JPH04121700A - X線取出し窓 - Google Patents
X線取出し窓Info
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- JPH04121700A JPH04121700A JP2242156A JP24215690A JPH04121700A JP H04121700 A JPH04121700 A JP H04121700A JP 2242156 A JP2242156 A JP 2242156A JP 24215690 A JP24215690 A JP 24215690A JP H04121700 A JPH04121700 A JP H04121700A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 abstract description 25
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 25
- 239000011888 foil Substances 0.000 abstract description 18
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 15
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 12
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
-
- G—PHYSICS
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はX線取出し窓に関し、特に、シンクロトロン放
射光発生源がら軟X線を大気中に効率よく取出すための
X線取出し窓に関する。
射光発生源がら軟X線を大気中に効率よく取出すための
X線取出し窓に関する。
近年の半導体装置は高集積化が進む傾向にあり、このた
め、サブミクロンオーダのリングラフィ技術が必要にな
ってきている。このような状況において、紫外線のg線
やi線を用いた従来の半導体露光装置では、光の波長に
よる解像度の限界が0.5μm程度とされているため、
0.5μm以下の微細パターンの転写に対応できる次世
代の露光装置が強く望まれている。
め、サブミクロンオーダのリングラフィ技術が必要にな
ってきている。このような状況において、紫外線のg線
やi線を用いた従来の半導体露光装置では、光の波長に
よる解像度の限界が0.5μm程度とされているため、
0.5μm以下の微細パターンの転写に対応できる次世
代の露光装置が強く望まれている。
このような次世代の露光装置として、現在、X線露光装
置が有望視されているが、そのうち、特に高輝度と高指
向性とを特長とするシンクロトロン放射光を利用しなX
線露光装置が5スループツトと解像度の面から期待され
ている。
置が有望視されているが、そのうち、特に高輝度と高指
向性とを特長とするシンクロトロン放射光を利用しなX
線露光装置が5スループツトと解像度の面から期待され
ている。
X線露光装置の露光方式には、真空中で露光する方式と
ヘリウム中で露光する方式と大気中で露光する方式とが
あるが、生産性の面から大気中露光方式が最も有利であ
り、このため、主として大気中露光方式のX線露光装置
が開発されている。
ヘリウム中で露光する方式と大気中で露光する方式とが
あるが、生産性の面から大気中露光方式が最も有利であ
り、このため、主として大気中露光方式のX線露光装置
が開発されている。
従って、特にシンクロトロン放射光を利用するX線露光
装置においては、超高真空中で発生するシンクロトロン
放射光に含まれる軟X線を効率よく取出すためのX線取
出し窓が不可欠である。
装置においては、超高真空中で発生するシンクロトロン
放射光に含まれる軟X線を効率よく取出すためのX線取
出し窓が不可欠である。
このための従来のXM、露光装置は、シンクロトロン放
射光を通過させる超高真空のビームライン中に説けた振
動ミラーと、このビームラインを通過するシンクロトロ
ン放射光から軟X線を取出すためのベリリウム箔を有す
るベリリウム窓と、ビームラインを通りこのベリリウム
窓を通過したシンクロトロン放射光を入射するヘリウム
チャンバとを備えている。
射光を通過させる超高真空のビームライン中に説けた振
動ミラーと、このビームラインを通過するシンクロトロ
ン放射光から軟X線を取出すためのベリリウム箔を有す
るベリリウム窓と、ビームラインを通りこのベリリウム
窓を通過したシンクロトロン放射光を入射するヘリウム
チャンバとを備えている。
第2図は、このようなシンクロトロン放射光を利用した
従来のX線露光装置の一例を示す断面図である。
従来のX線露光装置の一例を示す断面図である。
第2図のX線露光装置は、シンクロトロン放射光を通過
させるための超高真空の通路(ビームライン)15と、
シンクロトロン放射光を上下方向に動かしてその照射面
積を拡大するためにビームライン15中に設けた振動ミ
ラー18と、このビームライン15を通過するシンクロ
トロン放射光に含まれる軟X線を取出すためのベリリウ
ム箔を存するベリリウム窓13と、ビームライン15と
結合されベリリウム窓13によって気密を保持されて内
部にヘリウムガスを充満したヘリウムチャンバ19とを
備えている。
させるための超高真空の通路(ビームライン)15と、
シンクロトロン放射光を上下方向に動かしてその照射面
積を拡大するためにビームライン15中に設けた振動ミ
ラー18と、このビームライン15を通過するシンクロ
トロン放射光に含まれる軟X線を取出すためのベリリウ
ム箔を存するベリリウム窓13と、ビームライン15と
結合されベリリウム窓13によって気密を保持されて内
部にヘリウムガスを充満したヘリウムチャンバ19とを
備えている。
このように構成したX線露光装置は、電子蓄積リングか
ら放射した縦方向に指向性の高いシンクロトロン放射光
を、振動ミラーI8によって上下方向に動かす。このよ
うにして振動させられたシンクロトロン放射光は、ベリ
リウム窓13のベリリウム箔を通ってヘリウムチャンバ
19に入射し、ヘリウムチャンバ19内にセットしであ
るマスク10のパターンをウェハ11上に転写する。
ら放射した縦方向に指向性の高いシンクロトロン放射光
を、振動ミラーI8によって上下方向に動かす。このよ
うにして振動させられたシンクロトロン放射光は、ベリ
リウム窓13のベリリウム箔を通ってヘリウムチャンバ
19に入射し、ヘリウムチャンバ19内にセットしであ
るマスク10のパターンをウェハ11上に転写する。
X線リングラフィに用いるX線の波長は、レジストの感
度のために軟X線領域でなければならないが、シンクロ
トロン放射光から軟X線を取出すためには、ベリリウム
箔の厚さは薄い方が望ましい。一方、ベリリウム窓13
は、超高真空のビームライン15とヘリウムガスを充満
したヘリウムチャンバ19とを隔離しなければならない
ため、20〜30ffiI11平方の実用的な露光面積
を確保できる大きさと、1気圧の圧力差に耐えることが
できる十分な機械的強度とを有していなけれればならな
い。このため、現在実用化されているベリリウム箔の厚
さは200〜500μmであり、リソグラフィに必要な
十分な強度の軟X線を得ることができない。
度のために軟X線領域でなければならないが、シンクロ
トロン放射光から軟X線を取出すためには、ベリリウム
箔の厚さは薄い方が望ましい。一方、ベリリウム窓13
は、超高真空のビームライン15とヘリウムガスを充満
したヘリウムチャンバ19とを隔離しなければならない
ため、20〜30ffiI11平方の実用的な露光面積
を確保できる大きさと、1気圧の圧力差に耐えることが
できる十分な機械的強度とを有していなけれればならな
い。このため、現在実用化されているベリリウム箔の厚
さは200〜500μmであり、リソグラフィに必要な
十分な強度の軟X線を得ることができない。
第2図のXl!露光装置はまた、ヘリウム中露光方式で
あるため、大気中露光方式に比べてウェハのセットや取
出しに時間ががかって能率が悪い。
あるため、大気中露光方式に比べてウェハのセットや取
出しに時間ががかって能率が悪い。
しかし、ヘリウム中露光方式の場合は、万一ベリリウム
箔が破れても、ビームライン中に流入するガスの量はへ
リウムチャンバの体積分のみであるが、大気中露光方式
の場合は、ベリリウム箔が破れるとビームラインは大気
に対して開放状態となる。従って大気中露光方式の場合
は、大きな安全率を見込んでベリリウム箔の厚さを決め
なければならない。
箔が破れても、ビームライン中に流入するガスの量はへ
リウムチャンバの体積分のみであるが、大気中露光方式
の場合は、ベリリウム箔が破れるとビームラインは大気
に対して開放状態となる。従って大気中露光方式の場合
は、大きな安全率を見込んでベリリウム箔の厚さを決め
なければならない。
上述したように、従来のX線露光装置のX線取出し窓は
、実用的な露光面積を確保するためにベリリウム窓の面
積を大きくしなければならず、このため、ベリリウム箔
の厚さを厚くしなければならず、従って軟X線の強度が
弱くなってレジスト感度が悪くなるという欠点を有して
いる。
、実用的な露光面積を確保するためにベリリウム窓の面
積を大きくしなければならず、このため、ベリリウム箔
の厚さを厚くしなければならず、従って軟X線の強度が
弱くなってレジスト感度が悪くなるという欠点を有して
いる。
本発明のX線取出し窓は、複数個のスリ・ソト状の開口
部を有するフレームと、気密性を保持するように前記フ
レームに貼付したX線を透過する薄膜と、前記開口部の
幅よりも大きな振幅で前記フレームを振動させる駆動装
置とを備えている。
部を有するフレームと、気密性を保持するように前記フ
レームに貼付したX線を透過する薄膜と、前記開口部の
幅よりも大きな振幅で前記フレームを振動させる駆動装
置とを備えている。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す模式図である。
第1図(a)および(b)は本発明の一実施例を示す断
面図およびフレームな開口部を示すA−A線断面図であ
る。
面図およびフレームな開口部を示すA−A線断面図であ
る。
第1図に示すように一木李旙mt+ 複計皿のスリフト
状の開口部1を有するフレーム2と、気密を保持するよ
うにフレーム2に貼着したベリリウム箔3と、フレーム
2をシンクロトロン放射光を通過させるビームライン5
に柔軟かつ気密に結合するベローズ6と、フレーム2を
上下方向(矢印B)に振動させる振動モータ7とを備え
ている。
状の開口部1を有するフレーム2と、気密を保持するよ
うにフレーム2に貼着したベリリウム箔3と、フレーム
2をシンクロトロン放射光を通過させるビームライン5
に柔軟かつ気密に結合するベローズ6と、フレーム2を
上下方向(矢印B)に振動させる振動モータ7とを備え
ている。
ベリリウム箔3は、軟X線を透過すると共に、超高真空
のビームライン5と大気とを隔離しなければならないた
め5大気圧に耐えるのに充分な機械的強度を持っていな
ければならない。このため1本実施例では、フレーム2
には、複数個の細いスリット状の開口部1を設けている
。このため、ベリリウム箔3の厚さを薄くしても、充分
な機械的強度を持たせることができる。従って、軟X線
の透過率が向上して強力な軟X線を得ることができる。
のビームライン5と大気とを隔離しなければならないた
め5大気圧に耐えるのに充分な機械的強度を持っていな
ければならない。このため1本実施例では、フレーム2
には、複数個の細いスリット状の開口部1を設けている
。このため、ベリリウム箔3の厚さを薄くしても、充分
な機械的強度を持たせることができる。従って、軟X線
の透過率が向上して強力な軟X線を得ることができる。
また、フレーム2を振動モータ7によって上下方向(矢
印B)に振動させることにより、X線の照射強度の均一
化を図っている。X線の照射強度のむらをなくすために
は、フレーム2の開口部1の開口比(開口部1の幅の合
計とフレーム2の残存部分の全体の幅との比)を正確に
1:1とする必要がある。このとき、振動モータ7によ
るフレーム2の振幅は、開口部1の幅よりも大きくなけ
ればならないが、X線の照射強度を均一にするためには
、開口部1の幅の整数倍であることが望ましい。
印B)に振動させることにより、X線の照射強度の均一
化を図っている。X線の照射強度のむらをなくすために
は、フレーム2の開口部1の開口比(開口部1の幅の合
計とフレーム2の残存部分の全体の幅との比)を正確に
1:1とする必要がある。このとき、振動モータ7によ
るフレーム2の振幅は、開口部1の幅よりも大きくなけ
ればならないが、X線の照射強度を均一にするためには
、開口部1の幅の整数倍であることが望ましい。
なお、フレームの開口比を1:1とすると、実際にX線
が照射される時間は、露光時間の半分となるが、ベリリ
ウム箔の軟X線の透過率はその厚さの指数関数となって
いるため、ベリリウム箔の厚さを薄くすることによって
従来の2倍以上の透過率を得ることは容易である。
が照射される時間は、露光時間の半分となるが、ベリリ
ウム箔の軟X線の透過率はその厚さの指数関数となって
いるため、ベリリウム箔の厚さを薄くすることによって
従来の2倍以上の透過率を得ることは容易である。
以上説明したように、本発明のX線露光装置のX線取出
し窓は、複数個のスリット状の開口部を有するフレーム
を振動させることにより、ベリリウム箔の厚さを薄くし
てしかも充分な機械的強度を持たせることができるため
、ベリリウム箔の軟X線の透過率を向上そせて強力な軟
X線を得ることができるという効果があり、しかも大気
中露光方式とすることができるため、ウェハのセットや
取出しの時間を短縮して能率を向上させることができる
という効果もある。
し窓は、複数個のスリット状の開口部を有するフレーム
を振動させることにより、ベリリウム箔の厚さを薄くし
てしかも充分な機械的強度を持たせることができるため
、ベリリウム箔の軟X線の透過率を向上そせて強力な軟
X線を得ることができるという効果があり、しかも大気
中露光方式とすることができるため、ウェハのセットや
取出しの時間を短縮して能率を向上させることができる
という効果もある。
第1図(a)および(b)は本発明の一実施例を示す断
面図およびフレームな開口部を示すA−A線断面図、第
2図はシンクロトロン放射光を利用した従来のX線露光
装置の一例を示す断面図である。 1・・・・・・開口部、2・・・・・・フレーム、3・
・・・・・ベリリウム箔、5・15・・・・・・ビーム
ライン、6・・・・・・ベローズ、7・・・・・・振動
モータ、10・・・・・・マスク、11・・・・・・ウ
ェハ、13・・・・・・ベリリウム窓、18・・・・・
・振動ミラー、19・・・・・・ヘリウムチャンバ。
面図およびフレームな開口部を示すA−A線断面図、第
2図はシンクロトロン放射光を利用した従来のX線露光
装置の一例を示す断面図である。 1・・・・・・開口部、2・・・・・・フレーム、3・
・・・・・ベリリウム箔、5・15・・・・・・ビーム
ライン、6・・・・・・ベローズ、7・・・・・・振動
モータ、10・・・・・・マスク、11・・・・・・ウ
ェハ、13・・・・・・ベリリウム窓、18・・・・・
・振動ミラー、19・・・・・・ヘリウムチャンバ。
Claims (1)
- 複数個のスリット状の開口部を有するフレームと、気密
性を保持するように前記フレームに貼付したX線を透過
する薄膜と、前記開口部の幅よりも大きな振幅で前記フ
レームを振動させる駆動装置とを備えることを特徴とす
るX線取出し窓。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2242156A JPH04121700A (ja) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | X線取出し窓 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2242156A JPH04121700A (ja) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | X線取出し窓 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04121700A true JPH04121700A (ja) | 1992-04-22 |
Family
ID=17085162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2242156A Pending JPH04121700A (ja) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | X線取出し窓 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04121700A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2731123A3 (en) * | 2012-11-07 | 2017-03-22 | Brigham Young University | Variable radius taper X-ray window support structure |
-
1990
- 1990-09-12 JP JP2242156A patent/JPH04121700A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2731123A3 (en) * | 2012-11-07 | 2017-03-22 | Brigham Young University | Variable radius taper X-ray window support structure |
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