JP3202046B2 - 照明用光学装置 - Google Patents
照明用光学装置Info
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- JP3202046B2 JP3202046B2 JP28928591A JP28928591A JP3202046B2 JP 3202046 B2 JP3202046 B2 JP 3202046B2 JP 28928591 A JP28928591 A JP 28928591A JP 28928591 A JP28928591 A JP 28928591A JP 3202046 B2 JP3202046 B2 JP 3202046B2
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- Japan
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- synchrotron
- light
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- ring
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、荷電粒子蓄積リング
（シンクロトロンリング）により発生されるシンクロト
ロン放射光を光源とする照明用光学装置に関するもので
ある。
（シンクロトロンリング）により発生されるシンクロト
ロン放射光を光源とする照明用光学装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、前記シンクロトロン放射光を光源
とし、超ＬＳＩ等の微細なマスクパターンをウエハに転
写する露光装置には、次に説明するものがある。
とし、超ＬＳＩ等の微細なマスクパターンをウエハに転
写する露光装置には、次に説明するものがある。
【０００３】その一つは、図４に示すように、シンクロ
トロンリング１１の発光点１２から放射されたシンクロ
トロン放射光を、図示矢印方向に揺動するミラー１５に
よって反射させることで、シンクロトロンリング１１の
軌道面に垂直な方向（以下Ｙ方向という）に拡大し、マ
スク１３を照明してマスクパターンをウエハ１４に転写
するものである（第１の従来例という）。
トロンリング１１の発光点１２から放射されたシンクロ
トロン放射光を、図示矢印方向に揺動するミラー１５に
よって反射させることで、シンクロトロンリング１１の
軌道面に垂直な方向（以下Ｙ方向という）に拡大し、マ
スク１３を照明してマスクパターンをウエハ１４に転写
するものである（第１の従来例という）。
【０００４】この第１の従来例は、例えば、発光点１２
からミラー１５までの距離が５ｍ、ミラー１５からマス
ク１３までの距離が５ｍ程度、マスク１３からウエハ１
４までの距離、いわゆるプロキシミティギャップ３０μ
ｍ程度であり、転写領域の大きさは２０ｍｍ角程度であ
る。
からミラー１５までの距離が５ｍ、ミラー１５からマス
ク１３までの距離が５ｍ程度、マスク１３からウエハ１
４までの距離、いわゆるプロキシミティギャップ３０μ
ｍ程度であり、転写領域の大きさは２０ｍｍ角程度であ
る。
【０００５】この場合、シンクロトロンリングの軌道面
に平行な方向（以下Ｘ方向という）の取り込み角は２ｍ
ｒａｄであり、マスク１３に照射されるシンクロトロン
放射光の傾きは最大でＸ方向に１ｍｒａｄ、Ｙ方向に２
ｍｒａｄである。このため、ウエハ１４に転写されるマ
スクパターンにいわゆるランアウトエラーと呼ばれる歪
が生じ、この歪は最大でＹ方向に０．０６μｍである。
に平行な方向（以下Ｘ方向という）の取り込み角は２ｍ
ｒａｄであり、マスク１３に照射されるシンクロトロン
放射光の傾きは最大でＸ方向に１ｍｒａｄ、Ｙ方向に２
ｍｒａｄである。このため、ウエハ１４に転写されるマ
スクパターンにいわゆるランアウトエラーと呼ばれる歪
が生じ、この歪は最大でＹ方向に０．０６μｍである。
【０００６】上述のようなランアウトエラーの発生の問
題点を解決する放射光露光装置として、図５に示す装置
が考えられる。
題点を解決する放射光露光装置として、図５に示す装置
が考えられる。
【０００７】図５に示す装置は、シンクロトロンリング
３１の発光点３２より放射されたビームを、回転双曲面
反射鏡３５で反射させ、さらに回転放物面反射鏡３６に
よってＸ方向およびＹ方向に平行化させてマスク３３の
マスクパターンをウエハ３４に転写するものである。
３１の発光点３２より放射されたビームを、回転双曲面
反射鏡３５で反射させ、さらに回転放物面反射鏡３６に
よってＸ方向およびＹ方向に平行化させてマスク３３の
マスクパターンをウエハ３４に転写するものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図５に示すも
のでは、反射鏡３５，３６より成る系のＸ方向およびＹ
方向の焦点距離が等しいのでシンクロトロン放射光のＸ
方向およびＹ方向の取り込み角は等しい。
のでは、反射鏡３５，３６より成る系のＸ方向およびＹ
方向の焦点距離が等しいのでシンクロトロン放射光のＸ
方向およびＹ方向の取り込み角は等しい。
【０００９】しかしながら、シンクロトロン放射光はＹ
方向に比較してＸ方向の発散角度が大きいため、この系
ではＸ方向のごく一部の光しか取り込めない。つまり、
シンクロトロンから放射された光の大部分を無駄にして
しまい、シンクロトロン放射光の利用効率が低い。その
ため露光時間も長時間必要とするという問題点がある。
方向に比較してＸ方向の発散角度が大きいため、この系
ではＸ方向のごく一部の光しか取り込めない。つまり、
シンクロトロンから放射された光の大部分を無駄にして
しまい、シンクロトロン放射光の利用効率が低い。その
ため露光時間も長時間必要とするという問題点がある。
【００１０】本発明は、上記従来の技術の有する問題点
に鑑みてなされたものであって、シンクロトロン放射光
をＸ方向およびＹ方向に平行化することが可能であり、
加えて前記シンクロトロン放射光をＸ方向に大きな角度
で取り込むことかできる照明用光学装置を実現すること
を目的とするものである。
に鑑みてなされたものであって、シンクロトロン放射光
をＸ方向およびＹ方向に平行化することが可能であり、
加えて前記シンクロトロン放射光をＸ方向に大きな角度
で取り込むことかできる照明用光学装置を実現すること
を目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の照明用光学装置は、シンクロトロンリング
の発光点と被照射体との間に配設された複数のミラーを
備え、該発光点からのシンクロトロン放射光を前記シン
クロトロンリングの軌道面に平行な方向及び該軌道面に
垂直な方向のいずれの方向に関してもほぼ平行にして前
記被照射体上の露光領域全体を一括して照明する装置で
あって、前記シンクロトロンリングの軌道面に平行な方
向の合成焦点距離の絶対値を前記シンクロトロンリング
の軌道面に垂直な方向の合成焦点距離の絶対値より小と
したことを特徴とするものである。
め、本発明の照明用光学装置は、シンクロトロンリング
の発光点と被照射体との間に配設された複数のミラーを
備え、該発光点からのシンクロトロン放射光を前記シン
クロトロンリングの軌道面に平行な方向及び該軌道面に
垂直な方向のいずれの方向に関してもほぼ平行にして前
記被照射体上の露光領域全体を一括して照明する装置で
あって、前記シンクロトロンリングの軌道面に平行な方
向の合成焦点距離の絶対値を前記シンクロトロンリング
の軌道面に垂直な方向の合成焦点距離の絶対値より小と
したことを特徴とするものである。
【００１２】また、複数のミラーのうち、前記発光点に
近い部位に、シンクロトロン放射光を前記シンクロトロ
ンリングの軌道面に平行な方向に集光するトロイダル形
状のミラーを配設し、前記発光点から遠い部位に前記シ
ンクロトロン放射光を前記シンクロトロンリングの軌道
面に垂直な方向に集光するシリンドリカル形状のミラー
を配設してもよい。
近い部位に、シンクロトロン放射光を前記シンクロトロ
ンリングの軌道面に平行な方向に集光するトロイダル形
状のミラーを配設し、前記発光点から遠い部位に前記シ
ンクロトロン放射光を前記シンクロトロンリングの軌道
面に垂直な方向に集光するシリンドリカル形状のミラー
を配設してもよい。
【００１３】
【作用】前記複数のミラーによって、シンクロトロン放
射光を該光を放射するシンクロトロンリングの軌道面に
平行な方向（Ｘ方向）およびシンクロトロンリングの軌
道面に垂直な方向（Ｙ方向）に集光する。シンクロトロ
ン放射光はＸ方向の発散角度がＹ方向の発散角度より大
きいため、Ｘ方向のシンクロトロン放射光の取り込み角
を大きくして、無駄になるシンクロトロン放射光を少く
する。
射光を該光を放射するシンクロトロンリングの軌道面に
平行な方向（Ｘ方向）およびシンクロトロンリングの軌
道面に垂直な方向（Ｙ方向）に集光する。シンクロトロ
ン放射光はＸ方向の発散角度がＹ方向の発散角度より大
きいため、Ｘ方向のシンクロトロン放射光の取り込み角
を大きくして、無駄になるシンクロトロン放射光を少く
する。
【００１４】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００１５】図１は第１実施例を示し、（Ａ）は模式立
面図、（Ｂ）は模式平面図である。
面図、（Ｂ）は模式平面図である。
【００１６】本実施例では、シンクロトロンリング１ａ
で発生したシンクロトロン放射光は、発光点２ａから放
射され、第 1ミラー５ａおよび第２ミラー６ａによって
集光、平行化されてマスク３ａを照明し、マスクパター
ンがウエハ４ａに塗布されたレジストに転写される。
で発生したシンクロトロン放射光は、発光点２ａから放
射され、第 1ミラー５ａおよび第２ミラー６ａによって
集光、平行化されてマスク３ａを照明し、マスクパター
ンがウエハ４ａに塗布されたレジストに転写される。
【００１７】ここで、第 1および第２ミラー５ａ，６ａ
の反射面は、ＳｉＣまたはＰｔ等の単層膜、あるいは多
層膜が形成されており、第１ミラー５ａはＸ方向には
凹、Ｙ方向には凸の曲率を持ったトロイダル形状を有
し、第２ミラー６ａはＸ方向には無限大、Ｙ方向には凹
の曲率を持ったシリンドリカル形状を有する。
の反射面は、ＳｉＣまたはＰｔ等の単層膜、あるいは多
層膜が形成されており、第１ミラー５ａはＸ方向には
凹、Ｙ方向には凸の曲率を持ったトロイダル形状を有
し、第２ミラー６ａはＸ方向には無限大、Ｙ方向には凹
の曲率を持ったシリンドリカル形状を有する。
【００１８】このため、シンクロトロン放射光は、第１
ミラー５ａによって反射されてＸ方向に集光されるので
大きな角度で取り込まれて平行化され、ついで第２ミラ
ー６ａによって反射されてＹ方向に平行化される。この
ように２つの方向に平行化されたシンクロトロン放射光
はマスク３ａを経てウエハ４ａの露光領域全体を一括し
て照明し、マスクパターンをウエハ４ａに転写する。
ミラー５ａによって反射されてＸ方向に集光されるので
大きな角度で取り込まれて平行化され、ついで第２ミラ
ー６ａによって反射されてＹ方向に平行化される。この
ように２つの方向に平行化されたシンクロトロン放射光
はマスク３ａを経てウエハ４ａの露光領域全体を一括し
て照明し、マスクパターンをウエハ４ａに転写する。
【００１９】上記第１実施例の第 1ミラーおよび第２ミ
ラーの具体例を表１に示す。
ラーの具体例を表１に示す。
【００２０】
【表１】 表１中において、正の曲率半径は凹面を負の曲率半径は
凸面を示す。発光点から第１ミラーまでの距離は４ｍ、
第１ミラーから第２ミラーまでの距離は４ｍ、ミラーに
対するシンクロトロン放射光の主入射角はいずれも８８
°である。合成焦点距離はＸ方向に関しては４ｍ、Ｙ方
向に関しては１００ｍである。
凸面を示す。発光点から第１ミラーまでの距離は４ｍ、
第１ミラーから第２ミラーまでの距離は４ｍ、ミラーに
対するシンクロトロン放射光の主入射角はいずれも８８
°である。合成焦点距離はＸ方向に関しては４ｍ、Ｙ方
向に関しては１００ｍである。
【００２１】マスク上の露光領域の大きさが２０ｍｍ角
の場合には、シンクロトロン放射光の取り込み角はＸ方
向０．２９°、Ｙ方向は０．０１１°である。つまりＸ
方向にはＹ方向に比較して２５倍の集光が行なわれ、従
ってマスク上の照度が向上し露光時間を大幅に短縮でき
る。
の場合には、シンクロトロン放射光の取り込み角はＸ方
向０．２９°、Ｙ方向は０．０１１°である。つまりＸ
方向にはＹ方向に比較して２５倍の集光が行なわれ、従
ってマスク上の照度が向上し露光時間を大幅に短縮でき
る。
【００２２】図２は第２実施例を示し、（Ａ）は模式立
面図、（Ｂ）は模式平面図である。
面図、（Ｂ）は模式平面図である。
【００２３】本実施例では、シンクロトロンリング１ｂ
で発生したシンクロトロン放射光は、発光点２ｂから放
射され、第１ミラー５ｂおよび第２ミラー６ｂによって
集光、平行化されてマスク３ｂを照明し、マスクパター
ンがウエハ４ｂに塗布されたレジストに転写される。
で発生したシンクロトロン放射光は、発光点２ｂから放
射され、第１ミラー５ｂおよび第２ミラー６ｂによって
集光、平行化されてマスク３ｂを照明し、マスクパター
ンがウエハ４ｂに塗布されたレジストに転写される。
【００２４】ここで、第 1ミラー５ｂはＸ方向には凹、
Ｙ方向にも凹の曲率を持ったトロイダル形状のものであ
り、第２ミラー６ｂはＸ方向に凹、Ｙ方向には凹の曲率
を持ったトロイダル形状のものである点で上記第１実施
例と相違する。
Ｙ方向にも凹の曲率を持ったトロイダル形状のものであ
り、第２ミラー６ｂはＸ方向に凹、Ｙ方向には凹の曲率
を持ったトロイダル形状のものである点で上記第１実施
例と相違する。
【００２５】上記第２実施例の第１ミラーおよび第２ミ
ラーの具体例を表２に示す。
ラーの具体例を表２に示す。
【００２６】
【表２】 表２において、発光点から第１ミラーまでの距離は５
ｍ、第１ミラーから第２ミラーまでの距離は５ｍ、ミラ
ーに対する光線の主入射角はいずれも８８．５°であ
る。合成焦点距離はＸ方向に関して３ｍ、Ｙ方向に関し
ては１００ｍである。
ｍ、第１ミラーから第２ミラーまでの距離は５ｍ、ミラ
ーに対する光線の主入射角はいずれも８８．５°であ
る。合成焦点距離はＸ方向に関して３ｍ、Ｙ方向に関し
ては１００ｍである。
【００２７】露光領域の大きさが２０ｍｍ角の場合に
は、シンクロトロン放射光の取り込み角はＸ方向０．３
８°、Ｙ方向は０．０１１°である。つまりＸ方向には
Ｙ方向に比較して３３倍の集光が行なわれ、従ってマス
ク上の照度が大幅に向上している。
は、シンクロトロン放射光の取り込み角はＸ方向０．３
８°、Ｙ方向は０．０１１°である。つまりＸ方向には
Ｙ方向に比較して３３倍の集光が行なわれ、従ってマス
ク上の照度が大幅に向上している。
【００２８】Ｘ線の反射率は入射角に大きく依存する。
通常の金属等を用いた反射鏡の場合、入射角が９０°よ
り僅かに小さい場合には高い反射率が得られるが、入射
角が小さくなると反射率が急激に低下する。従って、極
めて斜入射の角度で入射させなければならない。曲面鏡
を斜入射で用いた場合の焦点距離Ｆは鏡の曲率半径Ｒ、
入射角をθとすれば、入射光に平行な直線とその鏡面の
接平面への射影とで定まる平面内では Ｆ＝（Ｒ×ｃｏｓθ）／２ 上記平面に垂直かつ入射光に平行な直線を含む平面内で
は Ｆ＝Ｒ／（２×ｃｏｓθ） で与えられる。また複数の反射鏡を用いた場合、第１ミ
ラーの焦点距離をＦ１、第２ミラーの焦点距離をＦ２、
第１ミラーから第２ミラーまでの距離をＬとすればこの
系の合成焦点距離ＦＯは ＦＯ＝（Ｆ１×Ｆ２）／（Ｆ１＋Ｆ２−Ｌ） で与えられる。これらの関係を用いれば、第１および第
２実施例の如く複数の斜め入射反射鏡を用いてＸ方向と
Ｙ方向とで合成焦点距離が異なる平行化光学系の設計を
することができる。
通常の金属等を用いた反射鏡の場合、入射角が９０°よ
り僅かに小さい場合には高い反射率が得られるが、入射
角が小さくなると反射率が急激に低下する。従って、極
めて斜入射の角度で入射させなければならない。曲面鏡
を斜入射で用いた場合の焦点距離Ｆは鏡の曲率半径Ｒ、
入射角をθとすれば、入射光に平行な直線とその鏡面の
接平面への射影とで定まる平面内では Ｆ＝（Ｒ×ｃｏｓθ）／２ 上記平面に垂直かつ入射光に平行な直線を含む平面内で
は Ｆ＝Ｒ／（２×ｃｏｓθ） で与えられる。また複数の反射鏡を用いた場合、第１ミ
ラーの焦点距離をＦ１、第２ミラーの焦点距離をＦ２、
第１ミラーから第２ミラーまでの距離をＬとすればこの
系の合成焦点距離ＦＯは ＦＯ＝（Ｆ１×Ｆ２）／（Ｆ１＋Ｆ２−Ｌ） で与えられる。これらの関係を用いれば、第１および第
２実施例の如く複数の斜め入射反射鏡を用いてＸ方向と
Ｙ方向とで合成焦点距離が異なる平行化光学系の設計を
することができる。
【００２９】図３は第３実施例を示す模式立面図であ
る。
る。
【００３０】発光点２ｃ直後に設けた平面反射鏡７ｃに
よってシンクロトロン放射光をＸ方向に３本のビームに
分割する。その後２枚のミラー５ｃ，６ｃによって集
光、平行化が行なわれ３台の露光機に導かれマスクパタ
ーンの転写を行う。
よってシンクロトロン放射光をＸ方向に３本のビームに
分割する。その後２枚のミラー５ｃ，６ｃによって集
光、平行化が行なわれ３台の露光機に導かれマスクパタ
ーンの転写を行う。
【００３１】このような系では１本のポートで複数の露
光機を同時に稼働させることができるのでシンクロトロ
ン放射光の利用効率が高い。また装置全体の床面積も小
さくて済む。
光機を同時に稼働させることができるのでシンクロトロ
ン放射光の利用効率が高い。また装置全体の床面積も小
さくて済む。
【００３２】なお、上記３つの実施例に限定されること
なく、Ｘ方向およびＹ方向に集光するミラーの組合わせ
であって、Ｘ方向の合成焦点距離の絶対値がＹ方向の合
成焦点距離の絶対値より小であればいかなるミラーの組
合わせでも用いることができる。
なく、Ｘ方向およびＹ方向に集光するミラーの組合わせ
であって、Ｘ方向の合成焦点距離の絶対値がＹ方向の合
成焦点距離の絶対値より小であればいかなるミラーの組
合わせでも用いることができる。
【００３３】また、本発明の装置の他の用途として、Ｘ
線顕微鏡、光ＣＶＤ、光エッチング等が挙げられる。
線顕微鏡、光ＣＶＤ、光エッチング等が挙げられる。
【００３４】
【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
ので以下に記載するような効果を奏する。
ので以下に記載するような効果を奏する。
【００３５】（１）ほぼ平行化したシンクロトロン放射
光でマスクを照明するのでランアウトエラーが小さいか
又は発生しない。よって転写パターンの位置精度が向上
する。
光でマスクを照明するのでランアウトエラーが小さいか
又は発生しない。よって転写パターンの位置精度が向上
する。
【００３６】（２）シンクロトロン放射光を有効に取り
込めるので照明強度が高くなり露光時間短縮、スループ
ット向上が実現できる。
込めるので照明強度が高くなり露光時間短縮、スループ
ット向上が実現できる。
【図１】第１実施例を示し、（Ａ）は模式立面図、
（Ｂ）は模式平面図である。
（Ｂ）は模式平面図である。
【図２】第２実施例を示し、（Ａ）は模式立面図、
（Ｂ）は模式平面図である。
（Ｂ）は模式平面図である。
【図３】第３実施例の模式平面図である。
【図４】第１の従来例を示し、（Ａ）は模式立面図、
（Ｂ）は模式平面図である。
（Ｂ）は模式平面図である。
【図５】第２の従来例を示し、（Ａ）は模式立面図、
（Ｂ）は模式平面図である。
（Ｂ）は模式平面図である。
１ａ，１ｂ，１ｃ シンクロトロンリング ２ａ，２ｂ，２ｃ 発光点 ５ａ，５ｂ，５ｃ 第１のミラー ６ａ，６ｂ，６ｃ 第２のミラー ７ｃ 平面反射鏡
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−335514（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−294300（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−215800（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−153520（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−141700（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−7620（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−290131（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−60898（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−117830（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−201183（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−46717（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G21K 1/06 G03F 7/20 521 G21K 5/02 H05K 13/04
Claims (2)
- 【請求項１】 シンクロトロンリングの発光点と被照射
体との間に配設された複数のミラーを備え、該発光点か
らのシンクロトロン放射光を前記シンクロトロンリング
の軌道面に平行な方向及び該軌道面に垂直な方向のいず
れの方向に関してもほぼ平行にして前記被照射体上の露
光領域全体を一括して照明する装置であって、前記シン
クロトロンリングの軌道面に平行な方向の合成焦点距離
の絶対値を前記シンクロトロンリングの軌道面に垂直な
方向の合成焦点距離の絶対値より小としたことを特徴と
する照明用光学装置。 - 【請求項２】 複数のミラーのうち、発光点に近い部位
に、シンクロトロン放射光を前記シンクロトロンリング
の軌道面に平行な方向に集光するトロイダル形状のミラ
ーを配設し、前記発光点から遠い部位に前記シンクロト
ロン放射光を前記シンクロトロンリングの軌道面に垂直
な方向に集光するシリンドリカル形状のミラーを配設し
たことを特徴とする請求項１記載の照明用光学装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28928591A JP3202046B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 照明用光学装置 |
| US07/955,433 US5394451A (en) | 1991-10-08 | 1992-10-02 | Optical arrangement for exposure apparatus |
| CA002080083A CA2080083C (en) | 1991-10-08 | 1992-10-07 | Optical arrangement for exposure apparatus |
| DE69226231T DE69226231T2 (de) | 1991-10-08 | 1992-10-08 | Optische Anordnung für einen Belichtungsapparat |
| EP92309203A EP0537015B1 (en) | 1991-10-08 | 1992-10-08 | Optical arrangement for exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28928591A JP3202046B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 照明用光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05100095A JPH05100095A (ja) | 1993-04-23 |
| JP3202046B2 true JP3202046B2 (ja) | 2001-08-27 |
Family
ID=17741198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28928591A Expired - Fee Related JP3202046B2 (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 照明用光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3202046B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5439781A (en) * | 1993-05-10 | 1995-08-08 | At&T Corp. | Device fabrication entailing synchrotron radiation |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP28928591A patent/JP3202046B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05100095A (ja) | 1993-04-23 |
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