JP3291393B2 - プラズマ誘導ｘ線描画を伴う装置製作方法 - Google Patents

プラズマ誘導ｘ線描画を伴う装置製作方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ミクロン以下のデザイ
ンルールに組み立てられる装置の製作に関する。プラズ
マ誘導ｘ線放射線は、長波長の電磁放射線の使用では達
成できないと思われる細い特徴部のパターン描画に役立
つ。プラズマ発生源は、リングフィールド走査モードで
動作する投影カメラに適している。超大規模集積（“Ｖ
ＬＳＩ”）が主な対象である。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来技術及び１９９３年５月１０日出願の同時係属米国
特許出願第08/059924号の説明 最新技術のＬＳＩは、０．５μｍのデザインルールに組
み立てられる回路網を備えた１６メガビットチップであ
る。さらなる小型化に向けられる努力は、現在使用され
ている紫外（ＵＶ）の描画放射線の分解能力をより十分
に利用する最初の形をとる。“遠”ＵＶ（λ＝０．３μ
ｍ−０．１μｍ）が、位相マスキング、オフアクシス照
明、及びステップアンドリピートのような技術と共に、
０．２５μｍまたはそれよりわずかに細いデザインルー
ル（最小の特徴部すなわち間隔寸法）を可能にし得る。
【０００３】より一層細いデザインルールにおいては、
波長に関連した解像度限界を避けるために別の描画放射
線形式が要求される。電子または他の荷電粒子放射線に
より多大の成果が得られる。この目的のための電磁放射
線の使用はｘ線波長を必要とするだろう。２つのｘ線放
射線源が考慮中である。最初に、電子ストレージリング
シンクロトロンが長年にわたり用いられ、開発の進捗段
階にある。相対論的速度に加速された電子は、磁界強制
された軌道に従ってｘ線放射線を放出する。リソグラフ
ィのために重要な波長範囲の放射線が確実に生じる。シ
ンクロトロンは、極めて複雑な実験の要求を満たすため
に精密に限定された放射線を発生するが、大規模で非常
に高価な装置部品である。
【０００４】プラズマｘ線源のほうが安価である。これ
らは高出力パルス化レーザ、例えば、５０μｍ−２５０
μｍスポットに５００−１，０００ワットのパワーを放
射することにより例えば２５０，０００℃に原料物質を
加熱して生じるプラズマからｘ線放射線を放出するイッ
トリウム アルミニウム ガーネット（ＹＡＧ）レーザ
またはエキシマレーザ、に依存している。プラズマ発生
源はコンパクトであり、（機能不良が工場全体を閉鎖し
ないように）１本の生産ラインの専用にすることができ
る。
【０００５】種々のｘ線描画アプローチが研究中であ
る。おそらく開発されたもののほとんどが近接印刷であ
る。このアプローチでは、等倍像形成が、写真密着印刷
のやり方でほとんど生じる。薄膜マスクは、ウェハから
１または数ミクロンの間隔に維持される。この間隔はマ
スク損傷の見込みを少なくするが排除しない。こわれや
すい膜に完全なマスクを作ることが主要な問題になって
いる。必然的にマスクとウェハ間に光学系がないという
ことは、入射する放射線の高いレベルの並行性を要す
る。０．２５μｍ描画に関して、特徴部のエッジでの散
乱を制限するためには、波長λ≦１６ÅのＸ線放射線が
必要とされる。近接印刷ではシンクロトロンが用いられ
ていた。集光のための１０ｍｒａｄ−２０ｍｒａｄのア
ークから生じる比較的小さいパワーは、放出ファンの高
アスペクト比と共に、（全フィールド像形成よりむし
ろ）高アスペクト比の走査照明フィールドの使用に至っ
た。
【０００６】投影リソグラフィは近接印刷に勝る持ち前
の利点を有する。マスクとウェハ間のカメラ光学系はエ
ッジ散乱を補償し、したがって長波長放射線の使用を可
能にする。λ＝１００Å−２００Å波長範囲の“軟ｘ
線”の使用は、斜角光学系で許される入射角を増加させ
る。その結果生じる装置は軟ｘ線投影リソグラフィ（Ｓ
ＸＰＬ）として知られている。ＳＸＰＬの好まれる形式
はリングフィールド走査である。長くて幅の狭い照明フ
ィールドはまっすぐよりむしろ円弧状になっており、こ
の円弧はカメラの光学軸にその回転中心を有する円形リ
ングの一部である。このような円弧状フィールドの使用
は、像における半径方向に依存する像収差を回避する。
例えば５：１の対象：像縮小の使用は、流行の特徴部拡
大マスクの相当なコスト減になる。１９９３年５月１０
日出願の同時係属米国特許出願第08/05924号は、シンク
ロトロン誘導ｘ線放射線を用いる装置製作を開示し、請
求している。ＳＸＰＬは開示され請求されたリソグラフ
ィの一形態になっている。
【０００７】ＳＸＰＬへのプラズマｘ線源の適応に向け
た努力が続くだろうと予想される。集光及び処理光学系
のデザイン−コンデンサのデザイン−は、プラズマ放出
パターンとリングフィールド走査線のそれとの間のひど
い不整合によって困難になっている。典型的なプラズマ
ｘ線源は１：１アスペクト比の放出パターンを有する。
必要とされる走査線はたぶん１０：１より大きい。
【０００８】
【課題を解決するための手段】０．２５μｍ以下のデザ
インルール装置の製作におけるリングフィールド投影リ
ソグラフィの限定はｘ線プラズマ発生源を利用する。投
影カメラを整合させるのに必要な、照明フィールドの照
度ムラや他の特性に関する必要条件は、新規なコンデン
サで満足される。集光レンズ−プラズマ放射線が最初に
入射するコンデンサレンズ−は、プラズマに関して対称
的に配置される多数ファセット対を含む。各ファセット
は、放出セクタからの放射線を集光して完全な放射線フ
ィールド全体の像を形成し、ファセット明暗度の和であ
る像明暗度を発生させる。ファセットは、そのフィール
ド像の明暗度におけるどんな階調も等しくなりかつその
対の一方のそれと反対になるように、相補的になってい
る。このように、一定明暗度フィールドは、つなぎ合わ
せを要することなく本質的にプラズマ放出の全体から効
果的に生じる。ファセットは平坦かまたは集光角度を増
す形状にすることができ、唯一の必要条件は、対の部材
の寸法及び形状が共にむらなく照明された合成像を生じ
るように正確に相補的になっていることである。本発明
の種概念は、反射マスクに入射されるものとしての照明
フィールドの発散を形作ったり、方向づけたり、調整し
たりするための光学系の処理を提供する。コンデンサ
は、適正なひとみを満たすことや他のカメラ要件に整合
させるのに適するデザインになっている。このデザイン
は、例えば５：１の対象：像縮小のための縮小投影と共
に用いるのに適している。
【０００９】定義 プラズマ発生源−ｘ線放射線を発生させるための熱誘導
プラズマ−一般的には高出力パルス化レーザでポンプさ
れる−。照明放射線−明暗度、方向、発散及びスペクト
ル幅で特徴付けられる、マスクに入射して該マスク上に
照明フィールドを発生させる描画放射線。発散−それ自
体で用いられる場合、この用語は、マスク発散、すなわ
ちマスクに入射されるものとしての放射線の円錐の軸線
に対する最大角度を指す。投影時、この軸線は、一般的
に、反射マスクに必要とされるものとしての法線入射か
らわずかな程度はずれている。投影時に必要とされる発
散の大きさは、望ましい解像度及びコントラストに必要
な程度に特徴部エッジにおけるリング化を減少させるの
に必要とされる大きさである。全フィールド露光時に
は、発散はどの照明点でも同じになっているべきであ
る。走査時には、走査方向の多少のむらが結局平均にさ
れ得る。
【００１０】コンデンサ−プラズマ発生源からの放射線
を集光し、該放射線を処理してリング状照明フィールド
を発生させ、マスクを照明するための光学装置。集光光
学系（またはコレクタ）−プラズマ誘導放射線を集光す
る責を負うべきコンデンサ内の光学系。コレクタは焦点
を持つ。処理光学系−集光光学系のほかにコンデンサ内
にある、集光された放射線を処理してマスクに送るため
の光学系。結像光学系−コンデンサのあとで、マスクで
調節される放射線をウェハすなわちカメラ光学系に送る
責を負うべき光学系。
【００１１】カメラひとみ−照明放射線がこれを介して
カメラに入らなければならない位置を限定する、カメラ
の回折限界を限定する角度サイズを有する実像または虚
像開口。その物理的サイズはカメラの実像制限開口の像
のサイズである。レンズ−この用語は、ｘ線放射線を収
束または発散せしめるあらゆる光学素子を定義するため
にこの説明中で用いられる。“レンズ”は、ｘ線装置に
おいては、一般的に反射するものである−“ミラー”と
呼ばれることもある−。企図されたレンズは多数のファ
セットのあるものでも良いし、またはファセットのない
もの、すなわち例えば楕円または他の曲率からなる連続
的なもの、でも良い。収束または発散は、伝送光学レン
ズのそれに類似した作用の結果である。ファセット−レ
ンズの個々のセグメント−一般的に他のファセットと共
に、放射線の収束または発散の責を負うべき独立した素
子、または一体構造の一部−。散乱板−発散を増加させ
るための光学素子。発散は１または２次元になり得る。
【００１２】
【実施例】通則−特徴部サイズ≦０．２５μｍのパター
ン描画用ｘ線プラズマ発生源の開発に向けて努力が続け
られている。ダブリュー・テー・シルフヴァスト(W.T.S
ilfvast)、エム・シー・リチャードソン(M.C.Richardso
n)、エイチ・ビンダー(H.Binder)、エイ・ハンゾ(A.Han
zo) 、ヴィ・ヤノブスキー(V.Yanovsky)、エフ・ジン
(F.Jin) 、及びジェイ・ソープ(J.Thorpe)の“軟ｘ線投
影リソグラフィ用のレーザ誘導プラズマ”J.Vac.Sci.Te
ch. B 106, Nov./Dec. 1992,pp.3126-3133を参照された
い。本質的に、プラズマ発生源からの放出は全方向であ
る。本発明の装置製作は、この全方向放出を捕らえてリ
ングフィールド投影リソグラフィ用の高アスペクト比照
明フィールドを生じるようにそれを形作るためにデザイ
ンされたコンデンサに依存している。
【００１３】発散を形作り、方向づけ、調整することに
加えて、コンデンサは、λ＝１００Å−２００Åのスペ
クトル（この時、好適なスペクトル範囲はλ＝１２５Å
−１４０Åである）内の好ましいリングフィールド波長
範囲を発生させるために、たぶんλ＝５０Å−４００Å
の持ち前のプラズマスペクトルを濾波しなければならな
い。この“軟ｘ線投影リソグラフィ”（ＳＸＰＬ）の使
用は、法線入射ミラーを高反射率にすることができる利
点を持つ。また、それは、近接印刷に用いられる“硬ｘ
線”に必要なものより大きな入射角度を可能にするとい
う斜めのミラー光学系の使用を促進する。望ましいｘ線
スペクトルを発生させるための濾過作用は、たぶん、分
布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）原理で動作する多層反射器
（ＭＬＲ）を用いるだろう。
【００１４】図面−詳細なデザイン及び処理情報は図面
と共に説明される。図１において、ＹＡＧまたはエキシ
マレーザ１１はビーム１２を放出し、このビーム１２は
レンズ１３で焦点を合わされて目標物質１５のスポット
１４を加熱し、それにより、ｘ線放射線１７を放出する
プラズマ球１６を発生させる。放射線は１８０°半球全
体にわたって放出される。図２は、投影カメラにパワー
を与えるためにプラズマ発生源を用いる最新技術の装置
の斜視図である。プラズマ発生源２１は、線２２として
示される半球のｘ線放射線を放出する。ＭＬＲ２３はマ
スク２５上の焦点２４に放射線を集中させる。照明フィ
ールドは発生源の像になる。図示のように、照明フィー
ルドはマスク２５に入射するスポット２４になり、ここ
では、放射線は、入口ひとみ２７を部分的に満たすこと
によりカメラ２６内に導かれるべく伝送または反射のど
ちらかにされる。図示の適正なひとみを満たすために、
比較的小さな円錐の放射線だけが集光され、この円錐の
外側の放射線はむだになる。コンデンサのサイズが、線
２８で表わされる比較的大きな角度の放射線を就航する
ために増加した場合は、カメラひとみは、点線で示され
るコンデンサ放出線で生じるフィールド２９で示される
ように非常に満ちあふれる。エネルギーはむだになり、
像は劣化する。いずれの配置もリングフィールド照明フ
ィールドを生じない。
【００１５】図３及び図４は、リングフィールド投影の
ための高アスペクト比照明フィールドを効果的に生じる
装置例を示す。図３の“正面”図は、高アスペクト比フ
ィールドの短寸法を出すための処理を示す。レーザビー
ム３０で生じるプラズマ３１は、広角度のほぼ半球にわ
たってｘ線３２を放出し、このｘ線はレンズファセット
３３で捕捉される。この図には見られないが、ファセッ
ト３３のほとんどまたは全部は、本発明の処理に用いら
れる全てのコレクタに共通な、対にされた相補ファセッ
トからなる部材である。図３のビーム進路中の位置９１
または９２（図４の位置９３または９４）のどちらかに
開口を設けることができる。この開口は、必要とされ卯
場合に、マスク上の明暗度により顕著な均一性を生じる
ようにビームの一部を遮断することができる。楕円の場
合には、第１の焦点は発生源と好都合に一致することが
でき、第２の焦点は像と一致することができる。湾曲し
たファセットの表面は、“ロペツ(Lopez)"形にすること
ができる。ロペツ形ミラーは、多角放出のための単一焦
点を生じるように明白にデザインされる。多面コレクタ
レンズの個々のファセットの代わりにそれを使用するこ
とが認められ得る。
【００１６】各ファセットは、スポット２４のフィール
ド寸法と同じ走査方向のフィールド寸法を生じるように
図２のミラー２３の有効高さに匹敵する有効高さを有す
るものとして見ることができる。各ファセットは、レン
ズ３５における像３４として発生源３１の像の焦点を合
わせる。レンズ３５は多面ミラーであり、反射される放
射線を方向づけ、処理光学系３６で個々のビームを重ね
合わせる。ミラー３７、たぶん１個の連続した表面を有
する凹レンズ、は向け直し光学系である。数個の像がマ
スク３８にまたは近傍に共通の焦点に導かれ、カメラひ
とみ３９に入るように向けられる。もう一方の図４は、
高アスペクト比リングフィールドの横方向（すなわち長
寸法）の照明を示す。発生源４０からのレーザプラズマ
放射線は、ここでは対にされたファセット４１ａ−４１
ｂとして示される楕円ミラーのアレイで集光される。こ
のコレクタは、処理レンズ（ミラーアレイ）４２の一連
のスポットに発生源の像の焦点を合わせ、個々のスポッ
トはレンズ４２の個々のファセットに入射される。レン
ズ４２のファセットは、反射されるビームの中心線が処
理レンズ４３の中心に当たるように方向付けられる。こ
の処理レンズ４３は、この例では多面アレイになってい
るが円筒ミラーまたは楕円もしくは環状ミラーのような
連続的に湾曲した表面になっていても良い。処理レンズ
４２と処理レンズ４３の間隔は、レンズ４２で放出され
る処理済放射線がレンズ４３の長さにわたる程度にされ
る。レンズ４３は、図３のレンズ３７と共に、マスク４
５に入射するものとしての適正な円弧状の照明フィール
ド４４を生じるようにビームを形作る。同じ光学系は、
マスク４５からの反射により示される収束を導き、入場
ひとみ４６を望みどおりいっぱいにする。
【００１７】図５に示される多面レンズ５０は、図４の
レンズ４２の機能を満たす光学系の例である。レンズ５
０は、到来する放射線の円錐５２が円錐５４となって処
理光学系の方へ反射されるように方向付けられる８個の
ファセット５１で構成される。ファセット５１のアスペ
クト比は、望ましい照明フィールドのアスペクト比に近
似させることができる−像寸法５３はファセット５１の
長寸法に一致する−。
【００１８】図６ａにおいて、コレクタファセット６０
は４極分布を持ち、（例えば図４のレンズ４２に相当す
る）多面レンズ６１上の２組の一連のスポットに焦点を
合わせるように整えられる。図６ｂにおいて、ファセッ
ト６１は、各々、放射線が垂直すなわち走査方向の２つ
のわずかに異なる方向６３に反射されることになるよう
に異なる角度に方向付けられた２つのファセット６２か
ら構成されるように、それらの長さにわたって分割され
る。図６ｃから見られるように、放射線は、ひとみに達
することにより４つの別々の多像フィールド６４、６
５、６６及び６７に分割される。
【００１９】図７ａ−図７ｄは、対にされた相補ファセ
ットを常に含む種々のコレクタレンズデザインを示す。
分離した補償ファセットはレンズ機能を分離し、デザイ
ンを容易にする。補償方向に均一に照明される合成像を
互いに生じるように等しく反対の明暗度勾配を常に生じ
る対の部材は、カメラ光学系に合うように独立して方向
付けられる。補償方向の照明は少なくとも±１５％にな
る。注意深くファセットを配置すると、±５％かまたは
±１％以上にさえなる。図７ａにおいて、レンズアレイ
７０は、主として、対にされたファセット７１ａ−７１
ｂから構成される。放出球の末端に位置するファセット
７１ｃは対にされない。対にすること、これに関しては
原則として好ましいが、明暗度勾配は無視されるに足る
ほど小さくて良い。一般に、この方向における放出の最
後の６５−７５°にわたって１個のファセットにされた
ミラーがかなり良い。（通常の実施と変わらず、角度は
光軸に対して測定される。）全ての配置におけるよう
に、対にされたファセットの部材は発生源７５に対して
対称的に配置される。
【００２０】図７ｂでは、コレクタレンズ７２は５対の
ファセット７２ａ−７２ｂから構成される。この配置
は、図７ａの７列配置より多少小さいアスペクト比スリ
ットになる。図７ｃ及び７ｄの変形は平凡なものであ
る。ファセット７３ａ−７３ｂの４列配置のために、ス
ポット発生源７５の水平中心線は２対の切片に自然に配
置される。発生源乃至ファセットの間隔が２次元で異な
っていることはほとんど重要でない−各次元の間隔が対
称になっていることが望ましいだけである−。コレクタ
レンズ７４は対にされたファセット７４ａ−７４ｂの３
列アレイになっている。例示のファセットアスペクト比
は同様に形作られる照明フィールドに適合させることが
できる。
【００２１】図７ｅは図７ｂの配置の正面（または側
面）図であり、積み重ねられたファセット７２ａを示
す。図示のファセット配置は最小限度のファセット数に
基づいている。本発明の必要条件はより大きな数の配置
で満足することができる。例として、横方向のファセッ
ト化は、内側及び外側の対が、必要とされる均一に照明
される合成フィールド像を生じることを条件として、２
つのファセットよりむしろ４つのファセットを伴うこと
ができる。もしそれを行なう理由があるならば、横方向
のセット全体がこのようなフィールド像を生じる（その
結果、内側または外側の対のいずれも完全に自己補償さ
れない）ことだけが必要とされる。図８ａ及び８ｂは、
それぞれ、例１の基礎として用いられる３レンズコンデ
ンサ装置を示す平面図及び縦図である。コレクタレンズ
８０は図７ｂに示される配置の５対のファセットを含
む。ファセットはＭＬＲであり、例えば４０対のＭｏ−
Ｓｉ層から構成される。放射線は、プラズマで生じるほ
こりがカメラ８６のミラーを損傷しないようにするため
の窓８８を通って進む。第１の処理レンズ８１はかすめ
て通る入射多面ミラーであるが、図３の垂直処理レンズ
３７と図４の水平処理レンズ４３の機能を合わせ持つ処
理レンズ８２に放射線を向ける。レンズ８２を離れるも
のとしての処理済放射線は、マスク８４上に円弧状照明
フィールド８３を発生させ、次いで、カメラ８６のカメ
ラひとみ８５内への反射を経由してウェハ８７上に円弧
の像を作り出す。
【００２２】装置製作−根本的な装置製作は他の点では
変わらない。多くの教科書、例えばSimon Sze, VLSI Te
chnology, McGraw Hill,1983、を参照しても良い。以下
の例１及び２は、ＭＯＳ ＶＬＳＩ装置製作における重
要な窓レベルに向けられる。
【００２３】例１−２５６ビット、０．１μｍデザイン
ルールのＭＯＳ装置が、次のような窓レベルにおける製
作により例示される。図８ａ及び８ｂの装置は、５００
ワットＹＡＧレーザでポンプされるすず発生源からなる
プラズマ発生源を備えている。レンズ８０の配置のコレ
クタレンズは８個の３５ｍｍ×９０ｍｍ多層ファセット
からなり、各々４０対の連続したＭｏ−Ｓｉ層を含み、
全パワー２．５ワットのλ＝１３５±３Åの集束ビーム
になる。ウェハ８７で受け入れられる時、リングフィー
ルド走査線は、走査線方向の１ｍｍと円弧状の線の弦に
沿って測定されるものとしての２５ｍｍの寸法からな
る。
【００２４】例２−ｘ線投影カメラはジュエル(Jewell)
によってデザインされたファミリーからなる。（１９９
１年７月１９日出願の米国特許出願第07/732,55 号を参
照されたい。）これは、０．１の開口数を有し、０．１
ミクロンの線を印刷することができる。最初の出願で
は、これは重要なレベル、例えばゲート及び接触窓のた
めにのみ用いられるだろう。他のプリンタ、例えば遠Ｕ
Ｖ、は他のレベルを印刷するだろう。後者のモデルで
は、開口数が０．２に増加した場合、０．０５ミクロン
の特徴部を有するクリチカルなレベルや多くの他のレベ
ル−他のレベルは遠ＵＶですら印刷するには小さ過ぎる
０．１−０．１５ミクロンの特徴部を有するだろう−も
印刷するだろう。１ワットがゲートレベルのマスクに当
たるだろう。カメラのミラーにおける損失のため、わず
か７５μｍ（またはマスクのどのくらいが反射的になっ
ているかに依存してそれ以下）のウェハとカメラ間の薄
いシリコン窓（厚さ０．３μｍ）がウェハ上に到達す
る。
【００２５】ウェハは以前のレベルからの描画を有して
いる。リソグラフィの直前に、ウェハは非常に薄い酸化
物層すなわちポリシリコン導体とその上に厚い酸化物層
とでコーティングされる。ｘ線レジストはウェハ全体を
覆う。ウェハはｘ線投影器の下に配置され、整列され、
露光される。レジストが１５ｍｊ／ｃｍ2 の感度を持つ
場合は、毎秒５ｃｍ2 が露光されるだろう。レジストが
現像され、レジストがない場合、底部の非常に薄い酸化
物層をそのままにして、上部の酸化物及びポリシリコン
層がドライエッチングで除去される。後で、イオンビー
ムが薄い酸化物を介してシリコンにドーパントを注入
し、ソース及びドレイン領域として作用する導電層を形
成する。ポリシリコンゲートの下のシリコンの領域は抵
抗性のものとなり、電圧がゲートに印加される場合にの
み導通するだろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】ポンプ及びフォーカス手段を備えたプラズマｘ
線源を示す。
【図２】プラズマ放射線を集光し、カメラひとみに送る
ためにマスクのリングフィールド円弧を照明するための
最新技術のコンデンサを示す。
【図３】本発明のコンデンサ光学系の正面図であり、リ
ングフィールド像の半径方向及び周方向のアスペクトの
像形成を示す。
【図４】本発明のコンデンサ光学系の平面図であり、リ
ングフィールド像の半径方向及び周方向のアスペクトの
像形成を示す。
【図５】照明フィールドを形作る処理ミラーの詳細図で
ある。
【図６Ａ】ＵＶ描画に現在用いられているものに類似し
た４極分布を用いるコンデンサレンズ配置の１を示す。
【図６Ｂ】ＵＶ描画に現在用いられているものに類似し
た４極分布を用いるコンデンサレンズ配置の２を示す。
【図６Ｃ】ＵＶ描画に現在用いられているものに類似し
た４極分布を用いるコンデンサレンズ配置の３を示す。
【図７Ａ】本発明の必要条件を満足する他の対にされた
ファセットコレクタレンズ配置の平面図の１である。
【図７Ｂ】本発明の必要条件を満足する他の対にされた
ファセットコレクタレンズ配置の平面図の２である。
【図７Ｃ】本発明の必要条件を満足する他の対にされた
ファセットコレクタレンズ配置の平面図の３である。
【図７Ｄ】本発明の必要条件を満足する他の対にされた
ファセットコレクタレンズ配置の平面図の４である。
【図７Ｅ】図７Ｂの正面図である。
【図８Ａ】例示的な３レンズコンデンサの直交する図の
１であり、連続的に、マスクを照明し、カメラひとみを
適正にいっぱいにし、ウェハを走査する出力を伴うもの
である。
【図８Ｂ】例示的な３レンズコンデンサの直交する図の
２である。
【符号の説明】
３３ ファセット ３１ プラズマ ３２ Ｘ線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−36588（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−116918（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−245923（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−55177（ＪＰ，Ａ) 米国特許5003567（ＵＳ，Ａ) 米国特許4241389（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 521

Claims (17)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 最小寸法≦０．２５μｍの少なくとも１
    つの構成要素からなる装置の製作方法であって、前記方
    法は複数の連続したレベルの構成からなり、各レベル
    は、対象マスクパターンが像平面に結像され最終的に描
    画領域の物質の除去または追加に至るに従って、リソグ
    ラフィック描画を伴い、少なくとも１つの前記レベルは
    軟ｘ線スペクトルの放射線の使用によりリングフィール
    ドリソグラフィック描画を伴い、前記放射線はレーザ誘
    導プラズマから得られる製作方法において、前記プラズ
    マからの放出が少なくとも４対のミラーファセットを含
    むコレクタレンズで集光され、各対の部材は発生源の軸
    に対して対称的に配置されると共に、照明フィールド全
    体の相補的な像を個々に作り出し、それにより、均一に
    照明される補償されたフィールドを互いに作り出し、前
    記照明フィールド全体は、全ファセットで生じる像フィ
    ールドの和の明暗度を有することを特徴とする装置製作
    方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の装置製作方法において、
    コレクタレンズは少なくとも１つの処理レンズを含むコ
    ンデンサの第１のレンズである装置製作方法。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の装置製作方法において、
    コンデンサはファセットにされた第１の処理レンズを含
    み、該第１の処理レンズのファセットの数は前記コレク
    タレンズのファセットの数と同一であり、前記コレクタ
    レンズファセットで生じる像は前記第１の処理レンズの
    個々の専用ファセットにより入射される装置製作方法。
  4. 【請求項４】 請求項２記載の装置製作方法において、
    処理レンズはリングフィールド投影に必要な円弧状の形
    に前記照明フィールドを形作る一助となる装置製作方
    法。
  5. 【請求項５】 請求項２記載の装置製作方法において、
    コンデンサは、λ＝１００Å−２００Åのプラズマ放出
    放射線スペクトルを減少させるためのフィルタ手段を含
    み、該手段は本質的にＭＬＲコンデンサレンズからなる
    装置製作方法。
  6. 【請求項６】 請求項５記載の装置製作方法において、
    ＭＬＲコンデンサレンズはコレクタレンズである装置製
    作方法。
  7. 【請求項７】 請求項１記載の装置製作方法において、
    リングフィールドリソグラフィック描画は対象：像サイ
    ズ縮小を伴う装置製作方法。
  8. 【請求項８】 請求項７記載の装置製作方法において、
    コンデンサはコレクタレンズとマスクの中間に少なくと
    も２つの処理レンズを含み、該処理レンズはリングフィ
    ールド照明フィールドに向けられてそれを形作るように
    互いに機能する装置製作方法。
  9. 【請求項９】 請求項８記載の装置製作方法において、
    少なくとも１対のコレクタレンズの部材ファセットは湾
    曲している装置製作方法。
  10. 【請求項１０】 請求項９記載の装置製作方法におい
    て、湾曲した部材ファセットは楕円になっている装置製
    作方法。
  11. 【請求項１１】 請求項９記載の装置製作方法におい
    て、湾曲した部材ファセットはロペツ曲率を有する装置
    製作方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１記載の装置製作方法におい
    て、対にされたファセット列は２つの部材からなる装置
    製作方法。
  13. 【請求項１３】 請求項２記載の装置製作方法におい
    て、対にされたファセットは、コレクタレンズからの照
    明が２つの分離された一連の像を形成するように傾けら
    れる装置製作方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１３記載の装置製作方法におい
    て、カメラひとみに入射するものとしての照明は４極に
    なっている装置製作方法。
  15. 【請求項１５】 請求項２記載の装置製作方法におい
    て、コンデンサは、放射線をある程度遮断するのに十分
    に調整可能な可変実像開口を含む装置製作方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１５記載の装置製作方法におい
    て、可変実像開口は第１の処理レンズの直後に位置決め
    される装置製作方法。
  17. 【請求項１７】 請求項１、２、３、４、５、６、７、
    ８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５または１
    ６のいずれかにより作り出される装置。
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