JPH02234498A - シンクロトロン放射光走査装置 - Google Patents
シンクロトロン放射光走査装置Info
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- JPH02234498A JPH02234498A JP1055363A JP5536389A JPH02234498A JP H02234498 A JPH02234498 A JP H02234498A JP 1055363 A JP1055363 A JP 1055363A JP 5536389 A JP5536389 A JP 5536389A JP H02234498 A JPH02234498 A JP H02234498A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシンクロ１・ロン放射光走査装置、特にシンク
ロトロン放射光中のＸ線を大気圧中に取出し、半導体装
置の微細パターン転写や、Ｘ線回折による物質の分析に
適用しうる大気圧中走査型のシンクロトロン放射光走査
装置に関する。
ロトロン放射光中のＸ線を大気圧中に取出し、半導体装
置の微細パターン転写や、Ｘ線回折による物質の分析に
適用しうる大気圧中走査型のシンクロトロン放射光走査
装置に関する。
近年の超ＬＳＩは高集積化が進み、微細パターンの転写
工程においては、次世代の量産技術としてシンクロトロ
ン放射光中の指向性がよく、強いＸ線を利用するシンク
ロトロン放射露光が有望視されている。シンクロトロン
放射露光はシンクロトロン放射光に含まれるＸ線を大気
圧下に取り出し，Ｘ線マスク全面にＸ線を照射しパター
ンを転写するのでＸ線の強度は大きい程露光時間は短く
、露光エリアが大きい程、効率がよくなる。
工程においては、次世代の量産技術としてシンクロトロ
ン放射光中の指向性がよく、強いＸ線を利用するシンク
ロトロン放射露光が有望視されている。シンクロトロン
放射露光はシンクロトロン放射光に含まれるＸ線を大気
圧下に取り出し，Ｘ線マスク全面にＸ線を照射しパター
ンを転写するのでＸ線の強度は大きい程露光時間は短く
、露光エリアが大きい程、効率がよくなる。
一般に、シンクロトロン放射光走査装置は、シンクロト
ロン放射光をＸ線ミラーの反射によって走査する走査ミ
ラーと、超高真空圧下からからＸ線を大気圧下に取り出
すためのＸ線取出し窓を含んで構成する。シンクロトロ
ン放射光は水平方向には均一強度であるが、垂直方向に
は指向性を持ったビームであるため、露光用光源として
使用する場合は、上下方向に走査する必要があり、Ｘ線
ミラーを振動させて走査することが一般に行われている
。
ロン放射光をＸ線ミラーの反射によって走査する走査ミ
ラーと、超高真空圧下からからＸ線を大気圧下に取り出
すためのＸ線取出し窓を含んで構成する。シンクロトロ
ン放射光は水平方向には均一強度であるが、垂直方向に
は指向性を持ったビームであるため、露光用光源として
使用する場合は、上下方向に走査する必要があり、Ｘ線
ミラーを振動させて走査することが一般に行われている
。
また、シンクロトロン放射光は大気圧下に取り出すとき
わめて大きな減衰を示すので超高真空中で走査すること
が望ましく、露光用光源として用いる場合、大気圧下に
取り出す必要がある。このためにＸ線を透過し、超高真
空との圧力差に耐える圧力隔壁の役割をもつＸ線取出し
窓が必要となり、一般にベリリウムの薄膜が用いられる
。
わめて大きな減衰を示すので超高真空中で走査すること
が望ましく、露光用光源として用いる場合、大気圧下に
取り出す必要がある。このためにＸ線を透過し、超高真
空との圧力差に耐える圧力隔壁の役割をもつＸ線取出し
窓が必要となり、一般にベリリウムの薄膜が用いられる
。
従来のシンクロトロン放射光走査装置は、超高真空中で
蓄積リング１００から放射されるシンクロトロン放射光
を反射によるで走査する走査ミラーと，この走査ミラー
により走査されたシンクロトロン放射光軸に垂直に配置
したＸ線取出し窓と、前記走査ミラーと前記Ｘ線取出し
窓の間を気密に接続したビームラインとを含んで構成さ
れる。
蓄積リング１００から放射されるシンクロトロン放射光
を反射によるで走査する走査ミラーと，この走査ミラー
により走査されたシンクロトロン放射光軸に垂直に配置
したＸ線取出し窓と、前記走査ミラーと前記Ｘ線取出し
窓の間を気密に接続したビームラインとを含んで構成さ
れる。
次に従来のシンクロトロン放射光走査装置について図面
を参照して詳細に説明する。第３図は従来のシンクロト
ロン放射光走査装置を用いたシンクロトロン放射光露光
装置の断面図である。第３図に示すシンクロトロン放射
光露光装置は、シンクロトロン放射光を走査チャンバー
１０１内で軸１２０を中心に回転する走査ミラー１０２
と、走査チャンバー１０１に接続したビームライン１０
３と、シンクロトロン放射光軸に垂直にビームライン１
０３の他端に接続したＸ線取出し窓１０５とを含んでい
る。シンクロトロン放射光は、軸１２０まわりに振動す
る走査ミラー１０２によって反射し、走査方向１２１に
走査され、シンクロトロン放射光軸と垂直に置かれたＸ
線取出し窓１０５に照射され，透過したビームがＸ線マ
スク１３０の全面に照射され微小ギャップで対向したウ
エハ１３１にパターンを転写する。ここで走査ミラ一１
０２からＸ線取出し窓１０５まではシンクロトロン放射
光の減衰を小さくするため走査チャンバー１０１および
ビームライン１０３によって超高真空に保持され、Ｘ線
取出し窓１０５からＸ線マスク１３０までは大気圧のヘ
リウムガスで満たされているため、Ｘ線取出し窓１０５
は有効面積全面に圧力が作用するため、圧力隔壁として
十分な強度を有する必要がある。一般にＸ線取出し窓１
０５にはベリリウムの薄膜が使用され、厚さを大きくと
れば有効面積を大きくでき、一度に露光できる面積は大
きくなるが、ベリリウムによるビームの吸収が大きくな
り、大気圧中に取り出せるビーム強度が小さくなり露光
時間が長くなってしまう。
を参照して詳細に説明する。第３図は従来のシンクロト
ロン放射光走査装置を用いたシンクロトロン放射光露光
装置の断面図である。第３図に示すシンクロトロン放射
光露光装置は、シンクロトロン放射光を走査チャンバー
１０１内で軸１２０を中心に回転する走査ミラー１０２
と、走査チャンバー１０１に接続したビームライン１０
３と、シンクロトロン放射光軸に垂直にビームライン１
０３の他端に接続したＸ線取出し窓１０５とを含んでい
る。シンクロトロン放射光は、軸１２０まわりに振動す
る走査ミラー１０２によって反射し、走査方向１２１に
走査され、シンクロトロン放射光軸と垂直に置かれたＸ
線取出し窓１０５に照射され，透過したビームがＸ線マ
スク１３０の全面に照射され微小ギャップで対向したウ
エハ１３１にパターンを転写する。ここで走査ミラ一１
０２からＸ線取出し窓１０５まではシンクロトロン放射
光の減衰を小さくするため走査チャンバー１０１および
ビームライン１０３によって超高真空に保持され、Ｘ線
取出し窓１０５からＸ線マスク１３０までは大気圧のヘ
リウムガスで満たされているため、Ｘ線取出し窓１０５
は有効面積全面に圧力が作用するため、圧力隔壁として
十分な強度を有する必要がある。一般にＸ線取出し窓１
０５にはベリリウムの薄膜が使用され、厚さを大きくと
れば有効面積を大きくでき、一度に露光できる面積は大
きくなるが、ベリリウムによるビームの吸収が大きくな
り、大気圧中に取り出せるビーム強度が小さくなり露光
時間が長くなってしまう。
第４図は，従来のシンクロトロン放射光走査装置中のＸ
線取出し窓１０５の形状を示す斜視図である。第４図に
示すＸ線取出し窓１０５は有効面積１４０が斜線で示す
露光エリア１４１より大きくしなければならないので圧
力差に耐えるため暎厚を大きくしなければならず、大気
圧中に取り出せるＸｆｉ強度は大きくできない。
線取出し窓１０５の形状を示す斜視図である。第４図に
示すＸ線取出し窓１０５は有効面積１４０が斜線で示す
露光エリア１４１より大きくしなければならないので圧
力差に耐えるため暎厚を大きくしなければならず、大気
圧中に取り出せるＸｆｉ強度は大きくできない。
上述した従来のシンクロトロン放射光走査装置は、Ｘ線
取出し窓が固定されているので、露光面積よりも大きな
有効面積を必要とするので、圧力隔壁として十分な強度
を持たせるためにはＸ線取出し窓の膜厚をホさくできな
いので、大気厚中に取り出せるＸ線の強度が大きくでき
ないという欠点がある。
取出し窓が固定されているので、露光面積よりも大きな
有効面積を必要とするので、圧力隔壁として十分な強度
を持たせるためにはＸ線取出し窓の膜厚をホさくできな
いので、大気厚中に取り出せるＸ線の強度が大きくでき
ないという欠点がある。
本発明のシンクロトロン放射光走査装置は、走査チャン
バー内にあって超高真空下でシンクロトロン放射光を反
射によって走査する走査ミラーと、この走査ミラーによ
り走査されシンクロトロン放射光軸に垂直に配置し走査
方向に移動可能なＸ線取出し窓と、前記走査ミラーの旋
回に同期して前記Ｘ線取出し窓を走査方向に駆動する直
線駆動機構と、前記走査ミラーの走査チャンバーと前記
Ｘ線取出し窓との間を一部をベローズで形成して気密に
接続した可動ビームラインとを具備することを特徴とす
る。
バー内にあって超高真空下でシンクロトロン放射光を反
射によって走査する走査ミラーと、この走査ミラーによ
り走査されシンクロトロン放射光軸に垂直に配置し走査
方向に移動可能なＸ線取出し窓と、前記走査ミラーの旋
回に同期して前記Ｘ線取出し窓を走査方向に駆動する直
線駆動機構と、前記走査ミラーの走査チャンバーと前記
Ｘ線取出し窓との間を一部をベローズで形成して気密に
接続した可動ビームラインとを具備することを特徴とす
る。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を用いたシンクロトロン放射
光露光装置の断面図である。第２図は第１図におけるＸ
線取出し窓の形状を示す斜視図である。第１図に示すシ
ンクロトロン放射光露光装置は、走査ミラー２と、可動
ビームライン３と、走査方向に移動可能なＸ線取出し窓
５と、これを走査ミラー２に同期して直線方向に駆動す
る直線駆動機構６と、走査ミラー２が収納される走査チ
ャンバー１とＸ線取出し窓５との間をベローズ４と円筒
とで形成した可動ビームライン３とで気密に接続したシ
ンクロトロン放射光走査装置を含み、Ｘ線取出し窓５と
Ｘ線マスク３０の間にヘリウムを充満したＨｅチャンバ
ー７が形成されている。
光露光装置の断面図である。第２図は第１図におけるＸ
線取出し窓の形状を示す斜視図である。第１図に示すシ
ンクロトロン放射光露光装置は、走査ミラー２と、可動
ビームライン３と、走査方向に移動可能なＸ線取出し窓
５と、これを走査ミラー２に同期して直線方向に駆動す
る直線駆動機構６と、走査ミラー２が収納される走査チ
ャンバー１とＸ線取出し窓５との間をベローズ４と円筒
とで形成した可動ビームライン３とで気密に接続したシ
ンクロトロン放射光走査装置を含み、Ｘ線取出し窓５と
Ｘ線マスク３０の間にヘリウムを充満したＨｅチャンバ
ー７が形成されている。
第１図において、蓄積リング１００から放射されるシン
クロトロン放射光は走査チャンバー１内の超高真空中を
光絡として走査ミラー２に１゜以下の角度で入射し反射
する。走査ミラー２は軸２０を回転中心として振動しシ
ンクロトロン放射光は上下方向２１に走査さ九る。さら
にシンクロトロン放射光はベローズ４を含む可動ビーム
ライン３内の超高真空中を光路としてＸ線取出し窓５に
垂直に照射され、透過ビームがＸａマスク３０に達しウ
エハ３１にパターンを露光する。
クロトロン放射光は走査チャンバー１内の超高真空中を
光絡として走査ミラー２に１゜以下の角度で入射し反射
する。走査ミラー２は軸２０を回転中心として振動しシ
ンクロトロン放射光は上下方向２１に走査さ九る。さら
にシンクロトロン放射光はベローズ４を含む可動ビーム
ライン３内の超高真空中を光路としてＸ線取出し窓５に
垂直に照射され、透過ビームがＸａマスク３０に達しウ
エハ３１にパターンを露光する。
ここでＸ線取出し窓５はビームの走査方向２２に移動す
るように案内されているので直ｆｆ．駆動機構６により
直線移動が可能である。走査ミラー２に同期してＸ線取
出し窓５を駆動することにより、小面積のＸ線取出し窓
５に常に走査したビームを照射することができる。また
、Ｘ線取出し窓５は可動ビームライン３のベローズ４に
気密に接続されているので、Ｘ線取出し窓５を直線移動
させてもベローズ４が変形して内部の超高真空を破壊す
ることはない。
るように案内されているので直ｆｆ．駆動機構６により
直線移動が可能である。走査ミラー２に同期してＸ線取
出し窓５を駆動することにより、小面積のＸ線取出し窓
５に常に走査したビームを照射することができる。また
、Ｘ線取出し窓５は可動ビームライン３のベローズ４に
気密に接続されているので、Ｘ線取出し窓５を直線移動
させてもベローズ４が変形して内部の超高真空を破壊す
ることはない。
第２図に示すＸ線取出し窓５は斜線で示す露光エリア４
１に対して、走査ミラー２に同期してＸ線取出し窓５を
上下方向２２に移動するので有効面積４０を小さくでき
る。したがってＸ線取出し窓５の強度を小さくできるの
で膜厚を薄くでき、大気圧中に強度の大きいＸ線を取り
出すことが可能である。
１に対して、走査ミラー２に同期してＸ線取出し窓５を
上下方向２２に移動するので有効面積４０を小さくでき
る。したがってＸ線取出し窓５の強度を小さくできるの
で膜厚を薄くでき、大気圧中に強度の大きいＸ線を取り
出すことが可能である。
本発明のシンクロトロン放射光走査装置は、Ｘ線取出し
窓の有効面積を小さくし、シンクロトロン放射光の走査
に同期してＸ線取出し窓を移動させるので、圧力隔壁で
ある腹厚を薄くでき、透過するＸ線の強度を大きくでき
る。したがって本発明のシンクロトロン放射光走査装置
をシンクロトロン放射光露光装置に適用することにより
、露光エリアを小さくすることなく露光時間を短くでき
るので．高スループットの露光装置を構成することがで
きるという効果を奏する。
窓の有効面積を小さくし、シンクロトロン放射光の走査
に同期してＸ線取出し窓を移動させるので、圧力隔壁で
ある腹厚を薄くでき、透過するＸ線の強度を大きくでき
る。したがって本発明のシンクロトロン放射光走査装置
をシンクロトロン放射光露光装置に適用することにより
、露光エリアを小さくすることなく露光時間を短くでき
るので．高スループットの露光装置を構成することがで
きるという効果を奏する。
第１図は本発明の一実施例を用いたシンクロトロン放射
光露光装置の断面図、第２図は第１図中のＸ線取出し窓
を示す斜視図、第３図は従来例を用いたシンクロトロン
放射光露光装置の断面図、第４図は第３図中のＸ線取出
し窓を示す斜視図である。 ２・・・走査ミラー、３・・・可動ビームライン、４・
・・ベローズ、５・・・Ｘ線取出し窓、６・・・直線駆
動機構，１００・・・蓄積リング。
光露光装置の断面図、第２図は第１図中のＸ線取出し窓
を示す斜視図、第３図は従来例を用いたシンクロトロン
放射光露光装置の断面図、第４図は第３図中のＸ線取出
し窓を示す斜視図である。 ２・・・走査ミラー、３・・・可動ビームライン、４・
・・ベローズ、５・・・Ｘ線取出し窓、６・・・直線駆
動機構，１００・・・蓄積リング。
Claims (1)
- 走査チャンバー内にあって超高真空下でシンクロトロン
放射光を反射によって走査する走査ミラーと、この走査
ミラーにより走査されシンクロトロン放射光軸に垂直に
配置し走査方向に移動可能なＸ線取出し窓と、前記走査
ミラーの旋回に同期して前記Ｘ線取出し窓を走査方向に
駆動する直線駆動機構と、前記走査ミラーの走査チャン
バーと前記Ｘ線取出し窓との間を一部をベローズで形成
して気密に接続した可動ビームラインとを具備すること
を特徴とするシンクロトロン放射光走査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055363A JPH02234498A (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | シンクロトロン放射光走査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1055363A JPH02234498A (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | シンクロトロン放射光走査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02234498A true JPH02234498A (ja) | 1990-09-17 |
Family
ID=12996407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1055363A Pending JPH02234498A (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 | シンクロトロン放射光走査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02234498A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04184300A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-01 | Toshiba Corp | Ｘ線露光装置 |
| US5535250A (en) * | 1994-07-09 | 1996-07-09 | Jenoptik Technologie Gmbh | Device for manipulating a synchrotron beam bundle |
-
1989
- 1989-03-07 JP JP1055363A patent/JPH02234498A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04184300A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-01 | Toshiba Corp | Ｘ線露光装置 |
| US5535250A (en) * | 1994-07-09 | 1996-07-09 | Jenoptik Technologie Gmbh | Device for manipulating a synchrotron beam bundle |
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