KR940027637A - 플라즈마 유도 x-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법 및 소자 - Google Patents

플라즈마 유도 x-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법 및 소자 Download PDF

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Abstract

링 필터 X선 패턴 전사를 일으키는 서브 미크론 소자는 면 콜렉터 렌즈를 포함하는 콘덴서를 이용하여 제조된다. 상기 콜렉터 렌즈는 레이저-펌핑된 플라즈마 광원의 축에 대해 대칭적으로 위치된 쌍의 면을 구성하고 있다. 쌍의 각각의 부재가 전체 일루미네이션 필드의 이미지를 생성하게 되어 일루미네이션 강도의 비균질성이 특수 쌍에 의해 생성된 각 복합 이미지에서 보상된다.

Description

플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법 및 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 펌프 및 포커싱 수단을 가진 플라즈마 X-선 광원 도시도, 제 2 도는 카메라 동공으로 전달하기 위해 마스크상에서 플라즈마 방사를 수집하고 링 필드 아크를 일루미네이션하는 기술 수준의 콘덴서 도시도, 제 3 도 및 제 4 도는 상기 링 필드의 반경과 원주 측면에 대한 이미징을 도시하는 본 발명의 콘덴서 광학의 정면도 및 평면도, 제 5 도는 일루미네이션 필드를 형성하기 위한 프로세싱 미러의 상세도.

Claims (153)

  1. 최소 디멘죤≤0.025μm에 대한 최소한 하나의 소자와. 다수의 연속 레벨 구성과, 석판술 전사를 일으키는 각각의 레벨 및, 소프트 X선 스팩트럼에서 레이저-발생된 플라즈마로 부터 유도되는 방사의 이용으로 링 필드 투영 석판술 전사를 일으키는 상기 각 레벨중 최소한 하나의 레벨을 포함하고, 이에 따라 서브젝트 마스크 패턴이 이미지 평면에 이미지되어 결국 전사된 영역에서 물질을 제거 혹은 추가하는 결과로 되는, 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법에 있어서, 상기 플라즈마로부터의 방출이 최소한 4쌍의 미러 면을 포함하는 콜렉터 렌즈에 의해 집결되는 경우에, 각 쌍의 부재가 광원의 축에 대해 대칭적으로 배치되고, 쌍의 부재는 전체 일루미네이션 필드의 보상 이미지를 개별적으로 생성하며 이에 따라서, 쌍의 부재는 한결같이 일루미네이션되고 보상된 필드를 함께 생성하며, 전체 일루미네이션 필드는 모든 면-생성된 이미지 필드의 합인 강도(intensity)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈는 최소한 하나의 프로세싱 렌즈를 포함하는 콘덴서의 제1렌즈인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 콘덴서가 면으로 된 제 1 프로세싱 렌즈를 포함하는 경우에, 상기 제 1 프로세싱 렌즈의 면의 수는 상기 콜렉터 렌즈의 면의 수와 동일하고, 콜렉터 렌즈 면에 의해 생성된 이미지는 상기 제1프로세싱 렌즈의 각 전용면에 입사하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 하나의 프로세싱 렌즈는 링 필드 투영을 요하는 아크 모양의 형태가 되게 일루미네이션 필드의 모양에 기여하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  5. 제 2 항에 있어서. 상기 콘덴서가 상기 플라즈마 방출된 入=100Å-200Å 의 방사 스팩트럼을 감소시키는 필터 수단을 포함하는 경우에 상기 수단이 필히 MLR 콘덴서 렌즈를 구성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 MLR 콘덴서 렌즈는 콜렉터 렌즈인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서. 링 필드 석판술 전사는 서브젝트 : 이미지 사이즈 감소를 일으키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 콘덴서는 상기 콜렉터 렌즈 및 상기 마스크를 조정하는 최소한 2개의 프로세싱 렌즈를 포함하며, 상기 프로세싱 렌즈는 상기 링 필드 일루미네이션 필드를 지향하고 형성하는 기능을 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용 하는 서브미크론 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈의 최소한 한쌍의 부재 단면은 곡면인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 곡면 부재 단면은 타원체인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 곡면 부재 단면은 로페즈(Lopez) 곡률인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  12. 제 1 항에 있어서, 쌍면 타이어(tier)는 2개의 부재로 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  13. 제 2 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈로부터의 일루미네이션이 2개의 분리된 이미지의 시리즈를 형성하도록 쌍의 부재가 경사진 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 카메라 동공에 입사하는 일루미네이션이 4극자(quadrupole)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  15. 제 2 항에 있어서, 상기 큰덴서는 상기 방사를 일부 블록하는데 충분한 조정 능력의 조정가능한 실제 구경을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 조정가능한 실제 구경이 제1프로세싱 렌즈의 바로 다음에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  17. 제 1 항 내지 16 항중 어느 한 항에 의해서 생성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 소자.
  18. 제 1 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈는 최소한 하나의 프로세싱 렌즈를 포함하는 콘덴서의 제1렌즈인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  19. 제 2 항에 있어서, 상기 콘덴서가 면으로 된 제 1 프로세싱 렌즈를 포함하는 경우에, 상기 제 1 프로세싱 렌즈의 면의 수는 상기 콜렉터 렌즈의 면의 수와 동일하고, 콜렉터 렌즈 면에 의해 생성된 이미지는 상기 제1프로세싱 렌즈의 각 전용면에 입사하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  20. 제 2 항에 있어서, 상기 하나의 프로세싱 렌즈는 링 필드 투영을 요하는 아크 모양의 형태가 되게 일루미네이션 필드의 모양에 기여하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  21. 제 2 항에 있어서. 상기 콘덴서가 상기 플라즈마 방출된 入=100Å-200Å 의 방사 스팩트럼을 감소시키는 필터 수단을 포함하는 경우에 상기 수단이 필히 MLR 콘덴서 렌즈를 구성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  22. 제 5 항에 있어서, 상기 MLR 콘덴서 렌즈는 콜렉터 렌즈인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  23. 제 1 항에 있어서. 링 필드 석판술 전사는 서브젝트 : 이미지 사이즈 감소를 일으키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  24. 제 7 항에 있어서, 상기 콘덴서는 상기 콜렉터 렌즈 및 상기 마스크를 조정하는 최소한 2개의 프로세싱 렌즈를 포함하며, 상기 프로세싱 렌즈는 상기 링 필드 일루미네이션 필드를 지향하고 형성하는 기능을 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용 하는 서브미크론 제조 방법.
  25. 제 8 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈의 최소한 한쌍의 부재 단면은 곡면인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  26. 제 9 항에 있어서, 상기 곡면 부재 단면은 타원체인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  27. 제 10 항에 있어서, 상기 곡면 부재 단면은 로페즈(Lopez) 곡률인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  28. 제 1 항에 있어서, 쌍면 타이어(tier)는 2개의 부재로 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  29. 제 2 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈로부터의 일루미네이션이 2개의 분리된 이미지의 시리즈를 형성하도록 쌍의 부재가 경사진 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  30. 제 13 항에 있어서, 상기 카메라 동공에 입사하는 일루미네이션이 4극자(quadrupole)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  31. 제 2 항에 있어서, 상기 큰덴서는 상기 방사를 일부 블록하는데 충분한 조정 능력의 조정가능한 실제 구경을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  32. 제 15 항에 있어서, 조정가능한 실제 구경이 제1프로세싱 렌즈의 바로 다음에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  33. 제 1 항 내지 16 항중 어느 한 항에 의해서 생성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 소자.
  34. 제 2 항에 있어서, 상기 콘덴서가 면으로 된 제 1 프로세싱 렌즈를 포함하는 경우에, 상기 제 1 프로세싱 렌즈의 면의 수는 상기 콜렉터 렌즈의 면의 수와 동일하고, 콜렉터 렌즈 면에 의해 생성된 이미지는 상기 제1프로세싱 렌즈의 각 전용면에 입사하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  35. 제 2 항에 있어서, 상기 하나의 프로세싱 렌즈는 링 필드 투영을 요하는 아크 모양의 형태가 되게 일루미네이션 필드의 모양에 기여하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  36. 제 2 항에 있어서. 상기 콘덴서가 상기 플라즈마 방출된 入=100Å-200Å 의 방사 스팩트럼을 감소시키는 필터 수단을 포함하는 경우에 상기 수단이 필히 MLR 콘덴서 렌즈를 구성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  37. 제 5 항에 있어서, 상기 MLR 콘덴서 렌즈는 콜렉터 렌즈인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  38. 제 1 항에 있어서. 링 필드 석판술 전사는 서브젝트 : 이미지 사이즈 감소를 일으키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  39. 제 7 항에 있어서, 상기 콘덴서는 상기 콜렉터 렌즈 및 상기 마스크를 조정하는 최소한 2개의 프로세싱 렌즈를 포함하며, 상기 프로세싱 렌즈는 상기 링 필드 일루미네이션 필드를 지향하고 형성하는 기능을 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용 하는 서브미크론 제조 방법.
  40. 제 8 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈의 최소한 한쌍의 부재 단면은 곡면인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  41. 제 9 항에 있어서, 상기 곡면 부재 단면은 타원체인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  42. 제 10 항에 있어서, 상기 곡면 부재 단면은 로페즈(Lopez) 곡률인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  43. 제 1 항에 있어서, 쌍면 타이어(tier)는 2개의 부재로 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  44. 제 2 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈로부터의 일루미네이션이 2개의 분리된 이미지의 시리즈를 형성하도록 쌍의 부재가 경사진 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  45. 제 13 항에 있어서, 상기 카메라 동공에 입사하는 일루미네이션이 4극자(quadrupole)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  46. 제 2 항에 있어서, 상기 큰덴서는 상기 방사를 일부 블록하는데 충분한 조정 능력의 조정가능한 실제 구경을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  47. 제 15 항에 있어서, 조정가능한 실제 구경이 제1프로세싱 렌즈의 바로 다음에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  48. 제 1 항 내지 16 항중 어느 한 항에 의해서 생성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 소자.
  49. 제 2 항에 있어서, 상기 하나의 프로세싱 렌즈는 링 필드 투영을 요하는 아크 모양의 형태가 되게 일루미네이션 필드의 모양에 기여하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  50. 제 2 항에 있어서. 상기 콘덴서가 상기 플라즈마 방출된 入=100Å-200Å 의 방사 스팩트럼을 감소시키는 필터 수단을 포함하는 경우에 상기 수단이 필히 MLR 콘덴서 렌즈를 구성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  51. 제 5 항에 있어서, 상기 MLR 콘덴서 렌즈는 콜렉터 렌즈인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  52. 제 1 항에 있어서. 링 필드 석판술 전사는 서브젝트 : 이미지 사이즈 감소를 일으키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  53. 제 7 항에 있어서, 상기 콘덴서는 상기 콜렉터 렌즈 및 상기 마스크를 조정하는 최소한 2개의 프로세싱 렌즈를 포함하며, 상기 프로세싱 렌즈는 상기 링 필드 일루미네이션 필드를 지향하고 형성하는 기능을 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용 하는 서브미크론 제조 방법.
  54. 제 8 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈의 최소한 한쌍의 부재 단면은 곡면인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  55. 제 9 항에 있어서, 상기 곡면 부재 단면은 타원체인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  56. 제 10 항에 있어서, 상기 곡면 부재 단면은 로페즈(Lopez) 곡률인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  57. 제 1 항에 있어서, 쌍면 타이어(tier)는 2개의 부재로 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  58. 제 2 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈로부터의 일루미네이션이 2개의 분리된 이미지의 시리즈를 형성하도록 쌍의 부재가 경사진 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  59. 제 13 항에 있어서, 상기 카메라 동공에 입사하는 일루미네이션이 4극자(quadrupole)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  60. 제 2 항에 있어서, 상기 큰덴서는 상기 방사를 일부 블록하는데 충분한 조정 능력의 조정가능한 실제 구경을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  61. 제 15 항에 있어서, 조정가능한 실제 구경이 제1프로세싱 렌즈의 바로 다음에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  62. 제 1 항 내지 16 항중 어느 한 항에 의해서 생성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 소자.
  63. 제 2 항에 있어서. 상기 콘덴서가 상기 플라즈마 방출된 入=100Å-200Å 의 방사 스팩트럼을 감소시키는 필터 수단을 포함하는 경우에 상기 수단이 필히 MLR 콘덴서 렌즈를 구성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  64. 제 5 항에 있어서, 상기 MLR 콘덴서 렌즈는 콜렉터 렌즈인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  65. 제 1 항에 있어서. 링 필드 석판술 전사는 서브젝트 : 이미지 사이즈 감소를 일으키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  66. 제 7 항에 있어서, 상기 콘덴서는 상기 콜렉터 렌즈 및 상기 마스크를 조정하는 최소한 2개의 프로세싱 렌즈를 포함하며, 상기 프로세싱 렌즈는 상기 링 필드 일루미네이션 필드를 지향하고 형성하는 기능을 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용 하는 서브미크론 제조 방법.
  67. 제 8 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈의 최소한 한쌍의 부재 단면은 곡면인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  68. 제 9 항에 있어서, 상기 곡면 부재 단면은 타원체인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  69. 제 10 항에 있어서, 상기 곡면 부재 단면은 로페즈(Lopez) 곡률인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  70. 제 1 항에 있어서, 쌍면 타이어(tier)는 2개의 부재로 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  71. 제 2 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈로부터의 일루미네이션이 2개의 분리된 이미지의 시리즈를 형성하도록 쌍의 부재가 경사진 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  72. 제 13 항에 있어서, 상기 카메라 동공에 입사하는 일루미네이션이 4극자(quadrupole)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  73. 제 2 항에 있어서, 상기 큰덴서는 상기 방사를 일부 블록하는데 충분한 조정 능력의 조정가능한 실제 구경을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  74. 제 15 항에 있어서, 조정가능한 실제 구경이 제1프로세싱 렌즈의 바로 다음에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  75. 제 1 항 내지 16 항중 어느 한 항에 의해서 생성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 소자.
  76. 제 5 항에 있어서, 상기 MLR 콘덴서 렌즈는 콜렉터 렌즈인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  77. 제 1 항에 있어서. 링 필드 석판술 전사는 서브젝트 : 이미지 사이즈 감소를 일으키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  78. 제 7 항에 있어서, 상기 콘덴서는 상기 콜렉터 렌즈 및 상기 마스크를 조정하는 최소한 2개의 프로세싱 렌즈를 포함하며, 상기 프로세싱 렌즈는 상기 링 필드 일루미네이션 필드를 지향하고 형성하는 기능을 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용 하는 서브미크론 제조 방법.
  79. 제 8 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈의 최소한 한쌍의 부재 단면은 곡면인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  80. 제 9 항에 있어서, 상기 곡면 부재 단면은 타원체인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  81. 제 10 항에 있어서, 상기 곡면 부재 단면은 로페즈(Lopez) 곡률인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  82. 제 1 항에 있어서, 쌍면 타이어(tier)는 2개의 부재로 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  83. 제 2 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈로부터의 일루미네이션이 2개의 분리된 이미지의 시리즈를 형성하도록 쌍의 부재가 경사진 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  84. 제 13 항에 있어서, 상기 카메라 동공에 입사하는 일루미네이션이 4극자(quadrupole)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  85. 제 2 항에 있어서, 상기 큰덴서는 상기 방사를 일부 블록하는데 충분한 조정 능력의 조정가능한 실제 구경을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  86. 제 15 항에 있어서, 조정가능한 실제 구경이 제1프로세싱 렌즈의 바로 다음에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  87. 제 1 항 내지 16 항중 어느 한 항에 의해서 생성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 소자.
  88. 제 1 항에 있어서. 링 필드 석판술 전사는 서브젝트 : 이미지 사이즈 감소를 일으키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  89. 제 7 항에 있어서, 상기 콘덴서는 상기 콜렉터 렌즈 및 상기 마스크를 조정하는 최소한 2개의 프로세싱 렌즈를 포함하며, 상기 프로세싱 렌즈는 상기 링 필드 일루미네이션 필드를 지향하고 형성하는 기능을 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용 하는 서브미크론 제조 방법.
  90. 제 8 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈의 최소한 한쌍의 부재 단면은 곡면인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  91. 제 9 항에 있어서, 상기 곡면 부재 단면은 타원체인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  92. 제 10 항에 있어서, 상기 곡면 부재 단면은 로페즈(Lopez) 곡률인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  93. 제 1 항에 있어서, 쌍면 타이어(tier)는 2개의 부재로 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  94. 제 2 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈로부터의 일루미네이션이 2개의 분리된 이미지의 시리즈를 형성하도록 쌍의 부재가 경사진 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  95. 제 13 항에 있어서, 상기 카메라 동공에 입사하는 일루미네이션이 4극자(quadrupole)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  96. 제 2 항에 있어서, 상기 큰덴서는 상기 방사를 일부 블록하는데 충분한 조정 능력의 조정가능한 실제 구경을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  97. 제 15 항에 있어서, 조정가능한 실제 구경이 제1프로세싱 렌즈의 바로 다음에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  98. 제 1 항 내지 16 항중 어느 한 항에 의해서 생성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 소자.
  99. 제 7 항에 있어서, 상기 콘덴서는 상기 콜렉터 렌즈 및 상기 마스크를 조정하는 최소한 2개의 프로세싱 렌즈를 포함하며, 상기 프로세싱 렌즈는 상기 링 필드 일루미네이션 필드를 지향하고 형성하는 기능을 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용 하는 서브미크론 제조 방법.
  100. 제 8 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈의 최소한 한쌍의 부재 단면은 곡면인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  101. 제 9 항에 있어서, 상기 곡면 부재 단면은 타원체인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  102. 제 10 항에 있어서, 상기 곡면 부재 단면은 로페즈(Lopez) 곡률인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  103. 제 1 항에 있어서, 쌍면 타이어(tier)는 2개의 부재로 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  104. 제 2 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈로부터의 일루미네이션이 2개의 분리된 이미지의 시리즈를 형성하도록 쌍의 부재가 경사진 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  105. 제 13 항에 있어서, 상기 카메라 동공에 입사하는 일루미네이션이 4극자(quadrupole)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  106. 제 2 항에 있어서, 상기 큰덴서는 상기 방사를 일부 블록하는데 충분한 조정 능력의 조정가능한 실제 구경을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  107. 제 15 항에 있어서, 조정가능한 실제 구경이 제1프로세싱 렌즈의 바로 다음에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  108. 제 1 항 내지 16 항중 어느 한 항에 의해서 생성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 소자.
  109. 제 8 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈의 최소한 한쌍의 부재 단면은 곡면인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  110. 제 9 항에 있어서, 상기 곡면 부재 단면은 타원체인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  111. 제 10 항에 있어서, 상기 곡면 부재 단면은 로페즈(Lopez) 곡률인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  112. 제 1 항에 있어서, 쌍면 타이어(tier)는 2개의 부재로 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  113. 제 2 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈로부터의 일루미네이션이 2개의 분리된 이미지의 시리즈를 형성하도록 쌍의 부재가 경사진 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  114. 제 13 항에 있어서, 상기 카메라 동공에 입사하는 일루미네이션이 4극자(quadrupole)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  115. 제 2 항에 있어서, 상기 큰덴서는 상기 방사를 일부 블록하는데 충분한 조정 능력의 조정가능한 실제 구경을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  116. 제 15 항에 있어서, 조정가능한 실제 구경이 제1프로세싱 렌즈의 바로 다음에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  117. 제 1 항 내지 16 항중 어느 한 항에 의해서 생성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 소자.
  118. 제 9 항에 있어서, 상기 곡면 부재 단면은 타원체인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  119. 제 10 항에 있어서, 상기 곡면 부재 단면은 로페즈(Lopez) 곡률인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  120. 제 1 항에 있어서, 쌍면 타이어(tier)는 2개의 부재로 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  121. 제 2 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈로부터의 일루미네이션이 2개의 분리된 이미지의 시리즈를 형성하도록 쌍의 부재가 경사진 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  122. 제 13 항에 있어서, 상기 카메라 동공에 입사하는 일루미네이션이 4극자(quadrupole)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  123. 제 2 항에 있어서, 상기 큰덴서는 상기 방사를 일부 블록하는데 충분한 조정 능력의 조정가능한 실제 구경을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
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  135. 제 13 항에 있어서, 상기 카메라 동공에 입사하는 일루미네이션이 4극자(quadrupole)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  136. 제 2 항에 있어서, 상기 큰덴서는 상기 방사를 일부 블록하는데 충분한 조정 능력의 조정가능한 실제 구경을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  137. 제 15 항에 있어서, 조정가능한 실제 구경이 제1프로세싱 렌즈의 바로 다음에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  138. 제 1 항 내지 16 항중 어느 한 항에 의해서 생성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 소자.
  139. 제 2 항에 있어서, 상기 콜렉터 렌즈로부터의 일루미네이션이 2개의 분리된 이미지의 시리즈를 형성하도록 쌍의 부재가 경사진 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  140. 제 13 항에 있어서, 상기 카메라 동공에 입사하는 일루미네이션이 4극자(quadrupole)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  141. 제 2 항에 있어서, 상기 큰덴서는 상기 방사를 일부 블록하는데 충분한 조정 능력의 조정가능한 실제 구경을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
  142. 제 15 항에 있어서, 조정가능한 실제 구경이 제1프로세싱 렌즈의 바로 다음에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
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  148. 제 2 항에 있어서, 상기 큰덴서는 상기 방사를 일부 블록하는데 충분한 조정 능력의 조정가능한 실제 구경을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 유도 X-선 패턴 전사를 이용하는 서브미크론 제조 방법.
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