JPH01198022A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPH01198022A JPH01198022A JP63024439A JP2443988A JPH01198022A JP H01198022 A JPH01198022 A JP H01198022A JP 63024439 A JP63024439 A JP 63024439A JP 2443988 A JP2443988 A JP 2443988A JP H01198022 A JPH01198022 A JP H01198022A
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- helium
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- Pending
Links
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- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 claims abstract description 21
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 3
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- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＸ＠露光装置、特に、シンクロトロン放射光を
用いるＸ線露光装置に関する。
用いるＸ線露光装置に関する。
近年の半導体は高集積化が進む傾向にあり、サブミクロ
ンのりソグラフィ技術が必要とされつつある。このよう
な状況において、従来の紫外線のｇ＃、ｉ線を用いた半
導体露光装置では、光の波長による解像度の限界が０．
５μｍ程度と言われているＯで、０．５μｍ以下の微細
パターンに対応できる次世代の露光装置が強く望壕れて
いる。
ンのりソグラフィ技術が必要とされつつある。このよう
な状況において、従来の紫外線のｇ＃、ｉ線を用いた半
導体露光装置では、光の波長による解像度の限界が０．
５μｍ程度と言われているＯで、０．５μｍ以下の微細
パターンに対応できる次世代の露光装置が強く望壕れて
いる。
この次世代の露光装置として、現在Ｘ線露光装置が有望
視されているが、特に高輝度・高指向性を特長とするシ
ンクロトロン放射光を利用したＸ線露光装置がスループ
ット、解像度の面から期待されている。
視されているが、特に高輝度・高指向性を特長とするシ
ンクロトロン放射光を利用したＸ線露光装置がスループ
ット、解像度の面から期待されている。
Ｘ線リソグラフィの光源としてシンクロトロン光を上下
に振ることによって露光領域を拡大すること、また、超
高真空のビームラインからリングラフィに必要な軟Ｘ線
を取り出すことができ、かつ十分な機械的強度を有する
ベリラム窓を製作すること、などが必要となる。
に振ることによって露光領域を拡大すること、また、超
高真空のビームラインからリングラフィに必要な軟Ｘ線
を取り出すことができ、かつ十分な機械的強度を有する
ベリラム窓を製作すること、などが必要となる。
従来の技術としては、例えば５ＰＩＥ３９３（１９８３
）Ｐ９９〜１０５に報告されているＩＢＭのシンクロト
ロン放射光を利用したＸ線露光装置がある。
）Ｐ９９〜１０５に報告されているＩＢＭのシンクロト
ロン放射光を利用したＸ線露光装置がある。
従来のＸ線露光装置は超高真空のビームラインと、ビー
ムライン中に設置された振動ミラーと、ビームラインか
ら軟Ｘ線を取り出すベリリウム窓と、ビームラインにベ
リリウム窓を介して設置されたヘリウムチャンバとを含
んで構成される。
ムライン中に設置された振動ミラーと、ビームラインか
ら軟Ｘ線を取り出すベリリウム窓と、ビームラインにベ
リリウム窓を介して設置されたヘリウムチャンバとを含
んで構成される。
次に従来のＸ線露光装置について図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第２図は従来のシンクロトロン放射光を用いたＸ線露光
装置の一例を示す断面図である。
装置の一例を示す断面図である。
第２図に示すＸ線露光装置は、シンクロトロン放射光を
通す超高真空のビームライン８と、ビームライン８中に
設置されシンクロトロン放射光を上下に走査し照射面積
を拡大する振動ミラー９と、超高真空のビームライン８
からシンクロトロン放射光に含まれる軟Ｘ線を取り出す
ベリリウム窓１０と、ビームライン８にベリリウム窓１
０を介して気密結合され内部にヘリウムガスが満たされ
たヘリウムチャンバ１１を含んでいる。
通す超高真空のビームライン８と、ビームライン８中に
設置されシンクロトロン放射光を上下に走査し照射面積
を拡大する振動ミラー９と、超高真空のビームライン８
からシンクロトロン放射光に含まれる軟Ｘ線を取り出す
ベリリウム窓１０と、ビームライン８にベリリウム窓１
０を介して気密結合され内部にヘリウムガスが満たされ
たヘリウムチャンバ１１を含んでいる。
ここで、電子蓄積リングから放射された縦方向に指向性
の高いシンクロトロン放射光は振動ミラー９により上下
に走査される。このシンクロトロン放射光はベリリウム
窓１０を通ってヘリウムチャンバ１１内に導入され、ヘ
リウムチャンバ１１内のマスク】２上のパターンがウェ
ハ１３上に転写される。
の高いシンクロトロン放射光は振動ミラー９により上下
に走査される。このシンクロトロン放射光はベリリウム
窓１０を通ってヘリウムチャンバ１１内に導入され、ヘ
リウムチャンバ１１内のマスク】２上のパターンがウェ
ハ１３上に転写される。
Ｘ線リソグラフィに用いられる波長はレジスト感度から
いって軟Ｘ線領域であるが、シンクロトロン放射光から
軟Ｘ線を取り出すにはベリリウム窓は薄いほうが望まし
い。また、その反面ベリリウム窓は超高真空とヘリウム
雰囲気を隔離する必要があるので、２０〜３０ｍｍ口の
実用的な露光領域を確保できる面積と１気圧の圧力差に
耐えうる十分な機械的強度を有していなければならない
。以上のことより、現在実用化されているベリリウム窓
の厚さは２００〜５００μｍと厚く、リソグラフィに必
要な軟Ｘ線の強度は弱い。
いって軟Ｘ線領域であるが、シンクロトロン放射光から
軟Ｘ線を取り出すにはベリリウム窓は薄いほうが望まし
い。また、その反面ベリリウム窓は超高真空とヘリウム
雰囲気を隔離する必要があるので、２０〜３０ｍｍ口の
実用的な露光領域を確保できる面積と１気圧の圧力差に
耐えうる十分な機械的強度を有していなければならない
。以上のことより、現在実用化されているベリリウム窓
の厚さは２００〜５００μｍと厚く、リソグラフィに必
要な軟Ｘ線の強度は弱い。
上述した従来のＸａｎ光装置は超高真空のビームライン
中に振動ミラーを設けているため、実用的な露光領域を
確保するためにはベリリウム窓の面積を大キくシなけれ
ばならないので、ベリリウム窓を厚くし７なければなら
ず、そのため軟Ｘ線領域が弱くなり、レジスト感度が悪
くなるという欠点があった。
中に振動ミラーを設けているため、実用的な露光領域を
確保するためにはベリリウム窓の面積を大キくシなけれ
ばならないので、ベリリウム窓を厚くし７なければなら
ず、そのため軟Ｘ線領域が弱くなり、レジスト感度が悪
くなるという欠点があった。
また、振動ミラーを超高真空内に設けるため、真空シー
ルされた駆′！！ｊＪ機構が必要となり、装置が複雑に
なるという欠点があった。
ルされた駆′！！ｊＪ機構が必要となり、装置が複雑に
なるという欠点があった。
本発明のＸ線霧光装置は電子蓄積リングから発生するシ
ンクロトロン放射光を通す超高真空のビームラインと、
前記ビームラインに結合されたヘリウムチャンバと、前
記ビームラインと前記ヘリウムチャンバを隔離し前記ビ
ームラインから前記ヘリウムチャンバ内にシンクロトロ
ン放射光に含まれる軟Ｘ線を取り出すベリリウム窓と、
前記ヘリウムチャンバ内に設置されシンクロトロン放射
光を走査し照射面積を拡大する振動ミラーと、前記ヘリ
ウムチャンバ内に設置されたマスクとウェハのアライメ
ント機構とを含んで構成される。
ンクロトロン放射光を通す超高真空のビームラインと、
前記ビームラインに結合されたヘリウムチャンバと、前
記ビームラインと前記ヘリウムチャンバを隔離し前記ビ
ームラインから前記ヘリウムチャンバ内にシンクロトロ
ン放射光に含まれる軟Ｘ線を取り出すベリリウム窓と、
前記ヘリウムチャンバ内に設置されシンクロトロン放射
光を走査し照射面積を拡大する振動ミラーと、前記ヘリ
ウムチャンバ内に設置されたマスクとウェハのアライメ
ント機構とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
第１図に示すＸ線露光装置は、電子蓄積リングから発生
するシンクロトロン放射光を通す超真空のビームライン
１と、ビームライン１に結合され高純度のヘリウムが充
填されたヘリウムチャンバ２と、ビームライン１とへリ
ウムチャンパ２を隔離しビームライン１からヘリウムチ
ャンバ２内にシンクロトロン放射光に含まれる軟Ｘ線を
取り出すベリリウム窓３と、ヘリウムチャンバ２内に設
置されベリリウム窓３から取り出された軟Ｘ線を走査し
露光領域を拡大する振動ミラー４と、ヘリウムチ、Ｙン
バ２内に設置されたマスクとウェハのアライメント機構
５を含んで構成される。
するシンクロトロン放射光を通す超真空のビームライン
１と、ビームライン１に結合され高純度のヘリウムが充
填されたヘリウムチャンバ２と、ビームライン１とへリ
ウムチャンパ２を隔離しビームライン１からヘリウムチ
ャンバ２内にシンクロトロン放射光に含まれる軟Ｘ線を
取り出すベリリウム窓３と、ヘリウムチャンバ２内に設
置されベリリウム窓３から取り出された軟Ｘ線を走査し
露光領域を拡大する振動ミラー４と、ヘリウムチ、Ｙン
バ２内に設置されたマスクとウェハのアライメント機構
５を含んで構成される。
電子蓄積リングで発生したシンクロトロン放射光はベリ
リウム窓３を通ってヘリウム雰囲気中に導入される。こ
のとき、シンクロトロン放射光のビーム形状は幅数１０
ｍｍ、高さ数ｍである。したがって、ペリＩＪウム窓３
の形状としては幅数１０聯高さ数ｍと小面積でよく、ペ
リＩＪウム窓の機械的強度が増すので厚さ１００μｍ以
下の薄いべ１７ ＋７ウム窓でも１気圧の圧力差に十分
耐えることができる。このことにより、超高真空のビー
ムライン１から強力な軟Ｘ線を取り出すことができる。
リウム窓３を通ってヘリウム雰囲気中に導入される。こ
のとき、シンクロトロン放射光のビーム形状は幅数１０
ｍｍ、高さ数ｍである。したがって、ペリＩＪウム窓３
の形状としては幅数１０聯高さ数ｍと小面積でよく、ペ
リＩＪウム窓の機械的強度が増すので厚さ１００μｍ以
下の薄いべ１７ ＋７ウム窓でも１気圧の圧力差に十分
耐えることができる。このことにより、超高真空のビー
ムライン１から強力な軟Ｘ線を取り出すことができる。
また、軟Ｘ線は振動ミラー４によって走査されるので数
１０ｍｍ口の実用的な露光領域が確保でき、スループッ
トの向上が図れる。
１０ｍｍ口の実用的な露光領域が確保でき、スループッ
トの向上が図れる。
振動ミラー４によって走査された軟Ｘ線はマスク６に照
射され、マスク６上のパターンをウェハ７に転写する。
射され、マスク６上のパターンをウェハ７に転写する。
ベリリウム窓３からマスク６までは高純度のヘリウムガ
スが充填されているので、軟Ｘ線の減辰ははとんどない
。また、振動ミラー４やアライメント機構５の駆動系は
すべてヘリウム雰囲気中に置かれるので、通常のガイド
、アクチエエータなどが使用できる。
スが充填されているので、軟Ｘ線の減辰ははとんどない
。また、振動ミラー４やアライメント機構５の駆動系は
すべてヘリウム雰囲気中に置かれるので、通常のガイド
、アクチエエータなどが使用できる。
〔発明の効果Ｊ
本発明のＸ線鞘光装置は、超高真空のビームライン内に
振動ミラーを設ける代りに、ヘリウムチャンバ内に振動
ミラーを設けることにより、ベリリウム窓の面積を小さ
くできるため、ベリリウム窓の機械的強度が増しぺＩＪ
ＩＪウム窓の厚さを薄くできるので、より強力な軟Ｘ
＃が得られ、スループットが向上するという効果がある
。
振動ミラーを設ける代りに、ヘリウムチャンバ内に振動
ミラーを設けることにより、ベリリウム窓の面積を小さ
くできるため、ベリリウム窓の機械的強度が増しぺＩＪ
ＩＪウム窓の厚さを薄くできるので、より強力な軟Ｘ
＃が得られ、スループットが向上するという効果がある
。
また、振動ミラーの駆動系をヘリウム雰囲気中に設ける
ことにより、通常のガイド、アクチュエータ等だけで構
成することができ、装置が単純になるという効果がおる
。
ことにより、通常のガイド、アクチュエータ等だけで構
成することができ、装置が単純になるという効果がおる
。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
の一例を示す断面図である。 １．８・・・・・・ビームライン、２．１１・・・・・
・ヘリウムチャンバ、３．１０・・・・・・ベリリウム
窓、４．９・・・・・・振動ミラー、５・・・・・・ア
ライメント機構。 代理人 弁理士 内 原 晋
の一例を示す断面図である。 １．８・・・・・・ビームライン、２．１１・・・・・
・ヘリウムチャンバ、３．１０・・・・・・ベリリウム
窓、４．９・・・・・・振動ミラー、５・・・・・・ア
ライメント機構。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 電子蓄積リングから発生するシンクロトロン放射光を
通す超高真空のビームラインと、前記ビームラインに結
合されたヘリウムチャンバと、前記ビームラインと前記
ヘリウムチャンバを隔離し前記ビームラインから前記ヘ
リウムチャンバ内にシンクロトロン放射光に含まれる軟
Ｘ線を取り出すベリリウム窓と、前記ヘリウムチャンバ
内に設置され軟Ｘ線を走査し照射面積を拡大する振動ミ
ラーと、前記ヘリウムチャンバ内に設置されたマスクと
ウェハのアライメント機構とを含むことを特徴とするＸ
線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63024439A JPH01198022A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63024439A JPH01198022A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01198022A true JPH01198022A (ja) | 1989-08-09 |
Family
ID=12138178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63024439A Pending JPH01198022A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01198022A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02100311A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-12 | Canon Inc | Ｓｏｒ−ｘ線露光装置 |
| JP2009016120A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Ihi Corp | Ｘ線発生装置用のレーザ導入兼ｘ線取出機構 |
-
1988
- 1988-02-03 JP JP63024439A patent/JPH01198022A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02100311A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-12 | Canon Inc | Ｓｏｒ−ｘ線露光装置 |
| JP2009016120A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Ihi Corp | Ｘ線発生装置用のレーザ導入兼ｘ線取出機構 |
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