JPS60145620A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS60145620A JPS60145620A JP59002250A JP225084A JPS60145620A JP S60145620 A JPS60145620 A JP S60145620A JP 59002250 A JP59002250 A JP 59002250A JP 225084 A JP225084 A JP 225084A JP S60145620 A JPS60145620 A JP S60145620A
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- JP
- Japan
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- light
- pattern
- projected
- wafer
- substrate
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70408—Interferometric lithography; Holographic lithography; Self-imaging lithography, e.g. utilizing the Talbot effect
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、微細パターンを持つ装置時Ｖこ１ミクロンも
しくはそれ以下のサブミクロンのルール持つ半導体装置
等のパターン形成力法を与えるものである。
しくはそれ以下のサブミクロンのルール持つ半導体装置
等のパターン形成力法を与えるものである。
従来例の構成とその問題点
半導体装置は近年ます１す高密度化され、半導体素子寸
法はザブミクロンに至ろうとしている。
法はザブミクロンに至ろうとしている。
この微細なパターンを形成するには、従来の紫外線ＶＣ
よる露光はすでに限界と考えられており、最近では、遠
紫外線、Ｘ線、電子ビーム、イオンビーム等の露光装置
が脚光をあびている。しかし、上記のような露光装置で
は装置が高価であるうえに、特に微細な露光（ｒＣ有効
と考えられているＸ線。
よる露光はすでに限界と考えられており、最近では、遠
紫外線、Ｘ線、電子ビーム、イオンビーム等の露光装置
が脚光をあびている。しかし、上記のような露光装置で
は装置が高価であるうえに、特に微細な露光（ｒＣ有効
と考えられているＸ線。
電子ビーム、イオンビームによる露光装置では、ビーム
強度が低く露光時間が長いため、量産される半導体装置
の製造に応用するのは困難であった。
強度が低く露光時間が長いため、量産される半導体装置
の製造に応用するのは困難であった。
従来一般に紫外線による写真蝕刻法が用いられてきたが
、光の回折や干渉などによってその分解能は１μｍ程度
であり、ザブミクロンの線巾を実現することはできない
。理論的な線巾は、ただし、λ：光の波長、ｉｉ、Ａ：
ニューメリカルアパーチャ、ｍ：縮小投影率 として表
わせる。
、光の回折や干渉などによってその分解能は１μｍ程度
であり、ザブミクロンの線巾を実現することはできない
。理論的な線巾は、ただし、λ：光の波長、ｉｉ、Ａ：
ニューメリカルアパーチャ、ｍ：縮小投影率 として表
わせる。
密着露光の場合には、ｍ＝ １、Ｎ、Ａ＝Ｃ）、２８、
λ＝４３５．６ｎｍとすると、１．８μｍの線中程度し
か分解できないこととなる。
λ＝４３５．６ｎｍとすると、１．８μｍの線中程度し
か分解できないこととなる。
縮小投影露光の場合には、ニューメリカルアパーチャＮ
、Ａを大きくでき、Ｎ、八＝０．３２！ 、ｍ＝１０、
λ二４３５．６ｎｍとすると、約０．９μｍの線１１］
を分解するのが限度である。
、Ａを大きくでき、Ｎ、八＝０．３２！ 、ｍ＝１０、
λ二４３５．６ｎｍとすると、約０．９μｍの線１１］
を分解するのが限度である。
発明の目的
本発明は、このような従来例の問題点に鑑み、光露光に
より、サブミクロンの微細素子寸法をもつ半導体集積回
路装置を形成する際のパターン形成方法を提供すること
を目的としている。
より、サブミクロンの微細素子寸法をもつ半導体集積回
路装置を形成する際のパターン形成方法を提供すること
を目的としている。
発明の構成
本発明は、縮小投影露光によって得られる線１１」の半
分以下の線巾を、縮小投影で図形化した第１の投影像と
これに可干渉外箱２の光との干渉ノくターンによって得
るものである。
分以下の線巾を、縮小投影で図形化した第１の投影像と
これに可干渉外箱２の光との干渉ノくターンによって得
るものである。
実施例の説明
第１図ａは本発明による実施例の斜視図であり、第１図
すは第１図ａの局部拡大図である。レチクル１には図形
が形成されており、この図形がコヒーレント光６によっ
て投影され、レンズ系２によって縮小投影され、ウェハ
３上に図形の像が得られる。コヒーレント光６と同じ光
源から発した第２のコヒーレント光７がレチクル１を通
過せずに別系統で導ひかれ、ミラー４やレンズ５等の光
学系を通してウェハ３上に投影される。第１図すにウェ
ハ近傍の様子を示した。ウェハ３上に投影されたコヒー
レント光６及び７は、ウェハ３前面に濃淡の干渉縞パタ
ーン８を形成し、ウェハ３前面に塗布されている感光膜
（フォトレジスト）を感光する。レチクル１を通過して
投影されるコヒーレント光６は一部がレチクル１によっ
てしゃ断されるため、コヒーレンｉ・光６と７とによっ
て生じる干渉縞パターンは一部分のみが得られる。
すは第１図ａの局部拡大図である。レチクル１には図形
が形成されており、この図形がコヒーレント光６によっ
て投影され、レンズ系２によって縮小投影され、ウェハ
３上に図形の像が得られる。コヒーレント光６と同じ光
源から発した第２のコヒーレント光７がレチクル１を通
過せずに別系統で導ひかれ、ミラー４やレンズ５等の光
学系を通してウェハ３上に投影される。第１図すにウェ
ハ近傍の様子を示した。ウェハ３上に投影されたコヒー
レント光６及び７は、ウェハ３前面に濃淡の干渉縞パタ
ーン８を形成し、ウェハ３前面に塗布されている感光膜
（フォトレジスト）を感光する。レチクル１を通過して
投影されるコヒーレント光６は一部がレチクル１によっ
てしゃ断されるため、コヒーレンｉ・光６と７とによっ
て生じる干渉縞パターンは一部分のみが得られる。
第２図は、本発明による他の実施例である。第１図との
間の相異点は、第１図においては、縮小投影レンズ系２
を出だ光はウエノ・上に投影されたが、第２図の場合に
は、レチクル１１．縮小投影レンズ１２を出た光は−た
ん平行光に変換されだ後コヒーレント光１６と同じ光源
から発した第２のコヒーレント光１７とウェハ１３上で
干渉させる。この場合、レンズ１６から出だ光は平面波
となっており、第２のコヒーレント光１７を平面波とす
るとウェハ全面にわたって干渉させやすい。
間の相異点は、第１図においては、縮小投影レンズ系２
を出だ光はウエノ・上に投影されたが、第２図の場合に
は、レチクル１１．縮小投影レンズ１２を出た光は−た
ん平行光に変換されだ後コヒーレント光１６と同じ光源
から発した第２のコヒーレント光１７とウェハ１３上で
干渉させる。この場合、レンズ１６から出だ光は平面波
となっており、第２のコヒーレント光１７を平面波とす
るとウェハ全面にわたって干渉させやすい。
第１図すの場合のようにコヒーレント光６が拡散光であ
る場合は、これと干渉させる光も拡散光７とする必要が
あり、この場合は干渉を全域に均一に行なうことが難し
い。
る場合は、これと干渉させる光も拡散光７とする必要が
あり、この場合は干渉を全域に均一に行なうことが難し
い。
また、第２図のように平面波に変換する際のレンズの焦
点キョリｆ１ とｆ２の比によって縮小比が設定される
。
点キョリｆ１ とｆ２の比によって縮小比が設定される
。
第３図は、レチクルによって図形化されたコヒーレント
光１６と、第２のコヒーレント光１７がウェハ１３上に
投影されたときの様子を示した。
光１６と、第２のコヒーレント光１７がウェハ１３上に
投影されたときの様子を示した。
投影サレるコヒーレント光１６の巾ヲコヒーレント光１
６及び１７で得られる干渉縞のピッチと等しくして干渉
する際の干渉縞の暗部を位置合わせによシ、光暗部が従
来露光法によるパターンｒｉｒの中心に来るようにする
。第３図すに示したように、コヒーレント光１６と１７
の強度を等しくすると、感光量はパターンの中心部で暗
く周辺部で明るく、かつ、パターン以外では感光量は棒
となる。第３図すに示すように現像レベルを感光量が捧
であるレベル以下に設定すると、残るパターンは第３図
Ｃに示しだような一本の線を得ることができる。
６及び１７で得られる干渉縞のピッチと等しくして干渉
する際の干渉縞の暗部を位置合わせによシ、光暗部が従
来露光法によるパターンｒｉｒの中心に来るようにする
。第３図すに示したように、コヒーレント光１６と１７
の強度を等しくすると、感光量はパターンの中心部で暗
く周辺部で明るく、かつ、パターン以外では感光量は棒
となる。第３図すに示すように現像レベルを感光量が捧
であるレベル以下に設定すると、残るパターンは第３図
Ｃに示しだような一本の線を得ることができる。
第３図すでは、現像レベルが低くクリティカルであるの
で、感光量曲線１８にオーバラップさせて感光量曲線１
９のような第２の露光を行なうと、全体の感光量曲線２
ｏの感光量となり現像レベルを感光量■の所に設定でき
る。レジストパターンは、第４図すで示したようにパタ
ーン線ｌ］の変動の少ない部分に合わせることができる
。
で、感光量曲線１８にオーバラップさせて感光量曲線１
９のような第２の露光を行なうと、全体の感光量曲線２
ｏの感光量となり現像レベルを感光量■の所に設定でき
る。レジストパターンは、第４図すで示したようにパタ
ーン線ｌ］の変動の少ない部分に合わせることができる
。
以上の説明では、図形化されたコヒーレント光１６と干
渉縞のピッチを等しくして、現像後得られるパターン線
ｒｌ＞ Ｔを干渉縞のピッチのμ〜μに微細化していた
。第５図においては、図形化されたコヒーレント光の巾
りを干渉縞のピッチＰに対して１．５倍とし、最小線［
１］Ｔをｒｌ］Ｌに対して％〜見程度とすることができ
る。
渉縞のピッチを等しくして、現像後得られるパターン線
ｒｌ＞ Ｔを干渉縞のピッチのμ〜μに微細化していた
。第５図においては、図形化されたコヒーレント光の巾
りを干渉縞のピッチＰに対して１．５倍とし、最小線［
１］Ｔをｒｌ］Ｌに対して％〜見程度とすることができ
る。
コヒーレント光の巾りを干渉縞のピッチＰに対して１．
５倍とし、捷／こ、干渉縞の暗い部分が１１」Ｌの中心
に来るように配置する。最小線ｒｌＪＴを残すだめの現
像レベルを感光量１８の周辺部分より低くすると線巾Ｔ
が残り、丑だ、線ｒｉｌＬの外側部分も残ることになる
。線巾りの外側部分を曲線１９のように第２番目の露光
を行ない、その後に現像を行なうと周辺部分も全て現像
されてし１う。残るレジストは第５図すのように線１ｔ
Ｊ Ｔの部分が残ることになる。
５倍とし、捷／こ、干渉縞の暗い部分が１１」Ｌの中心
に来るように配置する。最小線ｒｌＪＴを残すだめの現
像レベルを感光量１８の周辺部分より低くすると線巾Ｔ
が残り、丑だ、線ｒｉｌＬの外側部分も残ることになる
。線巾りの外側部分を曲線１９のように第２番目の露光
を行ない、その後に現像を行なうと周辺部分も全て現像
されてし１う。残るレジストは第５図すのように線１ｔ
Ｊ Ｔの部分が残ることになる。
第６図ａで示したように、現像レベルを感光ｈ１゜曲線
１８の外側の平坦部分よりも高いレベルで行ない、図形
化された第２露光と組み合わせると複雑な形状をしたパ
ターンを得ることができる。第６図はその露光現像プロ
セスを示したものである。
１８の外側の平坦部分よりも高いレベルで行ない、図形
化された第２露光と組み合わせると複雑な形状をしたパ
ターンを得ることができる。第６図はその露光現像プロ
セスを示したものである。
まず、第１露光によって均一に塗布され／こレジスト部
分を、線巾Ｔの未露光部２１．感光部２２゜中間感光部
２３の３領域に分けることができる（第６図ａ）。
分を、線巾Ｔの未露光部２１．感光部２２゜中間感光部
２３の３領域に分けることができる（第６図ａ）。
次に、第６図すでは、必要な図形２４および２６を覆っ
て図形２４および２６の外側部分を露光する。図形２４
は中間感光部として残り、未露光部２１と図形２４の合
成された図形が形成される。
て図形２４および２６の外側部分を露光する。図形２４
は中間感光部として残り、未露光部２１と図形２４の合
成された図形が形成される。
感光部２２と第２露光によって感光された部分２６は、
中間感光部２４よりも多く感光されたことになる。この
パターンを、現像すると第６図Ｃに示したような１１］
の広いパターン２４と最小線巾Ｔをもつパターン２１０
組み合わせパターンが形成できる。
中間感光部２４よりも多く感光されたことになる。この
パターンを、現像すると第６図Ｃに示したような１１］
の広いパターン２４と最小線巾Ｔをもつパターン２１０
組み合わせパターンが形成できる。
第７図は、本発明による他の一実施例である。
第１の入射光及び第２の入射光が双方ともに図形化され
ている場合を示した例であり、第１の入射光はマスク３
１を通過してウェハ３３上に投影される。第２の入射光
も同様にマスク３２を通過しウェハ３３上に投影され、
マスク３１と３２に形成された図形がウェハ３３上でほ
ぼ重なシ合うように配慮されている。ウェハ３３上に投
影された光は互いに干渉し合って投影像３４に示すよう
にパターンは微細化される。第８図に二つの図形化瞭＝
−−− されたパターンを微細化する際の説明図を示した。
ている場合を示した例であり、第１の入射光はマスク３
１を通過してウェハ３３上に投影される。第２の入射光
も同様にマスク３２を通過しウェハ３３上に投影され、
マスク３１と３２に形成された図形がウェハ３３上でほ
ぼ重なシ合うように配慮されている。ウェハ３３上に投
影された光は互いに干渉し合って投影像３４に示すよう
にパターンは微細化される。第８図に二つの図形化瞭＝
−−− されたパターンを微細化する際の説明図を示した。
図形化された入射光Ａと入射光Ｂを各々の交叉角θＡ、
θＢで基板３６上に入射させる。入躬光へとＢが投影さ
れた図形３６はほぼ重なり合う。入射光ＡとＢは干渉し
合って暗部３７と明部３８に分割されて微細化される。
θＢで基板３６上に入射させる。入躬光へとＢが投影さ
れた図形３６はほぼ重なり合う。入射光ＡとＢは干渉し
合って暗部３７と明部３８に分割されて微細化される。
明部３８の線巾は、投影図形の巾りに対して％〜見程度
とすることができる。また、双方の入射光が図形化され
ているので、図形以外の部分の感光膜は露光されず、微
細化が容易に行なえる。
とすることができる。また、双方の入射光が図形化され
ているので、図形以外の部分の感光膜は露光されず、微
細化が容易に行なえる。
以上の説明では、三光束の干渉縞を用いてレジスト膜の
光化学反応を生じさせ、パターン形成を行なったもので
ある。次に第９図にあげる実施例は、三光束の干渉縞を
用いて干渉縞の明部分において光反応を生じさせ、エツ
チングや成膜を光の照射された部分にのみパターンを形
成する方法である。たとえばエツチングを行なう場合、
光が投影される領域に塩素ガスや弗素ガス等の反応性の
ガスを満しておき、光を投影することによシ反応性ガス
を発生期のガスに分解することができる。
光化学反応を生じさせ、パターン形成を行なったもので
ある。次に第９図にあげる実施例は、三光束の干渉縞を
用いて干渉縞の明部分において光反応を生じさせ、エツ
チングや成膜を光の照射された部分にのみパターンを形
成する方法である。たとえばエツチングを行なう場合、
光が投影される領域に塩素ガスや弗素ガス等の反応性の
ガスを満しておき、光を投影することによシ反応性ガス
を発生期のガスに分解することができる。
発生期のガスは、基板４００表面を腐食してエツチング
４１を形成することができる。さらに干渉縞の明部分の
基板拐料が光によって励起され、特に反応が促進される
。よって、光の明部分が特に反応が大きく、深いエツチ
ングが可能となる。
４１を形成することができる。さらに干渉縞の明部分の
基板拐料が光によって励起され、特に反応が促進される
。よって、光の明部分が特に反応が大きく、深いエツチ
ングが可能となる。
一方、成膜する場合は、たとえば、シランガスを光で分
解し、シリコンが付近の基板に付着する。
解し、シリコンが付近の基板に付着する。
この場合も、基板表面が光によって励起され反応が促進
され、種々な薄膜４２を形成することが可能となる。
され、種々な薄膜４２を形成することが可能となる。
第９図の実施例においては光波術によって微細化が容易
である上に、特に光の分解能を越えたノくターン形式が
三光束の投影によって非接触で行なえるのでガスの供給
が容易であり、均一な膜形成が可能となる。
である上に、特に光の分解能を越えたノくターン形式が
三光束の投影によって非接触で行なえるのでガスの供給
が容易であり、均一な膜形成が可能となる。
発明の効果
本発明は、ザブミクロンのパターンをパターン化された
光束で投影し、投影された図形を三光束の干渉により形
成するので、よシ微細なノくターンを非接触で形成する
ことができる。さらに、複数のパターンを図形化して投
影することによって、一括して微細なパターンを同時形
成することかできる。また、光化学反応を利用すること
により、レジストのパターン形成、成膜、エツチングを
本発明による微細パターンで行なうことかできる。
光束で投影し、投影された図形を三光束の干渉により形
成するので、よシ微細なノくターンを非接触で形成する
ことができる。さらに、複数のパターンを図形化して投
影することによって、一括して微細なパターンを同時形
成することかできる。また、光化学反応を利用すること
により、レジストのパターン形成、成膜、エツチングを
本発明による微細パターンで行なうことかできる。
さらに、格子と干渉縞を用いた高精度の位置合わせ方法
を本発明によるパターン形成方法と同一露光装置におい
て実現でき、サブミクロンのパターンを高精度に位置合
わぜしながらパターン形成できる。
を本発明によるパターン形成方法と同一露光装置におい
て実現でき、サブミクロンのパターンを高精度に位置合
わぜしながらパターン形成できる。
第１図ａは本発明の一実施例による縮小投影三光束パタ
ーン形成の概略図、第１図すは第１図ａの局部拡大図、
第２図は本発明による他の実施例のパターン形成の概略
図、第３図ａ、ｂ、ｃは三光束パターン形成における三
光束入射状態、光強度、レジス］・膜の様子を示す図、
第４図ａ、ｂは現像レベル、残るレジスト膜の関係を示
す図、第６図ａ、ｂは現像レベル、レジスト膜巾の関係
を示す図、第６図ａ、ｂ、ｃはパターンを合成する際の
説明図、第７図は三光束ともに図形化した光を投影する
際の説明図、第８図は三光束ともに図形化した光を投影
する場合の局部拡大図、第９図は図形化した三光束によ
りエソｊングや成膜する際の説明図である。 １．１１・・・・レチクル、３，１３．３３・・・・・
・ウェハ、６，７，１６．１７・・・・・・コヒーレン
ト光、８・・・・・・干渉縞パターン、３１．３２・・
・・・・マスク、３４・・・・・・投影像、４１・・・
・・エツチング部、４２・・・・・・薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 歯 Ｘ 第 ２ 図 μ 第 ３ 図 １に 騙４図 第 ５ 歯 （ｂ） 第６図 第 ７ 図 、？／ 菓 ８ 図
ーン形成の概略図、第１図すは第１図ａの局部拡大図、
第２図は本発明による他の実施例のパターン形成の概略
図、第３図ａ、ｂ、ｃは三光束パターン形成における三
光束入射状態、光強度、レジス］・膜の様子を示す図、
第４図ａ、ｂは現像レベル、残るレジスト膜の関係を示
す図、第６図ａ、ｂは現像レベル、レジスト膜巾の関係
を示す図、第６図ａ、ｂ、ｃはパターンを合成する際の
説明図、第７図は三光束ともに図形化した光を投影する
際の説明図、第８図は三光束ともに図形化した光を投影
する場合の局部拡大図、第９図は図形化した三光束によ
りエソｊングや成膜する際の説明図である。 １．１１・・・・レチクル、３，１３．３３・・・・・
・ウェハ、６，７，１６．１７・・・・・・コヒーレン
ト光、８・・・・・・干渉縞パターン、３１．３２・・
・・・・マスク、３４・・・・・・投影像、４１・・・
・・エツチング部、４２・・・・・・薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 歯 Ｘ 第 ２ 図 μ 第 ３ 図 １に 騙４図 第 ５ 歯 （ｂ） 第６図 第 ７ 図 、？／ 菓 ８ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）基板上に図形化された第１の光を投影し、この投
影した第１の光と可干渉な第２の光を同時に入射するこ
とにより、前記第１の光と第２の光を干渉させて、前記
図形化された投影像を微細化することを特徴とするパタ
ーン形Ａ。 （２）図形化された第１の光の基板上での投影像が、微
細化した図形の整数倍の線巾を持つことを特徴とする特
♂（−請求の範囲第１項記載のパターン形成力法。 い）微細化したパターンによって、感光膜を露光するこ
とを４４７徴とする特許請求の範囲第１項記載のパター
ン形成方法。 （４）微細化したパターンによって、光化学反応を生じ
させ、成膜又はエツチングを行うことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のパターン形成方法。 （６）基板上ＶＣマスクを介して図形化した第１の光を
投影し、この投影した第１の光と可干渉な第２の光を同
時に入射し、前記第１と第２の光を干渉させて、前記図
形化された複数の投影像を同時に微細化することを特徴
とするノくターン形成力法。 （６）第２の投影像が図形化されており、第１と第２の
投影像が基板上でほぼ同一の形状をした図形であること
な特徴とする特許請求の範囲第５項記載のパターン形成
力法。 方法・ 斡）微細化したパターンによって、光化学反応荀
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59002250A JPS60145620A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59002250A JPS60145620A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60145620A true JPS60145620A (ja) | 1985-08-01 |
Family
ID=11524110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59002250A Pending JPS60145620A (ja) | 1984-01-10 | 1984-01-10 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60145620A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100381072B1 (ko) * | 1993-05-20 | 2003-08-06 | 에이티 앤드 티 코포레이션 | 플라즈마유도x선패턴전사를필요로하는디바이스제조공정및그디바이스 |
-
1984
- 1984-01-10 JP JP59002250A patent/JPS60145620A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100381072B1 (ko) * | 1993-05-20 | 2003-08-06 | 에이티 앤드 티 코포레이션 | 플라즈마유도x선패턴전사를필요로하는디바이스제조공정및그디바이스 |
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