KR20050111780A - 이중 반구 컬렉터 - Google Patents

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KR20050111780A
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Abstract

리소그래피 조명 시스템에 이용될 수 있는, 방사선을 모으는 방법 및 장치에 관한 것이다. 시스템은 방사선원의 제1 반구에서 방사선을 반사하여 그 방사선원의 제2 반구 내를 조명하는 형상을 갖는 제1 표면과 그 방사선원의 제2 반구에서 방사선을 출력 평면으로 반사하는 형상을 갖는 제2 표면을 포함한다.

Description

이중 반구 컬렉터{DUAL HEMISPHERICAL COLLECTORS}
마이크로칩 제조 프로세스는 웨이퍼 상에 다양한 물질층을 증착하고 그 증착된 층 위에 포토센시티브 막이나 포토레지스트를 증착하는 것을 포함할 수 있다. 이러한 프로세스는 리소그래피를 이용하여 투과성 광학기기를 통해서 광을 투과시키거나 포토레지스트 위로 패터닝된 마스크 또는 레티클 및 반사성 광학기기로부터 광을 반사시킬 수 있고, 이는 그 포토레지스트 위에 패터닝된 이미지를 가져온다. 프로세스는 광에 노출되는 포토레지스트 일부분을 제거하는 과정을 포함할 수 있다. 프로세스는 웨이퍼 상에 남아있는 포토레지스트에 의해서 보호되지 않는 부분을 에칭해 낼 수 있다. 이들 소정의 동작들이 반복될 수 있다.
극자외선(EUV)는 리소그래피의 한 형태이다. EUV 리소그래피 툴은 다른 리소그래피 툴에 의하여 달성되는 치수에 비해 더 작은 치수로 포토레지스트 상에 패턴을 인쇄하는데 이용될 수 있다.
도 1은 EUV 리소그래피 툴의 일 실시예를 도시한 도면,
도 2는 DPF(Dense Plasma Focus) 전기 방전원에 이용될 수 있는 장치의 단측면도,
도 3은 리소그래피 조명계에 이용될 수 있는 이중 반구 컬렉터 시스템(dual hemispherical collector system)의 단면도,
도 4는 도 3과 연관된 값들의 테이블을 도시한 도면,
도 5는 리소그래피 조명계에 이용될 수 있는 이중 반구 컬렉터 시스템의 또 다른 실시예에 관한 단면도,
도 6은 도 5에 도시된 두 번째 컬럭터의 형상에 관한 쌍곡선과 타원형의 예를 도시한 도면,
도 7은 이중 반구 컬렉터 시스템을 이용하는 방법을 도시한 도면.
본 명세서에서는 이중 반구 컬렉터가 리소그래피 시스템과 관련하여 기술되지만, 그와 같은 이중 반구 컬렉터는 리소그래피 외에도 자동차 헤드라이트, 영화/비디오/슬라이드 프로젝터 및 기타 응용 분야에 있어서의 또 다른 광원과 함께 이용될 수도 있다.
EUV 리소그래피
도 1은, "리소그래피 노출계" 또는 "EUV 스캐너"라고도 불리는 EUV 리소그래피 툴(100)의 일 예를 도시하고 있다. 리소그래피 툴(100)은 레이저(102), 레이저 생성형 플라즈마원(laser produced plasma soruce : LPP source)(104), 복수의 콘덴서 광학기기(106), 패턴을 갖는 반사성 레티클(107), 그리고 복수의 반사성 축소 광학기기(108)를 포함할 수 있다.
EUV 리소그래피 툴(100)의 또 다른 실시예에서는 도 1에 도시된 컴포넌트들에 더하여 또는 그 컴포넌트들을 대신하여 다른 컴포넌트들이 포함될 수 있다. 예컨대, 레이서 생성형 플라즈마원(104) 대신에, 리소그래피 툴(100)은 도 2에 도시된 것과 같은 전기 방전 EUV원(200)을 포함할 수도 있다.
EUV 리소그래피 툴(100)은 레이저 생성형 플라즈마원(LPP)(104)이나 전기 방전원(200)을 이용하여 플라즈마를 생성할 수 있다. 레이저 생성형 플라즈마원(LPP)(104)은 레이저(102)를 크세논(Xenon) 등의 물질(들)로 이루어진 가스, 액체 또는 필라멘트 제트(gas, liquid, or filament jet)로 포커싱함으로써 플라즈마를 생성한다.
전기 방전원은 크세논 등의 가스를 통하여 (강력한 아크 용접기처럼) 전류 방전(kAs)을 펄싱함으로써 플라즈마를 생성한다. 플라즈마는 가시적인 EUV 방사선을 방출한다. 크세논 분자가 여기상태가 되면 전자들이 전자껍질간에 전이를 일으켜 EUV 광자의 방사선을 생성해낸다.
EUV 광원(104)은 매우 단파장, 예컨대 약 13 나노미터의 방사선(광자)을 생성해낼 수 있다. 또 다른 실시예에서, 광자는 이와 다른 파장을 가질 수도 있다.
일 예로서, EUV 리소그래피 툴(100)은 시간당 80 웨이퍼의 처리량(throughput) 정도로 약 50 내지 120와트의 "청정(clean)" 전력을 프로젝션 광학기기에 전달하는 것이 바람직할 수 있다.
단일 반구형 방사선 컬렉션
도 2는 단일 반구형의 방사선 컬렉터(232)의 일 예를 도시하고 있다. 도 2는 DPF 전기 방전원에서 이용될 수 있는 장치(200)의 단측면도이다. 장치(200)는 애노드(208), 캐소드(202) 및 절연체(212)를 포함한다. 장치(200)는 헬륨 등의 완충 가스(206), 크세논 등의 근원 가스(source gas)(214), 포일 트랩(foil trap)(230), 스침각 컬렉터(grazing imcidence collector)(232), 그리고 펌프(234)와 함께 이용될 수 있다. 애노드(208)는 고전압 소스(216)에 연결될 수 있고, 캐소드(202)는 그라운딩될 수 있다.
EUV 광원, 특히 레이저 생성형 플라즈마 EUV원은 약 4Π까지의 큰 입체각으로 방사되는 유한 전력 출력을 가질 수 있다. 레이저 플라즈마 소스는 매우 소규모인 경향이 있어서, 예컨대 직경 약 300마이크론 정도이다. 그러한 작은 사이즈로 인하여, 레이즈 플라즈마원은 준-점 플라즈마원(quasi-point source)으로 모델링될 수 있다.
큰 입체각의 광선을 모을 수 있는 능력은 미러 제조, 코팅 요구 사항 및 큰 입체각 자체 등을 비롯한 여러 인자들에 의하여 제한되었다. 현재, 거의 수직의(near-normal) 입사각 컬렉터 또는 스침각 컬렉터는 광을 수집하기 위한 이러한 문제점을 해결하고자 하는 것이다. 그러나 그와 같은 컬렉터들은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 단일 반구 형태일 뿐이다.
이중 반구 방사선 컬렉션
전술한 문제점은, 도 3 내지 도 7을 참조하여 개시된 바와 같이, 방사선원/대상(object)(예컨대, 306) 주위의 양쪽 반구(예컨대, 도 3에서의 320 및 330)에서 컬렉터를 이용함으로써 해결될 수 있다. 이중 반구 방사선 컬렉터는 도 1의 레이저 생성형 플라즈마(LPP)원(104)이나 약 4Π까지의 큰 입체각으로 광선을 방사하는 임의의 기타 광원을 이용하여 구현될 수 있다.
도 3은 이중 반구 컬렉터 시스템(300)의 단면도이며, 이는 도 1의 시스템(100) 등의 리소그래피 조명계에 이용될 수 있다. 도 3에 도시된 방사선원(306)은 하나의 반구(320) 내에서 순방향 방사선(312)을 방출하고 다른 하나의 반구(330) 내에서 역방향 방사선(310)을 방출한다. 역방향 방사선(310)은 거의 수직의 입사각, 즉 75 내지 89도 정도로 거의 수직으로 제1 컬렉터(C1)(309)(이는 또한 "표면", "미러" 또는 "콘덴서"라고도 불림)에 의하여 반사될 수 있다. 제1 컬렉터(309)는 구형 형상을 갖거나 비구형 형상, 즉 타원형이나 기타 원뿔형 형상을 가질 수 있다.
제2 컬렉터(302)는, 예컨대 약 60도 미만의 스침각을 가질 수 있고, 방사선원(306)으로부터의 순방향 방사선(312)을 반사할 수 있다. 사이드(302B)는 제2 컬렉터(302A)의 연속하는 아랫쪽 부분이다. 제2 컬렉터(302)는 비구형 형상, 예컨대 타원형을 가질 수 있다.
방사선원(306) 주위의 반구(320, 330) 양자로부터의 광선은 컬렉터 C1, C2(309, 302)에 의한 단일 반사에 의해 출력점(output point), 즉 해당 페이지로의 "z"축과 "x" 수평축을 갖는 x-z 평면(308)으로 포커싱될 수 있다. 컬렉터(302, 309)는 방사선원(306)으로부터 출력점, 즉 평면(308)으로 광선을 반사하도록 형상, 사이즈 및 위치가 정해질 수 있다. 도 3에 있어서의 예시적 값들은 다음과 같이 표현될 수 있다. 제1 컬렉터(C1)(309)에 있어서는,
NA1(개구율) = 0.75, L1 = 100mm,
theta1 = sin-1(NA1) → 113.389mm이다.
1/L1 + 1/(a+c) = 2/r1이고 여기서 "a" 및 "c"는 도 3 및 도 4에서의 타원형 컬렉터마다 풀어야 할 변수이다. "a"는 도 4의 타원형(400)의 장축이다. "b"는 타원형(400)의 단축이다. "c"는 원점으로부터 타원(400)의 초점 거리이다. r1은 비구형 컬렉터 C1(309)의 곡률 반경이다. r2는 도 4의 "a"에서의 타원형(400)의 곡률 반경이다. L1, "a" 및 "c"가 알려지면, 상기 방정식은 r1에 대해 풀릴 수 있다.
제2 컬렉터(C2)(302)에 있어서는,
(2c-L4)tan[sin-1(NA2)] =
(b/a)(sqr rt of (a-c+L4))(sqr rt of (2a-a+c-L4))이고,
c2 = a2 - b2이며,
2(sqr rt of (c2+b2)) =
(sqr rt of (H4 2+(2c-L4)2)) + (sqr rt of (H4 2+L4)),
L4 = 400, NA2 = 0.25/4 = 0.0625이며,
theta4 → H4이다.
도 4는 theta4 및 a, b, c, c/a, r2, f1 = a-c 및 r1에 대한 값의 테이블이다. 도 4는 또한 타원형(400)에 대한 방정식을 나타낸다.
z = a(1 - sqr rt of (1-x2/b2))
x = (b/a)(sqr rt of z)(sqr rt of (2a-z))
z = (x2/r2)(1 + sqr rt of (1-(1+k)(x/r2)2))이다.
도 5는 이중 반구 컬렉터 시스템(500)의 또 다른 실시예에 관한 단측면도인데, 이는 리소그래피 조명계에서 이용될 수 있다. 도 5에서, 광원(506)은 제1 반구형(530) 내에서 역방향으로 제1 컬렉터(C1)(509)(또한 "표면, "미러" 또는 "콘덴서"라고도 불림)로의 광선(510)을 생성하고 순방향으로 제2 컬렉터(C2)(502, 504, 506)에 대해 광선(512)을 생성한다.
제1 컬렉터(509)는 구형 또는 비구형 형상, 즉 타원형이나 기타 원뿔형 형상을 가질 수 있다. 제1 컬렉터(509)는 광원(506) 주위의 영역을 통해 뒤로 광선(510)을 포커싱하고, 그 광선은 제2 컬렉터(C2)(502, 504, 506) 집합으로부터 반사된다. 따라서, 역방향으로부터의 광선(510)은 거의 수직의 입사각 컬렉터(509)로부터 반사된 다음 스침각 컬렉터(502, 504, 506)로부터 반사된다.
제1 컬렉터(C1)(509)에 있어서는,
1/L1 + 1/L2 = 2/r1 → r = L1이다.
도 5는 미러 또는 스침각 컬렉터 집합(502, 504, 506)의 단면 위쪽(502A, 504A, 506A)과 아래쪽(502B, 504B, 506B)을 또한 도시하고 있다. 컬렉터(502, 504, 506)는 광축(516) 주위를 회전할 수 있다. 광원(506)에서 뒤로 보이는 점(508)에서 보면, 컬렉터(502, 504, 506)는 세 개의 동심원(동일한 중심을 가짐)으로 보일 수 있다. 컬렉터(502, 504, 506)는 대칭일 수 있다. 컬렉터(502, 504, 506)는 하나 이상의 스포크(spoke)(514)에 의해 묶여있을 수 있다.
각 컬렉터(502, 504, 506)는 "Wolter" 컬렉터일 수 있는데, 이는 당업자에게 잘 알려져 있는 것이다. 예컨대, 컬렉터(502)는 일반적으로 쌍곡선 형상인 광원(506)에 보다 가까운 첫 번째 부분(503B)과 일반적으로 타원 형상인 광원(506)으로부터 더 먼 두 번째 부분(503A)을 포함할 수 있다. 컬렉터(502, 504, 506)는 하나의 점, 즉 평면(508)에 대해 순방향 방사선(512)을 모아서 반사한다.
Wolter 컬렉터에는 스침각 촬상 광학기기를 형성하는데 이용되는 두 개의 원뿔형 미러 세그먼트(503A, 503B)가 포함된다. 두 개의 미러 상에서 일어나는 작고 비슷한 크기의 입사각들에 대한 총 반사율 손실은 단일의 보다 큰 반사각 설계의 경우 손실과 대략 비슷할 수 있다.
도 6은 Wolter 컬렉터(502)의 형상을 모델링하기 위한 쌍곡선(602)과 타원형(600)의 예를 도시한 도면이다. 쌍곡선(602)은 f1에 실초점(초점면)을 갖고 f2에 허초점을 가질 수 있다. 도 5에 있어서 광원(506)은 쌍곡선(602)의 실초점 f1에 위치할 수 있다. 타원(600)은 f2에 제1 초점을 갖고 f3에 제2 초점을 가질 수 있다. 따라서, 타원(600)의 제1 초점은 쌍곡선(602)의 허초점, 즉 제2 초점 f2에 있다. 출력점, 즉 이미지 평면(508)은 f3에 위치할 수 있는데, 이는 타원(600)의 제2 초점 f3이다.
광원(506)으로부터의 광선빔(604)은 컬렉터(502A)에서 해당 점/면(508)으로 반사된다. 또 다른 광선빔(606)은 쌍곡선 부분(503B)에서 반사된 다음 컬렉터(502A)의 타원 부분(503A)에서 해당 점/면(508)으로 반사된다.
컬렉터 시스템(300, 500)은 준 점광원(306, 506), 예컨대 EUV 리소그래피에 이용되는 레이저 생성형 플라즈마원으로부터 큰 입체각의 광선을 모은다. 시스템(300, 500)의 공통적 핵심 특징은 다음을 포함한다.
1. 대상이나 광원(306, 506) 주위의 순방향 및 역방향 반구(320, 330) 및 (520, 530) 양자에서의 반사 표면(302, 304, 309) 및 (502, 504, 509)로 이루어진 컬렉터 시스템(300).
2. 시스템(300, 500)의 반사 표면(302, 304, 309) 및 (502, 504, 509)은 x-z 축을 따라 점, 즉 평면(308, 508) 위로 광원(306, 506)으로부터의 광선을 투사하도록 구성될 수 있다.
3. 시스템(300, 500)은 리소그래피 조명계에 있어서 2Π보다 더 큰 입체각에 대응하는 광선 컬렉션을 가질 수 있다. 각 미러는 별도로 구성되고 코팅될 수 있다.
4. 반구(320, 330, 520, 530)를 이용하여 보다 큰 컬렉션 각을 이룰 수 있고 방사선을 더 많이 모을 수 있다.
도 7은 이중 반구 컬렉터 시스템을 이용하는 방법을 도시하고 있다. 이러한 방법은 방사선원의 제1 반구에 제1 반사 표면을 제공하고 방사선원의 제2 반구에 제2 반사 표면을 제공하는 단계(700)와, 제1 반구에서 방사선원으로부터의 방사선을 제2 반구로 반사하는 단계(702)와, 제2 반구에서 방사선원으로부터의 방사선을 미리 정해진 평면으로 반사하는 단계(704)를 포함한다.
많은 수의 실시예가 개시되었지만, 본 발명의 사상과 영역을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변경이 이루어질 수 있다는 점을 알아야 한다. 따라서, 또 다른 실시예들이 다음 청구범위의 영역 안에서 이루어질 수 있다.

Claims (38)

  1. 방사선원(radiation source)의 제1 반구(hemisphere)에서의 제1 표면 - 상기 제1 표면은 상기 방사선원으로부터의 방사선을 상기 방사선원의 제2 반구로 반사함 - 과,
    상기 방사선원의 상기 제2 반구 내의 제2 표면 - 상기 제2 표면은 상기 제2 반구 내의 방사선을 출력 평면으로 반사함 - 을 포함하는
    장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 방사선원은 극자외선(EUV) 방사선원을 포함하는 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 방사선원은 레이저 생성형 플라즈마(laser produced plasma : LPP)원을 포함하는 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 표면은 하나 이상의 미러를 포함하는 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 표면은 상기 방사선원으로부터 역방향 방사선을 반사하는 형상을 갖는 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 표면은 구형의 일부분과 같은 형상을 갖는 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 표면은 비구형 형상을 갖는 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 표면은 타원형 형상을 갖는 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 표면은 원뿔형 형상을 갖는 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 표면은 상기 방사선원으로부터의 방사선을 약 75 내지 89도의 입사각(incidence)에서 수신하도록 배치된 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 표면은 상기 방사선원으로부터의 방사선을 상기 방사선원 근처의 영역을 통하여 상기 제2 표면으로 반사하도록 구성된 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제2 표면은 적어도 하나의 미러를 포함하는 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제2 표면은 타원형 형상을 갖는 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제2 표면은 상기 방사선원으로부터 순방향 방사선을 반사하는 형상을 갖는 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제2 표면은 상기 제1 표면으로부터의 방사선을 상기 출력 평면으로 반사하도록 적합화된 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 제2 표면은 상기 방사선원으로부터의 방사선을 약 60도 미만의 입사각에서 수신하도록 구성된 장치.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 제2 표면은 상기 방사선원에 보다 가까운 제1 부분과 상기 방사선원에서 보다 먼 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 부분은 쌍곡선의 일부와 같은 형상이고 상기 제2 부분은 타원형의 일부와 같은 형상인 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 쌍곡선은 상기 방사선원 근처의 실초점과 상기 타원형의 제1 초점 근처의 허초점을 갖고, 상기 타원형은 상기 출력 평면 근처에 제2 초점을 갖는 장치.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 제2 표면은 동심적 컬렉터 집합(set of concentric collectors) - 상기 컬렉터 각각은 상기 방사선원에 보다 가까운 제1 부분과 상기 방사선원으로부터 보다 먼 제2 부분을 갖고, 상기 제1 부분은 쌍곡선의 일부와 같은 형상이고 상기 제2 부분은 타원형의 일부와 같은 형상임 - 을 포함하는 장치.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 제2 표면은 스침각 컬렉터 집합(a set of grazing incidence collectors)을 포함하는 장치.
  21. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 표면은 모두 상기 출력 평면으로 방사선을 반사하도록 구성된 장치.
  22. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 표면은 약 4Π까지의 입체각(solid angle)에서 상기 방사선원으로부터의 방사선을 모으도록 구성된 장치.
  23. 제1항에 있어서,
    상기 방사선원에는 백열 전구(light bulb)가 포함되는 장치.
  24. 제1항에 있어서,
    상기 장치가 차량 헤드라이트인 장치.
  25. 제1항에 있어서,
    상기 장치가 영화 프로젝터인 장치.
  26. 제1항에 있어서,
    상기 장치가 비디오 프로젝터인 장치.
  27. 제1항에 있어서,
    상기 장치가 슬라이드 프로젝터인 장치.
  28. 제1항에 있어서,
    상기 출력 평면이 출력점을 포함하는 장치.
  29. 리소그래피 시스템으로서,
    방사선원과,
    상기 방사선원의 제1 반구에서 방사선을 반사하여 제2 반구 내를 조명하는 형상을 갖는 제1 표면과,
    상기 방사선원의 상기 제2 반구에서 방사선을 상기 제2 반구 내의 출력 평면으로 반사하는 형상을 갖는 제2 표면
    을 포함하는 리소그래피 시스템.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 방사선원은 극자외선(EUV)원을 포함하는 리소그래피 시스템.
  31. 제29항에 있어서,
    상기 방사선원은 극자외선(EUV) 레이저 생성형 플라즈마원을 포함하는 리소그래피 시스템.
  32. 제29항에 있어서,
    상기 방사선을 미리 정해진 패턴으로 방향 설정하도록 배치된 광학 요소들(optical elements)을 더 포함하는 리소그래피 시스템.
  33. 방사선원의 제1 반구 내에 제1 반사 표면을 제공하고 상기 방사선원의 제2 반구 내에 제2 반사 표면을 제공하는 단계와,
    상기 제1 반구에서 상기 방사선원으로부터의 방사선을 상기 제2 반구로 반사하는 단계와,
    상기 제2 반구에서 상기 방사선원으로부터의 방사선을 출력 평면으로 반사하는 단계
    를 포함하는 방법.
  34. 제33항에 있어서,
    상기 방사선을 생성하는 단계를 더 포함하는 방법.
  35. 제33항에 있어서,
    상기 방사선을 모으는 단계를 더 포함하는 방법.
  36. 제33항에 있어서,
    상기 방사선원이 전기 방전 극자외선원을 포함하는 방법.
  37. 제33항에 있어서,
    상기 방사선원은 DPF(dens plasma focus) 전기 방전 극자외선원을 포함하는 방법.
  38. 제33항에 있어서,
    상기 방사선원은 레이저 생성형 플라즈마(LPP)원을 포함하는 방법.
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7405871B2 (en) * 2005-02-08 2008-07-29 Intel Corporation Efficient EUV collector designs
US7482609B2 (en) * 2005-02-28 2009-01-27 Cymer, Inc. LPP EUV light source drive laser system
US7465943B2 (en) * 2005-12-08 2008-12-16 Asml Netherlands B.V. Controlling the flow through the collector during cleaning
ATE528693T1 (de) 2006-09-15 2011-10-15 Media Lario Srl Optisches kollektorsystem
US20080237498A1 (en) * 2007-01-29 2008-10-02 Macfarlane Joseph J High-efficiency, low-debris short-wavelength light sources
US8901521B2 (en) 2007-08-23 2014-12-02 Asml Netherlands B.V. Module and method for producing extreme ultraviolet radiation
EP2182412A1 (en) * 2008-11-04 2010-05-05 ASML Netherlands B.V. Radiation source and lithographic apparatus
EP2534672B1 (en) 2010-02-09 2016-06-01 Energetiq Technology Inc. Laser-driven light source
DE102010028655A1 (de) 2010-05-06 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor
US9057962B2 (en) * 2010-06-18 2015-06-16 Media Lario S.R.L. Source-collector module with GIC mirror and LPP EUV light source
DE102011084266A1 (de) * 2011-10-11 2013-04-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Kollektor
DE102012220465A1 (de) * 2012-11-09 2014-05-15 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor
DE102013204441A1 (de) 2013-03-14 2014-04-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Kollektor
DE102013218132A1 (de) 2013-09-11 2015-03-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Kollektor
DE102013218128A1 (de) 2013-09-11 2015-03-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem
IL234727B (en) 2013-09-20 2020-09-30 Asml Netherlands Bv A light source operated by a laser in an optical system corrected for deviations and the method of manufacturing the system as mentioned
IL234729B (en) 2013-09-20 2021-02-28 Asml Netherlands Bv A light source operated by a laser and a method using a mode mixer
US10186416B2 (en) 2014-05-15 2019-01-22 Excelitas Technologies Corp. Apparatus and a method for operating a variable pressure sealed beam lamp
EP3457429B1 (en) 2014-05-15 2023-11-08 Excelitas Technologies Corp. Laser driven sealed beam lamp with adjustable pressure
US9741553B2 (en) 2014-05-15 2017-08-22 Excelitas Technologies Corp. Elliptical and dual parabolic laser driven sealed beam lamps
US9576785B2 (en) 2015-05-14 2017-02-21 Excelitas Technologies Corp. Electrodeless single CW laser driven xenon lamp
US10057973B2 (en) 2015-05-14 2018-08-21 Excelitas Technologies Corp. Electrodeless single low power CW laser driven plasma lamp
US10008378B2 (en) 2015-05-14 2018-06-26 Excelitas Technologies Corp. Laser driven sealed beam lamp with improved stability
US10109473B1 (en) 2018-01-26 2018-10-23 Excelitas Technologies Corp. Mechanically sealed tube for laser sustained plasma lamp and production method for same
CN110940488B (zh) * 2019-11-11 2020-11-17 中国科学院西安光学精密机械研究所 一种WolterⅠ型非球面反射镜角分辨率检测系统及方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2198014A (en) * 1937-07-22 1940-04-23 Harry G Ott Optical system
GB676644A (en) * 1949-07-29 1952-07-30 Westinghouse Brake & Signal Improvements relating to optical projection apparatus
US4916485A (en) * 1989-07-18 1990-04-10 Parallex Company, Inc. Xenon optical system for cinematograph projection
US5037191A (en) * 1989-12-21 1991-08-06 Cheng Dah Y Orthogonal parabolic reflector systems
DE59107556D1 (de) * 1991-06-21 1996-04-18 Tetsuhiro Kano Reflektor und Verfahren zum Erzeugen einer Reflektorform
US5446639A (en) * 1992-04-03 1995-08-29 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Illuminating apparatus
US5339346A (en) * 1993-05-20 1994-08-16 At&T Bell Laboratories Device fabrication entailing plasma-derived x-ray delineation
DE19704467B4 (de) * 1997-02-06 2006-07-20 Automotive Lighting Reutlingen Gmbh Fahrzeug-Scheinwerfer
US6064072A (en) * 1997-05-12 2000-05-16 Cymer, Inc. Plasma focus high energy photon source
US6815700B2 (en) * 1997-05-12 2004-11-09 Cymer, Inc. Plasma focus light source with improved pulse power system
US6049588A (en) * 1997-07-10 2000-04-11 Focused X-Rays X-ray collimator for lithography
JP4238390B2 (ja) * 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
US6120166A (en) * 1998-03-09 2000-09-19 Janos Technology Inc. Light source apparatus for a spectral analyzer
DE10138313A1 (de) * 2001-01-23 2002-07-25 Zeiss Carl Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm
US6469827B1 (en) * 1998-08-06 2002-10-22 Euv Llc Diffraction spectral filter for use in extreme-UV lithography condenser
US6118577A (en) * 1998-08-06 2000-09-12 Euv, L.L.C Diffractive element in extreme-UV lithography condenser
US6186632B1 (en) * 1998-12-31 2001-02-13 The Regents Of The University Of California Condenser for ring-field deep-ultraviolet and extreme-ultraviolet lithography
EP1141760B1 (en) 1999-01-04 2004-09-29 Cyclovision Technologies, Inc. Panoramic imaging apparatus
US6195201B1 (en) * 1999-01-27 2001-02-27 Svg Lithography Systems, Inc. Reflective fly's eye condenser for EUV lithography
JP4521896B2 (ja) 1999-06-08 2010-08-11 キヤノン株式会社 照明装置、投影露光装置及びデバイス製造方法
WO2001007939A1 (en) 1999-07-21 2001-02-01 Jmar Research, Inc. Collimator and focusing optic
JP4505664B2 (ja) * 2000-03-24 2010-07-21 株式会社ニコン Ｘ線発生装置
US6972421B2 (en) * 2000-06-09 2005-12-06 Cymer, Inc. Extreme ultraviolet light source
JP2002006096A (ja) * 2000-06-23 2002-01-09 Nikon Corp 電磁波発生装置、これを用いた半導体製造装置並びに半導体デバイスの製造方法
US20020097505A1 (en) * 2000-11-30 2002-07-25 Delong James A. Single-element catadioptric condenser lens
US6804327B2 (en) * 2001-04-03 2004-10-12 Lambda Physik Ag Method and apparatus for generating high output power gas discharge based source of extreme ultraviolet radiation and/or soft x-rays
DE10138284A1 (de) * 2001-08-10 2003-02-27 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit genesteten Kollektoren
US7084412B2 (en) * 2002-03-28 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Collector unit with a reflective element for illumination systems with a wavelength of smaller than 193 nm
JP4105616B2 (ja) * 2002-08-15 2008-06-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフ投影装置およびこの装置用の反射鏡アセンブリ
US7217940B2 (en) * 2003-04-08 2007-05-15 Cymer, Inc. Collector for EUV light source
FR2860385B1 (fr) * 2003-09-26 2007-06-01 Cit Alcatel Source euv
US7481544B2 (en) * 2004-03-05 2009-01-27 Optical Research Associates Grazing incidence relays
FR2871622B1 (fr) * 2004-06-14 2008-09-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet et application a une source de lithographie par rayonnement dans l'extreme ultraviolet
US7405871B2 (en) * 2005-02-08 2008-07-29 Intel Corporation Efficient EUV collector designs

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TW200421010A (en) 2004-10-16

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