JPH08250420A - Ｘ線リソグラフィにおける複数フィールドの処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｘ線リソグラフィにおいて複数フィールドの
並列処理を可能にし、サイクルタイムを減少させる。 【解決手段】 Ｘ線リソグラフィにおいて複数フィール
ドを並列に処理する方法は、結合されたミラーアセンブ
リ（３０）と結合されたマスクアセンブリ（２２）を使
用し一つのステップで複数フィールド（５４、５４′）
を画定しかつプリントする。該結合されたミラーアセン
ブリ（３０）には複数のミラー面（３４）がある。結合
されたマスクアセンブリ（２２）にはミラー面（３４）
と同じ数のマスク（４４）がある。マスクアセンブリ内
のマスクの数により、単一の露光ステップの間並列にプ
リントできる画像フィールドの数が定められる。半導体
ウエーハー面の全てをリソグラフィにより露光するのに
要する全体のサイクル時間は並列な画像フィールドの数
に反比例する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は一般には半導体処理
に関し、より詳細にはＸ線リソグラフィに関する。

【０００２】

【従来の技術】リソグラフィシステムは集積回路（Ｉ
Ｃ）デバイスの製造において半導体ウエーハーの上にパ
ターンを露光するため使用されている。光学的、電子
（ｅ）ビーム、イオンビームおよびＸ線によるリソグラ
フィシステムが現在利用可能なツールの例である。典型
的なシステムには一般に、一次露光または放射源、マス
ク及び基板の位置決め装置、基板の上のマスクの上にあ
るパターンを照射し、かつ像を作るための投影装置及び
制御装置が含まれている。目的は放射に感応する材料の
層で覆われたウエーハーを選択的に照射して所望の回路
パターンを作成することであり、該回路パターンは後に
メタライズされ又は不純物をドーピングされ、あるいは
引き続く処理の間に活性化される。照射は紫外線、可視
光線、又はＸ線、ｅビーム或いはイオンビームのような
他の放射線により行なうことができる。集積回路デバイ
スは典型的には製造の間多数の照射の段階及び物理的な
処理の段階を受ける。単一半導体ウエーハーは典型的に
は複数のＩＣデバイスを含んでいることに注意する必要
がある。ウエーハー全体が、ウエーハーの上に画像フィ
ールドを露光し、次の画像フィールドに進み、更に該処
理を繰り返すことにより処理される。この方法は、画像
フィールド内の全ての画素が露光毎に同時に露光される
が、ウエーハーの多くの画像フィールドは一つずつ順番
に露光／プリントが行なわれるので直列リソグラフィ処
理と呼ばれている。

【０００３】画像フィールド（ｉｍａｇｅ ｆｉｅｌ
ｄ）は、デバイスの大きさが該画像フィールドに比べて
小さければ複数のＩＣデバイスを含むことができる。こ
のように、画像フィールド内の全ての画素は同時に露光
されるので単一の露光により複数のデバイスがプリント
され、次にウエーハーは次のフィールドに進められ画像
処理が繰り返される。この処理には複数のＩＣデバイス
に対する回路が露光毎にプリントされるが、該露光は各
ステップ毎に単一のフィールドに制限されているという
意味において直列及び並列リソグラフィの両方を含んで
いる。単一のステップでプリントされるウエーハー上の
デバイスの数はこの方法においては画像フィールドの大
きさにより制限される。

【０００４】現在利用できる最大のレンズフィールドは
光学リソグラフィシステムに対し２０ｍｍ×２０ｍｍで
ある。したがって、所要のデバイスの大きさが２０ｍｍ
×２０ｍｍならば、各画像フィールドに対し１つのみの
デバイスが露光されるが、例えば１ｍｍ×１ｍｍのよう
にデバイスの大きさが小さければ、単一のステップで４
００個のデバイスがプリントできる。各露光ステップは
並列操作であり、フィールド全体が光源により洪水の如
き露光（ｆｌｏｏｄ ｅｘｐｏｓｕｒｅ）を受けてお
り、マスクからの画像情報は直接ターゲットのウエーハ
ー領域の上に移される。画像フィールドが大きくされタ
ーゲットのウエーハーの大きさに等しくなるならば、バ
ッチリソグラフィ処理が実現され、ウエーハー全体が一
つのステップで露光される。しかし、レンズ技術が高度
に進歩しているが、現在の技術により今日利用できるも
のよりかなり大きなフィールドを製造できることは期待
できない。他方、ウエーハーの直径は技術が進歩するに
伴い大きくなることが期待され、これはバッチリソグラ
フィ処理が実行可能な解決法でないことを意味してい
る。

【０００５】更に、現在の傾向はＩＣデバイス上の個々
のビットを寸法が２分の１ミクロン及び４分の１ミクロ
ンであるようにすることであり、さらに一層より小さな
寸法を取るように期待されている。これは、これらのパ
ターンの画像を作るため使用されるリソグラフィ装置が
光学リソグラフィシステム以外の技術を使用することに
なるより一層高い解像力を必要とすることを意味してい
る。同時に、ＩＣデバイスの実際の物理的な大きさは単
一デバイス上でのより高い集積度の運用により大きくな
る。増加したＩＣチップの大きさは半導体工業が現在ま
で基準であった６インチ（１５０ｍｍ）および８インチ
（２００ｍｍ）ウエーハーより大きなウエーハーに向か
う原動力である。しかし、大きさのより大きなウエーハ
ーでは、ウエーハーの増加した表面積のため、大きさの
小さなウエーハーに比較してウエーハー全体をパターン
化するためにより多くの直列的な画像ステップが必要で
ある。例えば、より大きなウエーハーに必要な増加した
処理時間はウエーハーの面積に比例し、５インチのウエ
ーハーの場合に比較して８インチのウエーハーを露光す
るにはほぼ２．５倍長くかかる。この比はウエーハーの
直径の増加と共に増加し、工業的には１２インチ、１６
インチ及び２０インチのウエーハーの技術を開発する過
程にあるので好ましくない。完成したＩＣデバイスはリ
ソグラフィ的に画像を作る必要のある２０以上の層を備
える場合があることを記憶する必要があり、リソグラフ
ィのサイクル時間を少なくすることにより特に生産量が
増加する時ウエーハーの処理コストが大幅に減少する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】Ｅビーム及びイオンビ
ームリソグラフィにより複数のフィールドを使用したこ
の問題が取り扱われておりサイクル時間が減少する。し
かし、これらの技術において複数のフィールドを形成す
る方法には、電界を使用することにより平行に帯電され
た粒子ビームを分解し、該ビームを半導体ウエーハーの
上に収束する手段が必要である。この技術は光子ビーム
と、光を曲げ更に反射させるための物理的な鏡を使用す
るＸ線リソグラフィには全く適用できない。Ｘ線波長に
よって高解像力が得られるため、今でもより新しくより
複雑なＩＣデバイスを処理するＸ線リソグラフィを開発
することにかなりの重点が置かれている。したがって、
Ｘ線リソグラフィを使用してリソグラフィのサイクル時
間を減少する方法を見つけることが望まれる。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、複数のフィー
ルドがＸ線リソグラフィにおいて同時に画像化される方
法を与え、それによって半導体ウエーハー全体をプリン
トするために必要なステップの数を減少させ全体のサイ
クル時間を減らす方法を提供することにより、単一フィ
ールドのＸ線リソグラフィ処理による長いサイクル時間
の問題に対処している。一般に、Ｘ線リソグラフィの装
置は複数のフィールドが実現できるよう少なくとも二つ
のミラー面（ｍｉｒｒｏｒｅｄ ｓｕｒｆａｃｅｓ）を
備えたミラーアセンブリを収容するよう修正される。こ
のように、本発明の方法では放射源を利用し、超高真空
（ＵＨＶ）パイプの中に投射されるＸ線を発生してい
る。ミラーアセンブリが含まれており、複数のミラー面
がＸ線からの光子を集め、複数の光ビームを生成するた
め光を並列に処理するようにＵＨＶパイプ内に支えられ
ており、該複数の光ビームのそれぞれは有限の水平及び
垂直の広がりを有している。処理された光ビームのそれ
ぞれはベリリウムの出口窓を通り出る。ＵＨＶパイプの
外部にはマスクアセンブリがあり、該マスクアセンブリ
はミラーアセンブリ内にあるミラー面と同じ数のマスク
を含んでいる。マスクの数により、ターゲットの半導体
ウエーハーの上に同時に画像が作られるフィールドの数
が定められる。ウエーハーはいずれかのＸ線リソグラフ
ィシステムを有した標準装置であるステッパーにより支
えられている。それぞれが複数のミラーとマスクを有し
ているミラーアセンブリとマスクアセンブリを組み合わ
せて使用することにより、Ｘ線リソグラフィにおいて並
列に複数の画像フィールドを露光することが可能であ
る。ウエーハー全体をプリントするため必要なステップ
の数は各ステップにおいてプリントされたフィールドの
数に反比例する。

【０００８】

【発明の実施の形態】これらの及び他の特徴および利点
は添付の図面と共に行なった以下の詳細な説明から明確
に理解できる。図は必ずしも一定の縮尺で記載されては
おらず、特に図示しない本発明の他の実施形態があるこ
とを指摘することは重要である。

【０００９】図１は本発明のための典型的な構成である
Ｘ線リソグラフィシステム１０の概要を図示している。
該システム１０にはＸ線源１２と、ビームライン（ｂｅ
ａｍｌｉｎｅ）１３と、整列ステーション（ａｌｉｇｎ
ｅｒ ｓｔａｔｉｏｎ）２３とが含まれている。典型的
なシステムでは、ビームライン１３はＸ線源１２と整列
ステーション２３の間に延在し、３０フィート（約９．
１ｍ）の長さとすることができる。図１に概略的に示さ
れたＸ線源１２は点状のＸ線源（ｐｏｉｎｔｓｏｕｒｃ
ｅ）であり、真空中で帯電された粒子を加速するため知
られたデバイスであるシンクロトロンであることが望ま
しい。これらの帯電された粒子は真空中で磁界により定
められる通路内で軌道を描いて進み（ｏｒｂｉｔ）、更
に該粒子が軌道上の通路で曲がる時、ビームライン１３
の第１の端部に光子（ｐｈｏｔｏｎｓ）１６を放射す
る。ビームライン１３には適切に排気される長く伸びた
管（ｅｌｏｎｇａｔｅｄ ｔｕｂｅ）１４が含まれてい
る。管１４は典型的には１０^−１０から１０^−１１トー
ル（ｔｏｒｒ）に保たれているので該管はしばしば超高
真空（ＵＨＶ）パイプと呼ばれている。管１４内にはミ
ラーアセンブリ３０があり、該ミラーアセンブリはＸ線
を反射するコーティングを利用し、放射された光子１６
の流れを特定の形（ｆｏｒｍａｔ）に反射するため使用
されている。典型的な反射コーティングは金であるが、
シリコンカーバイドのような他の材料も反射材として使
用することができる。ミラーアセンブリ３０は本発明を
実施する必須のエレメントの１つである。このミラーア
センブリのより詳細な内容は図２及び図３を参照して説
明する。ミラーアセンブリ３０は幾つかの機械的な手段
１７により管１４に保持されているように描かれてい
る。機械的な支持体１７は装置によって変わり、本発明
の議論には特に関連はない。ミラーアセンブリ３０には
本システム１０内に支持体が必要であり、いずれの装置
の製造者もこのような支持体を製造することができる。

【００１０】ミラーアセンブリ３０で反射された後、Ｘ
線ビームはビームライン１３を通って進み、ビームライ
ン１３の第二の端部で出口窓２０を通り一組の物理的に
分離されたビームとして出る。出口窓２０は典型的には
ベリリウム膜が使用されており、ビームラインの超高真
空と整列ステーション２３の周囲圧力との圧力差に耐え
るよう構成されている。出口窓２０にはお互いに一定の
限られた距離だけ離れて並んだ複数の窓を設けてもよ
く、あるいは該窓は長く伸びた単一のベリリウム膜でも
よい。しかし、構造上、窓から出るそれぞれのＸ線ビー
ムは出口窓の適切な部分を通過する必要がある。

【００１１】Ｘ線ビームは複数のマスクを有したマスク
アセンブリ２２を通して進み、半導体ウエーハーの表面
にプリントされる回路を定めるマスク上の情報を集め
る。このマスクアセンブリ２２は本発明を実施できるよ
うにする他の必須のエレメントであり、図４を参照して
より詳細に説明する。ターゲットの半導体ウエーハー５
０は整列ステーション２３内のステージ２４の上に適切
にしかも除去可能に支持されている。ステージ２４は一
般に自由度が６の動きを行なうことができ、ウエーハー
は適切に整列されマスクアセンブリに関し焦点を合わせ
ることができる。ウエーハー５０には例えばホトレジス
トの感光材料の層が与えられている。マスクアセンブリ
内の各マスクからの情報は複数のフィールドが１つのス
テップでプリントされ、真の並列Ｘ線リソグラフィ処理
が行なわれるようにターゲットのウエーハーの表面上に
同時にプリントされる。

【００１２】図２および図３は、前述のミラーアセンブ
リに対する二つの可能な構成を図示している。図２にお
いて、ミラーアセンブリ３０の概略の断面は、二つの伝
統的なミラー１８がハードウエア３２及び３２′によっ
ていっしょに結合されていることを示している。実際に
結合されたミラーアセンブリは多数の機械的な部品及び
結合部から構成されているので、この概要図は図を分か
り易くかつ明確にするため大幅に簡単にしていることを
理解する必要がある。ミラーは複数のＸ線ビームが光子
の到来する流れから形成されるように結合され、ビーム
ラインを通るＸ線ビームの経路は複数のミラーにより与
えらる反射角により制御されていることのみが重要であ
る。ミラー１８は平らな表面３４を有するように図示さ
れているが、曲がった形のように他の表面形状を使用す
ることもできる。Ｘ線ビームは表面３４により反射さ
れ、図１の出口窓２０を通って出る。

【００１３】図３は、ミラーアセンブリに対する他の構
成を図示している。この図で、ミラーアセンブリ３０′
は複数のコリメートミラー面（ｃｏｌｌｉｍａｔｉｎｇ
ｍｉｒｒｏｒｅｄ ｓｕｒｆａｃｅｓ）３４′を有し
た一体のミラー（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ ｍｉｒｒｏ
ｒ）である。Ｘ線ビームが反射されるコリメートミラー
面３４′はトロイダル形状（ｔｏｒｏｉｄａｌ−ｓｈａ
ｐｅｄ）であるよう示されており、ミラー面が平らなも
のと異なってもよいことを図示している。実際には、該
ミラー面は円形、放物線状、円筒形、多角形又は他の曲
線とすることができる。ターゲットウエーハーの上に異
なるフィールドをプリントするため２つのＸ線ビームの
間でいくらかの発散角または分岐角（ｄｉｖｅｒｇｅｎ
ｃｅ ａｎｇｌｅ）が望まれるから、二つのミラー面３
４′の間に実際に物理的な分離が必要である。さもなけ
れば、二つのビームはあまりにも接近しすぎて、事実上
１つのビームと画像フィールドを形成し、並列のプリン
トのために複数のフィールドを与える本発明の目的を損
なう。二つしか図示していないが、本発明を実施するこ
とは決して二つのミラー又は二つのフィールドのみに限
定されないことに注意する必要がある。処理されるウエ
ーハーの大きさにより、より多くの数のミラーが可能で
ある。例えば、８インチのウエーハーに対しては二つの
ミラーを有れば十分であるが、ウエーハーの大きさが２
０インチのレベルまで達する時、ミラーアセンブリの中
に三つ又は四つのミラーを設けることがより実際的であ
る。

【００１４】図４は図１の結合されたマスクアセンブリ
２２の概要図を三次元的に図示している。結合されたマ
スクアセンブリ２２は、ここでは図１から図３のミラー
アセンブリ３０の中に二つのミラーが与えられているの
で、二重のまたは二部分からなるマスクアセンブリとし
て示されている。マスクアセンブリ２２はそれぞれマス
ク４４を保持するための、ステージ４２から構成される
ように概略的に図示されている。マスク４４は、例えば
干渉計手段４８により結合されている。干渉計４８はマ
スクアセンブリ内の二つのマスクの間の間隔を制御して
いる。この他、マスクは校正されたバー又は詰め木（ｓ
ｈｉｍ）又は他の機械的な手段のような物理的な基準体
により結合されている。他の結合体の選択肢は結合用の
電子手段を使用することである。マスク間の間隔は、ミ
ラー面を反射する時のＸ線ビームの水平分岐または水平
発散（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ ｄｉｖｅｒｇｅｎｃｅ）
により、必ずしも（前に説明した）ミラー面の間の間隔
と同じにする必要はない。マスクアセンブリ内でマスク
をいっしょに結合し、並列処理のため複数の画像フィー
ルドの間の間隔距離を制御し固定する必要がある。

【００１５】実際には、第二のマスクが焦点を合わせる
ことのみに使用される一方で、第一のマスクは焦点を合
わせるのと整列のため使用されることが望ましい。焦点
を合わせることはマスクとターゲットウエーハーの間の
ギャップ間隔を設定する処理である。整列はマスクとウ
エーハーの間でＸ方向とＹ方向に並進及び回転の基準を
作ることである。二重のマスクは、第二のマスクが並進
及び回転に対し第一のマスクの基準となる一方で整列が
一方のマスクによって行なわれるように、二つのマスク
の間の距離を制御する干渉計と結合される。あるいは、
他のマスクに対し一方のマスクの基準を取ることが必要
でないように両方のマスクを整列及び焦点を合わせるこ
とに使用できる。マスク４４内の穴４６は焦点を合わせ
ることと整列の操作に必要であるので図示している。焦
点を合わせることと整列のステップは両方とも当業者に
周知の操作である。全ての露光のステップに対して整列
を行なうことは容認できる作業であるが、焦点を合わせ
ることは全ての露光のステップに必要であるのに対し、
整列は必要でないことに注意する必要がある。

【００１６】図５はターゲットの半導体ウエーハー５０
が本発明に基づきプリントされるステップを図示してい
る。ウエーハーの表面５２は以下の例示的な手順により
リソグラフィ的にパターン化される。第一の段階で、マ
スクアセンブリによって画定される画像フィールド５４
及び５４′は前述の方法及び装置を使用して表面上に並
列に露光される。画像フィールド５４と５４′の物理的
な間隔はミラー面の間の間隔により、及びマスクステー
ジがいかに近く結合されているかにより定められる。従
って、（整列ステーションの一部として図１に示す）ス
テージによりウエーハーは次の位置に少し移動され、画
像フィールド５６及び５６′は並列に露光される。露光
ステップの間各Ｘ線ビームに対し個別の制御を与えるこ
とにより、より一層正確な制御を与えるために別々の露
光シャッタが好ましい。前記ステージは続けて次の位置
まで移動され、ウエーハーの表面全体がプリントされる
まで、それぞれのステップで二つのフィールドがプリン
トされる。それぞれのプリントのステップに対し並列に
二つのフィールドをプリントすることにより、全体のリ
ソグラフィのサイクル時間を現在行なわれている量のほ
ぼ半分まで減らすことができる。しかし、ステップ毎に
プリントされる画像フィールドの数は、システムに与え
られたミラー及びマスクの数により決定されることが理
解できる。したがって、ミラーアセンブリとマスクアセ
ンブリがそれぞれ三つのミラーとマスクを含むならば、
三つの画像フィールドが並列にプリントされ、これによ
りウエーハーをプリントするため必要な時間が現行の直
列処理に比べてほぼ１／３まで減る。幾つかの露光で
は、ウエーハー上の全ての可能な領域をより完全にプリ
ントするためプリント用に前記フィールドの内の１つの
みを使用することができる。

【００１７】

【発明の効果】前述の説明及びここに示した図により本
発明に関連した多くの利点が説明できる。特に、複数の
ミラーを有するミラーアセンブリと、複数のマスクを有
するマスクアセンブリとを与えることにより、複数のフ
ィールドがウエーハー面上に同時にプリントできる並列
のＸ線リソグラフィを行い、ウエーハー全体をパターン
化するのに必要な全体のステップ数を減らすことができ
ることが示された。更に、大きなアセンブリを収容する
ため必要な装置の変更は装置の製造業者の能力で十分に
可能である。更に他の利点は本発明が他のタイプのリソ
グラフィよりもＸ線リソグラフィにより得られる優れた
解像力を、サイクル時間がお金に変えられる製造環境に
対する処理のスループットを増大する方法と有効に組合
せることである。更に、複数のマスクを使用することは
サイクルタイムに対する不利益なしにより小さなマスク
フィールドが使用できることを意味し、これはＸ線マス
クはマスクの寸法が大きくなるに応じてより多くの欠陥
を有するため有利である。したがって、ウエーハーの上
の異なる領域を露光するため複数のより小さなマスクを
使用することにより欠陥の制御をより容易に行なうこと
ができる。

【００１８】このように、本発明に従い、前に述べた要
求と利点を完全に満たす複数のフィールドの並列Ｘ線リ
ソグラフィのための方法を提供できることは明らかであ
る。本発明を特定の実施形態を参照して説明及び図示し
たが、本発明はこれらの図に示す実施形態に制限される
ものではない。当業者は本発明の精神から外れることな
く変更及び修正を行なうことができることを理解するで
あろう。例えば、ミラーアセンブリはビームラインの光
学系に使用するため、一方又は他方のみを使用する代わ
りに、曲面状のミラーと平坦なミラーの両方を結合して
使用することができる。更に、マスクアセンブリは結合
されているが離れているマスクである代わりに、一体化
アセンブリとすることができる。本発明はミラーアセン
ブリ及びマスクアセンブリに与えられたミラー及びマス
クの数により、より多くのフィールドを同時にプリント
することもできるので、一度に二つのフィールドのみを
プリントすることに制限されない。更に、引き続く露光
ステップは、より時間効率の良いパターンはプリントさ
れるウエーハーの大きさと形状に依存するので、隣接し
当接する領域をウエーハー面上に露光することに制限さ
れる必要はない。したがって、本発明は添付の特許請求
の範囲に含まれるすべてのそのような変更及び修正を含
むものと考える。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるＸ線リソグラフィシステムの一部
を示す概要図である。

【図２】図１のシステムに使用するための結合されたミ
ラーアセンブリの概要を示す断面図である。

【図３】図２の結合されたミラーアセンブリに対する他
の選択肢としての一体化ミラーアセンブリの概要を示す
三次元的説明図である。

【図４】図１のシステムに使用するための結合されたマ
スクステージの概要を示す三次元的説明図である。

【図５】本発明により半導体ウエーハーがパターン化さ
れる段階を示す説明図である。

【符号の説明】

１０ Ｘ線リソグラフィシステム １２ Ｘ線源 １３ ビームライン １４ 長く伸びた管 １６ 光子 １７ 機械的支持手段 １８ ミラー ２０ 出口窓 ２２ 結合されたマスクアセンブリ ２３ 整列ステーション ２４ ステージ ３０ 結合されたミラーアセンブリ ３２，３２′ ハードウエアー ３４ 平らな面 ４２ ステージ ４４ マスク ４６ 穴 ４８ 干渉手段 ５０ ターゲット半導体ウエーハー ５２ ウエーハーの表面 ５４，５４′ 画像フィールド ５６，５６′ 画像フィールド

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｘ線リソグラフィにおいて複数フィール
   ドの処理を行なう方法であって、 ａ）半導体ウエーハーを保持するため、支持用ステージ
   （２４）の上に半導体ウエーハー（５０）を置く段階、 ｂ）Ｘ線源（１２）を提供する段階、 ｃ）少なくとも二つのミラー面（３４）を含むミラーア
   センブリ（３０）を提供する段階、 ｄ）前記ミラーアセンブリを包含する手段（１４）を提
   供する段階、 ｅ）前記ミラーアセンブリ内のミラー面と同じ数のマス
   ク（４４）を含むマスクアセンブリ（２２）を提供する
   段階であって、該マスクアセンブリは複数のかつ別個の
   画像フィールド（５４，５４′）を形成するため、各マ
   スクの間に第一の固定した分離距離を保っているもの、 ｆ）前記マスクアセンブリに関して前記半導体ウエーハ
   ーを整列する段階、 ｇ）前記半導体ウエーハーの第一の表面部分を前記マス
   クアセンブリに関して焦点を合せる段階、 ｈ）前記半導体ウエーハーの第一の表面部分を前記Ｘ線
   源を前記ミラーアセンブリを含む手段の第一の端部に投
   射することによって形成される少なくとも二つの出力Ｘ
   線ビームに露光する段階であって、この露光により前記
   少なくとも二つの出力Ｘ線ビームが前記少なくとも二つ
   のミラー面から反射されて前記ミラーアセンブリを含む
   手段の第二の端部から出射し、前記少なくとも二つのミ
   ラー面は前記少なくとも二つの出力Ｘ線ビームの間の第
   二の固定された分離距離を有する前記少なくとも二つの
   出力Ｘ線ビームを形成し、この形成によって前記少なく
   とも二つの出力Ｘ線ビームの各々が前記マスクアセンブ
   リの別個のマスクをとおって進行し前記半導体ウエーハ
   ー上に複数のかつ別個の画像フィールドをプリントする
   もの、そして ｉ）前記半導体ウエーハーの全ての所望の表面部分が露
   光されるまで前記半導体ウエーハーの次の表面部分にス
   テップ移動しかつ前記段階（ｇ）〜（ｉ）を反復する段
   階、 を具備することを特徴とするＸ線リソグラフィにおいて
   複数フィールドの処理を行なう方法。
2. 【請求項２】 Ｘ線リソグラフィにおいて複数フィール
   ドの処理を行なう方法であって、 ａ）半導体ウエーハーを保持するため、支持用ステージ
   （２４）の上に半導体ウエーハー（５０）を置く段階、 ｂ）Ｘ線源（１２）を提供する段階、 ｃ）少なくとも二つのミラー面（３４′）を含む一体の
   ミラーアセンブリ（３０′）を提供する段階、 ｄ）適切に排気され、前記一体のミラーアセンブリを包
   含する長く伸びた管（１４）を提供する段階、 ｅ）前記長く伸びた管の外部に前記長く伸びた管と整列
   して、前記一体のミラーアセンブリにおけるミラー面と
   同じ数のマスク（４４）を含むマスクアセンブリ（２
   ２）を提供する段階であって、該マスクアセンブリは複
   数のかつ別個の画像フィールド（５４，５４′）を形成
   するために各マスクの間に第一の固定の分離距離を維持
   するもの、 ｆ）前記半導体ウエーハーを前記マスクアセンブリに関
   して整列する段階、 ｇ）前記半導体ウエーハーの第一の表面部分を前記マス
   クアセンブリに関して焦点を合わせる段階、 ｈ）前記半導体ウエーハーの前記第一の表面部分を前記
   Ｘ線源を前記一体のミラーアセンブリを包含する長く伸
   びた管の第一の端部に投影することによって形成される
   少なくとも二つの出力Ｘ線ビームに露光する段階であっ
   て、この露光により前記少なくとも二つの出力Ｘ線ビー
   ムが前記少なくとも二つのミラー面から反射されて前記
   一体のミラーアセンブリを含む長く伸びた管の第二の端
   部から出射し、前記少なくとも二つのミラー面は前記少
   なくとも二つの出力Ｘ線ビームの間で第二の固定された
   分離距離を有する前記少なくとも二つの出力Ｘ線ビーム
   を形成し、この形成によって前記少なくとも二つの出力
   Ｘ線ビームの各々は前記マスクアセンブリの別個のマス
   クをとおって進行し前記半導体ウエーハー上に複数のか
   つ別個の画像フィールドをプリントするもの、そして ｉ）前記半導体ウエーハーの全ての所望の表面部分が露
   光されるまで前記半導体ウエーハーの次の表面部分に進
   みかつ段階（ｇ）〜（ｉ）を反復する段階、 を具備することを特徴とするＸ線リソグラフィにおいて
   複数フィールドの処理を行なう方法。
3. 【請求項３】 Ｘ線リソグラフィにおいて複数フィール
   ドの処理を行なう方法であって、 ａ）半導体ウエーハーを保持するため、支持用ステージ
   （２４）上に半導体ウエーハー（５０）を置く段階、 ｂ）Ｘ線源（１２）を提供する段階、 ｃ）少なくとも二つのミラー（１８）を含む結合された
   ミラーアセンブリ（３０）を提供する段階、 ｄ）適切に排気され、前記結合されたミラーアセンブリ
   を包含する長く伸びた管（１４）を提供する段階、 ｅ）前記長く伸びた管の外部に前記長く伸びた管と整列
   して、前記結合されたミラーアセンブリにおけるミラー
   と同じ数のマスク（４４）を含むマスクアセンブリ（２
   ２）を提供する段階であって、該マスクアセンブリは複
   数のかつ別個の画像フィールド（５４，５４′）を形成
   するために各マスクの間に第一の固定された分離距離を
   維持するもの、 ｆ）前記半導体ウエーハーを前記マスクアセンブリに関
   して整列する段階、 ｇ）前記半導体ウエーハーの第一の表面部分を前記マス
   クアセンブリに関して焦点を合わせる段階、 ｈ）前記半導体ウエーハーの前記第一の表面部分を、前
   記Ｘ線源を前記結合されたミラーアセンブリを包含する
   長く伸びた管の第一の端部に投射することにより形成さ
   れる少なくとも二つの出力Ｘ線ビームに露光する段階で
   あって、この露光により前記少なくとも二つの出力Ｘ線
   ビームが前記少なくとも二つのミラーから反射されて前
   記結合されたミラーアセンブリを包含する長く伸びた管
   の第二の端部から出射し、前記少なくとも二つのミラー
   は前記少なくとも二つの出力Ｘ線ビームの間で第二の固
   定された分離距離を有する前記少なくとも二つの出力Ｘ
   線ビームを形成し、この形成により前記少なくとも二つ
   の出力Ｘ線ビームの各々が前記マスクアセンブリの別個
   のマスクをとおって進行し前記半導体ウエーハー上に複
   数のかつ別個の画像フィールドをプリントするもの、そ
   して ｉ）前記半導体ウエーハーの全ての所望の表面部分が露
   光されるまで前記半導体ウエーハーの次の表面部分に進
   みかつ段階（ｇ）〜（ｉ）を反復する段階、 を具備することを特徴とするＸ線リソグラフィにおいて
   複数フィールドの処理を行なう方法。
4. 【請求項４】 Ｘ線リソグラフィにおいて複数フィール
   ドの処理を行なう方法であって、 ａ）半導体ウエーハーを保持するため、支持用ステージ
   （２４）上に半導体ウエーハー（５０）を置く段階、 ｂ）Ｘ線源（１２）を提供する段階、 ｃ）少なくとも二つのミラー面（３４）を含むミラーア
   センブリ（３０）を提供する段階、 ｄ）適切に排気され、結合されたミラーアセンブリを包
   含する長く伸びた管（１４）を提供する段階であって、
   該長く伸びた管は第一の端部および第二の端部を有し、
   複数のベリリウムの出口窓（２０）が前記第二の端部に
   配置されているもの、 ｅ）前記長く伸びた管の外部に前記長く伸びた管と整列
   して、前記結合されたミラーアセンブリにおけるミラー
   と同じ数のマスクを含むマスクアセンブリを提供する段
   階であって、該マスクアセンブリは複数のかつ別個の画
   像フィールドを形成するために各マスクの間に第一の固
   定された分離距離を維持しているもの、 ｆ）前記半導体ウエーハーを前記マスクアセンブリに関
   して整列する段階、 ｇ）前記半導体ウエーハーの第一の表面部分を前記マス
   クアセンブリに関して焦点を合わせる段階、 ｈ）前記半導体ウエーハーの第一の表面部分を、Ｘ線源
   を前記長く伸びた管の第一の端部に投射することによっ
   て形成される少なくとも二つの出力Ｘ線ビームに露光す
   る段階であって、該露光により前記少なくとも二つの出
   力Ｘ線ビームが前記少なくとも二つのミラー面から反射
   されて前記長く伸びた管の第二の端部から出射し、前記
   少なくとも二つのミラー面は前記少なくとも二つの出力
   Ｘ線ビームの間で第二の固定された分離距離を有する前
   記少なくとも二つの出力Ｘ線ビームを形成し、この形成
   により前記少なくとも二つの出力Ｘ線ビームの各々が前
   記マスクアセンブリの別個のマスクをとおって進行し前
   記半導体ウエーハー上に複数のかつ別個の画像フィール
   ドをプリントするもの、そして ｉ）前記半導体ウエーハーの全ての所望の表面部分が露
   光されるまで前記半導体ウエーハーの次の表面部分に移
   動しかつ段階（ｇ）〜（ｉ）を反復する段階、 を具備することを特徴とするＸ線リソグラフィにおいて
   複数フィールドの処理を行なう方法。