KR940027066A - 디바이스 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

설계 방법 ≤0.25㎛인 것으로 제조된 디바이스는 적어도 100mrad의 집광 아크상에서 집광하는 콘덴서를 이용하여 방출된 X레이 방사, 즉, 싱크로트론을 이용하여 패턴전사한다. 콘덴서 설계는 집광된 방사의 처리를 제공하므로써 방향 및 분산같은 특성들을 손질한다. 투사 프린팅 뿐만 아니라 프록시미터 프린팅에 의해 패턴 전사방법은 기술되었다. 투사 프린팅의 형태는 마스크 영상 축소비가 5：1인 축소 링필드 투사를 포함한다.

Description

디바이스 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 곡선 싱크로트론 경로에 따라 X레이 방사의 팬(fan)을 방출하는 전자빔을 도시한 개략도, 제2도는 링필드(ringfield) 카메라의 아크형 조광 영역에 의해 주사되는 투사(projection) 마스크의 평면도, 제3A 및 3B도는 초점을 전달하기 위해 싱크로트론 방사의 아크를 접속하는 여러개의 작은 면으로 된(multi-faced) 미러를 도시하는 도시도.

Claims (19)

  1. 최소의 치수≤0.25㎛인 적어도 한 개의 소자를 포함하고, 영상 영역상에서 주마스크 패턴이 영상 영역이 되도록 함에 따라서 리소그래픽 전사한 복수의 연속 레벨 구조를 포함하는데, 이것은 궁극적으로 전사된 영역에 재료를 부가하거나 제거하므로써 이루어지며, 적어도 한 개의 상기 레벨은 X레이 스팩트럼 방사에 의해 전사를 하며, 상기 방사는 전자 저장링으로부터의 싱크로트론 방출로 유도되는 디바이스 제조방법에 있어서, 상기 링으로부터의 싱크로트론 방출은 전사용인 적어도 100mrad의 아크상에서 콘덴서에 의해 집광되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 싱크로트론 방출은 적어도 200mrad의 아크상에서 집광되고, 상기 콘덴서는 적어도 4개의 면을 갖는 여러개의 작은 면으로된 컬렉터 렌즈를 구비하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 싱크로트록 방출은 적어도 0.5㎭의 아크상에서 집광되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  4. 제2항에 있어서, 집광된 방사는 컬렉터 렌즈 다음의 프로세싱 광학에 의해 처리되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 리소 그래픽 전사는 투사에 의해 이루어지고, 집광된 방사는 투사 카메라의 영상 광학을 조절하여 처리되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 투사는 투사 마스크의 아치형 영역을 조광하는 링필드 주사를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 투사는 영상 평면상에 영상된 아치형 영역이 주 아치형 영역의 크기와 비교하여 축소되므로써, 상기 영상된 패턴이 마스크의 패턴과 비교하여 축소되는 축소 링필드 주사를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 프로세싱 광학은 영상 평면에서 방사의 분산을 증가하는 적어도 한 개의 스캐터 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 스캐터 플레이트는 여러개의 작은 면으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 킬렉터 렌즈는 필수적으로 평면의 면들로 구성되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 콘덴서는 반사기를 구성하는 적어도 한개의 여러 레벨 미러를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  12. 제7항에 있어서, 콘텐서에 의해 유도된 방사는 파장이 λ=120 -140 인 범위에 있는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  13. 제5항에 있어서, 상기 콘덴서는 방사를 촛점상에 촛점시키는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 촛점은 영상 평면상의 일시적인 영상의 모양과 일치하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 촛점은 실제의 구멍과 일치하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  16. 제2항에 있어서 프록시미터 프린팅 방법에 의해 전사하고, 콘덴서에 의해 유도된 방사는 파장이 λ=8Å-16Å 인 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 면들은 평면이 아닌 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 면들은 로페즈(Lopez) 미러인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  19. 제1 내지 18항 중 어느 한 항에 의해 제조된 디바이스.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940010066A 1993-05-10 1994-05-09 싱크로트론방사를이용하는디바이스제조방법 KR100416862B1 (ko)

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