JP2727787B2 - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、Ｘ線露光装置に関
し、例えばシンクロトロン放射光を利用したものに関す
るものである。
し、例えばシンクロトロン放射光を利用したものに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】ストレージリングから放射するシンクロ
トロン放射光は、硬Ｘ線から可視光まで広がる広帯域の
波長域を持ち、水平方向には大きな発散角、垂直方向に
は小さな発散角を持つシート状のＸ線を放射するＸ線源
である。このようなシンクロトロン放射をＸ線源として
利用するＸ線露光装置として、例えば雑誌（Ｎｕｃｌｅ
ａｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ
ｓ ｉｎ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ａ２４
６，１９８６年，第６５８頁〜第６６７頁）に掲載され
たものの構成を図６に示す。図において、１は水平方向
及び垂直方向の発散角を持つＸ線を放射する点光源状の
Ｘ線源、４は例えばベリリウム膜等でできた真空窓、５
は露光面、８は平面Ｘ線反射ミラーである。
トロン放射光は、硬Ｘ線から可視光まで広がる広帯域の
波長域を持ち、水平方向には大きな発散角、垂直方向に
は小さな発散角を持つシート状のＸ線を放射するＸ線源
である。このようなシンクロトロン放射をＸ線源として
利用するＸ線露光装置として、例えば雑誌（Ｎｕｃｌｅ
ａｒ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ
ｓ ｉｎ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ａ２４
６，１９８６年，第６５８頁〜第６６７頁）に掲載され
たものの構成を図６に示す。図において、１は水平方向
及び垂直方向の発散角を持つＸ線を放射する点光源状の
Ｘ線源、４は例えばベリリウム膜等でできた真空窓、５
は露光面、８は平面Ｘ線反射ミラーである。
【０００３】次にこの装置の動作を説明する。硬Ｘ線を
遮断する平面Ｘ線反射ミラー８及び数１０オングストロ
ーム以上の長波長域を遮断するためのベリリウム膜等で
できた真空窓４でＸ線光学系を構成し、露光に適当な波
長である１０オングストローム近傍の波長帯のＸ線を取
り出すことができる。
遮断する平面Ｘ線反射ミラー８及び数１０オングストロ
ーム以上の長波長域を遮断するためのベリリウム膜等で
できた真空窓４でＸ線光学系を構成し、露光に適当な波
長である１０オングストローム近傍の波長帯のＸ線を取
り出すことができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のＸ線露光装置は
以上のように構成されており、シンクロトロン放射光の
点光源１に対するＸ線光学系のアパーチャーは、下流端
に位置する真空窓４の大きさによって決まり、大きくと
ることができない。このため、水平方向に大きく広がる
シンクロトロン放射光のうちごく一部しかＸ線露光面５
上に取り出すことができない。特に、半導体装置用の小
型ストレージリングからのシンクロトロン放射光を利用
した場合、シンクロトロン放射光強度があまり強くない
ため、露光面５上のＸ線強度を充分に大きくすることが
できないという問題点があった。
以上のように構成されており、シンクロトロン放射光の
点光源１に対するＸ線光学系のアパーチャーは、下流端
に位置する真空窓４の大きさによって決まり、大きくと
ることができない。このため、水平方向に大きく広がる
シンクロトロン放射光のうちごく一部しかＸ線露光面５
上に取り出すことができない。特に、半導体装置用の小
型ストレージリングからのシンクロトロン放射光を利用
した場合、シンクロトロン放射光強度があまり強くない
ため、露光面５上のＸ線強度を充分に大きくすることが
できないという問題点があった。
【０００５】また、シンクロトロン放射光の持つ放射発
散角度がそのまま保存されて露光面５に照射される。こ
のため、Ｘ線光学系の主光軸と露光面５の交点によって
定義される露光面の原点から特に水平方向に離れれば離
れるほど、Ｘ線の露光面５への入射は直入射から大きく
ずれていく。従って露光面５上に形成される転写パター
ンは、原点から水平方向に離れるにしたがいＸ線マスク
パターンとの位置ずれが大きくなるという問題点もあっ
た。
散角度がそのまま保存されて露光面５に照射される。こ
のため、Ｘ線光学系の主光軸と露光面５の交点によって
定義される露光面の原点から特に水平方向に離れれば離
れるほど、Ｘ線の露光面５への入射は直入射から大きく
ずれていく。従って露光面５上に形成される転写パター
ンは、原点から水平方向に離れるにしたがいＸ線マスク
パターンとの位置ずれが大きくなるという問題点もあっ
た。
【０００６】この発明は、かかる問題点を解決するため
になされたもので、水平方向に大きく発散するシンクロ
トロン放射光を有効に集光することにより露光面上のＸ
線強度を充分に大きくでき、さらに露光領域にわたって
限りなく直入射に近い状態のＸ線の照射を可能にするＸ
線集光光学系を有するＸ線露光装置を得ることを目的と
している。
になされたもので、水平方向に大きく発散するシンクロ
トロン放射光を有効に集光することにより露光面上のＸ
線強度を充分に大きくでき、さらに露光領域にわたって
限りなく直入射に近い状態のＸ線の照射を可能にするＸ
線集光光学系を有するＸ線露光装置を得ることを目的と
している。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係るＸ線露光
装置は、水平方向及び垂直方向の発散角を持つＸ線を放
射する点光源状のＸ線源、Ｘ線を水平方向及び垂直方向
に同時に焦点を結ばせる集光作用を有し、その反射面の
曲面形状は、回転楕円面或はトロイダル面の２焦点系の
集光特性を持つ曲面によって表わされる第１段反射ミラ
ー、第１段反射ミラーによって集光された焦点から放射
するＸ線をＸ線の光学系の主光軸に平行なＸ線にコリメ
ートする作用を有し、その反射面の曲面形状が回転放物
面で表わされる第２段反射ミラーを備え、第１段反射ミ
ラーの第１焦点を点光源に配置すると共に、第１段反射
ミラーの第２焦点と第２段反射ミラーの焦点を実質的に
一致させるようにしたものである。
装置は、水平方向及び垂直方向の発散角を持つＸ線を放
射する点光源状のＸ線源、Ｘ線を水平方向及び垂直方向
に同時に焦点を結ばせる集光作用を有し、その反射面の
曲面形状は、回転楕円面或はトロイダル面の２焦点系の
集光特性を持つ曲面によって表わされる第１段反射ミラ
ー、第１段反射ミラーによって集光された焦点から放射
するＸ線をＸ線の光学系の主光軸に平行なＸ線にコリメ
ートする作用を有し、その反射面の曲面形状が回転放物
面で表わされる第２段反射ミラーを備え、第１段反射ミ
ラーの第１焦点を点光源に配置すると共に、第１段反射
ミラーの第２焦点と第２段反射ミラーの焦点を実質的に
一致させるようにしたものである。
【０００８】
【作用】この発明におけるＸ線露光装置では、シンクロ
トロン放射光の光源サイズはストレージリングを周回す
る充分に小さい電子ビームサイズに等しい点光源とみな
すことができる。また、点光源に第１段反射ミラーの極
点を近づけることができるので点光源に対するＸ線光学
系のアパーチャーが大きくなり、水平方向に大きく広が
るシート状のシンクロトロン放射光を全て第１段反射ミ
ラー面に取り込んで、第２焦点に焦点を結ぶように集光
することができる。さらに、第１段反射ミラーの第２焦
点に集光したシンクロトロン放射光は、第２段反射ミラ
ーの焦点にある点光源とみなすことができるため、第２
段反射ミラーを反射した後、主光軸に平行なＸ線にコリ
メートされる。このため、真空窓を通ったＸ線は露光領
域にわたって直入射に限りなく近い状態で入射する。
トロン放射光の光源サイズはストレージリングを周回す
る充分に小さい電子ビームサイズに等しい点光源とみな
すことができる。また、点光源に第１段反射ミラーの極
点を近づけることができるので点光源に対するＸ線光学
系のアパーチャーが大きくなり、水平方向に大きく広が
るシート状のシンクロトロン放射光を全て第１段反射ミ
ラー面に取り込んで、第２焦点に焦点を結ぶように集光
することができる。さらに、第１段反射ミラーの第２焦
点に集光したシンクロトロン放射光は、第２段反射ミラ
ーの焦点にある点光源とみなすことができるため、第２
段反射ミラーを反射した後、主光軸に平行なＸ線にコリ
メートされる。このため、真空窓を通ったＸ線は露光領
域にわたって直入射に限りなく近い状態で入射する。
【０００９】
実施例１．図１はこの発明の一実施例によるＸ線露光装
置を示す構成図である。図において、１は水平方向及び
垂直方向の発散角を持つＸ線を放射する点光源状のＸ線
源で、例えばシンクロトロン放射光の光源点、２は第１
段反射ミラーで、シンクロトロン放射光を水平方向及び
垂直方向に同時に焦点を結ばせる集光作用を有し、その
反射面の曲面形状は、例えば回転楕円面の２焦点系の集
光特性を持つ曲面によって表わされる。３は第２段反射
ミラーで、第１段反射ミラー２によって集光された焦点
から放射するシンクロトロン放射光を光学系の主光軸に
平行なＸ線にコリメートする作用を有し、その反射面の
曲面形状が回転放物面で表わされるミラ−である。ま
た、４は真空窓、５は露光面、６は第１段反射ミラー２
の第２焦点及び第２段反射ミラー３の焦点である。な
お、図示はしていないが転写されるべきＸ線マスクが真
空窓４と露光面５の間に位置している。第１段反射ミラ
ー２の第１焦点を光源点１に配置し、第１段反射ミラー
２の第２焦点６と第２段反射ミラー３の焦点を実質的に
一致させるようにしたものである。
置を示す構成図である。図において、１は水平方向及び
垂直方向の発散角を持つＸ線を放射する点光源状のＸ線
源で、例えばシンクロトロン放射光の光源点、２は第１
段反射ミラーで、シンクロトロン放射光を水平方向及び
垂直方向に同時に焦点を結ばせる集光作用を有し、その
反射面の曲面形状は、例えば回転楕円面の２焦点系の集
光特性を持つ曲面によって表わされる。３は第２段反射
ミラーで、第１段反射ミラー２によって集光された焦点
から放射するシンクロトロン放射光を光学系の主光軸に
平行なＸ線にコリメートする作用を有し、その反射面の
曲面形状が回転放物面で表わされるミラ−である。ま
た、４は真空窓、５は露光面、６は第１段反射ミラー２
の第２焦点及び第２段反射ミラー３の焦点である。な
お、図示はしていないが転写されるべきＸ線マスクが真
空窓４と露光面５の間に位置している。第１段反射ミラ
ー２の第１焦点を光源点１に配置し、第１段反射ミラー
２の第２焦点６と第２段反射ミラー３の焦点を実質的に
一致させるようにしたものである。
【００１０】また、図２は図１のＸ線露光装置のＸ線集
光光学系の主光軸を含む縦断面図である。図２におい
て、７はＸ線集光光学系の主光軸、ｄ1 はシンクロトロ
ン放射光の光源点１から第１段反射ミラー２の極点まで
の距離、ｄ2 は第１段反射ミラー２の極点から第２焦点
６までの距離、ｄ3 は第２焦点６から第２段反射ミラー
３までの距離、ｄ4 は第２段反射ミラー３から露光面５
までの距離、θ1 は主光軸７の第１段反射ミラーへの入
射角度、θ2 は主光軸７の第２段反射ミラーへの入射角
度を示すものである。
光光学系の主光軸を含む縦断面図である。図２におい
て、７はＸ線集光光学系の主光軸、ｄ1 はシンクロトロ
ン放射光の光源点１から第１段反射ミラー２の極点まで
の距離、ｄ2 は第１段反射ミラー２の極点から第２焦点
６までの距離、ｄ3 は第２焦点６から第２段反射ミラー
３までの距離、ｄ4 は第２段反射ミラー３から露光面５
までの距離、θ1 は主光軸７の第１段反射ミラーへの入
射角度、θ2 は主光軸７の第２段反射ミラーへの入射角
度を示すものである。
【００１１】上記のように構成されたＸ線露光装置で
は、シンクロトロン放射光の光源サイズはストレージリ
ングを周回する充分に小さい電子ビームサイズに等しい
点光源とみなすことができる。さらに光源点に第１段反
射ミラー２の極点を近づけたことにより光源点１に対す
るＸ線光学系のアパーチャーが大きくなり、水平方向に
大きく広がるシート状のシンクロトロン放射光を全て第
１段反射ミラー２面に取り込み、第２焦点６に焦点を結
ぶように集光することができる。さらに第１段反射ミラ
ー２の第２焦点６に集光したシンクロトロン放射光は、
第２段反射ミラー３の焦点にある点光源とみなすことが
できるため、第２段反射ミラー３を反射した後、主光軸
７に平行なＸ線にコリメートされる。このため、真空窓
４を通ったＸ線は露光領域５にわたって直入射に限りな
く近い状態で入射する。しかも放射した全てのシンクロ
トロン放射光を露光領域５に集めているため、Ｘ線反射
ミラー２，３を２回反射させることによる反射率の影響
を考慮してもなお従来例に比べて、露光面上のＸ線強度
は５〜１０倍程度に大きくなる。
は、シンクロトロン放射光の光源サイズはストレージリ
ングを周回する充分に小さい電子ビームサイズに等しい
点光源とみなすことができる。さらに光源点に第１段反
射ミラー２の極点を近づけたことにより光源点１に対す
るＸ線光学系のアパーチャーが大きくなり、水平方向に
大きく広がるシート状のシンクロトロン放射光を全て第
１段反射ミラー２面に取り込み、第２焦点６に焦点を結
ぶように集光することができる。さらに第１段反射ミラ
ー２の第２焦点６に集光したシンクロトロン放射光は、
第２段反射ミラー３の焦点にある点光源とみなすことが
できるため、第２段反射ミラー３を反射した後、主光軸
７に平行なＸ線にコリメートされる。このため、真空窓
４を通ったＸ線は露光領域５にわたって直入射に限りな
く近い状態で入射する。しかも放射した全てのシンクロ
トロン放射光を露光領域５に集めているため、Ｘ線反射
ミラー２，３を２回反射させることによる反射率の影響
を考慮してもなお従来例に比べて、露光面上のＸ線強度
は５〜１０倍程度に大きくなる。
【００１２】なお、シンクロトロン放射光の光源点から
第１段反射ミラー２の極点までの距離ｄ1 を縮めること
により、シンクロトロン放射光の光源点１に対するＸ線
光学系のアパーチャーが大きくなり、上記効果を容易に
実現できる。
第１段反射ミラー２の極点までの距離ｄ1 を縮めること
により、シンクロトロン放射光の光源点１に対するＸ線
光学系のアパーチャーが大きくなり、上記効果を容易に
実現できる。
【００１３】図３は第１段反射ミラー２の反射面の曲面
形状を説明する説明図であり、この実施例１では例えば
数１で示される回転楕円面の２焦点系の集光特性を持つ
曲面によって表わされている。
形状を説明する説明図であり、この実施例１では例えば
数１で示される回転楕円面の２焦点系の集光特性を持つ
曲面によって表わされている。
【００１４】
【数１】
【００１５】ただし、ｅは離心率を表わし、数２とな
る。
る。
【００１６】
【数２】
【００１７】この楕円面の関数系を図４のようにミラ−
面上の座標系（ｘ，ｙ，ｚ）で展開すると、数３のよう
になる。
面上の座標系（ｘ，ｙ，ｚ）で展開すると、数３のよう
になる。
【００１８】
【数３】
【００１９】ここで、第１焦点と第１段反射ミラー２面
の極点間の距離ｄ1 をできるだけ縮めた曲面形状を持た
せれば、露光面５上でのＸ線強度を最大にできる。
の極点間の距離ｄ1 をできるだけ縮めた曲面形状を持た
せれば、露光面５上でのＸ線強度を最大にできる。
【００２０】また、図５は第２段反射ミラー３の反射面
の曲面形状を説明する説明図で、この実施例１では例え
ば数４で示される回転放物面で表わされている。
の曲面形状を説明する説明図で、この実施例１では例え
ば数４で示される回転放物面で表わされている。
【００２１】
【数４】
【００２２】上記と同様にミラ−面上の座標系（ｘ，
ｙ，ｚ）で展開すると、数５のようになる。
ｙ，ｚ）で展開すると、数５のようになる。
【００２３】
【数５】
【００２４】また、第１段，第２段反射ミラー２，３へ
の入射角度及び第１段反射ミラー２の極点と第２焦点６
までの距離、第２段反射ミラー３とその焦点の距離等の
パラメーターを最適化することにより露光面上のＸ線強
度分布を水平方向に均一にすることができる。即ち上記
のパラメーター（ｄ2 ，ｄ3 ，ｄ4 ，θ1 ，θ2 ）を最
適化することにより、露光面６上のＸ線強度分布を水平
方向に均一にすることができる。
の入射角度及び第１段反射ミラー２の極点と第２焦点６
までの距離、第２段反射ミラー３とその焦点の距離等の
パラメーターを最適化することにより露光面上のＸ線強
度分布を水平方向に均一にすることができる。即ち上記
のパラメーター（ｄ2 ，ｄ3 ，ｄ4 ，θ1 ，θ2 ）を最
適化することにより、露光面６上のＸ線強度分布を水平
方向に均一にすることができる。
【００２５】さらに、露光領域の垂直方向に広げる手法
として、Ｘ線マスクと露光面５を一体にして垂直方向に
掃引する機構を用いることもできる。
として、Ｘ線マスクと露光面５を一体にして垂直方向に
掃引する機構を用いることもできる。
【００２６】また、第１段反射ミラ−２の反射面の曲面
形状は、回転楕円面に限るものではなく、トロイダル面
の２焦点系の集光特性を持つ曲面によって表わされるも
ので構成してもよい。
形状は、回転楕円面に限るものではなく、トロイダル面
の２焦点系の集光特性を持つ曲面によって表わされるも
ので構成してもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、水平
方向及び垂直方向の発散角を持つＸ線を放射する点光源
状のＸ線源、Ｘ線を水平方向及び垂直方向に同時に焦点
を結ばせる集光作用を有し、その反射面の曲面形状は、
回転楕円面或はトロイダル面の２焦点系の集光特性を持
つ曲面によって表わされる第１段反射ミラー、第１段反
射ミラーによって集光された焦点から放射するＸ線をＸ
線の光学系の主光軸に平行なＸ線にコリメートする作用
を有し、その反射面の曲面形状が回転放物面で表わされ
る第２段反射ミラーを備え、第１段反射ミラーの第１焦
点を点光源に配置し、第１段反射ミラーの第２焦点と第
２段反射ミラーの焦点を実質的に一致させるようにした
ので、水平方向に大きく広がるＸ線を有効に露光面に集
め、強度の大きいＸ線を露光領域にわたって直入射に限
りなく近い状態で露光することができる効果がある。
方向及び垂直方向の発散角を持つＸ線を放射する点光源
状のＸ線源、Ｘ線を水平方向及び垂直方向に同時に焦点
を結ばせる集光作用を有し、その反射面の曲面形状は、
回転楕円面或はトロイダル面の２焦点系の集光特性を持
つ曲面によって表わされる第１段反射ミラー、第１段反
射ミラーによって集光された焦点から放射するＸ線をＸ
線の光学系の主光軸に平行なＸ線にコリメートする作用
を有し、その反射面の曲面形状が回転放物面で表わされ
る第２段反射ミラーを備え、第１段反射ミラーの第１焦
点を点光源に配置し、第１段反射ミラーの第２焦点と第
２段反射ミラーの焦点を実質的に一致させるようにした
ので、水平方向に大きく広がるＸ線を有効に露光面に集
め、強度の大きいＸ線を露光領域にわたって直入射に限
りなく近い状態で露光することができる効果がある。
【図１】この発明の実施例１によるＸ線露光装置を示す
構成図である。
構成図である。
【図２】図１に示すＸ線露光装置のＸ線集光光学系の主
光軸を含む縦断面図である。
光軸を含む縦断面図である。
【図３】この発明の実施例１に係る第１段反射ミラ−の
反射面の曲面形状を説明する説明図である。
反射面の曲面形状を説明する説明図である。
【図４】この発明の実施例１に係る第１段反射ミラ−の
反射面の曲面形状を説明する説明図である。
反射面の曲面形状を説明する説明図である。
【図５】この発明の実施例１に係る第２段反射ミラ−の
反射面の曲面形状を説明する説明図である。
反射面の曲面形状を説明する説明図である。
【図６】従来のＸ線露光装置の構成を示す構成図であ
る。
る。
１ Ｘ線源 ２ 第１段反射ミラー ３ 第２段反射ミラー ４ 真空窓 ５ 露光面
Claims (1)
- 【請求項１】 水平方向及び垂直方向の発散角を持つＸ
線を放射する点光源状のＸ線源、上記Ｘ線を水平方向及
び垂直方向に同時に焦点を結ばせる集光作用を有し、そ
の反射面の曲面形状は、回転楕円面或はトロイダル面の
２焦点系の集光特性を持つ曲面によって表わされる第１
段反射ミラー、上記第１段反射ミラーによって集光され
た焦点から放射するＸ線を上記Ｘ線の光学系の主光軸に
平行なＸ線にコリメートする作用を有し、その反射面の
曲面形状が回転放物面で表わされる第２段反射ミラーを
備え、第１段反射ミラーの第１焦点を上記点光源に配置
し、上記第１段反射ミラーの第２焦点と第２段反射ミラ
ーの焦点を実質的に一致させるようにしたことを特徴と
するＸ線露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3106171A JP2727787B2 (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | Ｘ線露光装置 |
| US07/848,312 US5249215A (en) | 1991-05-13 | 1992-03-09 | X-ray exposure system with curved reflecting mirrors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3106171A JP2727787B2 (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | Ｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04335514A JPH04335514A (ja) | 1992-11-24 |
| JP2727787B2 true JP2727787B2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=14426814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3106171A Expired - Fee Related JP2727787B2 (ja) | 1991-05-13 | 1991-05-13 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5249215A (ja) |
| JP (1) | JP2727787B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3499592B2 (ja) * | 1994-01-31 | 2004-02-23 | 株式会社ルネサステクノロジ | 投影露光装置及びパターン転写方法 |
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