によれば、上述した事項を除いて、図４及び図
５で前述した従来のＸ線露光装置と同様の構成を有する
ので、詳細説明は省略するが、Ｘ線源１から得られるＸ
線Ｘ１にもとずき、マスク照射光学系６から得られる断
面円弧状パタ―ンを有する露光用マスク２の予定の領域
Ａを、マスク照射Ｘ線Ｘ２によって、その全域に亘って
照射させることができる。また、露光用マスク２がマス
ク照射Ｘ線Ｘ２によって照射されることにもとずき露光
用マスク２から得られるＸ線Ｘ３にもとずいて、試料照
射光学系１２から、マスク照射Ｘ線Ｘ２の露光用マスク
２上での断面円弧状パタ―ンに対応している断面円弧状
パタ―ンを有する試料照射Ｘ線Ｘ４が得られ、そして、
その試料照射Ｘ線Ｘ４によって、試料４を、図４及び図
５で前述した従来のＸ線露光装置の場合と同様に、露光
用マスク２のパタ―ンに対応しているパタ―ンで露光さ
せることができる。
【００２５】従って、試料４を、図４及び図５で前述し
た従来のＸ線露光装置の場合と同様に、露光用マスク２
のパタ―ンに対応しているパタ―ンでＸ線露光させるこ
とができる。
た従来のＸ線露光装置の場合と同様に、露光用マスク２
のパタ―ンに対応しているパタ―ンでＸ線露光させるこ
とができる。
【００２６】また、この場合、試料照射Ｘ線Ｘ４の試料
４上での断面円弧状パタ―ンが、図４及び図５で前述し
た従来のＸ線露光装置の場合と同様に、マスク照射Ｘ線
Ｘ２の露光用マスク２上における断面円弧状パタ―ンの
縮小された断面円弧状パタ―ンであるので、試料４を、
露光用マスク２のパタ―ンに比し微細なパタ―ンに露光
させることができる。さらに、露光用マスク２を照射す
るマスク照射Ｘ線Ｘ２の断面円弧状パタ―ンが、図４及
び図５で前述した従来のＸ線露光装置の場合と同様に、
試料照射光学系１１の光軸Ｚを中心とする断面円弧状パ
タ―ンであるので、試料４を、図４及び図５で前述した
従来のＸ線露光装置の場合と同様に、露光用マスクのパ
タ―ンに忠実に露光させることができる。
４上での断面円弧状パタ―ンが、図４及び図５で前述し
た従来のＸ線露光装置の場合と同様に、マスク照射Ｘ線
Ｘ２の露光用マスク２上における断面円弧状パタ―ンの
縮小された断面円弧状パタ―ンであるので、試料４を、
露光用マスク２のパタ―ンに比し微細なパタ―ンに露光
させることができる。さらに、露光用マスク２を照射す
るマスク照射Ｘ線Ｘ２の断面円弧状パタ―ンが、図４及
び図５で前述した従来のＸ線露光装置の場合と同様に、
試料照射光学系１１の光軸Ｚを中心とする断面円弧状パ
タ―ンであるので、試料４を、図４及び図５で前述した
従来のＸ線露光装置の場合と同様に、露光用マスクのパ
タ―ンに忠実に露光させることができる。
【００２７】しかしながら、図１及び図２に示す本発明
によるＸ線露光装置の場合、露光用マスク２を断面円弧
状パタ―ンで照射するマスク照射Ｘ線Ｘ２を得るため
の、マスク照射光学系６におけるマスク照射手段７が、
スリット板８を用いることなしに、集光ミラ―１５を用
いて構成され、その集光ミラ―１５が、Ｘ線源１からの
Ｘ線Ｘ１を、マスク照射Ｘ線Ｘ２が露光用マスク２上に
おいて断面円弧状パターンで得られるように反射させる
曲率を有する。このため、マスク照射Ｘ線Ｘ２は、Ｘ線
源１からのＸ線Ｘ１のほとんど全てで得られている。
によるＸ線露光装置の場合、露光用マスク２を断面円弧
状パタ―ンで照射するマスク照射Ｘ線Ｘ２を得るため
の、マスク照射光学系６におけるマスク照射手段７が、
スリット板８を用いることなしに、集光ミラ―１５を用
いて構成され、その集光ミラ―１５が、Ｘ線源１からの
Ｘ線Ｘ１を、マスク照射Ｘ線Ｘ２が露光用マスク２上に
おいて断面円弧状パターンで得られるように反射させる
曲率を有する。このため、マスク照射Ｘ線Ｘ２は、Ｘ線
源１からのＸ線Ｘ１のほとんど全てで得られている。
【００２８】従って、図１及び図２に示す本発明による
Ｘ線露光装置の場合、Ｘ線源１からのＸ線Ｘ１が無駄に
捨てられている分をほとんど有していないとともに、マ
スク照射Ｘ線Ｘ２が、図４及び図５で前述した従来のＸ
線露光装置の場合に比し高い輝度で得られ、このため、
試料４を、図４及び図５で前述した従来のＸ線露光装置
の場合に比し強い強度で露光させることができる。
Ｘ線露光装置の場合、Ｘ線源１からのＸ線Ｘ１が無駄に
捨てられている分をほとんど有していないとともに、マ
スク照射Ｘ線Ｘ２が、図４及び図５で前述した従来のＸ
線露光装置の場合に比し高い輝度で得られ、このため、
試料４を、図４及び図５で前述した従来のＸ線露光装置
の場合に比し強い強度で露光させることができる。
【００２９】また、図１及び図２に示す本発明によるＸ
線露光装置の場合、露光用マスク２を断面円弧状パタ―
ンで照射するマスク照射Ｘ線Ｘ２を得るための、マスク
照射光学系６におけるマスク照射手段７を構成している
集光ミラ―１５によって、マスク照射Ｘ線Ｘ２が、試料
照射光学系１１における試料照射手段１２の前焦点位置
Ｐに結像するようにしているので、試料照射手段１２か
らの試料照射Ｘ線Ｘ４が、試料４に垂直に入射し、よっ
て、試料４を、露光用マスクのパタ―ンに応じたパタ―
ンで歪なくＸ線露光させることができる。
線露光装置の場合、露光用マスク２を断面円弧状パタ―
ンで照射するマスク照射Ｘ線Ｘ２を得るための、マスク
照射光学系６におけるマスク照射手段７を構成している
集光ミラ―１５によって、マスク照射Ｘ線Ｘ２が、試料
照射光学系１１における試料照射手段１２の前焦点位置
Ｐに結像するようにしているので、試料照射手段１２か
らの試料照射Ｘ線Ｘ４が、試料４に垂直に入射し、よっ
て、試料４を、露光用マスクのパタ―ンに応じたパタ―
ンで歪なくＸ線露光させることができる。
【００３０】
【実施例２】次に、図３を伴って本発明によるＸ線露光
装置の第２の実施例を述べよう。図３において、図１及
び図２との対応部分には同一符号を付し詳細説明を省略
する。
装置の第２の実施例を述べよう。図３において、図１及
び図２との対応部分には同一符号を付し詳細説明を省略
する。
【００３１】図３に示す本発明によるＸ線露光装置は、
マスク照射光学系６におけるマスク照射手段７を構成し
ている集光ミラ―１５が、１枚のトロイダルミラ―１６
で構成されているのに代え、２枚のトロイダルミラ―１
７及び１８を用いて構成されていることを除いて、図１
及び図２で上述した本発明によるＸ線露光装置と同様の
構成を有する。
マスク照射光学系６におけるマスク照射手段７を構成し
ている集光ミラ―１５が、１枚のトロイダルミラ―１６
で構成されているのに代え、２枚のトロイダルミラ―１
７及び１８を用いて構成されていることを除いて、図１
及び図２で上述した本発明によるＸ線露光装置と同様の
構成を有する。
【００３２】このような構成を有する本発明によるＸ線
露光装置によれば、上述した事項を除いて、図１及び図
２で上述した本発明によるＸ線露光装置と同様の構成を
有するので、詳細説明は省略するが、図１及び図２で上
述した本発明によるＸ線露光装置の場合と同様の作用効
果が得られることは明らかである。
露光装置によれば、上述した事項を除いて、図１及び図
２で上述した本発明によるＸ線露光装置と同様の構成を
有するので、詳細説明は省略するが、図１及び図２で上
述した本発明によるＸ線露光装置の場合と同様の作用効
果が得られることは明らかである。
【００３３】なお、上述においては、本発明の２つの実
施例を示したに留まり、Ｘ線源１としてシンクロトロン
放射光発生装置以外のＸ線源を用いることもでき、ま
た、露光用マスク２を、反射型に代え、透過型とするこ
ともでき、さらに、マスク照射光学系６におけるマスク
照射手段７を構成している集光ミラ―１５を、トロイダ
ルミラ―の外、円筒ミラ―、放物ミラ―、楕円ミラ―な
どの組合せで構成することもでき、その他、本発明の精
神を脱することなしに、種々の変型、変更をなし得るで
あろう。
施例を示したに留まり、Ｘ線源１としてシンクロトロン
放射光発生装置以外のＸ線源を用いることもでき、ま
た、露光用マスク２を、反射型に代え、透過型とするこ
ともでき、さらに、マスク照射光学系６におけるマスク
照射手段７を構成している集光ミラ―１５を、トロイダ
ルミラ―の外、円筒ミラ―、放物ミラ―、楕円ミラ―な
どの組合せで構成することもでき、その他、本発明の精
神を脱することなしに、種々の変型、変更をなし得るで
あろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＸ線露光装置の第１の実施例を示
す略線図である。
す略線図である。
【図２】図１に示す本発明によるＸ線露光装置の要部の
略線的斜視図である。
略線的斜視図である。
【図３】本発明によるＸ線露光装置の第２の実施例を示
す略線図である。
す略線図である。
【図４】従来のＸ線露光装置を示す略線図である。
【図５】図４に示す従来のＸ線露光装置の要部の略線的
斜視図である。
斜視図である。
１ Ｘ線源 ２ 露光用マスク ３ マスク載置台 ４ 試料 ５ 試料載置台 ６ マスク照射光学系 ７ マスク照射手段 ８ スリット板 １１ 試料照射光学系 １２ 試料照射手段 １３ 凸反射鏡 １４ 凹反射鏡 １５ 集光ミラ― １６、１７、１８ トロイダルミラ― Ｐ 焦点位置 Ｘ１ Ｘ線 Ｘ２ マスク照射Ｘ線 Ｘ３ Ｘ線 Ｘ４ 試料照射Ｘ線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 芳賀 恒之 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (72)発明者 竹内 信行 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (72)発明者 鳥居 康弘 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−174111（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−180013（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (1)
- 【請求項１】Ｘ線源と、 予定の領域がその全域に亘ってＸ線によって照射された
とき、そのＸ線にもとずく所望のパタ―ンを有するＸ線
が得られるように構成されている露光用マスクと、 Ｘ線によって、上記露光用マスクから得られるＸ線のパ
タ―ンに応じたパタ―ンで、露光されるべき試料を載置
する試料載置台と、 上記Ｘ線源からのＸ線を、上記露光用マスク上に、マス
ク照射Ｘ線として照射させるマスク照射光学系と、 上記露光用マスクからの、上記マスク照射Ｘ線が上記マ
スク照射光学系によって照射されることにもとずき得ら
れるＸ線を、上記試料上に、試料照射Ｘ線として照射さ
せる試料照射光学系とを有し、 上記マスク照射光学系が、上記マスク照射Ｘ線を上記露
光用マスク上において上記試料照射用光学系の光軸を中
心とする第１の断面円弧状パタ―ンで局部的に照射させ
るマスク照射手段を有し、 上記試料照射光学系が、上記試料照射Ｘ線を上記試料上
において上記マスク照射Ｘ線の第１の断面円弧状パタ―
ンの縮小された第２の断面円弧状パタ―ンで局部的に照
射させる試料照射手段を有し、 上記露光用マスクが、上記予定の領域をその全域に亘っ
て上記第１の断面円弧状パタ―ンを有するマスク照射用
Ｘ線によって照射させるように上記試料照射光学系に対
して運動するマスク載置台上に載置され、 上記試料載置台が、上記マスク載置台と連動して運動す
る試料載置台でなるＸ線露光装置において、 上記マスク照射光学系におけるマスク照射手段が、円弧
状スリットを形成している構成を有するスリット板を用
いることなしに、上記Ｘ線源からのＸ線に対してそれを
集光させる集光ミラ―を用いて構成され、 上記集光ミラ―が、上記Ｘ線源からのＸ線を、上記マス
ク照射Ｘ線が上記露光用マスク上において上記第１の断
面円弧状パターンで得られるように反射させる曲率を有
することを特徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03100482A JP3079496B2 (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03100482A JP3079496B2 (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | Ｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04307923A JPH04307923A (ja) | 1992-10-30 |
| JP3079496B2 true JP3079496B2 (ja) | 2000-08-21 |
Family
ID=14275147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03100482A Expired - Fee Related JP3079496B2 (ja) | 1991-04-05 | 1991-04-05 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3079496B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3231241B2 (ja) * | 1996-05-01 | 2001-11-19 | キヤノン株式会社 | Ｘ線縮小露光装置、及び該装置を用いた半導体製造方法 |
-
1991
- 1991-04-05 JP JP03100482A patent/JP3079496B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04307923A (ja) | 1992-10-30 |
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