JP2003168642A - 極紫外光露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】受光部でのＥＵＶ光の露光光量の低下を少なく
し、より短時間で効率的に露光を行うことができる極紫
外光露光装置を提供することを課題とする。 【解決手段】真空槽１と、真空槽１内に設けたターゲッ
ト２と、真空槽１に設けたレーザー光入射窓を通過して
前記真空槽外部より高エネルギーのレーザー光をターゲ
ットに照射する励起レーザー光集光光学系３と、レーザ
ー光照射により発光する極紫外光を通過させるピンホー
ル板４と、ピンホール板４を通過した極紫外光を最適光
束の露光用波長に選択する少なくとも１組みの多層膜反
射鏡５とからなる露光光学系と、露光光学系を通過した
極紫外光を受ける受光部６とで構成され、多層膜反射鏡
５を収納し、前記極紫外光の入射と反射を許す通過窓を
持つデブリ付着防止ホルダを有することを特徴とする極
紫外光露光装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、励起レーザー光を
ターゲットに照射してレーザープラズマを生成し、その
レーザープラズマからの極紫外光を用いてレジストなど
を露光させる極紫外光露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、極紫外光（以下ＥＵＶと略称す
る）の露光装置としては、スプリング８やフォトンファ
クトリー等の大型放射光からの光をベリリウムフィルタ
と多層膜反射鏡を用いて適宜波長を選択してＥＵＶ光を
取り出すか、レーザープラズマで発生したＥＵＶ光をＥ
ＵＶ光用多層膜反射鏡等で取出す方法が採用されてい
る。

【０００３】一般にレーザー光を用いて何らかの処理を
おこなう場合、レーザー光を収束させる集光レンズを持
つ励起レーザー集光光学系が必要となり、蒸着などを行
う場合にはレーザー光の入射窓を持つ真空槽が必要であ
る。そして励起レーザー光を用いてターゲットに照射し
てプラズマを発生させる処理を行うと、励起レーザー光
によりターゲット部材の蒸発、燃焼、分解等が生じ、そ
の蒸散物や燃焼分解物、破砕物が周囲に飛散する。これ
をデブリと称している。

【０００４】レーザープラズマで発生したＥＵＶ光をリ
ソグラフィ用のレジストに露光する光源とするには、Ｅ
ＵＶ光の波長を調整するＥＵＶ光用多層膜反射鏡を備え
た露光光学系を通過させなければならない。さらに、レ
ーザープラズマで発生したＥＵＶ光を用いて露光を行う
場合には、露光光学系および露光を受ける受光部にデブ
リが付着してＥＵＶ光の透過率および反射率が減少する
のを避ける必要がある。

【０００５】従来のレーザープラズマを光源とするＥＵ
Ｖ光を使用する場合は、上記のデブリの付着による露光
光学系の多層膜反射鏡が消耗することを考慮する必要が
あった。通常使用されているＭｏ／Ｓｉ多層膜の露光光
学系は、高価であるため上記の消耗を避けるため、デブ
リの発生源であるターゲットからできるだけ離し、デブ
リの飛来量の少ない位置に設置することが考えられてい
る。

【０００６】しかしながら、露光光学系をターゲットか
ら遠ざけると受光部も光源となるターゲットから離れ、
露光面に到達する光量が距離の２乗に比例して弱くなる
ことが知られている。その結果、受光部で所望の露光光
量を得るためには長時間の露光が必要となり露光工程の
能率が低下するという不具合がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の事情に
鑑みてなされたもので、受光部でのＥＵＶ光の露光光量
の低下を少なくし、より短時間で効率的に露光を行うこ
とができる極紫外光露光装置を提供することを課題とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の極紫外光露光装
置は、真空槽と、前記真空槽内に設けたターゲットと、
前記真空槽に設けたレーザー光入射窓を通過して前記真
空槽外部より高エネルギーのレーザー光をターゲットに
照射する励起レーザー光集光光学系と、レーザー光照射
により発光する極紫外光を通過させるピンホール板と、
前記ピンホール板を通過した極紫外光を最適光束の露光
用波長に選択する少なくとも１組みの多層膜反射鏡とか
らなる露光光学系と、前記露光光学系を通過した極紫外
光を受ける受光部とで構成され、前記多層膜反射鏡を収
納し、前記極紫外光の入射と反射を許す通過窓を持つデ
ブリ付着防止ホルダを有することを特徴とする。

【０００９】デブリ付着防止ホルダは、多層膜反射鏡が
受ける前記極紫外光の入射位置を変える移動手段を持つ
ものとするのが好ましい。多層膜反射鏡は、Ｍｏ／Ｓ
ｉ、Ｍｏ／Ｃ／Ｓｉ、ＭｏＲｕ／Ｓｉ、ＭｏＢｅ／Ｓ
ｉ、ＭｏＡｇ／Ｓｉ、Ｒｕ／Ｃ、Ｃｒ／Ｃ、Ｗ／Ｃ、Ｎ
ｉ／Ｃ多層膜とすることができる。また、多層膜反射鏡
は、長尺状あるいは複数の短冊状の形状とし、基部に固
定されたものとすることができる。そしてデブリ付着防
止ホルダ内でその基部を移動手段により移動し、通過窓
に表出する多層膜反射鏡の部分を変えられるようにする
ことができる。

【００１０】露光光学系と受光部との間に反射マスクを
設けることができる。これにより受光部に所定パターン
の露光ができる。

【００１１】なお、ターゲットから受光部までの光路距
離が、５０〜５００ｍｍの範囲とするのが好ましい。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の露光装置は、ターゲット
に励起レーザーを照射してレーザープラズマで発生する
ＥＵＶ光を用いて露光させる装置であり、ターゲットと
受光面との間の光路をできる限り短縮して受光部での照
射光量を高めた露光装置である。

【００１３】すなわち、この露光装置は、真空槽と、タ
ーゲットと、励起レーザー光集光光学系と、ピンホール
板と、多層膜反射鏡をもつ露光光学系と、受光部とで構
成される。

【００１４】真空槽は、ターゲット、ピンホール板と、
露光光学系と、受光部とが収納されレーザープラズマの
発生に適した真空度を保持できる構成の容器であればい
ずれも利用できる。

【００１５】真空槽内に配備されるターゲットは、外部
に設けた励起レーザー光集光光学系で照射される位置に
配備されている。このターゲットは通常、レーザープラ
ズマが発生できるものが利用できる。例えば金属の銅、
アルミニウム、錫などが挙げられる。

【００１６】励起レーザー光集光光学系は、レーザー光
を励起させた高エネルギーの励起レーザー光をレンズで
集光し焦点をターゲット表面に合わせて、真空槽のレー
ザー光入射窓から集光照射される。この集光照射により
レーザープラズマが生起されＥＵＶ光が発光する。高エ
ネルギーの励起レーザーとしては、半導体レーザー励起
によるＹＡＧレーザーやエキシマレーザなどが使用でき
る。

【００１７】このレーザープラズマ発生時に、ターゲッ
トで生じたターゲットの分解物がデブリとなって真空槽
内を飛散して周囲の器壁に付着してＥＵＶ光の透過率も
しくは反射率を低下させる。

【００１８】露光光学系は、レーザープラズマ発生時に
得られたＥＵＶ光を通過させるピンホール板と、ピンホ
ール板を通過したＥＵＶ光を、露光用に最適な波長に選
択するため少なくとも１組の多層膜反射鏡とからなる。
多層膜反射鏡はピンホール板を通過したＥＵＶ光を所定
の入射角で受け多層膜反射鏡を透過反射する間に最適波
長に選択して反射によりＥＵＶ光を受光部に送る。ＥＵ
Ｖ光を露光に適した最適波長にするためには少なくとも
１組以上の多層膜反射鏡を、特定の入射角度を保持する
ように配置する。通常ＥＵＶ光のの多層膜反射鏡への入
射角度は４５゜とするのが比較的反射率が高く、光学装
置を簡単にできるため好ましい。

【００１９】多層膜反射鏡は、デブリ付着防止ホルダ内
に収納されている。このデブリ付着防止ホルダはＥＵＶ
光の入射・反射を許す通過窓をもつ。デブリはこの通過
窓からデブリ付着防止ホルダ内の多層反射膜に到達す
る。しかしデブリが付着する部分は通過窓に対向してい
る部分に限られ、その他の部分にはデブリが付着せず、
デブリ付着防止ホルダはデブリが多層膜反射鏡全体に付
着するのを防止する。

【００２０】通過窓に対向する多層膜反射鏡の部分には
デブリが付着して多層反射膜としての機能が低下する。
従って、通過窓に対向する部分は、デブリが付着してＥ
ＵＶ光の最適波長への選択能力が低下する前に、通過窓
に対向する部分を変える。これにより多層膜反射鏡全体
にデブリが付着するまで長く１枚の多層膜反射鏡を使用
できる。

【００２１】デブリ付着防止ホルダはその内部に収納保
持される多層膜反射鏡の通過窓に対向する部分を変更で
きるようにする移動手段を設けることが好ましい。移動
手段としてはデブリ付着防止ホルダの通過窓を有するハ
ウジングとこのハウジング内移動可能に設けられたホル
ダーとこのホルダーを駆動するモーター等で構成でき
る。ホルダーはＸ・Ｙ軸の２軸方向に位置決めできる２
軸直交装置を用いることができる。そして１枚あるいは
２枚以上の多層膜反射鏡をこの２軸直交装置に取り付
け、多層膜反射鏡の所定部分を通過窓に対向位置させる
ことができる。

【００２２】モータとしてはステッピングモータ、ピエ
ゾアクチエータ等を採用できる。

【００２３】この多層膜反射鏡の表面部分の更新は、タ
ーゲットからの距離と方向を特定した時、多層膜反射鏡
面にデブリが付着して多層膜反射鏡の性能低下が認めら
れるまでの時間を予め測定して目安とし、この目安に基
づいてデブリ付着防止ホルダ内部の移動手段を作動させ
て多層膜反射鏡の表面部分を更新するするようにするの
が好ましい。

【００２４】このように多層膜反射鏡をデブリ付着防止
ホルダ中に収納してホルダの通過窓以外はデブリの付着
を防いで、通過窓の多層膜反射鏡の表面部分を適宜更新
することで、デブリの付着で反射率が低下した多層膜反
射鏡を交換するために、真空槽の真空系を解除して多層
膜反射鏡を交換する必要が無くなる。ホルダ内に更新で
きる新しい多層膜反射鏡の表面部分が存在する間は連続
して露光できるため露光工程の効率を高めることができ
る。

【００２５】多層膜反射鏡は、ＥＵＶ光から特定の波長
に選択して透過させるもので、例えばＭｏ／Ｓｉ、Ｍｏ
／Ｃ／Ｓｉ、ＭｏＲｕ／Ｓｉ、ＭｏＢｅ／Ｓｉ、ＭｏＡ
ｇ／Ｓｉ、Ｒｕ／Ｃ、Ｃｒ／Ｃ、Ｗ／Ｃ、Ｎｉ／Ｃが交
互に積層された多層膜が使用できる。この多層膜反射鏡
は、ＥＵＶ光光路に少なくとも１組もしくは、複数組み
設けて所望の波長に選択する。

【００２６】例えば、多層膜反射鏡を２組を、図１に示
した様にＥＵＶ光に対し、それぞれ４５゜の入射角に設
定すると図２に示した連続スペクトルＥＵＶ光が、図３
に示す波長１３nm±１nmの波長に選択された単波長のス
ペクトルにすることができる。

【００２７】受光部は、露光光学系を通過したＥＵＶ光
の光路上に配置したサンプルホルダに取り付けたリソグ
ラフィ用のレジストなどの露光を受ける試料が固定され
る。波長を調整された光量の高いＥＵＶ光を所望の時間
の露光されることで試料にＥＵＶ光の像が形成できる。
この受光部は、露光光学系がデブリ付着防止ホルダで保
護されているので、従来のデブリ付着防止ホルダがない
露光装置に比べてターゲットに接近して配置できる。そ
のためＥＵＶ光の全体の光路距離が短くなり、ＥＵＶ光
の光路の長さに基づく損失を少なくして露光光量を高め
ることが可能となる。また、ＥＵＶ光がサンプルホルダ
に達する前に反射マスクを配置してマスク露光すること
ができる。

【００２８】本発明の露光装置では、露光光学系の多層
膜反射鏡をデブリ付着防止ホルダで被覆保護し、デブリ
の付着を露光光学系の通過窓の多層膜反射鏡の部分のみ
とし、デブリの付着でＥＵＶ光の反射率が著しく低下す
る前に、新しい多層膜反射鏡面に順次更新する構成とし
ている。その結果、露光光学系をデブリの付着などの悪
影響を避けてターゲットの近くに配置することができ、
光源から受光部に到るＥＵＶ光の光路距離を大幅に短縮
でき、受光部でのＥＵＶ光量が高くなり、受光部での露
光時間を大幅に短縮することができる露光装置が得られ
た。

【００２９】

【実施例】以下、本発明の具体例を図に基づいて説明す
る。

【００３０】本発明の露光装置の概略模式図を図１に示
す。この露光装置は、真空槽１と、前記真空槽１内に設
けたターゲット２と、前記真空槽１に設けたレーザー光
入射窓を通過して前記真空槽外部より高エネルギーのレ
ーザー光をターゲットに照射する励起レーザー光集光光
学系３と、レーザー光照射により発光するＥＵＶ光を通
過させるピンホール板４と、前記ピンホール板４を通過
した極紫外光を最適光束の露光用波長に選択する少なく
とも１組みの多層膜反射鏡とからなる露光光学系と、前
記露光光学系５を通過した極紫外光を受ける受光部６と
からなる。

【００３１】ターゲット２は、励起レーザー光の照射に
よりレーザープラズマ発生を発生する銅またはアルミニ
ウムを用いる。ターゲット２を照射する励起レーザー光
集光光学系３は、真空槽１外で形成された励起レーザー
光をレンズで集光し真空槽１の窓を通してターゲット２
に焦点を合わせて照射する。

【００３２】励起レーザー光としては、ＹＡＧレーザー
装置からの２倍の高調波でパルスあたりのエネルギーが
１Ｊ、パルス幅７ナノ秒のレーザービームをレンズを用
いて集光し、ターゲット上でφ２００マイクロメーター
程度に絞ることにより照射強度５×１０¹¹／ｃｍ²とし
た。

【００３３】図２には、上記のレーザー照射条件で銅タ
ーゲットにレーザー照射したときに発生したレーザープ
ラズマからのＥＵＶ光の持つスペクトルを示した。図２
に示したようにＥＵＶ光は連続したスペクトルである。
この連続したスペクトルを持つＥＵＶ光を、露光用の単
波長のＥＵＶ光にするために、ＥＵＶ光に対してそれぞ
れ４５゜入射で設定された２組のＭｏ／Ｓｉ多層膜反射
鏡を通すことにより、図３に示すように波長１３nm±１
nmの波長に選択されたスペクトルを持ち露光に適した波
長のＥＵＶ光とした。

【００３４】ターゲット２に励起レーザー光集光光学系
３で励起レーザーを照射して発生したＥＵＶ光は図１に
示したようにピンホール板４を通過しＥＵＶ光に対し
て、それぞれ４５゜で多層膜反射鏡に入射するように配
置された２つの多層膜反射鏡を持つデブリ付着防止ホル
ダ５が配置されている。

【００３５】多層膜反射鏡はＭｏ／Ｓｉが交互に積層さ
れた多層膜で形成されている。

【００３６】多層膜反射鏡を収納したデブリ付着防止ホ
ルダ５は、図示しないが直方体形状の金属製であり入射
・反射光の通過窓７が開口し、通過窓７には多層膜反射
鏡が保持されている。最初の多層膜反射鏡の通過窓７を
通過したＥＵＶ光は次のデブリ付着防止ホルダの通過窓
７を通過することで、上記の様に波長が調整されて受光
部６に達する。このデブリ付着防止ホルダは、通過窓７
に対向する部分以外の多層膜反射鏡の部分にデブリが付
着するのを防いでいる。窓部の多層膜反射鏡の更新はデ
ブリの付着で性能が低下したと判断された時点で新しい
多層膜反射鏡面を順次更新して、長時間、多層膜反射鏡
の性能を低下させることなく連続運転することが可能と
なる。

【００３７】本実施例では光源となるターゲット２の位
置から受光部６までのＥＵＶ光の光路距離が合計で２０
０mmとし受光部６にレジストを置き、５分間露光した
後、現像して得られ像が図４である。図４の様に数分の
露光でリソグラフィ用レジストの評価が可能であること
が分かる。

【００３８】この露光を従来の光路距離である８００mm
以上にすると、受光部６で同じ露光量を得るには８０分
以上の時間を要した。

【００３９】図５は、ターゲットをアルミニウムもしく
は銅を用い、ターゲットから多層膜反射鏡を持つ露光光
学系を通過する総光路距離を２００mmとして、２００，
０００回レーザー照射したときに、多層膜反射鏡に付着
したデブリの厚さとターゲット法線に対するデブリの飛
来方向の角度依存性を求めた結果である。

【００４０】デブリが飛散する方向との角度を横軸とす
ると、ターゲット法線に対するデブリの飛来方向が６０
度から９０度の間でデブリの付着厚さが薄くなり、アル
ミニウムで３００nm〜３５０nm、銅で２０nm〜３０nmの
厚さであった。また、図６はターゲットがアルミニウム
の時のデブリが１５０nm付着したとき、ターゲットが銅
の時のデブリが２０nm付着した時のＥＵＶ光の透過率を
示したものである。ターゲットが銅の場合でも波長１３
nmのＥＵＶ光に対してデブリの付着厚さが２０nm〜３０
nmの厚さとなると、透過するＥＵＶ光はデブリの付着し
ない透過率の約３０％程度に低下することを示してい
る。

【００４１】そこで露光光学系にＭｏ／Ｓｉ多層膜反射
鏡を使用する場合は、ＥＵＶ光の反射率はデブリの膜を
２回透過するため２乗で低下する。そのため、上記の比
較的デブリの少ない銅をターゲットに使用した場合で
も、ＥＵＶ光の反射率が低下すると、反射光量が大きく
低下してしまう。このため、同一の多層膜反射鏡の表面
部分で２００，０００回以上になると透過率の低下が大
きく、使用できないことが分かる。したがって、多層膜
反射鏡の表面部分は５０，０００〜１００，０００回毎
に照射される表面部分を更新移動させることにより、光
量低下による露光時間が長くなるのを防ぐことができ
る。

【００４２】図７はデブリ付着防止ホルダ５と受光部
６’との間に、反射マスク８を配置して反射パターンの
露光が可能であることを説明した概略図である。この場
合、反射マスクの配置により光路距離は多少長くなる
が、光量を大きく低下させることなく露光することがで
きる。

【００４３】図８は、図７において反射マスク８’と受
光部６’との間に縮小光学系を設けて反射マスクの像を
縮小して受光部に送る場合のした概略図である。この場
合、縮小光学系９の配置により光路距離は多少長くなる
が、光量を低下させることなく露光することができる。

【００４４】

【発明の効果】従来、ＥＵＶ光用多層膜反射鏡等のＥＵ
Ｖ光用光学系は高価であるため、レーザープラズマで発
生飛散するデブリの付着を避けるため光源よりできるだ
け離すことが考えられている。そのため、露光光学系を
光源から離すと、光源物と露光部間の距離が長くなり、
光量が弱くなり単位面積当たり、単位時間当たりの露光
量が少なくなる。

【００４５】本発明の露光装置では、デブリで汚染され
る表面部分を最小面積に限定し、デブリの付着していな
い表面部分に更新できるようにしたため、デブリの付着
が多くとも１枚の多層膜反射鏡を長時間に亘って使用で
きる。また、光源のターゲットに対して露光光学系を接
近して配置できるため、ＥＵＶ光をその光量が大きく低
下する前に受光部に送れる。即ち、光源から露光サンプ
ルとの間の距離を最短にして露光量を大幅に増やすこと
ができる。

【００４６】その結果、コスト、人件費などの削減が可
能となり、大量露光ができ効率の高い露光光源となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施例のＥＵＶ露光装置の要部の概略を示す
模式図である。

【図２】銅ターゲットにレーザー照射したときに発生し
た銅のプラズマからのＥＵＶスペクトルである。

【図３】図２のＥＵＶを多層膜反射鏡を透過させて波長
選択を行った時のスペクトルである。

【図４】本実施例の装置で、露光部にレジストを置き、
５分間露光した後、現像して得られた像である。

【図５】光源から飛散してくるデブリのターゲットの法
線に対する角度の依存性を示すグラフである。

【図６】銅およびアルミニウムのターゲットから飛散し
たデブリが多層膜反射鏡に堆積した時の厚みＥＵＶ光波
長の透過率を示すグラフである。

【図７】露光光学系と受光部との間に反射マスクを配置
した場合の模式図である。

【図８】反射マスクと受光部との間に縮小露光系を配置
した場合の模式図である。

【符号の説明】

１．真空槽 ２．ターゲット ３．励起レーザー光
集光光学系 ４．ピンホール板 ５．デブリ付着防止ホルダ
６、６’．受光部ホルダ ７．デブリ付着防止ホルダ
の入射・反射光窓 ８．８’反射マスク ９．縮小光学系

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ２１Ｋ 5/02 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１Ａ ５１７ (72)発明者 東 博純 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 竹内 昭博 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 西村 靖彦 愛知県豊田市トヨタ町２番地 株式会社ト ヨタマックス内 (72)発明者 坂田 篤 愛知県豊田市トヨタ町２番地 株式会社ト ヨタマックス内 (72)発明者 永谷 竜男 愛知県豊田市トヨタ町２番地 株式会社ト ヨタマックス内 (72)発明者 門井 幹夫 埼玉県川口市並木２−６−６−201 リソ テックジャパン株式会社内 (72)発明者 南 洋一 埼玉県川口市並木２−６−６−201 リソ テックジャパン株式会社内 (72)発明者 関口 淳 埼玉県川口市並木２−６−６−201 リソ テックジャパン株式会社内 (72)発明者 松澤 敏晴 埼玉県川口市並木２−６−６−201 リソ テックジャパン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H097 AA02 BA04 CA15 LA10 5F046 GA07 GB01 GB07 GB09 GC03 GD10

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】真空槽と、前記真空槽内に設けたターゲッ
   トと、前記真空槽に設けたレーザー光入射窓を通過して
   前記真空槽外部より高エネルギーのレーザー光をターゲ
   ットに照射する励起レーザー光集光光学系と、レーザー
   光照射により発光する極紫外光を通過させるピンホール
   板と、前記ピンホール板を通過した極紫外光を最適光束
   の露光用波長に選択する少なくとも１組の多層膜反射鏡
   とからなる露光光学系と、前記露光光学系を通過した極
   紫外光を受ける受光部とで構成され、 前記多層膜反射鏡を収納し、前記極紫外光の入射と反射
   を許す通過窓を持つデブリ付着防止ホルダを有すること
   を特徴とする極紫外光露光装置。
2. 【請求項２】前記多層膜反射鏡は、Ｍｏ／Ｓｉ、Ｍｏ／
   Ｃ／Ｓｉ、ＭｏＲｕ／Ｓｉ、ＭｏＢｅ／Ｓｉ、ＭｏＡｇ
   ／Ｓｉ、Ｒｕ／Ｃ、Ｃｒ／Ｃ、Ｗ／Ｃ、Ｎｉ／Ｃ多層膜
   である請求項１に記載の極紫外光露光装置。
3. 【請求項３】前記デブリ付着防止ホルダは、前記多層膜
   反射鏡が受ける前記極紫外光の入射位置を変える移動手
   段を持つ請求項１に記載の極紫外光露光装置。
4. 【請求項４】前記多層膜反射鏡は、長尺状あるいは複数
   の短冊状で基部に固定されている請求項３に記載の極紫
   外光露光装置。
5. 【請求項５】前記露光光学系と前記受光部との間に反射
   マスクを設けた請求項１に記載の極紫外光露光装置。
6. 【請求項６】前記ターゲットから前記受光部までの光路
   距離が、５０〜５００ｍｍである請求項１に記載の極紫
   外光露光装置。